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パワー半導体:市場、材料、技術


Power Semiconductors: Markets, Materials and Technologies

この調査レポートは、世界のパワー半導体市場を調査し、応用市場や市場分析、関連企業情報などを掲載しています。 主な掲載内容 (目次より抜粋) 概説 パワー半導体の用途 再... もっと見る

 

 

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2024年7月2日 US$4,995
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サマリー

この調査レポートは、世界のパワー半導体市場を調査し、応用市場や市場分析、関連企業情報などを掲載しています。

主な掲載内容(目次より抜粋)

  1. 概説
  2. パワー半導体の用途
    1. 再生可能エネルギーにおけるパワー半導体
    2. ハイブリッド&電気自動車におけるパワー半導体
    3. LED照明におけるパワー半導体
    4. 産業用モータードライブにおけるパワー半導体
    5. スマートホーム市場におけるパワー半導体
    6. エンドアプリケーション向けGaNとSiC市場予測
  3. 市場分析
    1. 半導体市場におけるパワー半導体の位置付け
    2. IGBTとパワーMOSFETの成長見込み
    3. エンドアプリケーション市場
    4. ワイドギャップ半導体(ワイドバンドギャップセミコンダクター)市場
  4. 次世代型パワー半導体
    1. シリコンの限界克服への期待
    2. 次世代型サブストレートとしてのSiCとGaNへの期待
    3. ワイドギャップ半導体のメリット
    4. SiCとGaN比較
    5. SiCデバイス製造
    6. GaNデバイス製造
    7. 実装
  5. 企業情報
    1. パワー半導体企業
    2. SiCウエハー関連企業
    3. GaNウエハー関連企業
    4. 次世代の取り組みを行っている企業の概要


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目次

本レポートは毎月更新されています。最新の目次はお気軽にお問合せください。

第1章 はじめに 1-1


1.1 IGBTチップ構造の進化 1-4
1.2 IGBTチップの小型化の効果 1-6
1.3 SiCトレンチ型MOSFETとDMOSFETとの比較による抵抗低減 1-7
1.4 平面型と縦型(トレンチ型)MOSFET 1-9
1.5 FinFETの回路図 1-11
1.6 MOSFETとスーパージャンクションMOSFETの回路図 1-13
1.7 SiC U MOSFET 1-17


第2章 パワー半導体の応用 2-1


2.1 太陽光発電の見通し 2-4
2.2 フルブリッジIGBTトポロジー 2-5
2.3 マイコン・ベース・インバータのブロック図 2-11
2.4 世界の風力タービン出荷台数 2-14
2.5 各国の風力発電容量トップ 2-15
2.6 一般的な30~50kwインバータの部品表 2-19
2.7 HEVトラクション・ドライブ・システムの簡単な構成図2-22
2.8 より複雑なプラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)のPEEM図 2-23
2.9 インバータの導通とスイッチング損失 2-25
2.10 パワー半導体の単価動向 2-27
2.11 ワイドバンドギャップ半導体のシステムと部品コスト 2-31
2.12 縦型と横型HEMT 2-37
2.13 EVにおけるGaN横型HEMTとGaN縦型HEMT 2-41
2.14 LEDビズとアプリケーションの市場牽引要因 2-44
2.15 SSLと従来技術の比較 2-45
2.16 LED性能対従来光源 2-46従来の光源 2-46
2.17 エネルギー生産と使用の比較 2-50
2.18 代表的なLED駆動回路 2-53
2.19 TSVを用いたLEDとLEDドライバの統合 2-55
2.20 簡単なパワーMOSFETモーターコントローラ 2-60
2.21 インバータの基本動作原理 2-66
2.1 太陽光発電の予測 2-4
2.2 フルブリッジIGBTトポロジー 2-5
2.3 マイコン・ベース・インバータのブロック図 2-11
2.4 世界の風力タービン出荷台数 2-14
2.5 各国の風力発電容量トップ 2-15
2.6 一般的な30~50kwインバータの部品表 2-19
2.7 HEVトラクション・ドライブ・システムの簡単な構成図2-22
2.8 より複雑なプラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)のPEEM図 2-23
2.9 インバータの導通とスイッチング損失 2-25
2.10 パワー半導体の単価動向 2-27
2.11 ワイドバンドギャップ半導体のシステムと部品コスト 2-31


