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 三次元向けSi貫通電極（TSV)：重要な課題と市場分析3-D TSV: Insight On Critical Issues And Market Analysis TSV（Through-Silicon Via）は、シリコンウェハまたはチップを完全に貫通する垂直電気接続で、3D IC（集積回路）やパッケージを作成するために使用されます。3D ICの市場採用を促進する要因は、性能の向上、小... もっと見る
サマリーTSV（Through-Silicon Via）は、シリコンウェハまたはチップを完全に貫通する垂直電気接続で、3D IC（集積回路）やパッケージを作成するために使用されます。3D ICの市場採用を促進する要因は、性能の向上、小型化、およびコスト削減です。 本報告書では、TSV IC、関連機器、および材料の市場を分析しています。 はじめに
半導体産業におけるTSVアドバンスト・パッケージング分野は、電子機器におけるより高い演算能力と効率に対する需要の高まりに後押しされ、現在急速な進化と拡大を遂げている。
ここでは、提供された情報に基づくいくつかの重要な洞察と示唆を紹介する：
アドバンスト・パッケージングにおける技術革新：先端パッケージングの技術革新：再配線層（RDL）、貫通
電極（TSV）、バンプ技術、ハイブリッドボンディングは先端パッケージング技術の最前線にある。各技術は、接続効率の向上と消費電力の削減により、チップ性能の向上に重要な役割を果たしています
これらの技術は、従来の微細化手法に見られる物理的限界に対処するものであり、特に量子トンネル効果は、R&D コストの高騰や歩留まりの低下により、さらなる微細化を非現実的なものにしています。
コンピューティング・パワーへの影響：高度なパッケージングは、プロセッサの集積度を高め、プロセス・メモリ接続の帯域幅と効率を向上させることで、コンピューティング・パワーを大幅に向上させます。これは「メモリの壁」と「消費電力の壁」を克服し、AIや機械学習モデルを含む、より高度なコンピューティング・アプリケーションを可能にするために不可欠である。
需給ダイナミクス：
AIアプリケーションのコンピューティング要件が爆発的に増加していることもあり、先端パッケージングに対する需要は供給を上回っている。
NvidiaやTSMCのような大手企業は、この需要に対応するのに苦労しており、生産能力に大きなボトルネックがあることを示している。この供給不足は、技術の進歩や市場のニーズに対応するため、高度なパッケージング能力の拡大が急務であることを浮き彫りにしている。
市場の障壁と業界力学：
製造工程に複雑さと精密さが要求されるため、先端パッケージング市場への参入障壁は高く、包括的な製造・設計能力を持つ既存企業が有利である。
大手グローバル企業は生産能力を拡大しているが、拡大サイクルの長さと設備不足が課題となっている。このような状況は、各地域の国内企業が開発を加速させ、市場シェアを獲得する可能性を広げるチャンスである。
将来の展望：生産能力を拡大するための継続的な努力と、新材料や新技術の積極的な研究開発は、半導体
産業の将来の成長に不可欠である。国内企業、特に半導体産業に対する政府の強力な支援を受けている地域の企業は、「国内代替」のために現在の市場力学を活用し、国際的なサプライヤーへの依存を減らす
またとない機会を持っている。
3Dおよび2.5D TSVの動向
半導体パッケージングの領域では、3Dおよび2.5D貫通電極（TSV）技術の進化が革新と進歩の新時代を切り開いた。CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）とFeverosという2つの主要なパッケージング手法は、この技術革命の模範として際立っている。
ここでは、これらの最先端パッケージング手法に見られる技術トレンドについて解説する：
CoWoSとFeverosは、半導体パッケージングにおける集積密度の向上というトレンドを象徴している。CoWoSとFeverosは、半導体パッケージングにおける集積密度の向上というトレンドを象徴している。複数のダイを単一の基板上に垂直に積層することで、これらのパッケージング手法は、より多くのコンポーネントをより小さなフットプリントに詰め込むことを可能にし、電子デバイスの小型化とコンパクトなフォームファクターの需要に応える。さらに、CoWoSとFeverosによって促進される異種集積が支配的なトレンドとして浮上している。
これらのパッケージング技術は、CPU、GPU、メモリモジュールなどの異種コンポーネントを統一パッケージ内にシームレスに統合することを可能にする。この傾向は、高性能コンピューティング、人工知能（AI）、
