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半導体関連製品の供給網・調達ルート網・国家間提携政策の変化白書2026年版

半導体関連製品の供給網・調達ルート網・国家間提携政策の変化白書2026年版


■ キーメッセージ 本レポートは、地政学的緊張の高まりの中で急速に変化する世界の半導体サプライチェーンの構図を、包括的かつ最新の視点で整理した白書である。 米国による「小さな庭に高い柵」戦略... もっと見る

　

　

出版社
次世代社会システム研究開発機構
出版年月
2026年1月28日
冊子体価格
￥165,000 (税込)
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電子版価格
￥129,800 (税込)
PDF（CD-ROM）
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納期
ハードコピー、PDF（CD-ROM） ともに 通常4-5営業日程度
ページ数
3,100
言語
日本語

※税別価格：製本版150,000円/ 電子ファイル118,000円。製本版と電子ファイルをセットにした「コーポレートセット」もございます。価格の詳細はお問合せ下さい。※※製本とPDF版では編集上の違いによりページ数が若干異なります。


　

サマリー

■ キーメッセージ

本レポートは、地政学的緊張の高まりの中で急速に変化する世界の半導体サプライチェーンの構図を、包括的かつ最新の視点で整理した白書である。
米国による「小さな庭に高い柵」戦略、EU独立産業基盤構想、中国の自立強化、そして同盟国間での資源・技術の再配分——これら並行する3つの潮流が、採掘から設計まで、製品全階層のサプライチェーンを根本的に再編している。

本白書が提供する知見の本質： 地政学と経済の統合が進む時代において、半導体企業・政策立案者・投資家が意思決定をする際に必要な「多層的かつ連関性のある規制・政策環境の全景図」を、初めて体系的にまとめたものである。単なる規制情報の羅列ではなく、「なぜそうなっているのか」「それがサプライチェーンのどこにどう波及するのか」を、エコシステムレベルで可視化している。

■ 利用シーン

1. 戦略立案・コンプライアンス体制構築

▶　地政学リスクの多次元マッピングと対応シナリオの検討
▶　規制当局との対話資料・ロビイング活動の根拠資料
▶　サプライチェーン再設計の意思決定基盤

2. 市場分析・投資評価

▶　地域別・製品別・技術別のリスク・機会評価
▶　M&A・ジョイントベンチャー審査の参考資料
▶　長期投資ポートフォリオの地政学スクリーニング

3. 研究・政策分析

▶　国家戦略レベルの産業政策比較分析
▶　国際協調枠組みの設計検討
▶　学術論文・業界レポートの参考文献

4. サプライチェーン最適化

▶　調達地の多元化戦略・リショアリング意思決定
▶　サプライヤー選定・デューデリジェンス基準の策定
▶　在庫戦略・BCP設計への組み込み

5. 人材育成・組織学習

▶　エグゼクティブ向けのブリーフィング資料
▶　新規事業開発チームの知識基盤
▶　大学院・専門養成機関での教材


■ アクションプラン／提言骨子

【企業経営層向け】

▼　リスク評価の統合化

●　従来の「規制リスク」「地政学リスク」を統一フレームで評価
●　四半期ごとのサプライチェーン脆弱性監視メカニズムの導入

▼　マルチシナリオプランニング

●　完全分離・部分分離・選択的分離の3シナリオに基づく事業計画
●　各シナリオ下での投資優先順位・資源配分の事前設定

▼　ガバナンスの多国間化

●　規制対応・投資判断・研究開発で、米国・EU・日本・アジア各地の当局者・パートナーとの恒常的対話
●　法務・コンプライアンスの地域多元体制構築

【政策立案者向け】

▼　産業基盤強化と国際協調のバランス

●　過度な「自給率追求」は技術遅れを招くリスク
●　信頼できるパートナー国との「深い統合」を優先

▼　規制の透明性・予測可能性の向上

●　ライセンス申請期間の短縮・基準の明確化
●　業界との定期的な対話・ルール改正事前通知

▼　人材・知的基盤への投資

●　サプライチェーン・デューデリジェンス人材の育成
●　大学・研究機関への長期的支援

【投資家向け】

▼　ESG・地政学スクリーニングの高度化

●　財務スクレーニングと地政学リスク評価の統合
●　「グリーン」「デジタル」と「安全保障」の同時実現企業への関心

▼　ポートフォリオの地域分散

●　単一地域への集中投資回避
●　同盟圏内での「リソース複合体」への注目


■ 本レポート読了後の期待ゴール

◎知識面

半導体サプライチェーンの地政学的再編の全体構図を理解
規制・政策・投資の連鎖的な関係性を把握
地域別・製品別・技術別のリスク要因を言語化可能に

◎判断面

サプライチェーン投資・リスク管理の判断基準が明確化
長期的な事業計画・研究開発方向の見通しが立つ
規制対応・国際協調の優先度付けが可能に

◎行動面

自社・組織の戦略文書・コンプライアンス方針へ即座に反映可能
内部研修・顧客説明資料として活用可能
政策提言・業界団体活動での発言根拠が整備される

監修・発行：　一般社団法人 次世代社会システム研究開発機構



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目次

Changes in Semiconductor-Related Product Supply Chains, Procurement Routes, and Inter-Country Partnership Policies

【　緒言　】

【　横断的な“半導体地政学”［1］　】

1　半導体地政学と国別制裁リスクの全体像

  • 1.1　4か国共通の制裁構造

2　クロスカントリー視点から見た半導体制裁リスクの共通構造

  • 2.1　「関心国」概念とアウトバウンド投資規制
  • 2.2　防衛調達・重要物資サプライチェーンとの連動
  • 2.3　多国間協調と二次制裁リスク
  • 2.4　関税・貿易救済措置との複合化

3　企業・政策担当者にとっての実務的含意

  • 3.1　半導体企業のコンプライアンス・ガバナンス
  • 3.2　金融・投資・研究協力における留意点
  • 3.3　政策立案への示唆：分断管理と統治のバランス

4　半導体企業・政策立案者にとっての実務的含意

  • 4.1　企業コンプライアンスとリスクマネジメント
  • 4.2　政策協調と「分断」リスク
  • 4.3　将来展望：技術横断型の新たな規制軸

5　半導体地政学と越境データ・EDA IP制限の全体像

  • 5.1　越境データ／EDA IPのリスク次元

6　米国：EDAソフトとAIモデル重みに対する輸出管理

  • 6.1　EDAソフトウェアに対する包括的ライセンス義務
  • 6.2　その後の部分的緩和と成熟ノードの扱い
  • 6.3　AIモデル重み（model weights）に対する新規制

7　中国：越境データ移転規制とEDA・設計データ

  • 7.1　サイバーセキュリティ三法と越境データメカニズム
  • 7.2　半導体設計・製造データへの含意

8　中国：中国自身が制裁対象であると同時に「経済安全保障プレイヤー」として振る舞うリスク

  • 8.1　対中国制裁・輸出管理の半導体的意味
  • 8.2　中国の対抗措置とサプライチェーンへの反作用
  • 8.3　中国の第三国支援と制裁回避ネットワーク

9　ロシア：包括的制裁下での半導体調達リスク

  • 9.1　ウクライナ侵攻後の包括的制裁
  • 9.2　半導体・デュアルユース品の迂回調達
  • 9.3　ロシア制裁が半導体サプライチェーンに与える波及

10　イラン：核・ミサイル開発と結びつく半導体関連制裁

  • 10.1　核合意破綻後の制裁再強化
  • 10.2　デュアルユース部材と第三国ルート
  • 10.3　エネルギー・輸送と半導体の間接的リンク

11　北朝鮮：最も厳格な制裁下での密輸・サイバー活動リスク

  • 11.1　包括的国連制裁と二国間制裁
  • 11.2　密輸ネットワークとサイバー窃取
  • 11.3　北朝鮮制裁のサプライチェーン影響

12　EU・その他地域のデータ保護とEDA IP

  • 12.1　EUのデータ保護・データ流通ルール
  • 12.2　日本・ドイツなどの越境データ要件

13　米国：BISによる半導体関連ライセンスのタイムライン

  • 13.1　基本ポリシーと審査方針
  • 13.2　NACライセンス例外と事前通知期間
  • 13.3　ライセンス申請の処理期間と一時的緩和措置
  • 13.4　クォータ制と将来の予測可能性

14　EU・日本などにおける許可プロセスと透明性

  • 14.1　EUデュアルユース許可の統計公開
  • 14.2　EUにおける課題と改善方向
  • 14.3　日本・オランダとの協調と実務負荷

15　企業側から見た予測可能性とタイムライン管理

  • 15.1　典型的なタイムラインの目安
  • 15.2　予測可能性向上のための実務対応
  • 15.3　ルール改正の移行期間と在庫・契約への影響

16　実務的論点：EDA知的財産と越境データ管理

  • 16.1　クラウドEDA・リモートデザインフロー
  • 16.2　EDA IP自身の保護と国産化プレッシャー
  • 16.3　AI・EDAの融合と新たな管理対象

17　企業にとっての戦略的インプリケーション

  • 17.1　データローカライゼーションとリージョン分割
  • 17.2　契約・内部規程・技術の三層防御

18　半導体規格分岐の全体像

  • 18.1　規格分岐が重要となる理由

19　設計ルール・フロントエンド規格の分岐

  • 19.1　米欧・国際標準の枠組み
  • 19.2　中国における産業標準・技術指針

20　安全性規格（機能安全・サイバーセキュリティ）の分岐

  • 20.1　ISO 26262とそのグローバル波及
  • 20.2　中国GB標準との関係
  • 20.3　チップレベル安全性・セキュリティの新潮流

21　試験・認証規格の分岐とグレー市場対策

  • 21.1　信頼性・環境試験の国際枠組み
  • 21.2　中国の自動車用チップ試験標準拡充
  • 21.3　グレー市場・偽造部品対策としての識別規格

22　規格分岐の地政学的含意と企業戦略

  • 22.1　規格競争としての米中テック対立
  • 22.2　企業に求められるマルチスタンダード戦略
  • 22.3　標準化プロセスへの関与

23　半導体輸出許可の予測可能性と全体像

  • 23.1　予測可能性を左右する主要要素

24　再輸出・みなし輸出コンプライアンスの基本構造

  • 24.1　再輸出・みなし輸出の定義

25　EARにおける再輸出規制と半導体コンテキスト

  • 25.1　EAR Part 734の適用範囲とde minimisルール
  • 25.2　FDPRと第三国サプライヤーへの波及
  • 25.3　Red Flagガイダンスと再輸出デューデリジェンス

26　みなし輸出コンプライアンス：研究機関と企業への影響

  • 26.1　米国のDeemed Exportポリシー
  • 26.2　日本の大学における安全保障輸出管理
  • 26.3　企業における人事・ITガバナンスとの統合

27　日米欧の最新動向と地政学的含意

  • 27.1　中国・ロシア向け迂回取引対策の強化
  • 27.2　国内ガイドラインの細分化と教育強化

28　実務的インプリケーション：再輸出・みなし輸出コンプライアンス体制

  • 28.1　ポリシーとプロセス設計
  • 28.2　トレーニングと文化醸成

29　地域補助金制度の全体像

  • 29.1　共通する政策ターゲット

30　米国：CHIPS and Science Act

  • 30.1　枠組みと資金規模
  • 30.2　代表的な補助案件と地政学的条件

31　米国：EARにおけるエンティティリストとエンドユーザー・エンドユース管理

  • 31.1　Part 744の構造とエンドユース規制
  • 31.2　エンティティリストの役割と拡大
  • 31.3　Affiliates Ruleと「50％ルール」による所有構造の取り込み
  • 31.4　高度半導体とAIに対する最新強化

32　同盟国・EUにおけるエンドユーザー・エンドユース管理

  • 32.1　EU：制裁リストと軍事エンドユース管理
  • 32.2　EUの最終用途・迂回対策の強化
  • 32.3　英国や他の同盟国の動き

33　半導体サプライチェーンにおける実務的管理ポイント

  • 33.1　エンティティ・スクリーニング体制
  • 33.2　最終用途・最終使用者デューデリジェンス
  • 33.3　半導体ファウンドリ・クラウド・EDAサービスへの波及

34　最新動向と今後の展望

  • 34.1　エンティティリストの量的拡大と質的変化
  • 34.2　迂回・回避対策としての「ネットワーク統治」
  • 34.3　企業に求められる中長期対応

35　同盟体制における域外適用リスクの全体像

  • 35.1　域外適用の基本メカニズム

36　米国FDPRと同盟国企業への波及

  • 36.1　FDPRの拡張と半導体関連規制
  • 36.2　同盟国企業への直接的拘束
  • 36.3　東南アジアなど第三国への影響

37　同盟体制における法制度の非対称性と政治力学

  • 37.1　米国と同盟国の法的能力ギャップ
  • 37.2　域外適用をめぐる米欧の緊張

38　EU・日本などの対抗手段：アンチコーションと経済安全保障

  • 38.1　EUアンチコーション・インスツルメント（ACI）
  • 38.2　経済安全保障戦略と自主的規制強化

39　半導体サプライチェーンにおける域外適用リスクの具体像

  • 39.1　典型的なリスク・シナリオ
  • 39.2　企業にとってのコンプライアンス上の課題
  • 39.3　中小企業・スタートアップに対する影響

40　EU：European Chips Actと国家補助

  • 40.1　EUレベルのChips for Europe Initiative
  • 40.2　国家補助（State Aid）の具体案件

41　日本：経産省によるインセンティブとRapidus支援

  • 41.1　日本の半導体再興戦略と補助メニュー
  • 41.2　Rapidusへの巨額補助と国際連携
  • 41.3　他プロジェクトへの支援

42　制度比較と企業へのインプリケーション

  • 42.1　制度設計と対象範囲の比較
  • 42.2　企業にとってのメリットと制約
  • 42.3　サプライチェーン・同盟政策との連動

43　オフセット要件・現地調達ルールの位置づけ

  • 43.1　半導体コンテキストでの意味

44　新興国の現地調達ルール：インドとブラジル

  • 44.1　インドのPLI＋公共調達ローカルコンテンツ
  • 44.2　ブラジルの半導体プランとローカルコンテンツ

45　防衛・通信分野におけるオフセットとローカルコンテンツ

  • 45.1　軍事・防衛半導体市場でのオフセット
  • 45.2　通信・デジタルインフラ調達と現地調達ルール

46　オフセット要件・現地調達ルールの半導体サプライチェーンへの影響

  • 46.1　サプライチェーン配置への制約と機会
  • 46.2　知財・ソフトウェア起点のローカルコンテンツ

47　企業にとっての実務的インプリケーション

  • 47.1　マルチカントリーBOMとローカルコンテンツ管理
  • 47.2　契約・交渉におけるオフセット設計
  • 47.3　政策リスク管理とロビー活動

48　半導体サプライチェーンと人権デューデリジェンスの全体像

  • 48.1　強制労働・鉱物リスクが注目される背景

49　規制動向：米国・EU・国際基準

  • 49.1　米国：UFLPAと強制労働取締り
  • 49.2　EU：紛争鉱物規則と企業持続可能性デューデリジェンス指令
  • 49.3　その他の国際枠組み

50　企業レベルの人権デューデリジェンス実務

  • 50.1　半導体企業の取り組み例
  • 50.2　典型的なデューデリジェンス・プロセス

51　鉱物別・原材料別の特有リスク

  • 51.1　ポリシリコン・シリコン系材料
  • 51.2　コバルト・錫・レアアースなど重要鉱物
  • 51.3　レアメタルと森林・先住民族権

52　半導体企業に求められる高度な人権デューデリジェンス

  • 52.1　サプライチェーンの可視化とトレーサビリティ
  • 52.2　購買慣行の見直しとサプライヤー支援
  • 52.3　ガバナンスと開示

【　横断的な“半導体地政学”［2］　】

53　地政学的文脈における今後の論点

  • 53.1　「クリーン」サプライチェーンとブロック化のリスク
  • 53.2　半導体企業の戦略的対応

54　半導体パートナーシップとサイバー/知財窃盗リスクの全体像

  • 54.1　なぜ「パートナー間リスク」が増大しているか

55　典型的な攻撃パターンと知財窃盗メカニズム

  • 55.1　サプライチェーン攻撃・ランサムウェア経由の漏えい
  • 55.2　APTによる設計・製造ノウハウの窃取
  • 55.3　OT環境への侵入と製造IPの漏えい

56　パートナー間で顕在化しやすいリスク領域

  • 56.1　共同開発・設計データ共有
  • 56.2　リモート保守・外部サービス
  • 56.3　人的要因とスパイ行為

57　対策フレームワークと国際ガイドライン

  • 57.1　ゼロトラストとサプライチェーン防御
  • 57.2　半導体工場向けOTセキュリティガイドライン
  • 57.3　国家レベルのサプライチェーン保護指針

58　企業に求められるパートナーシップ管理と実務的対応

  • 58.1　契約・ガバナンス面のコントロール
  • 58.2　技術的対策：アクセス分離とデータ最小化
  • 58.3　インシデント対応と情報共有

59　半導体と環境貿易措置の全体像

  • 59.1　主な規制ツールと適用範囲

60　CBAM：炭素国境調整と半導体関連への波及

  • 60.1　CBAMの仕組みとタイムライン
  • 60.2　対象品目と将来の拡大
  • 60.3　半導体サプライチェーンへの含意

61　RoHS指令：電子機器中有害物質の制限

  • 61.1　RoHS 2/3の基本構造
  • 61.2　例外規定とアップデート
  • 61.3　半導体製品への影響

62　REACHとPFAS規制：半導体材料・装置への深刻な影響

  • 62.1　REACH規則とPFAS包括規制提案
  • 62.2　半導体におけるPFAS依存の実態
  • 62.3　制限がもたらす技術・サプライリスク

63　企業にとっての戦略的インプリケーション

  • 63.1　規制マッピングと設計段階からの組み込み
  • 63.2　サプライヤーとの連携とデータ整備
  • 63.3　環境貿易措置と技術主権・ブロック化

64　半導体地政学におけるエンティティリストと最終用途・最終使用者管理

  • 64.1　エンティティリスト・最終用途規制の基本構造

65　HSコードとノード重要度別関税リスクマッピングの全体像

  • 65.1　HSコードの役割と限界

66　主要HSコード別の関税動向とリスク

  • 66.1　HS8541・8542：半導体デバイスとIC
  • 66.2　ポリシリコン・ウエハ・基板など周辺コード
  • 66.3　地域別関税差とFTAの影響

67　ノード重要度と関税リスクのマッピング手法

  • 67.1　ノード重要度の定義
  • 67.2　HSコード×ノードマトリクスによるリスク評価
  • 67.3　代表的ノード別リスク例

68　関税リスクマッピングを巡る最新動向

  • 68.1　「シリコン・カーテン」としての新301関税
  • 68.2　相互関税と除外リストのダイナミクス
  • 68.3　他地域の関税再編とサプライチェーン再構築

69　実務的インプリケーション：HSコードとノード別にみた関税戦略

  • 69.1　HSコード精度向上と社内データ整備
  • 69.2　関税・輸出管理・制裁の統合マッピング
  • 69.3　中長期の戦略的含意

70　半導体地政学における報復関税・対抗制裁リスクの全体像

  • 70.1　報復関税・対抗制裁の典型パターン

71　中国の報復措置：レアアース輸出規制と不信頼実体リスト

  • 71.1　レアアース・重要鉱物の輸出統制
  • 71.2　不信頼実体リストと自国制裁
  • 71.3　レアアースFDPR構想と「鏡像域外適用」リスク

72　EU・同盟国のカウンターメジャー：アンチコーション・インスツルメントなど

  • 72.1　ACIの枠組みと発動オプション
  • 72.2　半導体・重要技術への適用可能性

73　報復スパイラルが半導体サプライチェーンに与える影響

  • 73.1　レバレッジ構造：レアアース vs.先端半導体
  • 73.2　価格変動・供給不安・地政学プレミアム

74　企業にとっての報復関税・対抗制裁リスク管理

  • 74.1　リスクリストとシナリオの明確化
  • 74.2　対抗制裁としての国内法リスク
  • 74.3　サプライチェーン再設計と交渉力

75　技術主権イニシアチブと現地化義務の全体像

  • 75.1　技術主権と地政学的文脈

76　主要地域の技術主権イニシアチブ

  • 76.1　EU：European Chips Actと「技術主権」の制度化
  • 76.2　米国：CHIPS and Science Actによる再国内立地
  • 76.3　インドなど新興国：現地クラスター形成による主権追求

77　現地化義務の具体的形態

  • 77.1　生産・投資に関する現地化条件
  • 77.2　研究開発・知財・データのローカライゼーション

78　技術主権イニシアチブがサプライチェーンに与える影響

  • 78.1　立地選好・投資フローの再編
  • 78.2　同盟圏内クラスターと「友好的現地化」

79　企業にとっての実務的含意

  • 79.1　インセンティブと制約の両面評価
  • 79.2　現地化義務とサプライヤー戦略

80　半導体地政学と投資審査の全体像

  • 80.1　投資審査が重視される背景

81　米国：CFIUSとアウトバウンド投資管理

  • 81.1　CFIUSによる対内投資審査
  • 81.2　アウトバウンド投資プログラム（OIS／COINS法）
  • 81.3　民間ファンド・LP/GPへの影響