第3章 市場分析 3-1


3.1 半導体市場におけるパワー半導体の位置づけ 3-9
3.2 IGBTとパワーMOSFETの成長の可能性 3-11
3.3 IGBT市場 3-18
3.3.1 IGBT技術動向 3-18
3.3.2 IGBTタム 3-18
3.3.3 アプリケーション別IGBT市場成長 3-21
3.3.3.1 自動車 3-21
3.3.3.2 発電とグリッド 3-23
3.3.3.3 民生用電子機器 3-25
3.3.3.4 産業用制御機器 3-27
3.3.3.5 鉄道/電車 3-27
3.3.3.6 EV充電システム 3-30
3.3.4 IGBTの競合状況 3-32
3.3.4.1 世界と中国の市場シェア 3-32
3.3.4.2 IGBTのビジネスモデル 3-35
3.3.4.3 世界と中国の技術格差 3-35
3.4 MOSFETタム 3-37
3.4.1 MOSFET TAMの方法論 3-40
3.4.2 用途別MOSFET市場成長率 3-40
3.4.2.1 自動車 3-40
3.4.2.2 EV充電 3-42
3.4.2.3 産業・医療 3-42
3.4.2.4 民生用 3-45
3.4.2.5 通信ネットワーク 3-46
3.4.3.6 コンピューティング 3-48
3.4.4 MOSFETの競争環境 3-48
3.4.4.1 世界と中国の市場シェア 3-48
3.4.4.2 世界の同業他社に対する中国サプライヤーの技術/製品格差 3-51
3.5 新興最終用途市場 3-52
3.5.1 電気自動車 3-52
3.5.2 5Gインフラ 3-56
3.4 ワイドバンドギャップ・パワー半導体市場 3-60


第4章 次世代パワー半導体 4-1


4.1 シリコンの限界克服への期待 4-1
4.2 次世代基板としてのSiCとGaNへの期待 4-3
4.3 ワイドバンドギャップ半導体のメリット 4-3
4.4 SiCとGaNの比較 4-5
4.4.1 材料特性 4-6
4.4.2 材料品質 4-8
4.4.3 SiCラテラルデバイス:4-10
4.4.4 SiC縦型デバイス 4-10
4.4.5 GaN横型デバイス 4-12
4.5 SiCデバイスの製造 4-22
4.5.1 SiCのバルク成長とエピタキシャル成長 4-22
4.5.1.1 バルク成長 4-22
4.5.1.2 エピタキシャル成長 4-23
4.5.1.3 欠陥 4-23
4.5.2 表面処理 4-25
4.5.3 エッチング 4-27
4.5.4 リソグラフィー 4-28
4.5.5 イオン注入 4-28
4.5.6 表面パッシベーション 4-29
4.5.7 メタライゼーション 4-32
4.6 GaNデバイスの製造 4-33
4.6.1 GaNの課題 4-37
4.6.1.1 コスト 4-37
4.6.1.2 信頼性 4-40
4.6.1.3 コンポーネントのパッケージングと熱信頼性 4-41
4.6.1.4 制御 4-41
4.6.1.5 デバイス・モデリング 4-42
4.7 パッケージング 4-42