車載エレクトロニクスなど、特定のアプリケーションに合わせた高度に専門化されたカスタマイズ可能な半導体ソリューションの創出を後押しする。
高帯域幅接続は、3Dおよび2.5D TSVパッケージのもう一つの重要なトレンドとして浮上している。
CoWoSとFeverosは、TSV技術を活用して垂直積層ダイ間に高速通信チャネルを確立し、迅速なデータ転送と処理を促進する。この機能は、高いデータ・スループット、低レイテンシ、エネルギー効率を要求するアプリケーションにとって特に重要です。効果的な熱管理は、3Dおよび2.5D TSVパッケージングにおける重要な検討事項として浮上しています。半導体デバイスがより高密度に実装され、消費電力が増加するにつれて、堅牢な熱管理ソリューションの必要性が最も重要になります。CoWoSとFeverosパッケージは、効率的に熱を放散させ、デバイスの信頼性と性能を確保するための高度な熱管理技術を組み込んでいます。
さらに、CoWoSとFeverosパッケージの採用において、サプライチェーンのコラボレーションが注目すべきトレンドとして浮上している。これらの先進的なパッケージング・ソリューションは、半導体メーカー、パッケージング・プロバイダー、装置サプライヤーを含む半導体サプライチェーン全体でのコラボレーションを必要とする。この傾向は、先進パッケージング・ソリューションの広範な採用を促進するエコシステム・パートナーシップと標準化努力の重要性を強調している。
最後に、市場の拡大は3Dおよび2.5D TSVパッケージングの領域における重要なトレンドです。
高性能コンピューティング、AI、車載エレクトロニクスの需要が増加する中、CoWoSとFeverosパッケージの市場は大幅な成長を遂げようとしている。これらの技術が成熟し、コスト効率が向上するにつれて、より広範なアプリケーションに浸透し、市場の拡大とイノベーションをさらに促進すると予想される。
まとめると、CoWoS と Feverosに代表される 3D および 2.5D TSV パッケージングに見られる技術動向は、集積密度、異種集積、高帯域幅接続、効果的な熱管理、サプライ・チェーン連携、市場拡大に対する業界のたゆまぬ追求を裏付けています。これらのトレンドは、半導体イノベーションの次の波を牽引する先進パッケージングソリューションの変革の可能性を象徴している。
本レポートについて
本レポートは 175 ページで構成され、以下の内容をカバーしています：
本レポート「3-D TSV: Insight On Critical Issues and Market Analysis」は、3Dおよび2.5D TSV技術の
極めて重要な役割に焦点を当て、半導体パッケージングにおける貫通電極（TSV）の開発と展開の中心となる技術動向を包括的に検証しています。本レポートの主なハイライトは、CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）やFeverosなど、3Dや2.5D TSVを組み込んだ先進パッケージングソリューションの詳細な調査である。
これらの先進パッケージング技術は、半導体の機能と効率の限界を押し広げつつある。例えばCoWoSは、
異種チップを垂直に積み重ねることで高密度集積を可能にし、性能を大幅に向上させ、消費電力を削減します。これは、データセンターやAI処理など、高い計算能力を必要とするアプリケーションに特に有益である。Feverosは、最初の情報では
詳しく説明されていませんが、様々な分野でより高速で効率的なコンピューティングに対する需要の高まりに対応するため、3Dまたは2.5DのTSV技術を活用したもう1つの革新的なパッケージングソリューションであると推測できます。
本レポートでは、これらの技術が、より広い帯域幅、待ち時間の短縮、エネルギー消費の低減といった業界の重要な課題にどのように対応しているかについて掘り下げている。従来のスケーリング法則の限界を克服し、ムーアの法則に沿った半導体デバイスの継続的な進化を可能にする、これらの高度なパッケージング方法の戦略的重要性を強調している。
さらに、本分析では、性能コンピューティング、民生用電子機器、自動車システムへの応用を原動力とする、
3Dおよび2.5D TSVソリューションに対する需要の高まりを反映した市場概観を提示している。
本レポートは、これらの新たなビジネスチャンスを生かすために業界主要企業が採用している技術的進歩や戦略に焦点を当て、競争環境を強調しています。
まとめると、「3次元TSV：重要課題の洞察と市場分析」レポートは、3次元および2.5次元TSV技術の最新動向を詳細に理解し、CoWoSとFeverosを、これらの高度なパッケージング技術が半導体製造と設計の未来を形作る
模範的なモデルとして紹介しています。
目次第1章 はじめに 1-1第2章 重要課題への洞察 2-1
2.1 3次元TSVにおける推進力 2-1
2.2 TSVによる3次元ICの利点 2-2