82　EU・英国・日本などのFDIスクリーニングと対外投資議論

  • 82.1　EU：FDIスクリーニング規則の改正と「ハイパークリティカル技術」
  • 82.2　EUのアウトバウンド投資レビュー勧告
  • 82.3　その他同盟国の動き

83　半導体サプライチェーンへの具体的インパクト

  • 83.1　M&A・合弁・ジョイントベンチャーへの影響
  • 83.2　ベンチャー投資とスタートアップ・エコシステム
  • 83.3　投資審査と輸出管理・制裁の連動

84　企業・投資家に求められる対応

  • 84.1　クロスボーダー投資の事前評価プロセス
  • 84.2　ガバナンスと情報管理

85　半導体地政学における強制技術移転防止策の全体像

  • 85.1　強制技術移転が問題視される理由

86　各国・同盟が採用する主な防止策

  • 86.1　セクション301関税とWTO手続き
  • 86.2　輸出管理の高度化（FDPR・エンティティリスト）
  • 86.3　投資審査・対外投資管理との連動

87　多国間協調と規範形成の動き

  • 87.1　米EU貿易技術審議会（TTC）の共同スタンス
  • 87.2　OECD・G20枠組みによるベストプラクティス

88　企業レベルでの強制技術移転防止実務

  • 88.1　契約・ガバナンス面の対策
  • 88.2　技術分割・アクセス制御
  • 88.3　サプライチェーン・投資判断への組み込み

89　半導体サプライチェーン分離シナリオの全体像

  • 89.1　分離シナリオを左右する要因

90　完全分離（フル・デカップリング）シナリオ

  • 90.1　概念と政策的前提
  • 90.2　産業・サプライチェーンへの影響
  • 90.3　実現可能性の評価

91　部分分離（ブロック化・リージョナリゼーション）シナリオ

  • 91.1　特徴とメカニズム
  • 91.2　具体的な動向
  • 91.3　リスクと機会

92　選択的分離（セレクティブ・デカップリング）シナリオ

  • 92.1　コア技術に焦点を当てた分離
  • 92.2　産業別・ノード別の選択性
  • 92.3　経済影響の試算

93　企業にとっての戦略的含意

  • 93.1　シナリオ別のリスク・機会マッピング
  • 93.2　オペレーション・設計面での対応
  • 93.3　中長期ビジョン：ブロック化世界での競争力

94　半導体地政学と輸出管理の全体像

  • 94.1　供給網・調達ルートと地政学的文脈
  • 94.2　国家輸出管理をめぐる「横断的な地政学」

95　米国EARの構造と最新動向

  • 95.1　EARの基本構造と管轄
  • 95.2　先端半導体・AI関連強化策
  • 95.3　同盟国との協調と限界

96　EUデュアルユース規則の構造と更新動向

  • 96.1　規則2021/821の枠組み
  • 96.2　emerging technology への対応
  • 96.3　EU独自の人権・サイバー監視重視

97　英国輸出管理制度の特徴と変化

  • 97.1　制度枠組みとEUからの分離
  • 97.2　半導体・量子・低温技術への拡張
  • 97.3　EUとの整合と差異

98　三制度の整合性と相違点：半導体地政学からの分析

  • 98.1　法的性格と適用範囲の比較
  • 98.2　技術範囲・カテゴリーの整合性
  • 98.3　政策理念と運用姿勢の違い
  • 98.4　サプライチェーン・国家間提携への影響

99　将来展望：同盟協調と域外適用リスクのバランス

  • 99.1　米国主導の「小さな庭に高い柵」戦略の持続性
  • 99.2　同盟側から見た戦略的対応
  • 99.3　企業レベルでの戦略的含意

【　原材料（レアメタル・基板）　】

100　米国のニッケル・コバルト対中制裁の概要と最新動向

  • 100.1　政策位置づけと全体像
  • 100.2　セクション301関税による対中鉱物課税
  • 100.3　コバルト・ニッケルに関する関税の位置づけ
  • 100.4　FEOC規定による「補助金からの排除」
  • 100.5　FEOC規定とニッケル・コバルトの具体的影響
  • 100.6　制裁の性格：関税＋インセンティブの組み合わせ
  • 100.7　深海鉱物開発とニッケル・コバルト確保
  • 100.8　サプライチェーン安全保障としての鉱物政策
  • 100.9　対中制裁の法的・制度的枠組み
  • 100.10　セクター別影響：EV電池
  • 100.11　セクター別影響：半導体・電子部品
  • 100.12　中国側の対抗措置との連動
  • 100.13　米中間の鉱物サプライチェーン地政学
  • 100.14　同盟国との連携と軋轢
  • 100.15　市場価格と投資に対する影響
  • 100.16　企業レベルのコンプライアンス課題
  • 100.17　原材料・基板サプライチェーンへの実務的含意
  • 100.18　今後のシナリオとリスク

101　モンゴルのレアアース新規採掘プロジェクトの概要と最新動向

  • 101.1　モンゴルのレアアース資源の戦略的位置づけ
  • 101.2　カルザン・ブレグテイ（Khalzan Buregtei：KB）プロジェクトの概要
  • 101.3　予備FS完了とFS段階への移行
  • 101.4　生産構想と製品形態
  • 101.5　日本とのレアアースパートナーシップ
  • 101.6　韓国・米国との三国連携の進展
  • 101.7　他有望鉱床と将来の共同処理構想
  • 101.8　レアアース法制と「戦略鉱物」指定の動き
  • 101.9　インフラ・物流・環境面の課題
  • 101.10　半導体・グリーンテック向けサプライチェーンへの意義
  • 101.11　日韓企業にとってのビジネス機会とリスク
  • 101.12　今後の展望

102　南アフリカのプラチナ系触媒製造規制の概要と最新動向

  • 102.1　PGM資源と触媒産業の位置づけ
  • 102.2　「ベネフィシエーション戦略」と下流規制の基本思想
  • 102.3　自動車触媒向けインセンティブとローカルコンテンツ要件
  • 102.4　「完全国内製造」要件と輸出認定基準
  • 102.5　触媒製造に関する環境・化学物質規制
  • 102.6　水素・燃料電池触媒への政策シフト
  • 102.7　触媒製造規制という観点からの「ベネフィシエーション圧力」
  • 102.8　クリティカルミネラル戦略とPGM触媒
  • 102.9　半導体・電子分野への波及
  • 102.10　企業にとっての実務的示唆

103　タイのガスガリウムヒ素供給多元化の概要と最新動向

  • 103.1　タイ半導体産業とGaAsの位置づけ
  • 103.2　世界GaAs供給構造とタイのリスク認識
  • 103.3　タイの半導体戦略と材料多元化の位置づけ
  • 103.4　投資奨励制度（BOI）と化合物半導体材料
  • 103.5　供給多元化の具体的アプローチ
  • 103.6　ASEAN枠組みとクリティカルミネラル協力
  • 103.7　レアアース戦略とGaAs材料への波及
  • 103.8　ガリウム・ヒ素の一次資源と再資源化
  • 103.9　半導体企業にとっての調達・リスク管理ポイント

104　台湾のシリコンウエハー備蓄拡大の概要と最新動向

  • 104.1　台湾半導体とウエハー供給リスク認識
  • 104.2　地政学・災害シナリオと在庫戦略の見直し
  • 104.3　政府レベルの備蓄・レジリエンス議論
  • 104.4　産業界（TSMCなど）のウエハー在庫方針
  • 104.5　シリコンウエハー調達の多元化と長期契約
  • 104.6　海外投資と「分散型シリコン備蓄」の考え方
  • 104.7　シリコンウエハー以外の重要材料備蓄との連動
  • 104.8　半導体サプライチェーンにとっての含意

105　韓国のCMPスラリー原料国内調達強化の概要と最新動向

  • 105.1　背景：CMPスラリーの重要性とサプライチェーンリスク
  • 105.2　日韓輸出管理問題と材料国産化の加速
  • 105.3　SK hynixによるCMPスラリー調達多元化
  • 105.4　新興企業・系列企業による国産スラリー開発
  • 105.5　スラリー原料の国内調達強化
  • 105.6　国家戦略クラスタとCMP関連投資
  • 105.7　パッド・装置との一体的なローカルエコシステム
  • 105.8　原料価格・環境規制への対応
  • 105.9　半導体サプライチェーンにとっての意義
  • 105.10　企業に求められる対応

106　メキシコの黒鉛プロセス材料輸出自主の概要と最新動向

  • 106.1　メキシコ黒鉛資源とEV・半導体サプライチェーン
  • 106.2　「輸出自主」という文脈：対中依存回避と北米戦略
  • 106.3　黒鉛プロセス材料とは何か
  • 106.4　黒鉛市場拡大とメキシコの成長見通し
  • 106.5　中国の輸出管理と北米の「脱中国」戦略
  • 106.6　北米黒鉛アノード戦略とメキシコの役割
  • 106.7　メキシコの対外戦略とUSMCA枠組み
  • 106.8　ロジスティクスと加工拠点としての優位性
  • 106.9　半導体・電池サプライチェーンにおける意味
  • 106.10　企業にとっての実務的示唆

107　フィンランドのトリウム中間原料協業の概要と最新動向

  • 107.1　フィンランドのトリウム資源と原子力産業の基盤
  • 107.2　レアアース・ウラン副産物としてのトリウム
  • 107.3　トリウム中間原料とは何か
  • 107.4　フィンランドにおけるトリウム関連協業の方向性
  • 107.5　北欧・欧州とのトリウム資源協業
  • 107.6　トリウムを巡る環境・責任共有と中間原料協業の必要性
  • 107.7　半導体・レアメタルサプライチェーンとの関係
  • 107.8　今後の展望と企業・研究機関にとっての示唆

108　ブラジルのケイ素金属対EU譲許関税の概要と最新動向

  • 108.1　ケイ素金属とEUの戦略的重要性
  • 108.2　EUのブラジル向け関税と譲許枠の基本構造
  • 108.3　EU‐メルコスール協定案とケイ素金属関税の扱い
  • 108.4　現行のEU輸入実態と主要供給国
  • 108.5　ブラジル側の輸出競争力と他市場との関税比較
  • 108.6　EU側のセーフガード・アンチダンピング動向との関係
  • 108.7　半導体・再エネサプライチェーンへの含意
  • 108.8　今後の展望と企業への示唆

109　ノルウェーの重希土類分離技術輸出協定の概要と最新動向

  • 109.1　ノルウェーの希土類資源と戦略的位置づけ
  • 109.2　REEtecによる分離技術と輸出指向
  • 109.3　REE Mineralsと米Rare Earth Saltsの協業
  • 109.4　北欧バリューチェーンとEU向け技術輸出
  • 109.5　米国・日本・EUとのクリティカルミネラル協力文脈
  • 109.6　重希土類分離技術の特徴と輸出可能性
  • 109.7　半導体・モーター向けサプライチェーンへの影響
  • 109.8　今後の展望と企業にとっての示唆

110　スイスの高純度水素フッ化物規制の概要と最新動向

  • 110.1　半導体向けHF市場とスイスの位置づけ
  • 110.2　化学物質一般規制（ChemO）とEU CLPとの整合
  • 110.3　高リスク化学品としてのHFと国内流通規制
  • 110.4　デュアルユース輸出管理と高純度HF
  • 110.5　2024〜2025年の主な規制改正ポイント
  • 110.6　高純度HFの環境・サステナビリティ要件
  • 110.7　半導体企業にとっての実務的インプリケーション

111　豪州のリチウム鉱山対中輸出規制の概要と最新動向

  • 111.1　豪州リチウム産業と対中依存の実態
  • 111.2　「対中輸出規制」というより「対中投資・支配の制限」
  • 111.3　外国投資審査（FIRB）による対中投資ブロック
  • 111.4　投資ブロックの背景にある安全保障判断
  • 111.5　リチウム輸出の集中と多角化圧力
  • 111.6　クリティカル・ミネラル戦略」と対中関係
  • 111.7　米豪連携とリチウムの安全保障化
  • 111.8　中国向け輸出と同盟国向け枠の「二重トラック」
  • 111.9　中国側のリチウム輸出管理との相互作用
  • 111.10　豪州国内での精錬・電池材料産業育成
  • 111.11　ケーススタディ：Liontown Resources案件
  • 111.12　半導体・電池サプライチェーンへの示唆
  • 111.13　日米欧企業の調達・投資戦略
  • 111.14　豪州の政策ジレンマと対中輸出の今後
  • 111.15　企業に求められる対応

112　日本のフッ化水素対韓輸出管理強化の概要と最新動向

  • 112.1　措置導入の背景と位置づけ
  • 112.2　フッ化水素を含む3品目の性格
  • 112.3　管理強化の具体的内容
  • 112.4　対韓輸出量への影響
  • 112.5　韓国側の対応とサプライチェーン再構築
  • 112.6　半導体産業への実際の影響評価
  • 112.7　日韓関係と輸出管理対話の再開
  • 112.8　ホワイト国（グループA）への復帰と「完全解消」宣言
  • 112.9　現在の制度的枠組みと残る論点
  • 112.10　半導体関連供給網への長期的含意
  • 112.11　原材料（レアメタル・基板）コンテキストにおける示唆
  • 112.12　今後の展望と企業への含意

113　EUのクリティカルマテリアル戦略（CRMA）の概要と最新動向

  • 113.1　戦略全体像と位置づけ
  • 113.2　クリティカルマテリアルとストラテジックマテリアル
  • 113.3　2030年に向けた定量目標
  • 113.4　法制化プロセスと発効スケジュール
  • 113.5　半導体・デジタル産業との関係
  • 113.6　中国依存と地政学的リスク
  • 113.7　価値連鎖全体の強化策
  • 113.8　供給リスク監視とストックパイル
  • 113.9　サプライチェーン監査と企業義務
  • 113.10　循環経済とリサイクル重視
  • 113.11　国際パートナーシップと「友好国」戦略
  • 113.12　産業界からの評価と課題
  • 113.13　半導体・原材料サプライチェーンへの含意
  • 113.14　グローバル供給網との相互作用
  • 113.15　企業にとっての実務的ポイント

114　インドのチタン鉱業勃興政策の概要と最新動向

  • 114.1　チタン資源と戦略的位置づけ
  • 114.2　クリティカルミネラル戦略とチタン
  • 114.3　MMDR法改正と民間参入の解禁
  • 114.4　クリティカル／戦略鉱物の中央政府主導入札
  • 114.5　ナショナル・クリティカルミネラル・ミッション（NCMM）
  • 114.6　許認可迅速化と環境規制の緩和
  • 114.7　ビーチサンド鉱物政策とチタン
  • 114.8　既存プロジェクトと拡張計画
  • 114.9　海外資源獲得とKABILの役割
  • 114.10　リサイクル・アーバンマイニング政策との連動
  • 114.11　半導体・先端製造との関連
  • 114.12　政策の課題とリスク
  • 114.13　国際サプライチェーンへの位置づけ
  • 114.14　半導体関連企業への示唆

115　カナダの石英ガラス輸出拡大策の概要と最新動向

  • 115.1　石英ガラスとハイピュリティクオーツの戦略的位置づけ
  • 115.2　クリティカルミネラル戦略とシリコン／石英
  • 115.3　カナダ国内のHPQポテンシャルと主なプロジェクト
  • 115.4　Sio Silicaとマニトバ州の戦略的拠点化
  • 115.5　北極海ルートと輸出インフラ投資
  • 115.6　高純度石英砂・石英ガラスの北米市場動向
  • 115.7　技術開発とクリーンプロセスへの支援
  • 115.8　石英ガラス輸出拡大の政策的ドライバー
  • 115.9　主要企業と製品ポートフォリオ
  • 115.10　半導体・原材料サプライチェーンへの含意
  • 115.11　課題とリスク要因
  • 115.12　半導体関連企業にとっての実務的ポイント

116　ロシアの高純度ガリウム供給制限の概要と最新動向

  • 116.1　ガリウムの戦略的重要性とロシアの位置づけ
  • 116.2　直接的な「対外輸出制限」ではなく制裁・制約の組合せ
  • 116.3　西側制裁による金属輸出への網掛け
  • 116.4　ロシア国内での戦略資源囲い込みの動き
  • 116.5　中国への依存と「裏側」取引
  • 116.6　ガリウム国際価格とロシア要因
  • 116.7　半導体・防衛用途における影響
  • 116.8　ロシア側企業と輸出制限の実態
  • 116.9　欧米・日本側の政策対応
  • 116.10　半導体関連企業への含意

117　中東のエピタキシャル基板共同開発の概要と最新動向

  • 117.1　中東におけるエピ基板需要の立ち上がり
  • 117.2　サウジアラビアの「第3世代半導体」構想とエピ基板
  • 117.3　UAE市場とエピタキシャルウェーハへの関心
  • 117.4　イスラエル・UAE間の防衛技術協力と材料開発
  • 117.5　グローバル企業との共同開発・技術移転の文脈
  • 117.6　中東スマートシティ計画とエピ基板需要
  • 117.7　共同開発の技術的焦点：SiC・GaN・LED用エピ
  • 117.8　半導体サプライチェーンと原材料コンテキストへの含意
  • 117.9　課題：技術移転・人材・地政学リスク
  • 117.10　企業にとっての実務的示唆

118　ベトナムのアルミナ生産能力増強の概要と最新動向

  • 118.1　ベトナムのボーキサイト・アルミナ資源の位置づけ
  • 118.2　既存の主力アルミナコンプレックス（タンライとニャンコー）
  • 118.3　2030年に向けたアルミナ能力拡張計画
  • 118.4　ニャンコー第2アルミナ工場とダクノン2複合体
  • 118.5　タンライ・ニャンコー両工場の能力増強シナリオ
  • 118.6　国内アルミニウム産業とアルミナ需要
  • 118.7　クリティカルミネラル戦略とアルミナ位置づけ
  • 118.8　環境・インフラ・コスト面の課題
  • 118.9　国際サプライチェーンと対外連携
  • 118.10　半導体関連原材料コンテキストでの意義
  • 118.11　今後の展望と企業への示唆

119　中国のレアアース輸出枠限制度の概要と最新動向

  • 119.1　制度の歴史的背景
  • 119.2　2010年前後の輸出枠と国際紛争
  • 119.3　WTO判決と輸出管理の転換
  • 119.4　生産枠・国内管理へのシフト
  • 119.5　2024年「レアアース管理条例」と法制度化
  • 119.6　2025年の国内生産クォータ管理強化
  • 119.7　2025年の新たな輸出規制の導入
  • 119.8　2025年10月の規制拡大と「二波目」の強化
  • 119.9　輸出許可制と裁量的な運用
  • 119.10　輸出枠から「ケースバイケース管理」への移行
  • 119.11　セキュリティ用途・先端半導体向けの重点管理
  • 119.12　重希土類中心の管理強化
  • 119.13　技術・装置への輸出管理と設備投資への影響
  • 119.14　半導体関連材料・基板への波及
  • 119.15　サプライチェーン地政学と対外関係
  • 119.16　日本・韓国・台湾に対する含意
  • 119.17　米国・EUの政策対応
  • 119.18　中国国内の産業合理化と環境規制
  • 119.19　レアアース輸出枠・輸出管理とレアメタル全般への拡張
  • 119.20　一時的な規制停止と長期的リスク
  • 119.21　半導体関連供給網への具体的インパクト
  • 119.22　原材料・基板コンテキストにおけるリスク評価
  • 119.23　調達戦略としての多元化と在庫戦略
  • 119.24　トレーサビリティとコンプライアンス負担
  • 119.25　今後の展望とシナリオ
  • 119.26　企業に求められる実務的対応
  • 119.27　政策対話と国際ルール形成
  • 119.28　まとめ：輸出枠限制度の実質的性格

【　化学材料（エッチング／洗浄薬品）　】

120　米国のPFAS含有洗浄剤輸出制限の概要と最新動向

  • 120.1　半導体洗浄剤とPFASの位置づけ
  • 120.2　連邦レベルのPFAS規制枠組み（TSCA中心）
  • 120.3　「輸出制限」というより輸出前通知・報告義務の強化
  • 120.4　連邦政府調達におけるPFAS含有洗浄剤の排除
  • 120.5　州レベルのPFAS含有製品販売禁止と域外影響
  • 120.6　半導体業界のPFAS削減イニシアティブ
  • 120.7　「輸出制限」と半導体向け洗浄剤への実務的影響
  • 120.8　企業・調達担当が取るべき対応

121　アイルランドの酸化剤安全基準強化の概要と最新動向

  • 121.1　半導体における酸化剤とアイルランドの産業背景
  • 121.2　化学物質一般規制と酸化剤への適用
  • 121.3　2024年の労働安全衛生改正とリスク評価強化
  • 121.4　COMAH／Seveso枠組みによる大量酸化剤の規制
  • 121.5　実務レベルでの酸化剤安全基準強化の具体像
  • 121.6　半導体産業への示唆と対応方針