第5章 企業プロフィール 5-1


5.1 パワー半導体企業 5-1
5.1.1 インフィニオン 5-1
5.1.2 三菱 5-3
5.1.3 東芝 5-4
5.1.4 STMicroelectronics 5-5
5.1.5 ビシェイ 5-6
5.1.6 富士電機 5-8
5.1.7 ルネサス 5-9
5.1.8 セミクロン 5-10
5.1.9 NXPセミコンダクターズ 5-11
5.1.10 日立パワー半導体デバイス 5-12
5.1.11 エクセルセミコンダクタ 5-13
5.1.12 アドバンスト・リニア・デバイス 5-14
5.1.13 ネクスペリア 5-15
5.1.14 ローム 5-15
5.1.15 サンケン電気 5-16
5.1.16 新電元工業 5-17
5.1.17 マイクロチップ・テクノロジー 5-18
5.1.18 ジーンシク・セミコンダクター 5-19
5.1.19 セミサウス研究所 5-20
5.1.20 ユナイテッド・シリコン・カーバイド 5-20
5.1.21 マイクロGaN 5-21
5.1.22 パウレック 5-23
5.1.23 ナイトロニクス 5-23
5.1.24 トランスフォーム 5-24
5.1.25 アレグロ・マイクロシステムズ 5-25
5.1.26 GaNシステムズ 5-26
5.1.27 ナビタスセミコンダクター 5-27
5.1.28 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター 5-27
5.1.29 オン・セミコンダクター 5-28
5.1.30 吉林中微電子 5-29
5.1.31 BYDマイクロエレクトロニクス 5-30
5.1.32 揚州揚傑電子科技 5-30
5.1.33 スターパワー 5-31
5.1.34 西濃マイクロ 5-31
5.1.35 楊傑 5-32
5.1.36 傑傑 5-32
5.1.37 グッドアーク 5-33
5.1.38 NCEパワー 5-33

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図表リスト

図表一覧
1.1 IGBTチップ構造の進化 1-4
1.2 IGBTチップの小型化の効果 1-6
1.3 SiCトレンチ型MOSFETとDMOSFETとの比較による抵抗低減 1-7
1.4 平面型と縦型(トレンチ型)MOSFET 1-9
1.5 FinFETの回路図 1-11
1.6 MOSFETとスーパージャンクションMOSFETの回路図 1-13
1.7 スーパージャンクションMOSFETのプロセスフロー 1-14
2.1 太陽光発電の予測 2-4
2.2 フルブリッジIGBTトポロジー 2-5
2.3 PVインバータ市場の分布 2-8
2.4 マイコン・ベース・インバータのブロック図 2-11
2.5 世界の風力タービン出荷台数 2-14
2.6 各国の風力発電容量トップ 2-15
2.7 一般的な30~50kwインバーターの部品表 2-20
2.8 HEVトラクション・ドライブ・システムの簡単な構成図2-22
2.9 より複雑なプラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)のPEEM図 2-23
2.10 インバータの導通とスイッチング損失 2-25
2.11 パワー半導体の単価動向 2-27
2.12 HEV/EV出荷台数予測 2-31
2.13 ワイドバンドギャップ半導体のシステムと部品コスト 2-32
2.14 縦型HEMYと横型HEMY 2-34
2.15 EVにおけるGaN横型HEMTとGaN縦型HEMT 2-38
2.16 LEDビズとアプリケーションの市場促進要因 2-41
2.17 SSLと従来技術の比較 2-42
2.18 LEDの性能対従来の光源 2-43従来の光源 2-43
2.19 エネルギー生産と使用の比較 2-46
2.20 代表的なLED駆動回路 2-49
2.21 TSVを用いたLEDとLEDドライバの統合 2-52
2.22 簡単なパワーMOSFETモーターコントローラ 2-57
2.23 インバータの基本動作原理 2-63
2.24 エアコンのシステムブロック図 2-65
3.1 三菱のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)世代 3-3
3.2 インフィニオンのMOSFET世代 3-4
3.3 インテルのFinFET設計 3-5
3.4 富士電機のMOSFETとスーパージャンクションMOSFET 3-6
3.5 NECのGaN-on-Siパワートランジスタ 3-7
3.6 富士通のGaN-on-SiC HEMTトランジスタ 3-8
3.7 パワー半導体の市場展望 3-10
3.8 パワー半導体の市場シェア 3-12
3.9 スーパージャンクションMOSFETの市場展望 3-15
3.10 暫定的ソリューションとしてのSJ MOSFET 3-16
3.11 世界のアプリケーション別IGBTシェア 3-19
3.12 アプリケーション別中国IGBTシェア 3-20
3.13 世界と中国の自動車用IGBT予測 3-22
3.14 世界と中国の発電用IGBT予測 4-24
3.15 世界と中国民生用IGBT予測 3-26
3.16 産業用IGBTの世界および中国予測 3-28
3.17 中国産業用IGBTの世界予測 3-29
3.18 中国・EV充電用IGBTの世界市場予測 3-31
3.19 IGBTモジュールの世界市場シェア 3-33
3.20 IGBTディスクリートの世界市場シェア 3-34
3.21 アプリケーション別MOSFET世界シェア 3-38
3.22 アプリケーション別中国MOSFETシェア 3-39
3.23 車載用MOSFETの世界および中国市場予測 3-41
3.24 EV充電用MOSFETの世界および中国市場予測 3-43
3.25 産業用MOSFETの世界および中国予測 3-44
3.26 中国・民生用MOSFETの世界予測 3-46
3.27 中国・通信用MOSFETの世界市場予測 3-47
3.28 中国・通信用MOSFETの世界市場予測 3-49
3.29 MOSFET市場シェア 3-50
3.30 ICEとEVの電力需要 3-55
3.31 5Gのパワー半導体需要 3-57
3.32 ワイドバンドギャップ半導体市場の展望 3-64
4.1 成熟期を迎えたシリコンベース・デバイス 4-2
4.2 エンハンスメントモードGaNオンSiトランジスタ 4-14
4.3 AlGaN/GaN HEMT、GaN MOSFET、MOS-HEMT 4-18
4.4 Si基板上のGaN HEMT材料構造 4-36
4.5 パワーパッケージ統合ロードマップ 4-44