2.3 コスト効率の高い3次元ダイ積層技術への要求 2-3
2.4 TSV技術の課題 2-4
2.5 TSVサプライチェーンの課題 2-13
2.6 3-Dパッケージング技術の限界 2-14
2.6.1 熱管理 2-14
2.6.2 コスト 2-16
2.6.3 設計の複雑さ 2-16
2.6.4 納期 2-17
第3章 コスト構造 3-1
3.1三次元チップスタックのコスト構造 3-1
3.2 所有コスト 3-5
第4章 重要な加工技術 4-1
4.1 はじめに 4-1
4.2 Cuめっき 4-3
4.3 リソグラフィー 4-5
4.3.1 光リソグラフィー 4-5
4.3.2 インプリントリソグラフィー 4-6
4.3.3 レジストコート 4-7
4.4 プラズマエッチング技術 4-8
4.5 剥離／洗浄 4-12
4.6 薄ウェーハボンディング 4-14
4.7 ウェーハ薄化/CMP 4-19
4.8 スタッキング 4-20
4.9 メトロロジー/検査 4-22
第5章 重要開発セグメントの評価 5-1
5.1 はじめに 5-1
5.2 Via-first 5-3
5.2.1 Equipment Requirements 5-5
5.2.2 Material Requirements 5-7
5.3 Via-Middle 5-8
5.3.1 Equipment Requirements 5-10
5.3.2 Material Requirements 5-11
5.4 Via-Last 5-14
5.4.1 Equipment Requirements 5-14
5.4.2 Material Requirements 5-15
5.5 Interposers 5-17
Chapter 6 Profiles Of Participants 6-1
6.1 Chip Manufacturers/Packaging Houses/Services 6-1
6.2 Equipment Suppliers 6-18
6.3 材料サプライヤー 6-24
6.4 R＆D 6-29
第7章 市場分析 7-1
7.1 TSVデバイスロードマップ 7-1
7.2 TSVデバイス予測 7-3
7.3 装置予測 7-8
7.4 材料予測 7-11
図表リスト表一覧
1.1 3 次元マス・メモリ体積の他技術と TI の 3 次元技術との比較1-8
1.2 3 次元マス・メモリ重量の他技術と TI の 3 次元技術との比較1-9
3.1 Cost of Ownership Comparison 3-15
4.1 Via Middle Metrology/Inspection Requirements 4-24
4.2 Via Last Metrology/Inspection Requirements 4-26
7.1 Forecast Of TSV Devices By Units 7-4
7.2 Forecast Of TSV Devices By Wafers 7-6
7.3 Forecast Of TSV Equipment by Type 7-9
List of Figures
1.1 3D Technology On Dram Density 1-2
1.2 3-D Through-Silicon Via (TSV) 1-6
1.3 Graphical Illustration Of The Silicon Efficiency Between MCMs and 3-D Technology 1-10
1.4 3次元パッケージング技術と他の従来パッケージング技術とのシリコン効率比較 1-11
2.1 TSV製造プロセスの課題 2-6
2.2 TSV製造プロセスの課題 Cu Protrusion 2-7
2.3 TSVの信頼性に関する課題 2-10
2.4 Via Middle Process Integration Challenges 2-11
2.5 Via Middle Process Integration Challenges 2-12
3.1 D2WとW2Wのコスト構造 3-2
3.2 アセンブリコスト分析 3-4
3.2 異なるビアとツールのコスト構造 3-4
3.3 5 X 50 TSV VIA ミドル 3-6
3.4 TSV VIA ミドルプロセスの CMP コスト 3-7
3.5 10 X 100 TSV Via Middle のコスト 3-8
3.6 5 X 50 µm TSV のコスト構造 3-10
3.7 インターポーザ TSV: Upscaling to 10 X 100 µm 3-11
3.8 TSV Downscaling to 3×50 µm 3-12
3.9 異なるバイアとツールのコスト構造 3-14
3.1 Via First Cost Of Ownership 3-16
