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「炭化ケイ素」に関する調査レポート
- 「炭化ケイ素」に関する調査レポートを発行日順で表示しています。
- パワーモジュールパッケージング向け重要材料：市場展望、サプライチェーンリスク及び技術動向 2026-2036年
- Critical Materials for Power Module Packaging: Market Outlook, Supply Chain Risk & Technology Trends 2026-2036
- 価格 GBP 1,100 ｜ フューチャーマーケッツインク ｜ 2026年2月
- パワーモジュールのパッケージングは、半導体性能とシステムレベルの信頼性の交差点に位置し、ベアダイと最終アプリケーションの熱的・電気的・機械的要件との間の重要な架け橋を形成する。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）デバイスが接合部温度を175°C以上…
- 世界のSiC半導体製造装置市場成長 2026-2032年
- Global SiC?Semiconductor Processing Equipment Market Growth 2026-2032
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2026年1月
- 世界のSiC半導体加工装置市場規模は、2025年の32億700万米ドルから2032年には80億3500万米ドルに成長すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）14.8％で拡大すると見込まれています。 SiC半導体加工装置とは、SiCバリューチェーン全体（SiC基板製…
- 世界の炭化ケイ素製造装置市場の成長 2026-2032年
- Global Silicon Carbide Manufacturing Equipment Market Growth 2026-2032
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2026年1月
- 世界の炭化ケイ素製造装置市場規模は、2025年の32億700万米ドルから2032年には80億3500万米ドルに成長すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）14.8％で拡大すると見込まれています。 SiC半導体製造装置とは、SiCバリューチェーン全体（SiC基板製…
- 炭化ケイ素（SiC）半導体デバイスの世界市場成長 2025-2031
- Global Silicon Carbide (SiC) Semiconductor Devices Market Growth 2025-2031
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2025年11月
- 炭化ケイ素（SiC）半導体デバイスの世界市場規模は、2025年の4億4,700万米ドルから2031年には1億3,480万米ドルに成長すると予測されており、2025年から2031年までの年平均成長率は20.2%と予測されている。 米国の最新の関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が市場競争…
- 炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの世界市場成長 2025-2031
- Global Silicon Carbide (SiC) Power Devices Market Growth 2025-2031
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2025年11月
- 炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの世界市場規模は、2025年の4億5,900万米ドルから2031年には1億4,470万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年までの年平均成長率は21.1%と予測される。 最新の米国の関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が、市場競争力、地域…
- 炭化ケイ素（SIC）パワー半導体の世界市場成長 2025-2031
- Global Silicon Carbide (SIC) Power Semiconductors Market Growth 2025-2031
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2025年11月
- 炭化ケイ素（SIC）パワー半導体の世界市場規模は、2025年の4億7,000万米ドルから2031年には1億6,000万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年までの年平均成長率は22.7%と予測される。 米国の最新の関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が市場競争力、地域経済…
- 炭化ケイ素（SiC）パワーMOSFETの世界市場成長率 2025-2031
- Global Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs Market Growth 2025-2031
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2025年11月
- 炭化ケイ素（SiC）パワーMOSFETの世界市場規模は、2025年の3億693万米ドルから2031年には1億1840万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年までの年平均成長率は21.4％と予測される。 本レポートでは、米国の最新関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が、市場競…
- 炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の世界市場成長 2025-2031
- Global Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor Market Growth 2025-2031
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2025年11月
- 炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の世界市場規模は、2025年の4億5,600万米ドルから2031年には1億3,720万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年までの年平均成長率は20.3%と予測される。 米国の最新の関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が市場競争力、地域経済…
- ディスクリートSiCパワーデバイスの世界市場成長率 2025-2031
- Global Discrete SiC Power Devices Market Growth 2025-2031
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2025年11月
- ディスクリートSiCパワーデバイスの世界市場規模は、2025年の1994百万米ドルから2031年には5695百万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年までの年平均成長率は19.1%と予測される。 米国の最新の関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が市場競争力、地域経済パ…
- 半導体ウェハーの世界市場成長率 2025-2031
- Global Semiconductor Wafer Market Growth 2025-2031
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2025年11月
- 半導体ウェハーの世界市場規模は、2025年の1億7440万米ドルから2031年には2億8700万米ドルに成長すると予測されており、2025年から2031年にかけて年平均成長率は8.7%で推移すると予測されている。 本レポートでは、米国の最新関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が、…