テーブル一覧
2.1 電源製品の製品群と主な最終用途 2-2
2.2 オングリッドインバータのタイプ別予測 2-8
2.3 EV出荷予測 2-29
2.4 GaN横型HEMTの長所と短所 2-39
2.5 光源の比較 2-49
2.6 エンドアプリケーション別GaNおよびSiCパワーデバイスの予測 2-77
3.1 電気自動車向けパワー半導体の見通し 3-54
3.2 5G 半導体の総市場予測 3-59
4.1 半導体材料の物理的特性 4-4
4.2 ワイドバンドギャップ材料の特性 4-7
4.3 半導体出発材料の格子定数と CTE 4-11
4.4 GaN FET対Si MOSFET特性 4-16
4.5 SiC基板の表面処理用標準化学溶液 4-26
4.6 異なるプロセス条件下における4H-SiCの界面トラップ密度 4-31

 

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Summary

The rapid growth of the power semiconductor market in recent years has been driven by the proliferation of computer and consumer electronics, such as desktop computers, notebooks, netbooks, smartphones, flat panel displays and portable media players that require sophisticated power management to improve power efficiency and extend battery life. The worldwide markets are analyzed and projected. Market shares of suppliers of for each type of device are presented.

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Table of Contents

Chapter 1 Introduction 1-1


1.1 Evolution Of IGBT Chip Structure 1-4
1.2 Effects Of Miniaturization Of IGBT Chip 1-6
1.3 SiC Trench-Type MOSFET And Resistance Reduction As Compared With DMOSFET 1-7
1.4 Planar And Vertical (Trench) MOSFET 1-9
1.5 Schematic Of A FinFET 1-11
1.6 Schematic Of A MOSFET And Super Junction MOSFET 1-13
1.7 SiC U MOSFET 1-17