122　ポーランドの有機溶媒輸入関税の概要と最新動向

  • 122.1　ポーランドの関税制度とEU共通関税
  • 122.2　有機溶媒に対する代表的な関税水準
  • 122.3　自律関税停止・低減制度と半導体向け溶媒
  • 122.4　ポーランド化学産業と有機溶媒輸入の位置づけ
  • 122.5　半導体・電子産業サプライチェーンへの示唆

123　メキシコの変性シリコーン輸出拡大の概要と最新動向

  • 123.1　変性シリコーンと半導体関連用途
  • 123.2　グローバル市場の成長とラテンアメリカ・メキシコの位置づけ
  • 123.3　メキシコ化学産業政策と輸出拡大方針
  • 123.4　変性シリコーン市場とメキシコの輸出ポテンシャル
  • 123.5　半導体・電子産業との接点と供給網への影響
  • 123.6　企業にとっての調達・展開上の示唆

124　イスラエルの高純度硫黄供給協定の概要と最新動向

  • 124.1　半導体向け高純度硫黄の位置づけ
  • 124.2　イスラエルの硫黄・硫酸市場の構造
  • 124.3　硫黄輸入の主要ソースと長期オフテイク
  • 124.4　硫酸・高純度硫酸への転換と半導体需要
  • 124.5　地政学リスクと供給協定の役割
  • 124.6　半導体サプライチェーンへの示唆

125　スペインのTMA供給多元化計画の概要と最新動向

  • 125.1　TMAと半導体関連用途の位置づけ
  • 125.2　ヨーロッパTMA市場におけるスペインの位置づけ
  • 125.3　EU・スペインの原材料安全保障戦略と多元化の流れ
  • 125.4　スペイン化学産業とTMA供給リスクの認識
  • 125.5　TMA供給多元化の具体的方向性（推定）
  • 125.6　半導体・電子分野への含意と企業の対応

126　トルコのイソプロピルアルコール関税の概要と最新動向

  • 126.1　IPAと半導体洗浄への重要性
  • 126.2　トルコ関税制度とIPAの分類
  • 126.3　2024年の工業製品関税改定とIPAへの含意
  • 126.4　B2C少額輸入と一般関税水準
  • 126.5　IPA関税以外のコスト要因と市場環境
  • 126.6　半導体サプライチェーンにおける調達・戦略的示唆

127　ベルギーのガスクリーン製剤輸出規制の概要と最新動向

  • 127.1　「ガスクリーン製剤」と半導体プロセスにおける位置づけ
  • 127.2　ベルギーの輸出規制の基盤：EUデュアルユース制度と国内実施
  • 127.3　ベルギーの最新の輸出禁止・品質規制の流れ
  • 127.4　ガスクリーン製剤への示唆：PFAS・Fガス規制との接点
  • 127.5　現時点の「ガスクリーン製剤」固有の輸出規制状況
  • 127.6　半導体サプライチェーンと企業への実務的影響

128　ベトナムの界面活性剤国内生産奨励の概要と最新動向

  • 128.1　半導体洗浄と界面活性剤の位置づけ
  • 128.2　ベトナム界面活性剤市場の成長と構造
  • 128.3　化学産業戦略と国内生産奨励の政策枠組み
  • 128.4　環境規制によるエコ界面活性剤への誘導
  • 128.5　海外企業の生産拠点拡張とローカル化
  • 128.6　高付加価値・電子用界面活性剤への展開可能性
  • 128.7　国内生産奨励がサプライチェーンに与える影響

129　UAEのフッ化水素再利用技術輸入契約の概要と半導体洗浄薬品サプライチェーンへの含意

  • 129.1　半導体とフッ化水素再利用技術の基礎
  • 129.2　グローバルなHF市場動向と中東・UAEの位置づけ
  • 129.3　HF廃液再利用技術の代表的コンセプト

①　混酸からのフッ素・シリコン分離とHF再生

②　スクラバー排水の回収・再利用

  • 129.4　UAEにおける資源循環・廃棄物処理戦略とHF再利用技術導入の文脈
  • 129.5　「UAEのフッ化水素再利用技術輸入契約」の想定スキーム
  • 129.6　半導体エッチング／洗浄薬品サプライチェーンへの影響

130　ポルトガルの酸化剤量産支援と半導体エッチング／洗浄薬品サプライチェーン

  • 130.1　半導体と酸化剤の役割
  • 130.2　ポルトガル化学産業の基盤と酸化剤生産ポテンシャル
  • 130.3　グリーン水素・再エネ戦略と酸化剤製造への波及
  • 130.4　EU化学産業の脱炭素投資とポルトガルへの期待
  • 130.5　「酸化剤量産支援」に相当する政策と事業動向（推定）
  • 130.6　半導体エッチング／洗浄薬品サプライチェーンへの示唆

131　EUの塩素系溶剤使用制限強化の概要と最新動向

  • 131.1　半導体洗浄における塩素系溶剤の位置づけ
  • 131.2　REACH規則とSVHC指定による制約
  • 131.3　特定塩素系溶剤の使用制限の具体例
  • 131.4　有機溶剤排出規制と工場レベルの要求事項
  • 131.5　欧州グリーンディールと「有害化学物質ゼロ」方針
  • 131.6　半導体・電子産業の対応と技術代替
  • 131.7　調達・サプライチェーンへの示唆

132　中国のフッ化ケイ素国内優先調達の概要と最新動向

  • 132.1　フッ化ケイ素と半導体プロセスにおける役割
  • 132.2　「半導体国産化」政策と材料調達の国内優先方針
  • 132.3　フッ素化学産業政策と高純度電子化学品の重点化
  • 132.4　デュアルユース輸出管理とフッ素系材料の統制強化
  • 132.5　PFOSなど特定フッ素化合物の輸出入禁止と高純度材料へのシフト
  • 132.6　国内優先調達の実務的な現れ方
  • 132.7　国際サプライチェーンへの影響とリスク
  • 132.8　企業にとっての対応方針

133　韓国のTMAH国内生産奨励政策の概要と最新動向

  • 133.1　TMAHと韓国半導体産業における重要性
  • 133.2　「素材・部品・装備」政策と材料国産化の枠組み
  • 133.3　K-CHIPS法とTMAH国内投資インセンティブ
  • 133.4　政策金融・基金によるケミカル企業支援
  • 133.5　韓国TMAH市場の特徴と国産品シフト
  • 133.6　大手企業の現像液・TMAH戦略
  • 133.7　安全性・環境規制とTMAHの取り扱い
  • 133.8　サプライチェーンへの影響と企業への示唆

134　シンガポールの過酸化水素輸出税の概要と最新動向

  • 134.1　シンガポールの貿易制度と化学品課税の基本
  • 134.2　過酸化水素の生産・貿易と半導体向け利用
  • 134.3　「過酸化水素輸出税」に関する実態
  • 134.4　危険物としての規制と半導体サプライチェーンへの影響
  • 134.5　調達戦略上の示唆

135　インドネシアのリン酸輸出制限の概要と最新動向

  • 135.1　リン酸・リン鉱石の位置づけと国内需給
  • 135.2　鉱物資源の「国内優先利用」方針とリン資源
  • 135.3　輸出禁止・輸出税リストにおけるリン酸の扱い
  • 135.4　肥料・アグロミネラル政策と事実上の輸出抑制圧力
  • 135.5　外貨収入規制とリン関連輸出への間接的影響
  • 135.6　半導体・電子用リン酸への波及可能性
  • 135.7　調達・投資戦略上の示唆

136　台湾のスルホン酸系化学品輸出自主の概要と最新動向

  • 136.1　半導体向けスルホン酸系化学品の位置づけ
  • 136.2　PFHxS・PFOS/PFOAなどスルホン酸系PFASの国内規制強化
  • 136.3　規制の内容と「輸出自主」としての性格
  • 136.4　PFOS・PFOAなど他スルホン酸系PFASへの拡張予定
  • 136.5　半導体サプライチェーンとスルホン酸系化学品の自主管理
  • 136.6　「輸出自主」が意味する実務上の影響
  • 136.7　代替化学品とサプライチェーン上の留意点

137　ドイツのCMP洗浄化学品開発助成の概要と最新動向

  • 137.1　ドイツ半導体戦略とCMP関連化学の位置づけ
  • 137.2　Fraunhoferを中心とした公共研究助成
  • 137.3　化学物質・廃棄物管理に関する助成スキーム
  • 137.4　CMP洗浄化学品市場と欧州規制が生む開発ニーズ
  • 137.5　ドイツ企業のCMP洗浄化学品開発動向
  • 137.6　CMP洗浄技術とリサイクル・水削減への研究支援
  • 137.7　企業にとっての活用ポイント

138　フランスのレジスト原料在庫義務の概要と最新動向

  • 138.1　レジスト原料の重要性とフランス半導体戦略
  • 138.2　フランスのクリティカル原材料政策と在庫戦略
  • 138.3　EUチップス法の危機対応枠組みと在庫義務の議論
  • 138.4　フランス国内での「レジスト原料在庫義務」の実態
  • 138.5　企業レベルでの戦略在庫と供給網対応
  • 138.6　半導体サプライチェーンにとっての含意

139　日本のELK製エッチングガス輸出管制の概要と最新動向

  • 139.1　日本の輸出管理制度と半導体ガス
  • 139.2　2023年以降の半導体関連輸出規制強化の流れ
  • 139.3　ELK製エッチングガスと想定される対象範囲
  • 139.4　実際の法令上の位置づけ（ガスそのものの明示的規制は限定的）
  • 139.5　先端ガス供給を巡る安全保障上の懸念と運用強化
  • 139.6　国際環境規制との連動（Fガス・温室効果ガス）
  • 139.7　サプライチェーン・ユーザー側への影響
  • 139.8　企業が取るべき対応

【　ウェハ（シリコン・化合物系）　】

140　韓国サムスンのシリコンウェハ自社化の概要と最新動向

  • 140.1　サムスンのウェハ自社化の位置づけ
  • 140.2　韓国シリコンウェハ産業とサムスンの関係
  • 140.3　歴史的な自社ウェハ生産（Siltronicとの合弁）
  • 140.4　近年の「自社化」戦略の文脈
  • 140.5　先端プロセス拡大とウェハ需要
  • 140.6　研究開発拠点（NRD-K）と材料自立
  • 140.7　メモリ（DRAM・HBM）分野でのウェハ需要構造
  • 140.8　ロジック・ファウンドリ事業と自社ウェハ
  • 140.9　韓国内サプライチェーン再編と「リショアリング」
  • 140.10　海外拠点（米国・その他）とウェハ調達
  • 140.11　自社化と外部調達のバランス
  • 140.12　国家戦略・経済安全保障との連動
  • 140.13　中国・日本・欧州との競合と協調
  • 140.14　技術トレンド：大口径化・特殊ウェハ
  • 140.15　今後の展望とビジネス上のインプリケーション

141　ブラジルの大口径ウェハ生産計画と半導体供給網へのインプリケーション

  • 141.1　1. ブラジル半導体産業と大口径ウェハの位置づけ
  • 141.2　2. Brasil Semiconプログラムとウェハ関連投資
  • 141.3　3. 大口径シリコンウェハ市場の現状と成長見通し
  • 141.4　4. モノシリコンウェハ生産能力拡張のシナリオ
  • 141.5　5. 大口径ウェハ設備市場とファブ投資
  • 141.6　6. 国際協力：EU–ブラジル対話と技術移転の可能性
  • 141.7　7. 戦略と制約：大口径ウェハ「フルファブ」ではなく選択集中
  • 141.8　8. グローバル300mm投資ブームとブラジルの立ち位置
  • 141.9　9. 供給網・国家間提携の観点から見た大口径ウェハ計画
  • 141.10　10. 今後の展望とビジネスチャンス

142　シンガポールのFOWLP基板国内化の概要と最新動向

  • 142.1　FOWLPとFOPLPの基板概念
  • 142.2　シンガポール半導体戦略と先端パッケージング
  • 142.3　Silicon Boxによるパネルレベル基板の国内量産
  • 142.4　A*STARのNational Co‑Innovation Fabと基板R&D
  • 142.5　規制・環境政策と「国内化」インセンティブ
  • 142.6　パッケージング材料産業の育成と基板供給網
  • 142.7　ASEAN市場へのハブ機能と基板輸出
  • 142.8　技術課題：大面積露光・RDL材料・歩留まり
  • 142.9　供給網と国家間提携の観点からの位置づけ
  • 142.10　今後の展望：FOWLP基板国内化のビジネスインパクト

143　オーストラリアの高耐熱基板協業の概要と最新動向

  • 143.1　背景：SiC・GaNなど高耐熱基板へのシフト
  • 143.2　Griffith大学とSPTSのSiC-on-Si基板共同開発
  • 143.3　SiC市場拡大と豪州の協業ポジション
  • 143.4　大学・研究機関による広帯域ギャップ材料R&D
  • 143.5　重要鉱物・ガリウム供給協定と基板材料協業
  • 143.6　クリティカルミネラル戦略と半導体サプライチェーン
  • 143.7　高耐熱基板協業がもたらす産業・安全保障上の意義

144　スペインのウェハ洗浄設備導入補助の位置づけ

  • 144.1　概要と政策目的
  • 144.2　EU半導体・クリーン産業戦略との関係
  • 144.3　半導体関連製品サプライチェーンの中でのウェハ洗浄
  • 144.4　スペイン半導体・マイクロエレクトロニクス・エコシステムの現状
  • 144.5　再エネ・クリーンテック製造とウェハ設備支援
  • 144.6　スペインにおける装置市場・ウェハ洗浄ニーズ
  • 144.7　代表的な補助スキームと財源構造
  • 144.8　ウェハ洗浄設備が補助対象となる条件
  • 144.9　申請プロセスと選定基準の一般的特徴
  • 144.10　地域レベルの補助とウェハ関連投資
  • 144.11　PERTE Chipとウェハ装置支援の関係
  • 144.12　ウェハ洗浄設備導入が供給網に与える影響
  • 144.13　化合物系ウェハ・パワーデバイスとの関係
  • 144.14　太陽光インゴット・ウェハ製造支援との接点
  • 144.15　グローバル供給網再編とスペインの位置づけ
  • 144.16　他地域との補助スキーム比較の要点
  • 144.17　国家間提携政策との連動
  • 144.18　サプライチェーンリスクとレジリエンス強化
  • 144.19　環境・ESG要件とウェハ洗浄技術
  • 144.20　企業にとっての戦略的インプリケーション
  • 144.21　今後の政策動向と展望
  • 144.22　まとめ的論点整理
  • 144.23　参考情報（最大5件）

145　チリの天然シリカ砂利輸出協定と半導体サプライチェーン

  • 145.1　天然シリカ砂利と半導体用ウェハ素材
  • 145.2　チリにおけるシリカ資源の位置づけ
  • 145.3　「輸出協定」概念とチリの貿易枠組み
  • 145.4　FTA・EPAの関税割当と鉱産品
  • 145.5　シリカ砂・砂利に対する協定上の扱い
  • 145.6　天然シリカ砂利輸出と半導体文脈の接続
  • 145.7　グローバル高純度シリカ市場の動向
  • 145.8　主要供給国とチリの相対的位置
  • 145.9　半導体バリューチェーン再編とシリカ原料
  • 145.10　チリとアジア・欧州との資源協力の可能性
  • 145.11　天然シリカ砂利輸出協定の政策的意義
  • 145.12　環境・ESG観点からの制約
  • 145.13　物流・調達ルートの特徴
  • 145.14　価格形成とプレミアム要因
  • 145.15　半導体企業にとっての戦略的含意
  • 145.16　チリ側産業政策の観点
  • 145.17　他資源国との比較と競合
  • 145.18　国家間提携政策と将来の協定像
  • 145.19　半導体・再エネ市場の成長と需要シナリオ
  • 145.20　リスク要因と留意点
  • 145.21　まとめ的論点整理

146　カザフスタンのLED用サファイア基板

  • 146.1　サファイア基板とLEDサプライチェーン
  • 146.2　カザフスタン経済と高付加価値素材産業
  • 146.3　サファイア単結晶生産の技術的前提
  • 146.4　カザフスタンの材料科学・結晶関連基盤
  • 146.5　LED材料市場とサファイア基板の位置
  • 146.6　パターニング技術と付加価値
  • 146.7　カザフスタンがサファイア基板に関心を向ける理由
  • 146.8　既存サプライチェーンとの比較
  • 146.9　カザフスタンの投資誘致と高機能材料
  • 146.10　半導体・LEDサプライチェーンにおける地政学的要因
  • 146.11　GaNデバイスの基板選択トレンドとの関係
  • 146.12　研究開発・人材協力の可能性
  • 146.13　環境・エネルギー面の条件
  • 146.14　物流・輸送ルートと供給網設計
  • 146.15　投資家・企業にとっての戦略的視点
  • 146.16　今後の展望と留意点
  • 146.17　参考情報（最大5件）

147　フランスのSiC基板技術連携

  • 147.1　SiC基板とウェハ供給網の位置づけ
  • 147.2　STMicroelectronicsとSoitecのSmartSiC連携
  • 147.3　SmartSiC技術の特徴とメリット
  • 147.4　200mm SiCウェハへの移行とフランスの役割
  • 147.5　フランス政府の半導体・SiC支援政策
  • 147.6　国際サプライヤーとの長期供給契約
  • 147.7　国内外企業との技術・事業連携
  • 147.8　電動車・産業用途とSiC需要の拡大
  • 147.9　欧州チップ法とフランスSiC戦略
  • 147.10　サプライチェーン多元化と地政学的観点
  • 147.11　研究開発と人材育成の連携
  • 147.12　産業構造とビジネスモデルの特徴
  • 147.13　今後の課題と展望
  • 147.14　参考情報（最大5件）

148　イタリアの合成ダイヤモンド基板開発

  • 148.1　合成ダイヤモンド基板と半導体ウェハ文脈
  • 148.2　イタリアにおける広帯域ギャップ材料戦略
  • 148.3　カターニアWBGパイロットラインとダイヤモンド材料
  • 148.4　CVDダイヤモンド技術とイタリア研究機関
  • 148.5　ダイヤモンドベース検出器開発から基板へのスピルオーバー
  • 148.6　GaN-on-diamond市場とイタリアのポジション
  • 148.7　合成ダイヤモンド基板の技術要件
  • 148.8　イタリア企業・研究機関の役割
  • 148.9　EUレベルのプロジェクトとイタリアの参画
  • 148.10　SiC・GaN基盤とのシナジー
  • 148.11　半導体サプライチェーンと合成ダイヤモンドの位置づけ
  • 148.12　課題と展望
  • 148.13　参考情報（最大5件）

149　ノルウェーの薄膜基板輸出戦略

  • 149.1　ノルウェーと半導体・薄膜技術の位置づけ
  • 149.2　薄膜関連企業Thin Film Electronics（Ensurge）の展開
  • 149.3　電子パッケージング向け薄膜セラミック基板
  • 149.4　CIGS薄膜太陽電池とエネルギー輸出戦略
  • 149.5　クリティカルマテリアル戦略との連動
  • 149.6　研究インフラと薄膜プロセス能力
  • 149.7　シリコンインゴット・ウェハ産業の経験
  • 149.8　薄膜基板輸出戦略の方向性
  • 149.9　サプライチェーン・調達ルートの特徴
  • 149.10　国家間提携と欧州との関係
  • 149.11　ノルウェー発薄膜基板ビジネスの課題
  • 149.12　まとめの視点
  • 149.13　参考情報（最大5件）

150　ポーランドの結晶シリコン再利用計画

  • 150.1　結晶シリコンPV廃棄物と循環経済の背景
  • 150.2　EU規制とポーランド国家計画の位置づけ
  • 150.3　ポーランド研究者によるc-Siリサイクル戦略の提案
  • 150.4　ポーランドにおけるPV廃棄物リサイクルの経済ポテンシャル
  • 150.5　結晶シリコン再利用プロセスと技術オプション
  • 150.6　再利用シリコンの品質ターゲットと用途
  • 150.7　ポーランド国内でのパイロットライン構想と地域連携
  • 150.8　半導体ウェハ・電子産業への波及可能性
  • 150.9　PVモジュール寿命延長と再利用計画の統合
  • 150.10　政策・ビジネス面の課題
  • 150.11　参考情報（最大5件）

151　米国グロスマン製シリコン供給増強の概要と最新動向

  • 151.1　1. 用語と前提整理
  • 151.2　2. 中国依存構造とリスク認識
  • 151.3　3. 太陽光向けシリコン供給と半導体との連関
  • 151.4　4. CHIPS法と「Building Chips in America」による上流支援
  • 151.5　5. シリコンウェハ製造への補助金配分
  • 151.6　6. 「グロスマン」の議論と縦割り統合の必要性
  • 151.7　7. ポリシリコン生産の地理的分散
  • 151.8　8. 半導体サプライチェーン政策へのインプリケーション
  • 151.9　9. 半導体向けシリコンと太陽光向けシリコンの相互補完性
  • 151.10　10. 今後の展望：名指し企業不在下での「グロスマン的」シナリオ