3.11 Via First Cost Of Ownership Front and Back Side 3-18
3.12 Via First Process Flow 3-19
3.13 iTSV 対 pTSV コストオブオーナーシップ 3-21
3.14 TSV の深さと直径がコストに及ぼす影響 3-22
4.1 ボッシュ・プロセスの図 4-10
4.2 主要ビアミドル TSV プロセスステップ 4-23
4.3 Key Last TSC Process Steps 4-25
5.1 VIA First, Middle, and Last Process Flows 5-2
52 VIA First TSV Process Flow 5-4
5.3 VIA Middle TSV Process Flow 5-9
5.4 Soft Reveal Process 5-13
5.5 VIAラストTSVプロセスフロー 5-15
5.6 2.5Dと3Dの比較 5-18
5.7 RDLレイヤーを含むTSVインターポーザー断面図 5-20
5.8 RDLおよびUBMのプロセスフロー 5-21
7.1 最先端TSVロードマップ 7-2
7.2 単位別TSVデバイスの予測 7-5
7.3 ウェーハ別TSVデバイスの予測 7-7
7.4 タイプ別TSV装置の予測 7-10
7.5 TSV材料の予測 7-12
Summary
TSV is a vertical electrical connection that passes completely through a silicon wafer or chip to create 3D ICs or packages. The drivers for market adoption of 3D ICs are increased performance, reduced form factor and cost reduction. This report analyzes the market for TSV ICs, equipment, and materials.
Introduction
The TSV advanced packaging sector of the semiconductor industry is currently undergoing rapid
evolution and expansion, driven by the increasing demand for higher computing power and
efficiency in electronic devices. Here are some critical insights and implications based on the
information provided:
Technological Innovations in Advanced Packaging: Redistribution Layer (RDL), Through-Silicon
Via (TSV), Bump Technology, and Hybrid Bonding are at the forefront of advanced packaging
technologies. Each plays a crucial role in enhancing chip performance by improving connection
efficiency and reducing power consumption.
These technologies address the physical limitations encountered with traditional scaling
methods, notably the quantum tunneling effect, which makes further miniaturization
impractical due to high R&D costs and low yield rates.
Impact on Computing Power: Advanced packaging significantly boosts computing power by
increasing processor integration and enhancing the bandwidth and efficiency of processormemory connections. This is critical for overcoming the "memory wall" and "power
consumption wall," enabling more sophisticated computing applications, including AI and
machine learning models.