Chapter 2 Applications of Power Semiconductors 2-1


2.1 Forecast Of Solar Power 2-4
2.2 Full Bridge IGBT Topology 2-5
2.3 Block Diagram Of Microcontroller-Based Inverter 2-11
2.4 Worldwide Wind Turbine Shipments 2-14
2.5 Top Wind Power Capacity by Country 2-15
2.6 Bill Of Materials For A Typical 30-50kw Inverter 2-19
2.7 A Simple Diagram Of A HEV Traction Drive System. 2-22
2.8 A More Complex Diagram Of PEEM In A Plug-In Hybrid Electric Vehicle (PHEV) 2-23
2.9 Conducting And Switching Loses For Inverter 2-25
2.10 Unit Pricing Trends In Power Semiconductors 2-27
2.11 System And Component Costs For Wide Bandgap Semiconductors 2-31
2.12 Vertical And Lateral HEMT 2-37
2.13 GaN Lateral And GaN Vertical HEMTs In EVs 2-41
2.14 Market Drivers For LED Biz And Applications 2-44
2.15 SSL Vs. Classical Technologies 2-45
2.16 LED Performance Vs. Traditional Light Sources 2-46
2.17 Energy Production And Use Comparison 2-50
2.18 Typical LED Drive Circuit 2-53
2.19 Integration Of LED And LED Driver Using TSV 2-55
2.20 Simple Power MOSFET Motor Controller 2-60
2.21 Basic Operating Principle Of Inverter 2-66
2.1 Forecast Of Solar Power 2-4
2.2 Full Bridge IGBT Topology 2-5
2.3 Block Diagram Of Microcontroller-Based Inverter 2-11
2.4 Worldwide Wind Turbine Shipments 2-14
2.5 Top Wind Power Capacity by Country 2-15
2.6 Bill Of Materials For A Typical 30-50kw Inverter 2-19
2.7 A Simple Diagram Of A HEV Traction Drive System. 2-22
2.8 A More Complex Diagram Of PEEM In A Plug-In Hybrid Electric Vehicle (PHEV) 2-23
2.9 Conducting And Switching Loses For Inverter 2-25
2.10 Unit Pricing Trends In Power Semiconductors 2-27
2.11 System And Component Costs For Wide Bandgap Semiconductors 2-31


Chapter 3 Market Analysis 3-1


3.1 Position of Power Semiconductors in Semiconductor Market 3-9
3.2 Growth Potential of IGBTs and Power MOSFETs 3-11
3.3 IGBT Market 3-18
3.3.1 IGBT Technology Trends 3-18
3.3.2 IGBT TAM 3-18
3.3.3 IGBT Market Growth By Applications 3-21
3.3.3.1 Automotive 3-21
3.3.3.2 Power Generation And Grid 3-23
3.3.3.3 Consumer Electronics 3-25
3.3.3.4 Industrial Controls 3-27
3.3.3.5 Railway/Train 3-27
3.3.3.6 EV Charging Systems 3-30
3.3.4 IGBT Competitive Landscape 3-32
3.3.4.1 Global And China Market Share 3-32
3.3.4.2 IGBT Business Model 3-35
3.3.4.3 Technology Gap Between China And Global Players 3-35
3.4 MOSFET TAM 3-37
3.4.1 MOSFET TAM Methodology 3-40
3.4.2 MOSFET Market Growth By Applications 3-40
3.4.2.1 Automotive 3-40
3.4.2.2 EV Charging 3-42
3.4.2.3 Industrial And Medical 3-42
3.4.2.4 Consumer 3-45
3.4.2.5 Telecom Network 3-46
3.4.3.6 Computing 3-48
3.4.4 MOSFET Competitive Landscape 3-48
3.4.4.1 Global And China Market Share 3-48
3.4.4.2 China Suppliers’ Technology/Product Gaps Vs Global Peers 3-51
3.5 Emerging End Application Markets 3-52
3.5.1 Electric Vehicles 3-52
3.5.2 5G Infrastructure 3-56
3.4 Wide Bandgap Power Semiconductor Market 3-60