152　日本SUMCOと韓国企業共同投資の概要と最新動向

  • 152.1　1. 前提整理：SUMCOと韓国半導体産業
  • 152.2　2. 「日本SUMCOと韓国企業共同投資」の事実関係
  • 152.3　3. 韓国側主要プレーヤー：SK Siltronとメモリ大手
  • 152.4　4. 日本材料メーカーの韓国展開とSUMCOの位置
  • 152.5　5. グローバル投資計画と韓国市場の位置づけ
  • 152.6　6. 日韓半導体協力の政策的背景
  • 152.7　7. サプライチェーン再編における日韓協業の意義
  • 152.8　8. 今後の展望とビジネス機会

153　中国SMIC向け国内ウェハ産業育成の概要と最新動向

  • 153.1　1. 全体像：自給化戦略とSMICの役割
  • 153.2　2. 政策枠組み：ビッグファンド第3期と「50％ルール」
  • 153.3　3. SMICの300mmファブ拡張と国内ウェハ需要
  • 153.4　4. 主要国内ウェハ企業と能力増強
  • 153.5　5. 12インチウェハ産業の市場動向
  • 153.6　6. SiCなど化合物ウェハの育成
  • 153.7　7. 装置国産化とウェハ品質向上
  • 153.8　8. 自給率目標とSMICへの期待
  • 153.9　9. 国際環境と産業育成の加速要因
  • 153.10　10. 今後の展望：SMICと国内ウェハ産業の相互依存

154　ドイツSiltronicのEU新工場建設と欧州ウェハ供給網の再編

  • 154.1　1. Siltronicの事業概要と欧州拠点
  • 154.2　2. EU域内での新工場建設と位置づけ
  • 154.3　3. EIBローンによるフライベルク工場の近代化投資
  • 154.4　4. 新工場・増設投資の技術・コスト面の影響
  • 154.5　5. 欧州チップ戦略とウェハ供給能力の強化
  • 154.6　6. シンガポール新300mm工場との補完関係
  • 154.7　7. グローバルウェハ需給とSiltronic新工場の意義

155　ロシアPJSCウェハ国産化プロジェクトと半導体供給網再構築

  • 155.1　1. PJSC関連企業と国産化プロジェクトの位置づけ
  • 155.2　2. 政府投資と装置・材料国産化目標
  • 155.3　3. 200mmウェハ向けCMP装置開発プロジェクト
  • 155.4　4. PJSC ElementによるSiCウェハ・デバイス国産化
  • 155.5　5. ウェハ処理モジュールなど周辺装置の国産化
  • 155.6　6. フロントエンド技術ロードマップとウェハ要求
  • 155.7　7. ロシア半導体シリコンウェハ市場の現状
  • 155.8　8. 国家プロジェクトとしての「ウェハ国産化」とPJSC企業群の役割
  • 155.9　9. 制裁・輸出規制下での技術的制約と対応
  • 155.10　10. 今後の展望：ウェハ国産化の達成可能性と限界

156　マレーシアの低感度ウェハ輸出関税と半導体供給網への影響

  • 156.1　1. 前提整理：マレーシア半導体産業と政策文脈
  • 156.2　2. 「低感度ウェハ輸出関税」の実態と解釈
  • 156.3　3. 米国関税圧力と「低感度品」概念
  • 156.4　4. 戦略貿易法（STA 2010）と高感度ウェハの規制
  • 156.5　5. NSSとウェハ製造誘致：税率より投資優遇が主軸
  • 156.6　6. 米国向け輸出と関税環境
  • 156.7　7. 「低感度ウェハ」輸出条件の実務的な取り扱い
  • 156.8　8. 低感度ウェハ輸出がグローバル供給網に持つ意味
  • 156.9　9. 地政学リスク下でのポジショニング

157　フィリピンの再生シリコン事業支援と半導体・太陽光サプライチェーン

  • 157.1　1. 前提：フィリピン半導体産業とグリーントランジション
  • 157.2　2. 再生シリコン事業の位置づけと現状
  • 157.3　3. 循環経済・リサイクル政策と国際支援
  • 157.4　4. 廃棄物リサイクル・エネルギー事業との連動
  • 157.5　5. 半導体エコシステム強化戦略と再生材
  • 157.6　6. 太陽光パネルリサイクルとシリコン回収技術
  • 157.7　7. フィリピン電子産業ロードマップと再生シリコンの役割
  • 157.8　8. 新規クラスター構想と投資誘致
  • 157.9　9. 事業支援の具体的手段と今後の課題
  • 157.10　10. グローバル供給網におけるフィリピン再生シリコンのポテンシャル

158　インドの化合物半導体基板R&D奨励の概要と最新動向

  • 158.1　1. 政策全体像：Semicon Indiaと化合物半導体スキーム
  • 158.2　2. 化合物半導体基板R&D奨励の枠組み
  • 158.3　3. India Semiconductor Mission 2.0と化合物ファブ
  • 158.4　4. GaN・SiC基板研究プロジェクトと戦略的意義
  • 158.5　5. 学術・スタートアップ連携とGaNファウンドリ
  • 158.6　6. Design Linked Incentiveと基板R&Dのシナジー
  • 158.7　7. 特殊基板分野：ラボグロウンダイヤモンドと広帯域ギャップ材料
  • 158.8　8. 国際協調：米国・日本とのR&D連携
  • 158.9　9. 課題：エコシステム・人材・サプライチェーン
  • 158.10　10. 今後の展望：化合物基板R&D奨励のビジネスインパクト

159　台湾TSMCの国内外ウェハ調達提携の概要と最新動向

  • 159.1　1. 全体像：TSMCのウェハ調達戦略
  • 159.2　2. シリコンウェハ調達の基盤構造
  • 159.3　3. 化合物系ウェハ（GaN・SiCなど）の位置づけ
  • 159.4　4. 台湾国内のウェハ供給網
  • 159.5　5. 日本におけるウェハ調達と提携
  • 159.6　6. 米国拠点と現地ウェハ調達
  • 159.7　7. 欧州（ドイツ）拠点とウェハ供給
  • 159.8　8. 海外工場増設とウェハ需要の拡大
  • 159.9　9. 「シリコンシールド」と国家間提携政策
  • 159.10　10. 日米欧との経済安全保障連携
  • 159.11　11. サプライヤー側の対応と制約
  • 159.12　12. AI需要と先端ウェハの品質要求
  • 159.13　13. CoWoS・先端パッケージングとウェハ供給
  • 159.14　14. GaNからの戦略的シフトと他社の台頭
  • 159.15　15. 地政学リスクとウェハ供給の分散
  • 159.16　16. 今後の展望とビジネスインパクト

【　半導体製造装置（リソグラフィ・エッチング等）　】

160　ニコンの露光装置対中輸出管理

  • 160.1　日本の23品目規制とニコンの位置づけ
  • 160.2　規制対象となる露光装置の範囲
  • 160.3　対象国と優遇国スキーム
  • 160.4　中国向けビジネスへの影響とニコンの対応
  • 160.5　米国・オランダとの三国協調の中での役割
  • 160.6　追加規制・量子関連までの拡大の可能性
  • 160.7　中国側の反応と市場リスク
  • 160.8　露光装置サプライチェーンへの含意
  • 160.9　参考情報（最大5件）

161　シンガポールSPTSのウェット洗浄機能強化

  • 161.1　SPTSとシンガポール半導体クラスターの位置づけ
  • 161.2　先進パッケージ向けプロセスとウェット工程の役割
  • 161.3　シンガポール市場におけるウェット洗浄需要
  • 161.4　ウェット洗浄機能強化の方向性（推定）
  • 161.5　プロセス統合・エンドポイント制御との連携
  • 161.6　KLAパッケージングソリューションとのシナジー
  • 161.7　シンガポールにおけるSPTSの戦略的意義
  • 161.8　今後の展望と課題
  • 161.9　参考情報（最大5件）

162　韓国MKSの真空装置サプライチェーン多元化

  • 162.1　MKSと韓国拠点の位置づけ
  • 162.2　韓国MKSの機能とローカル生産能力
  • 162.3　グローバルな多元化戦略とアジア展開
  • 162.4　真空バルブ・コンポーネント市場環境と多元化インセンティブ
  • 162.5　韓国半導体クラスターとの連携とローカル調達
  • 162.6　供給網多元化の具体的方向性（推定）
  • 162.7　多元化が半導体サプライチェーンにもたらす影響
  • 162.8　参考情報（最大5件）

163　EUのEUV装置開発補助金動向

  • 163.1　EUV技術と欧州の戦略的位置づけ
  • 163.2　EUチップス法とEUV関連支援枠組み
  • 163.3　ASML–imec戦略提携とNanoICパイロットライン
  • 163.4　IPCEI（重要プロジェクト）による光学・部材支援
  • 163.5　オランダ「プロジェクト・ベートーヴェン」とASML支援
  • 163.6　EUレベルでの補助金・投資規模の評価
  • 163.7　研究開発投資と公的資金の関係
  • 163.8　今後の政策課題と補助金動向
  • 163.9　参考情報（最大5件）

164　英国IQEのVGF装置輸出協定

  • 164.1　IQEとVGF技術の概要
  • 164.2　VGFによるGaAs基板と輸出市場
  • 164.3　代表的な長期供給協定とVGF基板の位置づけ
  • 164.4　英国輸出管理強化とVGF関連装置への影響
  • 164.5　VGF装置・技術輸出協定の考えられる姿（推定）
  • 164.6　英国国家半導体戦略と輸出協定の政策的文脈
  • 164.7　VGF基板サプライチェーンと地政学的リスク
  • 164.8　まとめ：VGF装置輸出協定の意味合い
  • 164.9　参考情報（最大5件）

165　日本中小装置メーカー連合の対策

  • 165.1　背景：輸出規制と地政学リスクの高まり
  • 165.2　産業政策と中小企業支援の枠組み
  • 165.3　コンソーシアム・連合の形成（J-OSAT・JOINT3など）
  • 165.4　共同開発・試作ライン活用によるリスク分散
  • 165.5　輸出管理対応とコンプライアンス強化
  • 165.6　コスト共有とデジタル連携の試み
  • 165.7　グローバル展開とサプライチェーン多元化
  • 165.8　中小企業一般政策とのシナジー
  • 165.9　参考情報（最大5件）

166　台湾製造装置OEMの中国進出監視

  • 166.1　背景：対中装置輸出拡大と監視強化
  • 166.2　台湾の輸出管理枠組みとエンティティリスト
  • 166.3　装置OEM・機械メーカーへの適用範囲
  • 166.4　対中進出・投資の監視メカニズム
  • 166.5　Huawei・SMIC制裁とOEMビジネスへの波及
  • 166.6　TSMCの装置ソーシング方針と中国製装置排除
  • 166.7　米台協調によるOEM監視の国際的文脈
  • 166.8　中国市場依存からの脱却と新市場開拓
  • 166.9　監視強化がもたらす構造変化
  • 166.10　参考情報（最大5件）

167　ベトナム半導体装置組立支援政策

  • 167.1　国家戦略と装置組立の位置づけ
  • 167.2　税制優遇：装置組立を含む半導体投資インセンティブ
  • 167.3　投資支援基金と装置関連補助
  • 167.4　地方レベルの装置・設備購入補助（ダナン市の例）
  • 167.5　製造装置・材料向けの特化インセンティブ
  • 167.6　中古装置輸入規制の緩和と組立拠点への影響
  • 167.7　Amkorの大規模進出と装置組立・保守エコシステム
  • 167.8　人材育成と装置エンジニアリング支援
  • 167.9　立地インセンティブと装置組立ポテンシャル
  • 167.10　今後の課題と展望
  • 167.11　参考情報（最大5件）

168　インド装置部品国産化プログラム

  • 168.1　全体像：半導体自立と装置部品国産化の位置づけ
  • 168.2　SPECS：電子部品・半導体部品製造促進スキーム
  • 168.3　PLIスキームと装置・装置部品へのインセンティブ
  • 168.4　ISMコンパウンド半導体スキームと装置需要
  • 168.5　装置部品国産化に直接関わる政策要素
  • 168.6　半導体製造装置市場とローカライゼーション圧力
  • 168.7　DLIスキームと装置制御・EDAインフラの国産化
  • 168.8　製造装置コンポーネントのローカライゼーション事例と期待
  • 168.9　国際協力と技術移転の枠組み
  • 168.10　今後の課題と展望
  • 168.11　参考情報（最大5件）

169　ロシア独自装置開発支援基金

  • 169.1　基金創設の背景と全体構想
  • 169.2　予算規模とR&Dプロジェクト構成
  • 169.3　ロシア版「装置開発支援基金」の仕組み
  • 169.4　国産リソグラフィ装置開発の現状
  • 169.5　装置ラインナップ拡充と既存ツールの改造
  • 169.6　目標とマイルストーン：28nm〜65nm域へのフォーカス
  • 169.7　補助金・優遇策と「ロシア製」認定
  • 169.8　基金の限界とリスク
  • 169.9　サプライチェーンへの波及と国際的含意
  • 169.10　参考情報（最大5件）

170　メキシコ半導体装置修理拠点整備

  • 170.1　位置づけと政策的背景
  • 170.2　半導体産業クラスターと修理需要
  • 170.3　装置サービス・中古装置ビジネスの展開
  • 170.4　近接修理拠点としての優位性
  • 170.5　政府イニシアチブと人材育成
  • 170.6　産業構造：電子機器修理・サービスから半導体装置へ
  • 170.7　今後の課題と展望
  • 170.8　参考情報（最大5件）

171　キヤノンのステッパー国内供給拡大

  • 171.1　国内供給拡大の背景
  • 171.2　半導体露光事業の成長と生産能力増強
  • 171.3　宇都宮新工場と国内生産体制の強化
  • 171.4　国内需要に特化したステッパー供給戦略
  • 171.5　ナノインプリント露光による差別化と国内展開
  • 171.6　日本市場におけるシェアと国内供給の意義
  • 171.7　政府支援と国内エコシステムとの連携
  • 171.8　省エネ・環境性能と国内ユーザーのニーズ
  • 171.9　今後の展望と課題
  • 171.10　参考情報（最大5件）

172　アプライドマテリアルズの米中技術移転規制

  • 172.1　規制の基本枠組みとアプライドの位置づけ
  • 172.2　2022・2023年の「先進計算／製造装置」ルール
  • 172.3　2024年の追加強化とSMIC向けポリシー
  • 172.4　中国売上と業績への影響
  • 172.5　2026年以降の中国設備投資見通し
  • 172.6　輸出規制違反疑惑と政府調査
  • 172.7　技術移転規制の具体的内容
  • 172.8　FDPR適用による域外規制と同盟国への波及
  • 172.9　議会・シンクタンクによる監視と追加措置の議論
  • 172.10　経営戦略上の対応とリスク分散
  • 172.11　参考情報（最大5件）

173　ラムリサーチの冷間プラズマ装置協定

  • 173.1　冷間プラズマ・低ダメージエッチ技術の位置づけ
  • 173.2　クライオエッチ技術Lam Cryo 3.0の展開
  • 173.3　原子層エッチ（ALE）とパルスプラズマ特許群
  • 173.4　EUVドライレジストをめぐる国際協定・連携
  • 173.5　JSR/Inpriaとのクロスライセンス・協業
  • 173.6　プラズマ科学コミュニティとの連携
  • 173.7　米中デカップリングと冷間プラズマ装置への影響
  • 173.8　まとめの視点
  • 173.9　参考情報（最大5件）

174　KLAの検査装置海外設置制約

  • 174.1　規制の枠組みとKLAの位置づけ
  • 174.2　2022年規制発効後の対中販売・サービス停止
  • 174.3　「設置・サービス」まで含む海外制約の内容
  • 174.4　エンティティ・リストと設置先制限
  • 174.5　中国向け売上構成と海外展開への影響
  • 174.6　2024年以降の追加制限と「ツール・コントロール」
  • 174.7　KLAのリスク開示とサプライチェーン対応
  • 174.8　議会・シンクタンクによる追加制約の提言
  • 174.9　海外設置制約が供給網に与える含意
  • 174.10　参考情報（最大5件）

175　東京エレクトロンの韓国内工場強化

  • 175.1　韓国内拠点の位置づけと歴史
  • 175.2　Technology Center Korea-2完成とR&D機能強化
  • 175.3　韓国内工場・R&D強化の狙い
  • 175.4　韓国半導体クラスターとTEL投資のシナジー
  • 175.5　グローバル戦略と韓国拠点の役割
  • 175.6　サプライチェーン・地政学リスクへの対応
  • 175.7　韓国内工場強化がもたらす波及効果
  • 175.8　参考情報（最大5件）

176　日立ハイテクのEB装置対ロ規制

  • 176.1　日本の対ロ輸出規制とEB装置の位置づけ
  • 176.2　EB装置・電子線技術が規制対象となる理由
  • 176.3　日本政府による対ロ制裁メニューの概要
  • 176.4　日立ハイテクのEB技術と対ロ規制の関係
  • 176.5　EU・米国制裁との整合と第三国経由取引の問題
  • 176.6　2024年以降の「先端品目」リスト更新とEB関連品目
  • 176.7　実務上想定される日立ハイテクの対ロ対応
  • 176.8　今後の課題と展望
  • 176.9　参考情報（最大5件）

177　ドイツペルセプションのCVD装置輸出制限

  • 177.1　ドイツの輸出管理制度と半導体装置
  • 177.2　新興技術リスト拡張と半導体関連項目
  • 177.3　EUデュアルユースリストとCVD装置
  • 177.4　対中輸出をめぐる「ドイツ企業の感覚（ペルセプション）」
  • 177.5　中国向け半導体技術輸出に対するドイツ政府の姿勢
  • 177.6　米国規制との連動とCVD装置への波及
  • 177.7　BAFAによる許可制度と企業コンプライアンス
  • 177.8　ドイツ国内議論：技術主権と経済リスクのバランス
  • 177.9　CVD装置輸出制限に対する「ドイツペルセプション」の要点
  • 177.10　参考情報（最大5件）

178　米国LamのALD装置輸出審査厳格化

  • 178.1　ALD装置と規制対象化の背景
  • 178.2　BISによるALD・ALE・ASDへの新規制
  • 178.3　LamのALTUS Haloなど先端ALD製品への影響
  • 178.4　「高度装置」ツール規制とLamへの波及
  • 178.5　規制ルールの技術的要件（ALD関連）
  • 178.6　Lam自身のコメントと業績見通し
  • 178.7　審査厳格化がもたらす社内コンプライアンス強化
  • 178.8　米議会・世論からの更なる圧力
  • 178.9　供給網・市場構造への含意
  • 178.10　参考情報（最大5件）

179　ASMLのオランダ–米国輸出許可動向

  • 179.1　全体像と基本構図
  • 179.2　EUV装置輸出の長期的な制限
  • 179.3　先端DUV（ArF液浸）への規制拡大
  • 179.4　米国の輸出規則アップデートとASMLの評価
  • 179.5　サービス・保守・ソフトウェアへの規制波及
  • 179.6　オランダ政府のデータ公開方針変更
  • 179.7　日米蘭三国の輸出管理協調
  • 179.8　中国の働きかけと外交的摩擦
  • 179.9　収益構造への影響とASMLの対応
  • 179.10　サプライチェーン・地政学への含意
  • 179.11　参考情報（最大5件）

【　ファウンドリ・生産能力　】

180　台湾TSMC国内生産補助策

  • 180.1　台湾版「チップ法」と税額控除の枠組み
  • 180.2　TSMCにとってのインセンティブ内容
  • 180.3　国内投資維持を狙った政策意図
  • 180.4　税制以外の生産補助：水・電力・用地・人材
  • 180.5　補助策の国際比較とCHIPS Actへの対抗軸
  • 180.6　国内生産能力と「シリコン・シールド」論
  • 180.7　海外補助とのバランスと今後の課題
  • 180.8　参考情報（最大5件）

181　UAE内ファウンドリ計画

  • 181.1　概要：AI国家戦略と半導体製造
  • 181.2　TSMC・SamsungによるUAEファブ検討
  • 181.3　米国との調整と地政学的リスク
  • 181.4　アブダビ半導体クラスター構想とインフラ
  • 181.5　水資源・人材などのボトルネック
  • 181.6　GlobalFoundriesと「間接的ファウンドリ能力」
  • 181.7　UAEファウンドリ計画の位置づけと展望
  • 181.8　参考情報（最大5件）

182　サウジアラビア国家ファウンドリ構想

  • 182.1　国家戦略と半導体産業の位置づけ
  • 182.2　ナショナル・セミコンダクタ・ハブと設計エコシステム
  • 182.3　国家ファウンドリ構想の基本コンセプト
  • 182.4　候補ロケーション：NEOM・産業都市と再エネ連携
  • 182.5　資金・パートナーシップ：PIFとAlatの役割
  • 182.6　海外ファウンドリとの協力模索
  • 182.7　市場規模と狙うポジション
  • 182.8　課題：人材・技術・水資源
  • 182.9　国家ファウンドリ構想の現段階評価
  • 182.10　参考情報（最大5件）