Supply and Demand Dynamics: The demand for advanced packaging is outstripping supply,
partly due to the explosive growth in computing requirements for AI applications. Leading
companies like Nvidia and TSMC are struggling to meet this demand, indicating a significant
bottleneck in production capacity.
This supply shortage highlights the urgency for expanding advanced packaging capabilities to
keep pace with technological advancements and market needs.
Market Barriers and Industry Dynamics: The high barriers to entry in the advanced packaging
market, due to the complexity and precision required in manufacturing processes, favor
established players with comprehensive fabrication and design capabilities.
While leading global companies are expanding their capacities, the lengthy expansion cycle and
equipment shortages present challenges. This situation opens opportunities for domestic
companies in various regions to accelerate their development and potentially gain market
share.
Future Outlook: The ongoing efforts to expand production capabilities and the active R&D in
new materials and techniques are essential for the future growth of the semiconductor
industry.
Domestic companies, especially in regions with strong government support for the
semiconductor industry, have a unique opportunity to leverage the current market dynamics
for "domestic substitution" and reduce reliance on international suppliers.
3D and 2.5D TSV Trends
In the realm of semiconductor packaging, the evolution of 3D and 2.5D Through-Silicon Via
(TSV) technologies has ushered in a new era of innovation and advancement. Two key
packaging methodologies, Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) and Feveros, stand out as
exemplars of this technological revolution. Here's a narrative exploration of the technology
trends observed in these cutting-edge packaging approaches:
CoWoS and Feveros epitomize the trend towards heightened Integration Density within
semiconductor packaging. By vertically stacking multiple dies onto a single substrate, these
packaging methods enable the cramming of more components into a smaller footprint, catering
to the demand for miniaturization and compact form factors in electronic devices.
Moreover, Heterogeneous Integration emerges as a dominant trend, facilitated by CoWoS and
Feveros. These packaging techniques allow for the seamless integration of disparate
components, such as CPUs, GPUs, and memory modules, within a unified package. This trend
empowers the creation of highly specialized and customizable semiconductor solutions tailored
to specific applications, such as high-performance computing, artificial intelligence (AI), and
automotive electronics.
High-Bandwidth Connectivity emerges as another pivotal trend in 3D and 2.5D TSV packaging.
CoWoS and Feveros leverage TSV technology to establish high-speed communication channels
between vertically stacked dies, facilitating rapid data transfer and processing. This capability isparticularly crucial for applications that demand high data throughput, low latency, and energy efficiency.
Effective Thermal Management emerges as a critical consideration in 3D and 2.5D TSV
packaging. As semiconductor devices become more densely packed and power consumption
rises, the need for robust thermal management solutions becomes paramount. CoWoS and
Feveros packages incorporate advanced thermal management techniques to dissipate heat
efficiently, ensuring device reliability and performance.
Furthermore, Supply Chain Collaboration emerges as a notable trend in the adoption of CoWoS
and Feveros packaging. These advanced packaging solutions require collaboration across the
semiconductor supply chain, involving semiconductor manufacturers, packaging providers, and
equipment suppliers. This trend underscores the importance of ecosystem partnerships and
standardization efforts in driving the widespread adoption of advanced packaging solutions.
Lastly, Market Expansion represents a significant trend in the realm of 3D and 2.5D TSV
packaging. With the increasing demand for high-performance computing, AI, and automotive
electronics, the market for CoWoS and Feveros packages is poised for substantial growth. As
these technologies mature and become more cost-effective, they are expected to penetrate a
broader range of applications, further fueling market expansion and innovation.
In summary, the technology trends observed in 3D and 2.5D TSV packaging, exemplified by
CoWoS and Feveros, underscore the industry's relentless pursuit of integration density,
heterogeneous integration, high-bandwidth connectivity, effective thermal management,
supply chain collaboration, and market expansion. These trends epitomize the transformative
potential of advanced packaging solutions in driving the next wave of semiconductor
innovation.