Chapter 4 Next-Generation Power Semiconductors 4-1


4.1 Expectations for Overcoming Silicon's Limitations 4-1
4.2 Expectations Of SiC and GaN as Next-Generation Substrates 4-3
4.3 Benefits of Wide Band Gap Semiconductors 4-3
4.4 SiC versus GaN 4-5
4.4.1 Material Properties 4-6
4.4.2 Material Quality 4-8
4.4.3 SiC Lateral Devices: 4-10
4.4.4 SiC Vertical Devices 4-10
4.4.5 GaN Lateral Devices 4-12
4.5 Fabrication of SiC devices 4-22
4.5.1 Bulk and Epitaxial Growth of SiC 4-22
4.5.1.1 Bulk Growth 4-22
4.5.1.2 Epitaxial Growth 4-23
4.5.1.3 Defects 4-23
4.5.2 Surface Preparation 4-25
4.5.3 Etching 4-27
4.5.4 Lithography 4-28
4.5.5 Ion Implantation 4-28
4.5.6 Surface Passivation 4-29
4.5.7 Metallization 4-32
4.6 Fabrication of GaN devices 4-33
4.6.1 GaN Challenges 4-37
4.6.1.1 Costs 4-37
4.6.1.2 Reliability 4-40
4.6.1.3 Component Packaging and Thermal Reliability 4-41
4.6.1.4 Control 4-41
4.6.1.5 Device Modeling 4-42
4.7 Packaging 4-42


Chapter 5 Company Profiles 5-1


5.1 Power Semiconductor Companies 5-1
5.1.1 Infineon 5-1
5.1.2 Mitsubishi 5-3
5.1.3 Toshiba 5-4
5.1.4 STMicroelectronics 5-5
5.1.5 Vishay 5-6
5.1.6 Fuji Electric 5-8
5.1.7 Renesas 5-9
5.1.8 Semikron 5-10
5.1.9 NXP Semiconductors 5-11
5.1.10 Hitachi Power Semiconductor Device 5-12
5.1.11 X-Rel Semiconductor 5-13
5.1.12 Advanced Linear Devices 5-14
5.1.13 Nexperia 5-15
5.1.14 Rohm 5-15
5.1.15 Sanken Electric 5-16
5.1.16 Shindengen Electric 5-17
5.1.17 Microchip Technology 5-18
5.1.18 GeneSiC Semiconductor 5-19
5.1.19 Semisouth Laboratories 5-20
5.1.20 United Silicon Carbide 5-20
5.1.21 MicroGaN 5-21
5.1.22 Powerex 5-23
5.1.23 Nitronix 5-23
5.1.24 Transform 5-24
5.1.25 Allegro Microsystems 5-25
5.1.26 GaN Systems 5-26
5.1.27 Navitas Semiconductor 5-27
5.1.28 Alpha and Omega Semiconductor 5-27
5.1.29 ON Semiconductor 5-28
5.1.30 Jilin Sino-Microelectronics 5-29
5.1.31 BYD Microelectronics 5-30
5.1.32 Yangzhou Yangjie Electronic Technology 5-30
5.1.33 StarPower 5-31
5.1.34 Sino Micro 5-31
5.1.35 Yangjie 5-32
5.1.36 Jiejie 5-32
5.1.37 GoodArk 5-33
5.1.38 NCE Power 5-33