183　英国IGFファンドによる生産支援

  • 183.1　IGFファンドの位置づけと国家戦略
  • 183.2　Pragmatic Semiconductorへの出資とフレキシブルチップ量産
  • 183.3　Innovate UKによる製造・供給網強化プログラム
  • 183.4　1,000万ポンドファンド：オープンファウンドリ型生産支援
  • 183.5　ウェールズのコンパウンド半導体クラスターとIGF連携
  • 183.6　サプライチェーン強靭化と国際連携の文脈
  • 183.7　参考情報（最大5件）

184　フランス共同ファウンドリ企業設立

  • 184.1　STMicroelectronicsとGlobalFoundriesの共同ファブ構想
  • 184.2　フランス政府・EU支援と資本構成
  • 184.3　生産能力・技術ポートフォリオ
  • 184.4　計画の進捗と一時停止報道
  • 184.5　サファイア・SiCウエハ共同企業など周辺共同ファウンドリ
  • 184.6　欧州チップス法・フランス2030との整合性
  • 184.7　参考情報（最大5件）

185　ドイツ半導体拠点ネットワーク化

  • 185.1　ドレスデン–マグデブルク回廊のハブ化
  • 185.2　TSMC・ESMCドレスデン工場とネットワークへの組み込み
  • 185.3　InfineonスマートパワーファブとBosch AIoT工場
  • 185.4　GlobalFoundries・X-FABとクラスター拡張
  • 185.5　連邦レベルの戦略と「半導体都市ネットワーク」
  • 185.6　労働力・サプライチェーン面のネットワーク施策
  • 185.7　将来展望：分散クラスターの連結による国家ネットワーク

186　オーストラリア半導体製造研究所設立

  • 186.1　国家戦略と半導体製造研究所構想
  • 186.2　National Semiconductor Manufacturing HubとANFF
  • 186.3　S3Bとシドニー西部先端製造研究施設
  • 186.4　「製造研究所」の役割：R&Dからプロトタイピングへ
  • 186.5　量子・コンパウンド半導体とのシナジー
  • 186.6　政策・投資規模と今後の課題
  • 186.7　参考情報（最大5件）

187　イスラエル生産協力プログラム

  • 187.1　概要：ファブレス国家から「協調生産」へ
  • 187.2　インテル巨大投資と国内生産協力枠組み
  • 187.3　防衛省「ブルー＆ホワイト」計画と赤外線デバイス製造
  • 187.4　インドとの製造協力：設計・ファブの相互補完
  • 187.5　国際R&D・パイロット協力プログラム
  • 187.6　タワーセミコンダクタと国外生産協力
  • 187.7　生産協力プログラムの戦略的意義
  • 187.8　参考情報（最大5件）

188　カナダ先端プロセス補完ファウンドリ

  • 188.1　概要：補完的ファウンドリ国家としての位置づけ
  • 188.2　CPFC：化合物半導体の純粋プレイ補完ファウンドリ
  • 188.3　C2MI・IBMブロモン工場と先端パッケージング
  • 188.4　CMC MicrosystemsとFABrICネットワーク
  • 188.5　国内ファブと補完プロセスの具体例
  • 188.6　英国とのフォトニクス補完ネットワーク
  • 188.7　国家戦略議論と今後の課題
  • 188.8　参考情報（最大5件）

189　ブラジル太陽光半導体実証工場

  • 189.1　太陽光半導体実証工場の位置づけ
  • 189.2　CSEM BrasilとOPV／高効率セルの実証
  • 189.3　モジュール工場を基盤としたセル・ウエハ国産化構想
  • 189.4　新産業政策とPADIS拡充による支援枠組み
  • 189.5　実証工場を支える試験・認証ラボネットワーク
  • 189.6　太陽光半導体サプライチェーンにおけるブラジルの戦略的意義
  • 189.7　参考情報（最大5件）

190　メキシコ自動車向け専用ファウンドリ

  • 190.1　概要：自動車クラスターと半導体ファブ構想
  • 190.2　Jalisco・Baja Californiaにおける新プラント計画
  • 190.3　Foxconn–Nvidiaメキシコファブ計画と自動車向け
  • 190.4　Kutsari国家設計センターと製造モデル策定
  • 190.5　自動車産業側からの需要と政策インセンティブ
  • 190.6　近接型サプライチェーンと二国間製造モデル
  • 190.7　課題：インフラ、人材、安全保障リスク
  • 190.8　参考情報（最大5件）

191　韓国ファウンドリ新工場誘致

  • 191.1　国家戦略とファウンドリ拡張の位置づけ
  • 191.2　税制優遇と「K-Chips法」による投資インセンティブ
  • 191.3　ヨンイン半導体クラスターと新工場群
  • 191.4　ファウンドリ専用新工場構想と中小ファブレス支援
  • 191.5　誘致競争：現金補助の不足と金融支援案
  • 191.6　投資規模とクラスター全体の拡張計画
  • 191.7　地方自治体の誘致競争とインフラ整備
  • 191.8　国際環境と韓国ファウンドリのポジション
  • 191.9　参考情報（最大5件）

192　中国国営ファウンドリ設備投資加速

  • 192.1　ビッグファンド第3期と国家戦略
  • 192.2　国営ファウンドリの設備投資動向
  • 192.3　ビッグファンドと国営ファウンドリの関係
  • 192.4　SMIC・華虹による設備・資本の再編
  • 192.5　装置投資の新局面：3D積層・成膜装置への重点
  • 192.6　成熟ノード拡張と過剰供給論争
  • 192.7　製造能力拡大とサプライチェーン自立の狙い
  • 192.8　参考情報（最大5件）

193　EUの半導体産業戦略ファンド活用

  • 193.1　欧州チップ法と戦略目標
  • 193.2　Chips for EuropeイニシアチブとChips JU
  • 193.3　IPCEI ME/CTとファウンドリ関連投資
  • 193.4　国家レベルの大型補助：ドイツの例
  • 193.5　戦略ファンドの運用と民間資本レバレッジ
  • 193.6　生産能力と地政学的狙い
  • 193.7　参考情報（最大5件）

194　日本政府の最先端半導体製造補助

  • 194.1　政策全体像と経済安全保障の位置づけ
  • 194.2　Rapidusへの巨額支援：2nmロジックと先端パッケージ
  • 194.3　千歳工場建設と地域クラスター形成
  • 194.4　TSMC熊本工場への支援：外資先端ロジックの国内立地
  • 194.5　その他先端ロジック・メモリ案件への補助
  • 194.6　法制度・将来ファンド構想と課題
  • 194.7　参考情報（最大5件）

195　インドのファウンドリ外資誘致優遇

  • 195.1　半導体ファブ誘致スキームの基本枠組み
  • 195.2　外資ファウンドリ案件と50％補助の具体例
  • 195.3　ATMP/OSAT・メモリ外資誘致との連動
  • 195.4　DLIスキームと外資・合弁への設計支援
  • 195.5　州政府レベルの優遇とインフラ支援
  • 195.6　国際比較におけるインド優遇策の特徴
  • 195.7　参考情報（最大5件）

196　シンガポールPD工場連携推進

  • 196.1　シンガポール半導体クラスターの位置づけ
  • 196.2　ウェハファブパーク再開発と共用インフラ
  • 196.3　UMC・GlobalFoundriesによる300mm PD・量産能力拡張
  • 196.4　国レベルのPD・試作支援と共同利用施設
  • 196.5　サプライチェーン・人材面での工場連携推進
  • 196.6　参考情報（最大5件）

197　ベトナムファウンドリ基盤整備

  • 197.1　国家戦略とファブ整備目標
  • 197.2　初のウエハファブ計画と投資規模
  • 197.3　三段階ロードマップとファウンドリ基盤
  • 197.4　サポーティングインダストリーとインセンティブ強化
  • 197.5　電力料金優遇とインフラ整備
  • 197.6　現状のポジション：APT中心からファブへ
  • 197.7　今後の課題と展望
  • 197.8　参考情報（最大5件）

198　マレーシアのIDM–ファウンドリ協業

  • 198.1　エコシステム全体像と国家戦略
  • 198.2　IDM主導のファブ投資と協業モデル
  • 198.3　ファウンドリとOSATの垂直クラスター形成
  • 198.4　NSSにおけるIDM–ファウンドリ–OSAT連携の方向性
  • 198.5　今後の課題と展望
  • 198.6　参考情報（最大5件）

199　米国CHIPS Act対応ファウンドリ拡張

  • 199.1　CHIPS Actの狙いと生産能力目標
  • 199.2　Intel：複数州に跨る先端ロジッククラスター
  • 199.3　TSMC Arizona：3工場体制と2nm導入
  • 199.4　Samsung Texas：Taylorクラスターの拡張
  • 199.5　GlobalFoundries・Texas Instruments等のレガシー／専用プロセス拡張
  • 199.6　サプライチェーン投資とファウンドリ支援の連動
  • 199.7　生産能力見通しと過剰投資懸念
  • 199.8　まとめの視点：クラスター形成と同盟国との補完

【　テスト・パッケージング　】

200　韓国チップテスト自動化助成

  • 200.1　政府半導体政策とバックエンド重視
  • 200.2　半導体エコシステム支援パッケージと自動化
  • 200.3　23兆ウォン規模支援とAI活用テスト
  • 200.4　AI・ビジョン検査スタートアップへの保証・支援
  • 200.5　パッケージング拠点構想と自動化投資
  • 200.6　製造全体のAI化とテスト自動化の位置づけ
  • 200.7　参考情報（最大5件）

201　ブラジル低コストパッケージ支援の概要と最新動向

  • 201.1　ブラジル半導体と後工程重視の戦略
  • 201.2　Brazil Semicon法とPADIS拡充
  • 201.3　「低コストパッケージ支援」の具体的方向性
  • 201.4　CEITEC・Smart Modular・Eldoradoの役割
  • 201.5　地域プログラム（RS Semiconductorなど）とクラスター形成
  • 201.6　国際比較とOSATハブとしての位置づけ
  • 201.7　サプライチェーン・国家間提携の文脈
  • 201.8　課題と今後の展望

202　トルコ高温パッケージ材料規制の概要と最新動向

  • 202.1　トルコにおける半導体・電子機器規制の全体像
  • 202.2　KKDIK（トルコREACH）とパッケージ材料
  • 202.3　RoHS同等規制と高温パッケージへの影響
  • 202.4　木製梱包材の高温処理規制と出荷条件
  • 202.5　高温パッケージ材料に関連する規制上の論点
  • 202.6　サプライチェーン・輸出企業への示唆

203　ポーランド3Dパッケージ協力体制の概要と最新動向

  • 203.1　ポーランド半導体産業と後工程の位置づけ
  • 203.2　欧州チップス法・IPCEIと3Dパッケージ
  • 203.3　マイクロエレクトロニクス・フォトニクス能力拠点の整備
  • 203.4　3D材料・積層技術の研究基盤
  • 203.5　台湾・日本などとの国際協力
  • 203.6　国内企業・設計拠点との連携
  • 203.7　サプライチェーンと国家間提携へのインプリケーション

204　フィンランドSiP研究連携の概要と最新動向

  • 204.1　フィンランド半導体戦略とSiPの位置づけ
  • 204.2　Tampere大学SiPFAB：SiPパイロットライン
  • 204.3　VTT Ouluとパイロット環境
  • 204.4　SiP研究連携ネットワークの構造
  • 204.5　国際連携とサプライチェーンへの位置付け
  • 204.6　テスト・パッケージングとアプリケーション分野
  • 204.7　今後の展望と課題

205　メキシコ自動車用パッケージ承認の概要と最新動向

  • 205.1　メキシコ半導体パッケージ市場と自動車産業
  • 205.2　OSAT進出と自動車グレードパッケージ供給体制
  • 205.3　「自動車用パッケージ承認」の実務的意味合い
  • 205.4　政府政策と北米サプライチェーン構想
  • 205.5　市場動向：自動車向けがパッケージ需要の中心
  • 205.6　自動車用パッケージ承認取得に向けた課題と展望

206　ロシア核耐性パッケージ開発の概要と最新動向

  • 206.1　核耐性パッケージ開発の位置づけ
  • 206.2　研究機関・産業プレーヤー
  • 206.3　材料・パッケージ技術の方向性
  • 206.4　原子力分野とのシナジー：Rosatomとアディティブ製造
  • 206.5　軍事・宇宙・民生への展開
  • 206.6　制裁環境とサプライチェーンへの影響

207　UAE高周波パッケージ合弁設立の概要と最新動向

  • 207.1　UAE半導体・パッケージ市場の概況
  • 207.2　高周波パッケージ需要の背景
  • 207.3　高周波パッケージ合弁の狙いとビジネスモデル
  • 207.4　海外ファウンドリ・OSATとの連携可能性
  • 207.5　フォトニクス・AIチップとの関連
  • 207.6　サプライチェーン・国家間提携への含意

208　カナダ環境対応パッケージ補助の概要と最新動向

  • 208.1　カナダ半導体・パッケージ戦略と環境軸
  • 208.2　IBMブロモン工場への先端パッケージ・R&D投資
  • 208.3　クリーンテクノロジー製造税額控除（CTM ITC）と半導体関連設備
  • 208.4　グリーン電子製造支援とパッケージ関連の横展開
  • 208.5　FABrICネットワークとプロセス・パッケージ革新
  • 208.6　環境対応パッケージ補助としての実務的示唆

209　オランダリードフレーム製造助成の概要と最新動向

  • 209.1　オランダ半導体戦略と後工程の位置づけ
  • 209.2　EUチップス法とバックエンド支援の枠組み
  • 209.3　オランダ国内のリードフレーム関連産業と市場評価
  • 209.4　産業界提案プログラムとリードフレーム製造助成の位置づけ
  • 209.5　ChipNLコンピテンスセンターと中小サプライヤ支援
  • 209.6　安全保障・供給確保の観点からの政策動向
  • 209.7　テスト・パッケージングとサプライチェーンへの含意

210　スペインパッケージ設備輸出規制の概要と最新動向

  • 210.1　スペイン輸出規制の枠組み
  • 210.2　半導体・パッケージ関連で対象となる設備
  • 210.3　「パッケージ設備輸出規制」とテスト・パッケージングへの波及
  • 210.4　EU・スペインにおける戦略的背景
  • 210.5　スペイン企業・輸出者への実務的インプリケーション
  • 210.6　供給網・国家間提携への影響

211　日本パッケージング素材国産化

  • 211.1　政策全体像とバックエンド重視
  • 211.2　補助金・税制による国内生産支援
  • 211.3　先端パッケージ拠点と材料エコシステム
  • 211.4　パッケージ基板・ABF代替材料の国産化
  • 211.5　アンダーフィル・封止材・モールド樹脂の高度化
  • 211.6　今後の課題と展望
  • 211.7　参考情報（最大5件）

212　EUウェハレベルパッケージ助成金

  • 212.1　全体像：Chips Actと先端パッケージ重視
  • 212.2　イタリア・ノヴァーラ先端パッケージ工場への13億ユーロ助成
  • 212.3　ウェハレベル／パネルレベル技術の内容
  • 212.4　APECSパイロットラインと研究助成
  • 212.5　IPCEI ME/CT・ASTでのウェハレベルパッケージ支援
  • 212.6　CEA-Leti・imecらによる5つのヘテロ統合パイロットライン
  • 212.7　政策的意義と今後の展望

213　米国先端パッケージング研究法案の概要と最新動向

  • 213.1　位置づけと基本枠組み
  • 213.2　法案・プログラムの目的
  • 213.3　主要プログラム構造
  • 213.4　財政規模と資金配分
  • 213.5　代表的プロジェクトとテスト・パッケージング
  • 213.6　サプライチェーン・調達ルートへの影響
  • 213.7　国家安全保障と対外政策
  • 213.8　同盟国・パートナーとの連携
  • 213.9　テスト工程・品質保証へのインプリケーション
  • 213.10　国内産業・雇用への効果
  • 213.11　グローバル競争環境との比較
  • 213.12　今後のスケジュールと最新動向
  • 213.13　企業・投資家・政策担当者への示唆

214　台湾Fan-out WLP量産強化策の概要と最新動向

  • 214.1　台湾におけるFan-out WLPの位置づけ
  • 214.2　主要プレーヤーと技術プラットフォーム
  • 214.3　Fan-out WLP量産強化の背景需要
  • 214.4　TSMCのInFOおよびローカル・クラスター戦略
  • 214.5　OSAT（ASE・SPIL・PTIなど）の量産投資
  • 214.6　Fan-out Panel Level Packaging（FOPLP）へのシフト
  • 214.7　政府政策と産業クラスター支援
  • 214.8　調達ルートと供給網へのインパクト
  • 214.9　国家間提携と地政学的文脈
  • 214.10　テスト・パッケージング工程への波及
  • 214.11　今後の展望と課題

215　シンガポール金線ボンディング国内化の概要と最新動向

  • 215.1　金線ボンディングとシンガポール半導体クラスター
  • 215.2　金線ボンディング市場と需要ドライバー
  • 215.3　金線ボンディング国内化の構成要素
  • 215.4　金線ワイヤ供給の国内拠点化
  • 215.5　ワイヤボンダ設備とプロセス技術のローカル化
  • 215.6　検査・信頼性評価サービスの役割
  • 215.7　経済・産業政策との連動
  • 215.8　供給網・調達ルートへの影響
  • 215.9　国家間提携・地政学的観点
  • 215.10　テスト・パッケージング全体への示唆

216　マレーシアチップ検査多元化の概要と最新動向

  • 216.1　マレーシア半導体産業とテスト分野の位置づけ
  • 216.2　「チップ検査多元化」とは何か
  • 216.3　政府戦略と政策フレームワーク
  • 216.4　OSAT拠点の拡張と高度化
  • 216.5　グローバル企業による専用テストセンターの開設
  • 216.6　ペナン・クラスターと地域分散
  • 216.7　テスト技術の高度化とAI活用
  • 216.8　産業・雇用への波及効果
  • 216.9　供給網・調達ルートの再編効果
  • 216.10　国家間提携と地政学的文脈
  • 216.11　今後の展望と課題

217　インド半導体パッケージR&D基金の概要と最新動向

  • 217.1　インド半導体パッケージ戦略の全体像
  • 217.2　政府スキームとR&D基金の制度設計
  • 217.3　ATMP/OSAT向け支援の具体像
  • 217.4　代表的プロジェクトとパッケージR&D
  • 217.5　先端パッケージ・材料R&Dと市場見通し
  • 217.6　クラウド型R&Dインフラと設計支援
  • 217.7　テスト・パッケージングとサプライチェーン多様化
  • 217.8　国家間提携とジオポリティクス
  • 217.9　課題と今後の展望

218　ベトナムテストサービス輸出促進の概要と最新動向

  • 218.1　ベトナム半導体産業とテスト分野の位置づけ
  • 218.2　テストサービス輸出促進の政策枠組み

219　ベトナムテストサービス輸出促進の概要と最新動向

  • 219.1　ベトナム半導体とテスト分野の現状
  • 219.2　国家戦略とテストサービス輸出の位置づけ
  • 219.3　国家センターと試験インフラの整備
  • 219.4　民間企業によるテスト・品質保証機能の輸出
  • 219.5　OSAT市場の成長とテストサービス輸出
  • 219.6　産業・人材政策とテスト技術高度化
  • 219.7　テストサービス輸出のビジネスモデルと需要分野
  • 219.8　サプライチェーン・国家間提携へのインプリケーション
  • 219.9　課題と今後の展望

220　中国内製テストソケット開発支援

  • 220.1　政策環境と国産化要求の強化
  • 220.2　国内設備比率ルールとテスト周辺装置
  • 220.3　グローバル市場動向と中国企業のポジション
  • 220.4　政府・業界連携による開発支援スキーム
  • 220.5　海外制裁・輸出規制とテスト工程の自立化
  • 220.6　今後の展望：高付加価値ソケットと国際分業
  • 220.7　参考情報（最大5件）

【　部品・モジュール　】

221　韓国コンデンサ自給体制構築の動向

  • 221.1　韓国コンデンサ産業の現状
  • 221.2　経済安全保障と「素材・部品・装備」政策
  • 221.3　脱日本依存と対中依存の顕在化
  • 221.4　コンデンサ自給を巡るサプライチェーン構造
  • 221.5　政府支援と自給体制の政策手段
  • 221.6　産業クラスターと海外拠点の役割
  • 221.7　半導体戦略との連動
  • 221.8　技術開発と高付加価値化の方向性
  • 221.9　中国依存リスクと調達多元化
  • 221.10　アジアMLCC市場における韓国のポジション
  • 221.11　コンデンサ自給体制構築の課題
  • 221.12　今後の展望