About This Report
This 175-page report covers the following:
The "3-D TSV: Insight On Critical Issues and Market Analysis" report covers a comprehensive
examination of technology trends that are central to the development and deployment of
Through-Silicon Via (TSV) in semiconductor packaging, focusing on the pivotal role of 3D and
2.5D TSV technologies. A key highlight of the report is the detailed exploration of advanced
packaging solutions that incorporate 3D or 2.5D TSV, such as Chip-on-Wafer-on-Substrate
(CoWoS) and Feveros.
These advanced packaging technologies are pushing the boundaries of semiconductor
performance and efficiency. CoWoS, for instance, enables high-density integration of
heterogeneous chips by stacking them vertically, significantly improving performance and
reducing power consumption. This is particularly beneficial for applications requiring high
computational power, like data centers and AI processing. Feveros, although not detailed in
your initial information, can be inferred as another innovative packaging solution leveraging 3D
or 2.5D TSV technologies to meet the growing demands for faster, more efficient computing
across various sectors.
The report delves into how these technologies address critical industry challenges, including the need for greater bandwidth, reduced latency, and lower energy consumption. It emphasizes the
strategic importance of these advanced packaging methods in overcoming the limitations of
traditional scaling laws, thus enabling the continued evolution of semiconductor devices in line
with Moore's Law.
Moreover, the analysis presents a market overview that reflects the growing demand for 3D
and 2.5D TSV solutions, driven by their application in high-performance computing, consumer
electronics, and automotive systems. The report underscores the competitive landscape,
highlighting the technological advancements and strategies employed by key industry players
to capitalize on these emerging opportunities.
In summary, the "3-D TSV: Insight On Critical Issues and Market Analysis" report offers an indepth understanding of the latest developments in 3D and 2.5D TSV technologies, showcasing
CoWoS and Feveros as exemplary models of how these advanced packaging techniques are
shaping the future of semiconductor manufacturing and design.
Table of ContentsChapter 1 Introduction 1‐1Chapter 2 Insight Into Critical Issues 2‐1
2.1 Driving Forces In 3-D TSV 2‐1
2.2 Benefits of 3-D ICs With TSVs 2‐2
2.3 Requirements For A Cost Effective3-D Die Stacking Technology 2‐3
2.4 TSV Technology Challenges 2‐4
2.5 TSV Supply Chain Challenge 2‐13
2.6 Limitations of3-D Packaging Technology 2‐14
2.6.1 Thermal Management 2‐14
2.6.2 Cost 2‐16
2.6.3 Design Complexity 2‐16
2.6.4 Time to Delivery 2‐17
Chapter 3 Cost Structure 3‐1
3.1 Cost Structure of3-D chip Stacks 3‐1
3.2 Cost of Ownership 3‐5
Chapter 4 Critical Processing Technologies 4‐1
4.1 Introduction 4‐1
4.2 Cu Plating 4‐3
4.3 Lithography 4‐5
4.3.1 Optical Lithography 4‐5
4.3.2 Imprint Lithography 4‐6
4.3.3 Resist Coat 4‐7
4.4 Plasma Etch Technology 4‐8
4.5 Stripping/Cleaning 4‐12
4.6 Thin Wafer Bonding 4‐14