- 炭化ケイ素ディスクリートデバイスの世界市場成長率 2025-2031
- Global Silicon Carbide Discrete Devices Market Growth 2025-2031
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2025年11月
- 炭化ケイ素ディスクリートデバイスの世界市場規模は、2025年の4億4,800万米ドルから2031年には1億3,650万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年にかけて年平均成長率は20.4%で推移すると予測される。 米国の最新の関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が市場…
- ワイドバンドギャップ半導体の世界市場成長（現状と展望）2025-2031年
- Global Wide Bandgap Semiconductor Market Growth (Status and Outlook) 2025-2031
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2025年11月
- この調査によると、世界のワイドバンドギャップ半導体市場規模は、2031年までに2億1,900万米ドルに達する。 広帯域半導体材料とは、バンド幅が2.3eV以上の半導体材料のことで、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）が代表的である。広帯域半導体材料は一般に、シリコンよ…
- 炭化ケイ素ウェハー研磨機の世界市場シェアとランキング、全体売上高と需要予測 2025-2031
- Silicon Carbide Wafer Polisher - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2025-2031
- 価格 US$ 3,950 ｜ QYリサーチ ｜ 2025年11月
- 炭化ケイ素ウェハ研磨機の世界市場は、2024年には2億7,700万米ドル規模と推定され、2031年には5億7,100万米ドルに再調整され、予測期間2025-2031年のCAGRは11.2%と予測されている。 炭化ケイ素ウェーハ研磨機は、半導体製造において、炭化ケイ素ウェーハの表面を研磨して平滑…
- 炭化ケイ素（SiC）パワー半導体 - 世界市場シェアとランキング、全体売上高と需要予測 2025-2031
- Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2025-2031
- 価格 US$ 3,950 ｜ QYリサーチ ｜ 2025年10月
- 炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の世界市場規模は、2024年には3億9,400万米ドルと推定され、2031年には1億3,520万米ドルに再調整され、予測期間2025-2031年のCAGRは19.5%と予測されています。 本レポートは、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の国境を越えた産業フットプリント、…
- 炭化ケイ素パワー半導体の世界市場シェアとランキング、全体売上高と需要予測 2025-2031
- Silicon Carbide Power Semiconductors - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2025-2031
- 価格 US$ 3,950 ｜ QYリサーチ ｜ 2025年10月
- 炭化ケイ素パワー半導体の世界市場規模は、2024年には4億8,700万米ドルと推定され、2031年には1億8,366万米ドルに再調整され、予測期間2025-2031年のCAGRは20.5%と予測されています。 本レポートでは、炭化ケイ素パワー半導体の国境を越えた産業フットプリント、資本配分パタ…
- 炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス - 世界市場シェア・ランキング、全体売上高・需要予測 2025-2031
- Silicon Carbide (SiC) Power Devices - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2025-2031
- 価格 US$ 3,950 ｜ QYリサーチ ｜ 2025年10月
- 炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの世界市場は、2024年には4億8,700万米ドル規模と推定され、2031年には1億8,366万米ドルに再調整され、予測期間2025-2031年のCAGRは20.5%と予測されています。 この調査レポートは、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの国境を越えた産業フット…
- 炭化ケイ素（SiC）市場：SiCディスクリートデバイス（SiCダイオード、SiC MOSFET）、SiCモジュール、電圧範囲（1,200Vまで、低電圧（1,200V～1,700V）、中電圧（1,700V～3,300V）、高電圧（3,300V以上））、車載用SiCデバイス別 - 2030年までの世界予測
- Silicon Carbide (SiC) Market by SiC Discrete Device (SiC Diode and SiC MOSFET), SiC Module, Voltage Range (Up to 1,200 V, Low (1,200 V to 1,700 V), Medium (1,700 V to 3,300 V), High (More than 3,300 V)), Automotive SiC Device - Global Forecast to 2030
- 価格 US$ 4,950 ｜ マーケッツアンドマーケッツ ｜ 2025年10月
- 世界の炭化ケイ素（SiC）市場は、2025年の38.3億米ドルから2030年には120.3億米ドルになると推定され、CAGRは25.7%である。https://mnmimg.marketsandmarkets.com/Images/silicon-carbide-electronics-market-img-overview.svgThe 炭化ケイ素（SiC）市場は、電気自動車へのSi…
- 炭化ケイ素パワーエレクトロニクスの世界市場成長率 2025-2031
- Global Silicon Carbide Power Electronic Market Growth 2025-2031
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2025年7月
- 炭化ケイ素パワーエレクトロニクスの世界市場規模は、2025年の4億6600万米ドルから2031年には1億5130万米ドルに成長すると予測されており、2025年から2031年までの年平均成長率は21.7％と予測されている。 このレポートは、SiC MOSFETモジュール、SiC MOSFETディスクリート、…
- 窒化ガリウムと炭化ケイ素ディスクリートデバイスの世界市場成長 2025-2031
- Global Gallium Nitride and Silicon Carbide Discrete Devices Market Growth 2025-2031
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2025年7月
- 世界の窒化ガリウムおよび炭化ケイ素ディスクリートデバイス市場規模は、2025年の3億8,866万米ドルから2031年には1億3,610万米ドルに成長すると予測されており、2025年から2031年までの年平均成長率は23.2%と予測されている。 本レポートでは、GaNパワーデバイスとSiCパワー…
- 炭化ケイ素半導体デバイスの世界市場成長率 2025-2031
- Global Silicon Carbide Semiconductor Device Market Growth 2025-2031
- 価格 US$ 3,660 ｜ LPインフォメーション ｜ 2025年7月
- 世界の炭化ケイ素半導体デバイス市場規模は、2025年の4億6,100万米ドルから2031年には1億5,710万米ドルに成長すると予測されており、2025年から2031年までの年平均成長率は22.4%と予測されている。 このレポートでは、SiC MOSFETモジュール、SiC MOSFETディスクリート、SiCダ…