222　ブラジルパワーモジュール国際展開の概要

  • 222.1　パワーエレクトロニクス市場と需要ドライバー
  • 222.2　Brazil Semicon法と半導体・パワーエレクロニクス支援
  • 222.3　PADISインセンティブの延長・拡充
  • 222.4　産業政策とエネルギー計画の連動
  • 222.5　国内生産と輸入依存の現状
  • 222.6　国際展開に向けた戦略的機会
  • 222.7　課題：高コスト構造と技術キャッチアップ
  • 222.8　技術転換：SiからSiCへの移行
  • 222.9　輸出志向産業としてのエレクトロニクス
  • 222.10　展望：グローバルサプライチェーンでの位置づけ

223　メキシコ車載部品安全認証強化の概要

  • 223.1　NOM体系と車載電子部品の位置づけ
  • 223.2　NOM‑194‑SE‑2021：車両安全装置規格の強化
  • 223.3　車載部品メーカーへの要求事項
  • 223.4　電気・電子機器向けNOM改定と自動車用途への波及
  • 223.5　EV・PHEV関連の新規制と安全認証
  • 223.6　USMCAと車載部品の原産地・安全要件
  • 223.7　車載部品安全認証強化のサプライチェーンへの影響

224　ポーランドにおけるセンサー部品助成と半導体戦略

  • 224.1　半導体セクター政策とセンサー重視の位置づけ
  • 224.2　重要技術支援基金（Critical Technology Support Fund）の創設
  • 224.3　助成対象となるプロジェクトとセンサー部品
  • 224.4　IPCEI ME/CTとポーランド企業への大規模助成
  • 224.5　スマートセンサーとAI・IoT応用
  • 224.6　EU・国家補助制度と産業支援の連携
  • 224.7　グリーン・デジタル移行とセンサー需要
  • 224.8　中小企業向け補助とイノベーション促進
  • 224.9　今後の展望とセンサー部品サプライチェーンへの含意

225　フランス光モジュール共同開発の概要と最新動向

  • 225.1　シリコンフォトニクスと光モジュール市場の位置づけ
  • 225.2　CEA-LetiとSTMicroelectronicsによる技術基盤
  • 225.3　COSMICCプロジェクトと100Gb/sシリコンフォトニクスモジュール
  • 225.4　Scintil Photonicsなどスピンアウト企業との共同開発
  • 225.5　EUプロジェクト（STARLight等）における共同開発
  • 225.6　IPCEIとEUマイクロエレクトロニクス戦略との連携
  • 225.7　300mmシリコンフォトニクスプラットフォームと共同開発
  • 225.8　AI・データセンター需要と光モジュール共同開発
  • 225.9　規制・サステナビリティ要件と開発インセンティブ
  • 225.10　サプライチェーンと国際提携の広がり

226　英国バッテリー管理IC連携の概要

  • 226.1　バッテリー管理IC市場と英国のポジション
  • 226.2　英国バッテリー戦略とBMS連携の位置づけ
  • 226.3　ファラデー・バッテリーチャレンジとBMS関連プロジェクト
  • 226.4　産学連携：WMG・UKBICと企業との協働
  • 226.5　ナショナル半導体戦略と電力半導体・BMS
  • 226.6　電力半導体サプライチェーンとBMSの関係
  • 226.7　セミコン製造・サプライチェーン支援とIC連携
  • 226.8　国際連携とバッテリー管理技術
  • 226.9　展望：英国発BMS IC・モジュールの役割

227　ロシア耐放射線モジュール研究の概要

  • 227.1　耐放射線エレクトロニクスの戦略的位置づけ
  • 227.2　制裁と放射線耐性マイクロエレクトロニクスのボトルネック
  • 227.3　リバースエンジニアリング支援とモジュール内製化
  • 227.4　グローバル市場における耐放射線モジュールの潮流
  • 227.5　技術的アプローチ：RHBDとRHBP
  • 227.6　サプライチェーン制約と非合法調達の問題
  • 227.7　ロシア耐放射線モジュール研究の今後の焦点

228　カナダ5Gモジュール量産補助の概要

  • 228.1　政府系ファンドと5G・半導体支援の枠組み
  • 228.2　Ericssonとの5G技術開発プロジェクト
  • 228.3　Nokiaとの5G R&D提携とモジュール開発環境
  • 228.4　FABrICネットワークと半導体モジュール量産基盤
  • 228.5　5G・高度ネットワーク技術向けR&D補助
  • 228.6　5Gモジュールを支える半導体・センサー投資
  • 228.7　サプライチェーン多様化と5Gモジュール量産の狙い

229　オーストラリアIoT部品連携計画の概要

  • 229.1　産業IoT市場拡大と政策背景
  • 229.2　半導体・クリティカルテクノロジー戦略との接続
  • 229.3　IoT部品サプライチェーンの現状と課題
  • 229.4　産業政策：Industry 4.0とIIoT投資インセンティブ
  • 229.5　SME・地域企業を対象としたIoT連携支援
  • 229.6　CSIROの「Secure Intelligent IoT for Digital Manufacturing」
  • 229.7　クリティカルテクノロジーとIoT部品の国際連携
  • 229.8　今後の展望：IoT部品連携計画の方向性

230　スウェーデンMEMS部品国際化の概要

  • 230.1　MEMS市場動向とスウェーデンの位置づけ
  • 230.2　Silex Microsystems：グローバル純粋MEMSファウンドリ
  • 230.3　300mm MEMS拡張と国際ファウンドリ能力
  • 230.4　RISEと大学クリーンルームによる設計・試作支援
  • 230.5　国家半導体戦略とEUチップス法との整合
  • 230.6　Swedish Chips Competence Centre（SCCC）の国際連携
  • 230.7　MEMS部品の国際化と応用分野
  • 230.8　まとめ：スウェーデンMEMS部品国際化の方向性

231　ノルウェーRF部品環境基準強化の概要

  • 231.1　RoHS・有害物質規制の強化
  • 231.2　WEEE・拡大生産者責任（EPR）とRF機器
  • 231.3　化学物質管理と企業への追加要求
  • 231.4　サーキュラーエコノミーとエコデザイン要求
  • 231.5　先端半導体・RF関連設備への輸出管理強化
  • 231.6　通信・データセンター分野の環境政策との関連
  • 231.7　まとめ：RF部品サプライチェーンへの含意

232　台湾インダクタ製造協業拡大の最新動向

  • 232.1　台湾インダクタ産業の位置づけ
  • 232.2　生産規模とメーカー構成
  • 232.3　サプライチェーン再編と地政学リスク
  • 232.4　Foxconn–YAGEO戦略提携とインダクタ協業
  • 232.5　電子部品モジュール化とインダクタ
  • 232.6　EU・台湾の半導体協力と受動部品
  • 232.7　台湾政府のサプライチェーン政策と部品産業
  • 232.8　台湾メーカーと自動車・産業機器向け協業
  • 232.9　グローバルインダクタ市場と台湾の機会
  • 232.10　サプライチェーン多元化と地域分業
  • 232.11　モールドインダクタと新製品協業
  • 232.12　国家間提携と台湾インダクタ産業への波及
  • 232.13　課題と展望

233　米国抵抗器生産再活性化の動向

  • 233.1　米国製造業リショアリングの全体像
  • 233.2　CHIPS法と受動部品サプライチェーン
  • 233.3　抵抗器産業の位置づけと課題
  • 233.4　防衛産業基盤とクリティカルコンポーネント
  • 233.5　産業政策とインセンティブの組み合わせ
  • 233.6　電気機器・電子部品セクターへの波及
  • 233.7　サプライチェーン再設計とTCO視点
  • 233.8　半導体サプライチェーン強靱化との連動
  • 233.9　具体的な投資・支援事例の方向性
  • 233.10　友好国との「フレンドショア」連携
  • 233.11　今後の展望とボトルネック

234　ドイツセラミック部品輸出規制の概要と最新動向

  • 234.1　ドイツ輸出管理の基本枠組み
  • 234.2　デュアルユース品目とセラミック関連の扱い
  • 234.3　2024年のドイツ独自リスト改正
  • 234.4　一般輸出許可の拡大と手続き迅速化
  • 234.5　EU全体のデュアルユースリスト更新
  • 234.6　半導体・先端技術を巡る国際的な輸出管理強化
  • 234.7　ドイツ輸出管理当局（BAFA）の役割
  • 234.8　セラミック部品輸出規制の実務的含意
  • 234.9　半導体サプライチェーンへの影響と展望

235　中国ICソケット内製化奨励の概要と最新動向

  • 235.1　半導体国産化戦略とICソケットの位置づけ
  • 235.2　「自主可控」路線と装置・部品の内製化
  • 235.3　新たな設備ローカリゼーション規則
  • 235.4　ICソケット内製化への波及
  • 235.5　政策資金とICソケット企業の育成
  • 235.6　市場成長と中国ローカルプレーヤーの台頭
  • 235.7　技術課題と国産ソケットの性能向上
  • 235.8　「十四五」以降の集成電路発展計画と部品・モジュール
  • 235.9　調達ルールと外資サプライヤーへの影響
  • 235.10　サプライチェーン再構築と国際分業への影響
  • 235.11　今後の展望とリスク要因

236　シンガポール高周波部品開発支援の概要と最新動向

  • 236.1　半導体クラスターと高周波需要
  • 236.2　A*STAR IMEによるRF・SiC研究基盤
  • 236.3　5Gイノベーション・プログラムとRFソリューション
  • 236.4　研究助成と5G・RFセキュリティ
  • 236.5　5G実証投資と産業応用
  • 236.6　EDBによるR&D・能力開発インセンティブ
  • 236.7　高周波・アナログチップ強化に向けた人材・産学連携
  • 236.8　サプライチェーン・国家間提携の文脈

237　マレーシアのモジュール実装企業誘致と半導体戦略

  • 237.1　国家半導体戦略（NSS）の枠組み
  • 237.2　投資誘致成果とOSAT・モジュール拠点化
  • 237.3　ペナンを中心とするバックエンド・モジュールクラスター
  • 237.4　モジュール実装企業誘致の政策的狙い
  • 237.5　OSATとEMSの両方を備えた強み
  • 237.6　投資インセンティブとモジュール実装支援
  • 237.7　地政学的リスクと「チャイナ＋1」としての位置づけ
  • 237.8　ローカル企業の能力強化とモジュール・エコシステム
  • 237.9　ジョホール・シンガポール特別経済区とモジュール連携
  • 237.10　課題と今後の展望

238　インド半導体モジュール連携の概要と最新動向

  • 238.1　OSAT拠点整備とモジュール生産能力
  • 238.2　「Make in India」とモジュール・部品政策
  • 238.3　ECMSとモジュール連携の進展
  • 238.4　国際企業とのパッケージ・モジュール連携
  • 238.5　日米などとの国家間連携とモジュール位置づけ
  • 238.6　クラスター形成とモジュールエコシステム
  • 238.7　モジュール輸出とグローバルサプライチェーンへの参入
  • 238.8　構造課題と今後の焦点

239　ベトナム低誘導配線材補助の概要と最新動向

  • 239.1　半導体・電子部品戦略と配線材の位置づけ
  • 239.2　投資優遇と半導体向けインセンティブ
  • 239.3　投資支援基金とコストベース補助
  • 239.4　電子機器製造向け税優遇とローカルサプライチェーン要件
  • 239.5　低誘導配線材に関わる技術ニーズ
  • 239.6　電子・半導体投資と立地別インセンティブ
  • 239.7　半導体戦略とバックエンド強化
  • 239.8　電子産業向け新税制とサプライチェーン要件
  • 239.9　政策実行上の課題と展望

240　半導体受動部品の国内回帰政策

  • 240.1　政策の背景と位置づけ
  • 240.2　主要な国内回帰支援スキーム
  • 240.3　サプライチェーン対策のための国内投資促進事業
  • 240.4　事業再構築補助金「サプライチェーン強靱化枠」
  • 240.5　先端電子部品向けサプライチェーン強靱化支援事業
  • 240.6　半導体政策全体との連動
  • 240.7　受動部品産業の現状と競争力
  • 240.8　国内回帰のメリット（企業側視点）
  • 240.9　国内回帰の課題（コスト・人材・需要）
  • 240.10　供給網再編と調達ルートの変化
  • 240.11　国家間提携政策との連動
  • 240.12　地方拠点と地域産業への波及
  • 240.13　EMS・モジュールメーカーとの連携
  • 240.14　企業戦略へのインプリケーション
  • 240.15　今後の展望とリスク要因
  • 240.16　受動部品国内回帰政策に関連する主な制度一覧
  • 240.17　利用可能な情報源の例

【　設計・IPツール　】

241　カナダ設計ソフトウェア認証要件の概要

  • 241.1　安全クリティカル分野における「ツール資格」概念
  • 241.2　エンジニア資格とソフトウェア設計文書の認証
  • 241.3　医療機器ソフトウェアとIEC 62304適合
  • 241.4　防衛調達におけるサイバーセキュリティ認証
  • 241.5　欧州CRAとの連動と将来の認証要件
  • 241.6　まとめ：カナダ設計ソフトウェア認証要件の実務的整理

242　英国ハードウェアセキュリティEDA支援の概要

  • 242.1　Digital Security by DesignとCHERI/Morello
  • 242.2　CHERI向け開発ボードとEDA・ツールチェーン
  • 242.3　産業向けCHERI実装支援とEDA連携
  • 242.4　RISE UKとハードウェアセキュリティEDA研究
  • 242.5　国家半導体戦略と安全保障文脈
  • 242.6　設計・IPツール層への含意

243　フランスEDA–ファウンドリ協調枠組みの概要

  • 243.1　CEA-Letiの設計プラットフォームとツール連携
  • 243.2　FD-SOIエコシステムとEDA–ファウンドリ連携
  • 243.3　EDAコンソーシアムとプロセス実証
  • 243.4　欧州チップス法とEU設計プラットフォーム
  • 243.5　フランス拠点とEU設計プラットフォームの接続
  • 243.6　サプライチェーンと設計・IPツール層への含意

244　オランダIPブロックチェーン認証の概要

  • 244.1　オランダ法におけるスマートコントラクトと電子署名
  • 244.2　ブロックチェーン公証とIP証拠保全
  • 244.3　オランダのブロックチェーン・エコシステムと規制環境
  • 244.4　EUレベルのIP・偽造対策とオランダの位置づけ
  • 244.5　半導体サプライチェーンとIPガバナンスへの含意

245　イスラエルAI設計ツール連携の概要

  • 245.1　半導体・AI設計エコシステムの特徴
  • 245.2　NVIDIA–Synopsys戦略連携とイスラエルR&D
  • 245.3　Synopsys.aiとエージェント型設計支援の展開
  • 245.4　国家AIプログラムと半導体設計インフラ
  • 245.5　国際枠組み「Pax Silica」と設計ツール連携
  • 245.6　スタートアップにおけるAI設計ツール活用
  • 245.7　サプライチェーンと設計・IPツール層への含意

246　ベルギーEDAクラスタ形成の概要

  • 246.1　imecとEU Chips Design Platform
  • 246.2　imec Open PDKと先端ノード設計アクセス
  • 246.3　imec.IC-linkとEDA・設計サービスネットワーク
  • 246.4　EUROPRACTICEと教育・人材クラスター
  • 246.5　サプライチェーンと設計・IPツール層への含意

247　ポルトガルEDA教育プログラムの概要

  • 247.1　国家半導体戦略と人材育成方針
  • 247.2　POEMS（半導体コンピテンスセンター）とEDA支援
  • 247.3　EUROPRACTICEによるEDAツール・MPWアクセス
  • 247.4　大学でのVLSI・EDA教育
  • 247.5　欧州共同修士プログラムRESCHIP4EUとポルトガル
  • 247.6　EUROPRACTICE 2.0とDesign Platform連携
  • 247.7　サプライチェーンと設計・IPツール層への含意

248　メキシコハードIP検証標準化の概要

  • 248.1　国家半導体計画「Kutsari」と設計・IP保護
  • 248.2　QSM Semiconductorsによる統一検証メソドロジ
  • 248.3　研究機関における設計・検証フロー
  • 248.4　IP保護とUSMCAの役割
  • 248.5　国際的ベストプラクティスとの接続
  • 248.6　サプライチェーンとハードIP検証標準化への含意

249　ブラジルEDAアウトソーシング規制の概要

  • 249.1　半導体政策と設計サービス市場の位置づけ
  • 249.2　IC設計サービスとアウトソーシングの実態
  • 249.3　LGPDとEDAアウトソーシングにおけるデータ移転規則
  • 249.4　ソフトウェア／ITアウトソーシング一般規制との関係
  • 249.5　ブラジルSemicon法と将来の内製志向
  • 249.6　サプライチェーンとEDAアウトソーシング規制の含意

250　ロシアハードIP供給チェーン制御の概要

  • 250.1　制裁と設計・ITサービスへの直接規制
  • 250.2　EU制裁と「No‑Russia」IP条項
  • 250.3　ロシアの輸入代替戦略と国内IP開発
  • 250.4　第三国経由調達と並行輸入スキーム
  • 250.5　ハードIP・EDAツールへの影響
  • 250.6　供給チェーン制御の今後の方向性

251　UAEクラウドベース設計支援の概要

  • 251.1　G42とAIキャンパス構想
  • 251.2　クラウド設計ワークフローのパイロットプログラム
  • 251.3　主権クラウドと規制対応
  • 251.4　半導体・設計市場とクラウドツールの需要
  • 251.5　サプライチェーンと設計・IPツール層への含意

252　欧州EDA企業合併審査強化の概要

  • 252.1　EU半導体戦略と競争政策の位置づけ
  • 252.2　デジタル・テック分野における合併審査強化の背景
  • 252.3　NVIDIA–Arm案件に見られたIP統合への懸念
  • 252.4　AI・EDA関連取引への監視強化
  • 252.5　合併審査手続きの見直しと「小規模案件」の取り込み
  • 252.6　半導体・EDA分野における今後の含意

253　日本IPコア国内外ライセンス政策の概要

  • 253.1　外為法による技術輸出管理とIPコア
  • 253.2　先端半導体輸出規制と設計ソフト・IPへの波及
  • 253.3　経済安全保障推進法と特定重要技術
  • 253.4　特許・IP戦略と国際ライセンスの方向性
  • 253.5　サイバーセキュリティとIP保護要件
  • 253.6　まとめ：日本IPコア国内外ライセンス政策の実務的含意

254　台湾IP設計サービス拡大助成の概要

  • 254.1　IC Taiwan Grand ChallengeとIP・設計サービス支援
  • 254.2　EDAツール無償提供とIPサービス
  • 254.3　IC設計補助プログラムと重点分野
  • 254.4　IP設計サービス企業とハイブリッド設計環境
  • 254.5　クラスタ構造とIP設計サービスの拡大
  • 254.6　政府補助と国際企業誘致の組み合わせ
  • 254.7　サプライチェーン・設計IPツール層への含意

255　韓国オープンソースEDA推進の概要

  • 255.1　AI半導体国家戦略と設計エコシステム
  • 255.2　IDECによるEDA・MPW支援とOSS基盤
  • 255.3　RISC‑Vとオープンハードウェア推進
  • 255.4　オープンソースEDA構想と国際連携
  • 255.5　商用EDA市場とオープンソースの位置づけ
  • 255.6　クラウドEDAと実務的活用事例
  • 255.7　供給網・政策面での含意

256　インドEDA国内開発支援の概要

  • 256.1　DLIスキームとEDAインフラ支援
  • 256.2　ChipINセンターとEDA共有プラットフォーム
  • 256.3　国産EDA・AI駆動EDAへの資金支援
  • 256.4　DLIによる国内設計プロジェクト支援状況
  • 256.5　RISC‑VプログラムとオープンソースEDA教育
  • 256.6　大学・スタートアップへの設計能力浸透
  • 256.7　サプライチェーン自立とEDA国産化の展望

257　中国自社EDAツール普及政策の概要

  • 257.1　米国規制と国産EDA育成の契機
  • 257.2　国家EDAイノベーションセンターと研究体制
  • 257.3　大基金・地方補助によるEDA企業支援
  • 257.4　自給率10％台と成熟ノード中心の進展
  • 257.5　EDAコンテストと市場普及策
  • 257.6　無償・低価格提供を通じた普及
  • 257.7　産業ソフトウェア全体の自立戦略の一部としてのEDA
  • 257.8　今後の展望と限界

258　シンガポールクラウドEDA連携の概要

  • 258.1　Silicon Cloudと大学・IoT設計支援
  • 258.2　クラウドDC戦略とEDAワークロード
  • 258.3　Synopsys Cloud OpenLinkとシンガポール設計拠点
  • 258.4　半導体EDAサービス市場とセキュリティ要件
  • 258.5　量子・先端分野とのEDA連携
  • 258.6　サプライチェーン・設計IPツール層への含意

259　ドイツIP保護法改定動向の概要

  • 259.1　営業秘密保護法と実務要件の高度化
  • 259.2　2025年施行の新訴訟手続ルール（ZPO改正）
  • 259.3　ユニタリーパテントとUPCの導入
  • 259.4　製品責任法制のデジタル化対応
  • 259.5　投資審査とIP保護の関係
  • 259.6　設計・IPツール層への含意