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List of Tables/Graphs

List of Figures
1.1 Evolution Of IGBT Chip Structure 1-4
1.2 Effects Of Miniaturization Of IGBT Chip 1-6
1.3 SiC Trench-Type MOSFET And Resistance Reduction As Compared With DMOSFET 1-7
1.4 Planar And Vertical (Trench) MOSFET 1-9
1.5 Schematic Of A FinFET 1-11
1.6 Schematic Of A MOSFET And Super Junction MOSFET 1-13
1.7 Process Flow For Super Junction MOSFET 1-14
2.1 Forecast Of Solar Power 2-4
2.2 Full Bridge IGBT Topology 2-5
2.3 PV Inverter Market Distribution 2-8
2.4 Block Diagram Of Microcontroller-Based Inverter 2-11
2.5 Worldwide Wind Turbine Shipments 2-14
2.6 Top Wind Power Capacity by Country 2-15
2.7 Bill Of Materials For A Typical 30-50kw Inverter 2-20
2.8 A Simple Diagram Of A HEV Traction Drive System. 2-22
2.9 A More Complex Diagram Of PEEM In A Plug-In Hybrid Electric Vehicle (PHEV) 2-23
2.10 Conducting And Switching Loses For Inverter 2-25
2.11 Unit Pricing Trends In Power Semiconductors 2-27
2.12 HEV/EV Shipment Forecast 2-31
2.13 System And Component Costs For Wide Bandgap Semiconductors 2-32
2.14 Vertical And Lateral HEMY 2-34
2.15 GaN Lateral And GaN Vertical HEMTs In EVs 2-38
2.16 Market Drivers For LED Biz And Applications 2-41
2.17 SSL Vs. Classical Technologies 2-42
2.18 LED Performance Vs. Traditional Light Sources 2-43
2.19 Energy Production And Use Comparison 2-46
2.20 Typical LED Drive Circuit 2-49
2.21 Integration Of LED And LED Driver Using TSV 2-52
2.22 Simple Power MOSFET Motor Controller 2-57
2.23 Basic Operating Principle Of Inverter 2-63
2.24 System Block Diagram Of An Air Conditioner 2-65
3.1 Mitsubishi’s IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Generations 3-3
3.2 Infineon’s MOSFET Generations 3-4
3.3 Intel’s FinFET Design 3-5
3.4 Fuji’s MOSFET versus Super Junction MOSFET 3-6
3.5 NEC's GaN-on-Si Power Transistor 3-7
3.6 Fujitsu’s GaN-on-SiC HEMT Transistor 3-8
3.7 Power Semiconductor Market Forecast 3-10
3.8 Power Semiconductor Market Shares 3-12
3.9 Market Forecast For Super Junction MOSFET 3-15
3.10 SJ MOSFETs as an Interim Solution 3-16
3.11 Global IGBT Shares By Application 3-19
3.12 China IGBT Shares By Application 3-20
3.13 Global And China Automotive IGBT Forecast 3-22
3.14 Global And China Power Generation IGBT Forecast 4-24
3.15 Global And China Consumer IGBT Forecast 3-26
3.16 Global And China Industrial IGBT Forecast 3-28
3.17 Global And China Industrial IGBT Forecast 3-29
3.18 Global And China EV Charging IGBT Forecast 3-31
3.19 Global IGBT Module Market Shares 3-33
3.20 Global IGBT Discrete Market Shares 3-34
3.21 Global MOSFET Shares By Application 3-38
3.22 China MOSFET Shares By Application 3-39
3.23 Global And China Automotive MOSFET Forecast 3-41
3.24 Global And China EV Charging MOSFET Forecast 3-43
3.25 Global And China Industrial MOSFET Forecast 3-44
3.26 Global And China Consumer MOSFET Forecast 3-46
3.27 Global And China Telecom MOSFET Forecast 3-47
3.28 Global And China Telecom MOSFET Forecast 3-49
3.29 MOSFET Market Shares 3-50
3.30 Power Demands For ICE And EV 3-55
3.31 5G Demand for Power Semiconductors 3-57
3.32 Forecast of Wide Bandgap Semiconductor Market 3-64
4.1 Silicon-Based Devices Reaching Maturity 4-2
4.2 Enhancement Mode GaN On Si Transistor 4-14
4.3 AlGaN/GaN HEMT, GaN MOSFET, MOS-HEMT 4-18
4.4 GaN HEMT Material Structure On Si Substrate 4-36
4.5 Power Package Integration Roadmap 4-44


List of Tables
2.1 Product Families And The Principal End Uses Of Power Products 2-2
2.2 Forecast Of On-Grid Inverters By Type 2-8
2.3 EV Shipment Forecast 2-29
2.4 Advantages And Disadvantages Of GaN Lateral HEMTs 2-39
2.5 Light Source Comparison 2-49
2.6 Forecast Of GaN And SiC Power Devices By End Applications 2-77
3.1 Power Semiconductor Forecast for Electric Vehicles 3-54
3.2 5G Semiconductor Total Available Market Forecast 3-59
4.1 Physical Properties Of Select Semiconductor Materials 4-4
4.2 Wide Bandgap Material Properties 4-7
4.3 Lattice Constant And CTE Of Semiconductor Starting Material 4-11
4.4 GaN FET Vs Si MOSFET Characteristics 4-16
4.5 Standard Chemical Solution For Surface Preparation Of SiC Substrates 4-26
4.6 Interface Trap Densities For 4H-SiC Under Different Process Conditions 4-31

 

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