4.7 Wafer Thinning/CMP 4‐19
4.8 Stacking 4‐20
4.9 Metrology/Inspection 4‐22
Chapter 5 Evaluation Of Critical Development Segments 5‐1
5.1 Introduction 5‐1
5.2 Via‐first 5‐3
5.2.1 Equipment Requirements 5‐5
5.2.2 Material Requirements 5‐7
5.3 Via‐Middle 5‐8
5.3.1 Equipment Requirements 5‐10
5.3.2 Material Requirements 5‐11
5.4 Via‐Last 5‐14
5.4.1 Equipment Requirements 5‐14
5.4.2 Material Requirements 5‐15
5.5 Interposers 5‐17
Chapter 6 Profiles Of Participants 6‐1
6.1 Chip Manufacturers/Packaging Houses/Services 6‐1
6.2 Equipment Suppliers 6‐18
6.3 Material Suppliers 6‐24
6.4 R&D 6‐29
Chapter 7 Market Analysis 7‐1
7.1 TSV Device Roadmap 7‐1
7.2 TSV Device Forecast 7‐3
7.3 Equipment Forecast 7‐8
7.4 Material Forecast 7‐11
List of Tables/GraphsList of Tables
1.1 3-D Mass Memory Volume Comparison Between Other Technologies And TI’s3-D Technology1‐8
1.2 3-D Mass Memory Weight Comparison Between Other Technologies And TI’s3-D Technology1‐9
3.1 Cost Of Ownership Comparison 3‐15
4.1 Via Middle Metrology/Inspection Requirements 4‐24
4.2 Via Last Metrology/Inspection Requirements 4‐26
7.1 Forecast Of TSV Devices By Units 7‐4
7.2 Forecast Of TSV Devices By Wafers 7‐6
7.3 Forecast Of TSV Equipment by Type 7‐9
List of Figures
1.1 3-D Technology On Dram Density 1‐2
1.2 3-D Through‐Silicon Via (TSV) 1‐6
1.3 Graphical Illustration Of The Silicon Efficiency Between MCMs And 3-D Technology 1‐10
1.4 Silicon Efficiency Comparison Between 3D Packaging Technology and Other Conventional Packaging Technologies 1‐11
2.1 TSV Fabrication Process Challenges 2‐6
2.2 TSV Fabrication Process Challenge – Cu Protrusion 2‐7
2.3 TSV Reliability Challenges 2‐10
2.4 Via Middle Process Integration Challenges 2‐11
2.5 Via Middle Process Integration Challenges 2‐12
3.1 Cost Structure of D2W and W2W 3‐2
3.2 Assembly Cost Analysis 3‐4
3.2 Cost Structure Of Different Vias And Tools 3‐4
3.3 Cost Of Ownership For 5 X 50 TSV VIA Middle 3‐6
3.4 Cost Of CMP For TSV VIA Middle Process 3‐7
3.5 Cost Of Ownership For 10 X 100 TSV Via Middle 3‐8
3.6 Cost Structure Of TSVs 5 X 50 µm 3‐10
3.7 Interposer TSV: Upscaling To 10 X 100 µm 3‐11
3.8 TSV Downscaling To 3×50 µm 3‐12
3.9 Cost Structure Of Different Vias And Tools 3‐14
3.1 Via First Cost Of Ownership 3‐16
3.11 Via First Cost Of Ownership Front And Back Side 3‐18
3.12 Via First Process Flow 3‐19
3.13 iTSV Versus pTSV Cost Of Ownership 3‐21
3.14 Effect Of TSV Depth And Diameter On Cost 3‐22
4.1 Illustration Of Bosch Process 4‐10
4.2 Key Via Middle TSV Process Steps 4‐23
4.3 Key Last TSC Process Steps 4‐25
5.1 VIA First, Middle, And Last Process Flows 5‐2
52 VIA First TSV Process Flow 5‐4
5.3 VIA Middle TSV Process Flow 5‐9
5.4 Soft Reveal Process 5‐13
5.5 VIA Last TSV Process Flow 5‐15
5.6 Comparison Between 2.5D And 3D 5‐18
5.7 TSV Interposer Cross Sectional Schematic With RDL Layer 5‐20
5.8 Process Flow For RDL And UBM 5‐21
7.1 Leading Edge TSV Roadmap 7‐2
7.2 Forecast Of TSV Devices By Units 7‐5
7.3 Forecast Of TSV Devices By Wafers 7‐7
7.4 Forecast Of TSV Equipment by Type 7‐10
7.5 Forecast Of TSV Materials 7‐12
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