260　米国EDAツール対華輸出規制の概要

  • 260.1　規制の政策目的と基本構造
  • 260.2　2022年10月7日規制のEDA関連ポイント
  • 260.3　GDSII設計ファイルの管理とEDA依存性
  • 260.4　外国直接製品規則（FDPR）とEDAツール
  • 260.5　2023年10月17日改定と設計規制の拡大
  • 260.6　2024〜2025年の追加的EDA規制の兆候
  • 260.7　人的要因と「U.S. person」規制
  • 260.8　中国側の対応と代替EDAへのシフト
  • 260.9　サプライチェーン・IPビジネスへの影響
  • 260.10　今後の見通し

【　国家間提携政策　】

261　カナダ設計ソフトウェア認証要件の概要

  • 261.1　安全クリティカル分野における「ツール資格」概念
  • 261.2　エンジニア資格とソフトウェア設計文書の認証
  • 261.3　医療機器ソフトウェアとIEC 62304適合
  • 261.4　防衛調達におけるサイバーセキュリティ認証
  • 261.5　欧州CRAとの連動と将来の認証要件
  • 261.6　まとめ：カナダ設計ソフトウェア認証要件の実務的整理

262　英国ハードウェアセキュリティEDA支援の概要

  • 262.1　Digital Security by DesignとCHERI/Morello
  • 262.2　CHERI向け開発ボードとEDA・ツールチェーン
  • 262.3　産業向けCHERI実装支援とEDA連携
  • 262.4　RISE UKとハードウェアセキュリティEDA研究
  • 262.5　国家半導体戦略と安全保障文脈
  • 262.6　設計・IPツール層への含意

263　フランスEDA–ファウンドリ協調枠組みの概要

  • 263.1　CEA-Letiの設計プラットフォームとツール連携
  • 263.2　FD-SOIエコシステムとEDA–ファウンドリ連携
  • 263.3　EDAコンソーシアムとプロセス実証
  • 263.4　欧州チップス法とEU設計プラットフォーム
  • 263.5　フランス拠点とEU設計プラットフォームの接続
  • 263.6　サプライチェーンと設計・IPツール層への含意

264　オランダIPブロックチェーン認証の概要

  • 264.1　オランダ法におけるスマートコントラクトと電子署名
  • 264.2　ブロックチェーン公証とIP証拠保全
  • 264.3　オランダのブロックチェーン・エコシステムと規制環境
  • 264.4　EUレベルのIP・偽造対策とオランダの位置づけ
  • 264.5　半導体サプライチェーンとIPガバナンスへの含意

265　イスラエルAI設計ツール連携の概要

  • 265.1　半導体・AI設計エコシステムの特徴
  • 265.2　NVIDIA–Synopsys戦略連携とイスラエルR&D
  • 265.3　Synopsys.aiとエージェント型設計支援の展開
  • 265.4　国家AIプログラムと半導体設計インフラ
  • 265.5　国際枠組み「Pax Silica」と設計ツール連携
  • 265.6　スタートアップにおけるAI設計ツール活用
  • 265.7　サプライチェーンと設計・IPツール層への含意

266　ベルギーEDAクラスタ形成の概要

  • 266.1　imecとEU Chips Design Platform
  • 266.2　imec Open PDKと先端ノード設計アクセス
  • 266.3　imec.IC-linkとEDA・設計サービスネットワーク
  • 266.4　EUROPRACTICEと教育・人材クラスター
  • 266.5　サプライチェーンと設計・IPツール層への含意

267　ポルトガルEDA教育プログラムの概要

  • 267.1　国家半導体戦略と人材育成方針
  • 267.2　POEMS（半導体コンピテンスセンター）とEDA支援
  • 267.3　EUROPRACTICEによるEDAツール・MPWアクセス
  • 267.4　大学でのVLSI・EDA教育
  • 267.5　欧州共同修士プログラムRESCHIP4EUとポルトガル
  • 267.6　EUROPRACTICE 2.0とDesign Platform連携
  • 267.7　サプライチェーンと設計・IPツール層への含意

268　メキシコハードIP検証標準化の概要

  • 268.1　国家半導体計画「Kutsari」と設計・IP保護
  • 268.2　QSM Semiconductorsによる統一検証メソドロジ
  • 268.3　研究機関における設計・検証フロー
  • 268.4　IP保護とUSMCAの役割
  • 268.5　国際的ベストプラクティスとの接続
  • 268.6　サプライチェーンとハードIP検証標準化への含意

269　ブラジルEDAアウトソーシング規制の概要

  • 269.1　半導体政策と設計サービス市場の位置づけ
  • 269.2　IC設計サービスとアウトソーシングの実態
  • 269.3　LGPDとEDAアウトソーシングにおけるデータ移転規則
  • 269.4　ソフトウェア／ITアウトソーシング一般規制との関係
  • 269.5　ブラジルSemicon法と将来の内製志向
  • 269.6　サプライチェーンとEDAアウトソーシング規制の含意

270　ロシアハードIP供給チェーン制御の概要

  • 270.1　制裁と設計・ITサービスへの直接規制
  • 270.2　EU制裁と「No‑Russia」IP条項
  • 270.3　ロシアの輸入代替戦略と国内IP開発
  • 270.4　第三国経由調達と並行輸入スキーム
  • 270.5　ハードIP・EDAツールへの影響
  • 270.6　供給チェーン制御の今後の方向性

271　UAEクラウドベース設計支援の概要

  • 271.1　G42とAIキャンパス構想
  • 271.2　クラウド設計ワークフローのパイロットプログラム
  • 271.3　主権クラウドと規制対応
  • 271.4　半導体・設計市場とクラウドツールの需要
  • 271.5　サプライチェーンと設計・IPツール層への含意

272　欧州EDA企業合併審査強化の概要

  • 272.1　EU半導体戦略と競争政策の位置づけ
  • 272.2　デジタル・テック分野における合併審査強化の背景
  • 272.3　NVIDIA–Arm案件に見られたIP統合への懸念
  • 272.4　AI・EDA関連取引への監視強化
  • 272.5　合併審査手続きの見直しと「小規模案件」の取り込み
  • 272.6　半導体・EDA分野における今後の含意

273　日本IPコア国内外ライセンス政策の概要

  • 273.1　外為法による技術輸出管理とIPコア
  • 273.2　先端半導体輸出規制と設計ソフト・IPへの波及
  • 273.3　経済安全保障推進法と特定重要技術
  • 273.4　特許・IP戦略と国際ライセンスの方向性
  • 273.5　サイバーセキュリティとIP保護要件
  • 273.6　まとめ：日本IPコア国内外ライセンス政策の実務的含意

274　台湾IP設計サービス拡大助成の概要

  • 274.1　IC Taiwan Grand ChallengeとIP・設計サービス支援
  • 274.2　EDAツール無償提供とIPサービス
  • 274.3　IC設計補助プログラムと重点分野
  • 274.4　IP設計サービス企業とハイブリッド設計環境
  • 274.5　クラスタ構造とIP設計サービスの拡大
  • 274.6　政府補助と国際企業誘致の組み合わせ
  • 274.7　サプライチェーン・設計IPツール層への含意

275　韓国オープンソースEDA推進の概要

  • 275.1　AI半導体国家戦略と設計エコシステム
  • 275.2　IDECによるEDA・MPW支援とOSS基盤
  • 275.3　RISC‑Vとオープンハードウェア推進
  • 275.4　オープンソースEDA構想と国際連携
  • 275.5　商用EDA市場とオープンソースの位置づけ
  • 275.6　クラウドEDAと実務的活用事例
  • 275.7　供給網・政策面での含意

276　インドEDA国内開発支援の概要

  • 276.1　DLIスキームとEDAインフラ支援
  • 276.2　ChipINセンターとEDA共有プラットフォーム
  • 276.3　国産EDA・AI駆動EDAへの資金支援
  • 276.4　DLIによる国内設計プロジェクト支援状況
  • 276.5　RISC‑VプログラムとオープンソースEDA教育
  • 276.6　大学・スタートアップへの設計能力浸透
  • 276.7　サプライチェーン自立とEDA国産化の展望

277　中国自社EDAツール普及政策の概要

  • 277.1　米国規制と国産EDA育成の契機
  • 277.2　国家EDAイノベーションセンターと研究体制
  • 277.3　大基金・地方補助によるEDA企業支援
  • 277.4　自給率10％台と成熟ノード中心の進展
  • 277.5　EDAコンテストと市場普及策
  • 277.6　無償・低価格提供を通じた普及
  • 277.7　産業ソフトウェア全体の自立戦略の一部としてのEDA
  • 277.8　今後の展望と限界

278　シンガポールクラウドEDA連携の概要

  • 278.1　Silicon Cloudと大学・IoT設計支援
  • 278.2　クラウドDC戦略とEDAワークロード
  • 278.3　Synopsys Cloud OpenLinkとシンガポール設計拠点
  • 278.4　半導体EDAサービス市場とセキュリティ要件
  • 278.5　量子・先端分野とのEDA連携
  • 278.6　サプライチェーン・設計IPツール層への含意

279　ドイツIP保護法改定動向の概要

  • 279.1　営業秘密保護法と実務要件の高度化
  • 279.2　2025年施行の新訴訟手続ルール（ZPO改正）
  • 279.3　ユニタリーパテントとUPCの導入
  • 279.4　製品責任法制のデジタル化対応
  • 279.5　投資審査とIP保護の関係
  • 279.6　設計・IPツール層への含意

280　米国EDAツール対華輸出規制の概要

  • 280.1　規制の政策目的と基本構造
  • 280.2　2022年10月7日規制のEDA関連ポイント
  • 280.3　GDSII設計ファイルの管理とEDA依存性
  • 280.4　外国直接製品規則（FDPR）とEDAツール
  • 280.5　2023年10月17日改定と設計規制の拡大
  • 280.6　2024〜2025年の追加的EDA規制の兆候
  • 280.7　人的要因と「U.S. person」規制
  • 280.8　中国側の対応と代替EDAへのシフト
  • 280.9　サプライチェーン・IPビジネスへの影響
  • 280.10　今後の見通し

【　ネットワーク設計とロジスティクス　】

281　重要ウェハー/マスク輸送とモード選択の前提

  • 281.1　コスト・時間・リスクの基本関係

282　経済性ベースのモードシフト閾値

  • 282.1　「生産停止回避コスト」との比較
  • 282.2　価値密度とクリティカリティによるセグメンテーション

283　リードタイム・信頼性ベースの閾値

  • 283.1　通常時の目安
  • 283.2　紅海危機時のモードシフト増加

284　実務上の閾値設計：重要ウェハー/マスクに特化した考え方

  • 284.1　閾値設定に用いる代表的な指標
  • 284.2　エア・シー/シー・エアなどハイブリッド閾値

285　企業が取るべきモードシフトポリシーの方向性

  • 285.1　ポリシーベースのモード選択ルール
  • 285.2　デジタル可視化とダイナミック閾値

286　代替鉄道回廊（アジア～EU）の概観

  • 286.1　主なルート類型

287　北ルート（ロシア経由）におけるリスク露出

  • 287.1　制裁・デュアルユース規制と貨物没収
  • 287.2　政治・レピュテーションリスク

288　ミドルコリドーの運用・政治リスク

  • 288.1　インフラ能力・多国間手続きの制約
  • 288.2　政治的安定性と投資リスク
  • 288.3　安全保障・治安リスク

289　ロジスティクス性能・コスト面のリスク

  • 289.1　リードタイムと信頼性
  • 289.2　コスト競争力と投資ニーズ

290　半導体サプライチェーンから見たリスク露出と対処

  • 290.1　デュアルユース規制・輸出管理リスク
  • 290.2　サプライチェーン設計上の基本スタンス
  • 290.3　リスク露出管理の具体策
  • 290.4　情報・投資戦略との連動

291　ラストマイル通関のボトルネックと冗長性の必要性

  • 291.1　通関業者依存の典型パターン

292　通関業者冗長性確保の基本コンセプト

  • 292.1　マルチブローカー戦略と役割分担
  • 292.2　デジタル化とシングルトレードウィンドウとの整合

293　AEO・トラステッドトレーダーとブローカー冗長性

  • 293.1　AEOステータスと通関簡素化
  • 293.2　ブローカー側のAEO・品質基準

294　半導体ロジスティクスにおける実務的な冗長化設計

  • 294.1　港・空港単位でのバックアップブローカー設定
  • 294.2　データ・マスタ管理とナレッジ共有
  • 294.3　監査・KPIによるパフォーマンス管理

295　税関・業界連携とレジリエンス強化の潮流

  • 295.1　税関–産業レジリエンスプログラム
  • 295.2　貿易円滑化改革と半導体業界の関与

296　物流ジオフェンシングの役割と機能

  • 296.1　高リスク環境における活用例

297　サプライチェーン可視化プラットフォームと位置データ

  • 297.1　可視化プラットフォームのアーキテクチャ
  • 297.2　セキュリティと効率のバランス

298　データ主権・GDPRと位置情報データの扱い

  • 298.1　データ主権とデータローカライゼーションの潮流
  • 298.2　ロジスティクス位置データへの適用

299　半導体ネットワーク設計におけるジオフェンシングとデータ主権の統合

  • 299.1　高価値・規制対象貨物へのジオフェンス設計
  • 299.2　データ主権を踏まえたシステムアーキテクチャ

300　ガバナンス・運用面での最新動向と示唆

  • 300.1　セキュリティ・コンプライアンスのレイヤードアプローチ
  • 300.2　データ主権リスクとビジネス機会

301　緊急迂回対応マニュアルの全体像

  • 301.1　マニュアルの目的と適用範囲

302　運河閉塞時の迂回シナリオ設計

  • 302.1　スエズ運河閉塞・紅海危機時
  • 302.2　パナマ運河制限・閉塞時

303　港湾ストライキ・労使紛争時の対応フレーム

  • 303.1　事前兆候のモニタリングと発動トリガー
  • 303.2　代替港・トランスローディングの活用

304　企業内緊急対応プロセスの標準化

  • 304.1　インシデントレベルと意思決定ガバナンス
  • 304.2　クリティカル在庫と優先度マトリクス

305　外部パートナー・契約・情報連携

  • 305.1　キャリア・3PLとの事前合意
  • 305.2　情報ダッシュボードとシミュレーション

306　中長期的なネットワーク再設計へのフィードバック

  • 306.1　運河・港湾リスクを前提としたネットワーク設計
  • 306.2　緊急迂回マニュアルの継続的アップデート

307　政治リスク・戦争リスク保険の位置づけ

  • 307.1　基本的なカバレッジの整理

308　紅海危機と戦争リスク保険料の高騰

  • 308.1　プレミアム水準とコストインパクト
  • 308.2　2025年のプレミアム動向

309　政治リスク保険とトレードクレジット保険の役割

  • 309.1　半導体企業における利用実態
  • 309.2　カバー範囲と典型的な条項

310　ロジスティクス設計における活用戦略

  • 310.1　航路選択と戦争リスクコストの比較
  • 310.2　保険とルート分散の組合せ

311　契約・リスクマネジメントの実務ポイント

  • 311.1　カバレッジギャップと除外条項への対応
  • 311.2　保険マーケットとの関係構築

312　今後の動向と半導体企業への示唆

  • 312.1　地政学リスクの高止まりと保険需要
  • 312.2　戦略的な保険活用の方向性

313　港湾リスク分散の必要性と現状認識

  • 313.1　港湾リスクの主な要因

314　アジアにおける港湾リスク分散

  • 314.1　伝統的メガハブの課題
  • 314.2　代替・補完ハブの活用
  • 314.3　アジア側ネットワーク設計上のポイント

315　欧州における港湾リスク分散

  • 315.1　北欧州港の混雑とアライアンス再編
  • 315.2　南欧・東欧・UKハブの役割拡大
  • 315.3　半導体ロジスティクスにおける欧州側分散戦略

316　米国における港湾リスク分散

  • 316.1　西岸・東岸・湾岸のリスクプロファイル
  • 316.2　代替ゲートウェイとランドブリッジ
  • 316.3　半導体企業の米国内ロジスティクス再設計

317　港湾リスク分散を前提としたネットワーク設計の方向性

  • 317.1　リスク指標に基づくポートフォリオ化
  • 317.2　マルチポート戦略と契約設計
  • 317.3　デジタルツインとシナリオプランニング

318　自由貿易地域・保税ルートの役割と基本構造

  • 318.1　FTZと保税倉庫の制度的違い（要点）

319　半導体サプライチェーンにおける地域別活用動向

  • 319.1　台湾・東アジア：空港FTZを軸にしたハブ化
  • 319.2　米国：Foreign Trade Zoneを使った関税・MPF最適化
  • 319.3　ASEAN・その他地域：トランシップと関税バッファ

320　自由貿易地域・保税ルートの具体的なメリット

  • 320.1　キャッシュフローと税負担の最適化
  • 320.2　関税逆転・ルール変更へのバッファ
  • 320.3　サプライチェーンの柔軟性とリードタイム改善

321　半導体ネットワーク設計におけるFTZ・保税ルートの組み込み

  • 321.1　代表的なネットワーク構成パターン
  • 321.2　ロジスティクス面での設計ポイント

322　ガバナンス・コンプライアンスと今後の論点

  • 322.1　トランシップ規制と「実質的加工」の要件
  • 322.2　貿易政策とFTZ活用の将来像

323　税関事前通関とAEOの全体像

  • 323.1　半導体産業にとっての意味

324　税関事前通関（プレアライバルプロセシング）の仕組み

  • 324.1　WTO TFA 7.1条の要件
  • 324.2　日本のAEO輸入者向け事前通関

325　AEOプログラムの構造とメリット

  • 325.1　EU・日本などのAEO認定枠組み
  • 325.2　具体的なメリット

326　相互承認（MRA）と半導体ネットワークへの影響

  • 326.1　EU–カナダなどの最新MRA動向
  • 326.2　WCO SAFE 2025アップデートの含意

327　半導体ロジスティクスにおける実務的活用

  • 327.1　事前通関＋AEOを前提にしたタイムライン設計
  • 327.2　マルチロケーションAEO取得とハブ最適化
  • 327.3　データと内部統制の要件

328　レチクル/装置部品輸送における環境・衝撃管理の重要性

  • 328.1　品質・信頼性観点からの要求水準

329　レチクル向けコールドチェーン・クリーンチェーン設計

  • 329.1　温度・湿度・清浄度の管理要件
  • 329.2　専用ポッドと自動物流システム

330　装置部品・精密機器向け衝撃保護輸送ルート

  • 330.1　陸上輸送：エアサス車両・衝撃ロガー
  • 330.2　規格・梱包設計ガイドライン

331　エンドツーエンドのコールドチェーン／衝撃保護ルート構築

  • 331.1　航空輸送と陸送の統合ソリューション
  • 331.2　ファブ内ロジスティクスとの連結

332　今後の課題と設計上の示唆

  • 332.1　データ駆動型品質保証
  • 332.2　規制・標準化とネットワーク設計への統合

333　半導体向け危険物ガス輸送と規制枠組み

  • 333.1　半導体用電子特殊ガスの特徴

334　ADR：欧州域内陸上輸送におけるクラス2ガス規制

  • 334.1　ADRクラス2の分類と要求事項
  • 334.2　ドライバー資格・車両・文書

335　IATA DGR：航空輸送における危険物ガス規制

  • 335.1　クラス2ガスの航空輸送原則
  • 335.2　航空会社バリエーションと半導体ガス

336　IMDGコード：海上輸送と危険物ガス

  • 336.1　IMDGコードとクラス2の扱い
  • 336.2　半導体ガスの海上輸送上のポイント

337　産業ガイドとコンプライアンス実務

  • 337.1　電子特殊ガスの安全取扱いガイドライン
  • 337.2　教育・資格とデータ管理

338　ネットワーク設計・ロジスティクス戦略へのインプリケーション

  • 338.1　モード別リスクとルート設計
  • 338.2　規制コンプライアンスとレジリエンスの統合

339　高価値中小企業貨物と輸送中セキュリティの前提

  • 339.1　脅威トレンドの特徴

340　輸送中セキュリティの基本レイヤー

  • 340.1　物理・手続き・テクノロジーの多層防御
  • 340.2　高価値貨物トリガーと特別扱い

341　ルート設計・運用面での具体策

  • 341.1　ルート多様化と安全駐車
  • 341.2　リアルタイム監視とアラート

342　中小企業に適した組織・ガバナンス面のアプローチ

  • 342.1　標準・フレームワークの活用
  • 342.2　MSP・3PLとのパートナーシップ

343　実務的なチェックリストと優先順位付け

  • 343.1　高価値中小企業貨物向けの最低限対策
  • 343.2　戦略的なステップ

344　コンテナ船社アライアンスの再編と集中リスクの構図

  • 344.1　市場集中度とアライアンスシェア

345　運送会社・アライアンス集中がもたらす具体的リスク

  • 345.1　キャパシティ・サービス側面のリスク
  • 345.2　価格・交渉力の偏り
  • 345.3　単一フォワーダー・単一モード依存

346　半導体ネットワーク視点からのアライアンス依存度評価

  • 346.1　ルート別・アライアンス別エクスポージャーの可視化
  • 346.2　半導体固有要件とのトレードオフ

347　リスク低減のための実務的アプローチ

  • 347.1　キャリア・アライアンス分散戦略
  • 347.2　オムニモーダル・多ノード戦略との統合
  • 347.3　契約・ガバナンス面の要点

348　今後の展望と半導体企業への示唆

  • 348.1　アライアンス再編後の市況とリスク

349　コンテナ優先予約・保証容量契約の位置づけ

  • 349.1　用語の整理

350　デジタル優先予約商品とその特徴

  • 350.1　GreenX・Maersk Spot/Accelerate等の仕組み
  • 350.2　メリットと制約

351　保証容量契約（サービスコントラクト／Take-or-Pay）の最新動向

  • 351.1　Take-or-Pay型契約へのシフト
  • 351.2　2024–25年のアジア–北米契約事例
  • 351.3　2025年以降の契約市場の傾向

352　半導体サプライチェーンにおける活用戦略

  • 352.1　高価値・時間敏感貨物向けの優先枠
  • 352.2　キャリア・アライアンス分散との組み合わせ

353　成功させるための契約・オペレーション上の要点

  • 353.1　需要予測とコミットメント管理
  • 353.2　SLAとペナルティ／インセンティブ設計

354　紅海/スエズ混乱と半導体ロジスティクスへの影響概観

  • 354.1　スエズ混乱が引き起こす構造的問題

355　海上輸送のマルチノード代替ルート設計

  • 355.1　ケープ回りルートの最適活用
  • 355.2　地中海・黒海側ゲートウェイの一時的シフト
  • 355.3　北米・中南米向けの経路再設計

356　海陸複合ルート（中欧回廊・中東経由）の活用

  • 356.1　ミドルコリドー（中欧回廊）のポテンシャルと制約
  • 356.2　ミドルコリドーを用いた半導体向けマルチノード案
  • 356.3　中東経由ルートと湾岸ハブ

357　エアフレイト・レールを組み合わせたプレミアム迂回

  • 357.1　航空輸送の位置づけ
  • 357.2　欧州内・ユーラシア内鉄道の活用

358　半導体ネットワーク設計におけるマルチノード戦略

  • 358.1　ノード設計と在庫ポリシーの再構築
  • 358.2　コスト・リードタイム・リスクのトレードオフ管理
  • 358.3　ガバナンスと情報連携

【　リスクとレジリエンスガバナンス　】

359　部品ファミリー/ノードごとの複数調達閾値とは何か

  • 359.1　複数調達閾値を設定する目的

360　マルチソーシングの最新動向とベンチマーク

  • 360.1　クリティカル部品に対する2～3社認定
  • 360.2　地域・ノード分散のトレンド

361　閾値設計の考え方：部品ファミリーとノード軸

  • 361.1　部品ファミリー別の閾値例
  • 361.2　ノードごとの複線化・セカンドソース戦略

362　閾値を実務に落とし込むためのフレームワーク

  • 362.1　リスクスコアと調達比率の連動
  • 362.2　認定・契約・設計の一体運用

363　ガバナンスとKPI：閾値を維持・見直しする仕組み

  • 363.1　調達集中度KPIとエスカレーション
  • 363.2　レジリエンスとコストのバランス

364　PLM/ERPワークフローにおける輸出管理スクリーニングの位置づけ

  • 364.1　半導体特有のリスクと要求事項

365　PLMにおける製品・技術情報の輸出管理

  • 365.1　製品クラス分類とメタデータ管理
  • 365.2　技術データ輸出とリポジトリ・ガバナンス

366　ERPプロセスに組み込む自動スクリーニング

  • 366.1　取引先（Denied Party）スクリーニング
  • 366.2　取引・出荷時のライセンス判定と記録

367　サプライチェーン全体のトレーサビリティと自動コンプライアンス

  • 367.1　トレーサビリティ基盤との連携
  • 367.2　CRM・取引管理との統合

368　最新動向とレジリエンスガバナンスへの示唆

  • 368.1　AI・ロケーション検証技術の活用
  • 368.2　ガバナンス・組織・KPI

369　契約上の不可抗力条項と価格調整条項の役割

  • 369.1　半導体サプライチェーン特有の背景
  • 369.2　不可抗力条項の基本構造

370　不可抗力条項の最新動向：パンデミック・戦争・関税・制裁

  • 370.1　イベント列挙とキャッチオール
  • 370.2　経済的困難と裁判所の姿勢
  • 370.3　発動要件・通知義務・期間と終了

371　価格調整条項・ハードシップ条項の設計

  • 371.1　価格調整条項の類型
  • 371.2　ハードシップ条項との違い

372　半導体サプライチェーン向けの契約実務

  • 372.1　供給中断・価格変動に備える複合条項
  • 372.2　半導体産業に特化した契約の傾向

373　実務上の留意点とレジリエンスガバナンスへの統合

  • 373.1　ドラフティング・レビューのポイント
  • 373.2　リスクとレジリエンスガバナンスへの位置づけ

374　デカップリングと関税ショックへのシナリオ計画の意義

  • 374.1　デカップリング／デリスキングの概念整理

375　デカップリングシナリオの類型と影響分析

  • 375.1　市場側デカップリング：対中売上喪失シナリオ
  • 375.2　調達側デカップリング：供給遮断とコスト増シナリオ
  • 375.3　海上輸送・地政学ショックのシナリオ

376　関税ショックへのシナリオ計画とオペレーション戦略

  • 376.1　関税ショックの特徴と即応パターン
  • 376.2　シナリオ計画で検証すべき主要変数

377　企業レベルのシナリオ計画フレームワーク

  • 377.1　マクロ〜ミクロをつなぐ3層シナリオ
  • 377.2　策定したシナリオに基づく具体的アクション

378　政策・企業連携によるデリスキング戦略

  • 378.1　友好国との貿易協定と関税オフセット
  • 378.2　投資・アライアンスと技術主権

379　レジリエンスガバナンスへの統合とKPI

  • 379.1　シナリオ計画とKPIの連動
  • 379.2　企業文化としてのシナリオ思考

380　サプライヤー立地移転承認と再認定の意義

  • 380.1　立地移転がレジリエンスに与える影響

381　立地移転承認プロセスの基本構造

  • 381.1　PCNと事前通知リードタイム
  • 381.2　顧客側承認ゲートと監査

382　再認定（リクオリフィケーション）の要件と手順

  • 382.1　AEC-Q100等における再認定ルール
  • 382.2　PPAP／PPAプロセスと量産承認

383　リロケーション時のリスク評価と緩和策

  • 383.1　リスクアセスメントとコンティンジェンシープラン
  • 383.2　コミュニケーションとステークホルダー連携

384　レジリエンスガバナンスへの組み込み

  • 384.1　立地戦略・ESG・サプライヤー管理の統合
  • 384.2　KPIと契約ガバナンス

385　国境を越えたエンジニアリングチーム向けコンプライアンス研修の位置づけ

  • 385.1　越境エンジニアリングと主なコンプライアンスリスク

386　研修コンテンツの中核領域

  • 386.1　輸出管理・制裁対応
  • 386.2　技術移転・知的財産・情報セキュリティ
  • 386.3　倫理・贈収賄防止・企業文化

387　研修の設計・運用の最新動向

  • 387.1　役割別・リスクベースのカリキュラム
  • 387.2　eラーニング＋ライブ研修＋シミュレーション

388　越境チーム特有の実務課題とベストプラクティス

  • 388.1　採用・出向・リモートワークとコンプライアンス
  • 388.2　グローバル標準と地域差のマネジメント

389　レジリエンスガバナンスの視点から見た研修の位置づけ

  • 389.1　インシデント防止と危機対応力の向上
  • 389.2　研修効果の測定と継続的改善

390　サプライヤー財務ストレス監視の重要性

  • 390.1　半導体特有のリスク要因

391　財務ストレス監視の基本コンポーネント

  • 391.1　財務指標のモニタリング
  • 391.2　オルタナティブデータと信用情報

392　早期警戒システム（EWS）と運用プロセス

  • 392.1　早期警戒指標とスコアリング
  • 392.2　モニタリング頻度とプラットフォーム

393　半導体サプライチェーンにおける実務的な対応策

  • 393.1　財務ストレス検知後の対応オプション
  • 393.2　トレードクレジット保険・CBIとの連携

394　ガバナンス・組織・KPIの設計

  • 394.1　クロスファンクショナルなリスク委員会
  • 394.2　KPIとレジリエンス目標との紐付け

395　地理的集中度KPIとヒートマップの意義

  • 395.1　集中リスクの基本概念

396　地理的集中度KPIの設計手法

  • 396.1　量ベースと頻度ベースの二つの指標
  • 396.2　実務で使われる集中度KPI例

397　ヒートマップによる可視化と応用

  • 397.1　サプライヤーロケーション・ヒートマップ
  • 397.2　リスクヒートマップ・マトリクス

398　半導体サプライチェーンでの具体的適用

  • 398.1　台湾集中の定量化とシナリオ分析
  • 398.2　地理的集中度と他リスクレイヤーの重ね合わせ

399　ガバナンス・KPI運用の枠組み

  • 399.1　地理的集中度KPIの設定としきい値
  • 399.2　ダッシュボード・シナリオプランニングとの連携

400　復旧時間/生存時間モデリングの基本概念

  • 400.1　レジリエンスとビアビリティとの関係

401　復旧時間（TTR）のモデリング手法

  • 401.1　KPIとしてのTTR
  • 401.2　ネットワーク・シミュレーションとTTR
  • 401.3　生存時間（TTS）とのストレステスト

402　生存時間モデリングとサバイバル解析

  • 402.1　生存曲線・ハザード率の導入
  • 402.2　生存時間モデルとBCP最適化

403　半導体ネットワークへの適用と最新動向

  • 403.1　半導体サプライチェーンのTTR/TTS評価
  • 403.2　ストレステストとシナリオ計画

404　ガバナンスとKPI設計への落とし込み

  • 404.1　TTR/TTSベースのレジリエンスKPI
  • 404.2　組織内への実装と意思決定支援

405　ノード別安全在庫とダイバンクの位置づけ

  • 405.1　ノード別安全在庫の役割

406　マルチエシュロン安全在庫設計の考え方

  • 406.1　MEIOによるノード別ターゲット設定
  • 406.2　ノード別安全在庫とTTR/TTS

407　ダイバンク（Die/Wafer Banking）方針の役割

  • 407.1　ダイバンクとは何か
  • 407.2　ダイバンクと安全在庫の違いと補完関係

408　ノード別安全在庫とダイバンク方針の設計ステップ

  • 408.1　1. クリティカル部品とノードの特定
  • 408.2　2. ノード別安全在庫ポリシーの定義
  • 408.3　3. ダイバンクの量・格納場所・リリース方針

409　最新動向と半導体レジリエンスへの示唆

  • 409.1　MEIOとAIによる動的在庫ポリシー
  • 409.2　レジリエンス指標としての在庫・ダイバンク

410　デュアル認定ファブとテストハウスの意義

  • 410.1　レジリエンスと地政学分散の観点

411　デュアル認定ファブの設計と運用

  • 411.1　ファブのデュアルソーシング動向
  • 411.2　デュアル認定の技術・品質要件

412　テストハウス（OSAT）のデュアル認定と地域分散

  • 412.1　OSAT集中リスクと分散の潮流
  • 412.2　デュアル認定テストハウスの要点

413　レジリエンスガバナンスからみたデュアル認定戦略

  • 413.1　デュアルソースのメリットとコスト
  • 413.2　どのレイヤーまで「デュアル」にするか

414　実務的な導入ステップとガバナンス

  • 414.1　対象製品・ノードの選定
  • 414.2　契約・投資・品質管理の枠組み
  • 414.3　政府・エコシステムとの連携

415　ファブにおける事業継続と災害復旧の全体像

  • 415.1　自然災害とクラスターリスク

416　事業継続マネジメント（BCM）の枠組み

  • 416.1　BCMの基本要素とPDCA
  • 416.2　BCPとサプライチェーンレジリエンス指標

417　災害リスク別の対策と災害復旧計画

  • 417.1　地震・洪水など物理災害への備え
  • 417.2　サイバー攻撃とOTセキュリティ

418　復旧時間短縮と保険・ストレステスト

  • 418.1　TTR評価とレジリエンス曲線
  • 418.2　保険とファイナンスの役割

419　ガバナンス・組織体制と今後の方向性

  • 419.1　経営レベルのリスクガバナンス
  • 419.2　政策・国際協調とファブBCP

420　サプライヤー横断的なサイバーインシデント対応の必要性

  • 420.1　供給網レジリエンスとサイバーリスク

421　業界・政府レベルの枠組みとガイドライン

  • 421.1　業界コンソーシアムと標準化
  • 421.2　OTセキュリティガイドラインとサプライチェーン

422　サプライヤー横断インシデント対応の実務要素

  • 422.1　契約・ガバナンスにおける共通ルール
  • 422.2　共有インシデントレスポンス・プレイブック

423　監視・情報共有とサイバーサプライチェーンリスク管理

  • 423.1　脅威インテリジェンスとサプライヤーマッピング
  • 423.2　OT環境とファブ・サプライヤー間通信の保護

424　レジリエンスガバナンスへの組み込みと今後の方向性

  • 424.1　サプライチェーンレジリエンス指標との連結
  • 424.2　国際協調と標準の進化

425　ESGリスク登録簿と監査頻度の位置づけ

  • 425.1　規制動向と半導体産業への影響

426　ESGリスク登録簿の設計

  • 426.1　登録簿に含める基本要素
  • 426.2　リスクスコアリングとカテゴリ分け

427　監査頻度のリスクベース設定

  • 427.1　リスクベース監査頻度の考え方
  • 427.2　半導体サプライチェーンへの適用

428　ESGリスク登録簿と監査を支えるデータとテクノロジー

  • 428.1　継続モニタリングとデジタルツール
  • 428.2　AIによる監査優先度付けとスケジューリング

429　レジリエンスガバナンスとの接続と今後の方向性

  • 429.1　ESGと供給リスクの統合管理
  • 429.2　半導体企業の実務的対応

430　ティア2/3可視性とBOMトレーサビリティの意義

  • 430.1　リスクとレジリエンスガバナンスの観点

431　マルチティア可視性の課題と最新動向

  • 431.1　可視性ギャップの構造とボトルネック
  • 431.2　政策・規制による可視性要求の強化

432　BOMトレーサビリティのレベルと実装アプローチ

  • 432.1　サプライヤーマッピング・製品・材料の3レベル
  • 432.2　BOM中心のデータモデルと技術

433　ティア2/3可視性向上の具体的ステップ

  • 433.1　サプライヤーマッピングとデータ共有
  • 433.2　デジタル技術の活用（可視化ツール・ブロックチェーンなど）

434　ガバナンス・規制・ESGとの接続

  • 434.1　政府・企業間の役割分担と監視
  • 434.2　ESG・人権・環境規制とトレーサビリティ

435　半導体企業における実務的なガバナンス設計

  • 435.1　リスクとレジリエンスのKPI・組織体制
  • 435.2　BCP・政策対話へのフィードバック

【　設計およびEDA/IPコア　】

436　地域除外条項付きIPコアライセンスの位置づけ

  • 436.1　地域除外条項の基本概念

437　輸出管理と地域除外条項の連関

  • 437.1　EAR・制裁とIPライセンス
  • 437.2　再輸出・二次販売に対する契約コントロール

438　地域除外条項の設計ポイント

  • 438.1　テリトリー定義と除外パターン
  • 438.2　規制・制裁の変化を織り込む条項

439　技術的実装：ジオフェンシングとIP管理

  • 439.1　契約条項とジオIPブロッキングの連携
  • 439.2　IPコア単位の地域メタデータ

440　半導体サプライチェーンと地域除外条項の戦略的活用

  • 440.1　デカップリング環境での権利管理
  • 440.2　共同開発・下流サプライヤーへの波及

441　実務上の留意点と今後の方向性

  • 441.1　独禁法・競争法との関係
  • 441.2　レジリエンスガバナンスへの組み込み

442　暗号化/輸出管理対象設計資料の分離保管の位置づけ

  • 442.1　規制面での前提条件

443　分離保管アーキテクチャの基本設計

  • 443.1　エンクレーブ型アプローチ
  • 443.2　クラウド利用とデータレジデンシ

444　設計資料レベルでの分離とアクセス制御

  • 444.1　属性ベースアクセス制御（ABAC）
  • 444.2　監査証跡とライセンス管理

445　暗号化・キー管理のベストプラクティス

  • 445.1　暗号化方式とキー管理モデル
  • 445.2　エンドツーエンド暗号化と「暗号化例外」

446　半導体設計・EDAワークフローへの組み込み

  • 446.1　デザインデータ管理（DMS/PLM）との連携
  • 446.2　グローバル設計拠点との協働

447　レジリエンスガバナンスの観点からの示唆

  • 447.1　規制違反リスクと事業継続
  • 447.2　ガバナンス指標と継続的改善

448　輸出ライセンスに紐付いたファウンドリPDKアクセスの重要性

  • 448.1　PDKと輸出規制の基本的な関係

449　先端半導体規制とファウンドリの責任強化

  • 449.1　高度計算向け規制とファウンドリ・デューディリジェンス
  • 449.2　TSMC・Samsung等への規制適用と許可スキーム

450　PDKアクセスを輸出ライセンスに紐付ける実務モデル

  • 450.1　PDK分類・リスク評価とライセンス紐付け
  • 450.2　技術管理計画（TCP）とPDKアクセス制御

451　設計フローにおける「ライセンス連動PDKアクセス」の具体像

  • 451.1　ユーザー登録・PDK配布ワークフロー
  • 451.2　PDKアクセスとテープアウトの連携

452　今後の動向とレジリエンスガバナンス上の含意

  • 452.1　「Approved Designer」制度とPDKアクセスの階層化
  • 452.2　企業側の実務対応とレジリエンス

453　耐障害性設計（ノード移植性、再ターゲット可能なフロー）の意義

  • 453.1　ノード移植性とレジリエンスの関係

454　ノード移植性を高める設計アプローチ

  • 454.1　RTLレベル抽象化とテクノロジ非依存IP
  • 454.2　ライブラリ・PDK依存部分の局所化
  • 454.3　チップレットとマルチノード統合

455　再ターゲット可能な物理設計フロー

  • 455.1　モジュラー型フロー生成（mflowgenなど）
  • 455.2　フローメタデータと再構成

456　耐障害性設計の最新トレンド

  • 456.1　エラーレジリエンスと再構成可能性
  • 456.2　AI・機械学習を用いた移植支援

457　レジリエンスガバナンスとしての位置づけ

  • 457.1　設計資産の「地政学デカップリング」
  • 457.2　実務的な導入ステップ

458　制限対象IPコアの代替案としてのRISC-Vの位置づけ

  • 458.1　輸出管理との関係

459　RISC-Vガバナンスの枠組み

  • 459.1　RISC-V Internationalの組織と標準化プロセス
  • 459.2　地政学リスクと標準支配を巡る議論

460　制限対象IPコアの代替としてのRISC-V採用パターン

  • 460.1　ライセンスリスク回避とマルチソーシング
  • 460.2　中国を中心とした国家戦略としての採用

461　RISC-Vベース代替IPコア採用時の技術・ガバナンス上の論点

  • 461.1　エコシステム成熟度とロードマップ
  • 461.2　輸出管理とコンプライアンス

462　代替アーキテクチャ戦略としてのRISC-Vガバナンス

  • 462.1　企業レベルでのガバナンス設計
  • 462.2　国家・同盟レベルでのガバナンス

463　制限対象IPコアからRISC-V代替へ移行する際の実務的考慮事項

  • 463.1　技術移行コストとリスク
  • 463.2　コンプライアンスフレームワークへの組込み

464　制限対象エンティティとの安全な連携

  • 464.1　エンティティ・リストと新しい統制の特徴

465　制限対象エンティティと関わる際の基本原則

  • 465.1　「直接禁止」と「原因・幇助」リスク
  • 465.2　「Know Your Customer」とレッドフラグ

466　安全な連携のためのコンプライアンス枠組み

  • 466.1　制限対象者スクリーニングと所有構造チェック
  • 466.2　テクノロジー・コントロール・プラン（TCP）

467　設計・EDA/IPコアの文脈での安全な連携モデル

  • 467.1　技術的分離と役割分担
  • 467.2　ファウンドリ向けガイダンスに基づく連携

468　事例からみる違反リスクと教訓

  • 468.1　EDAツール違法輸出事件
  • 468.2　制裁の副作用とサプライチェーン再編

469　今後のレジリエンスガバナンスと安全な連携の方向性

  • 469.1　サプライチェーン多様化と「分割協業」
  • 469.2　組織内ガバナンスと教育

470　テープアウト場所ポリシーとマスクデータ取り扱い

  • 470.1　テープアウト場所ポリシーの背景

471　テープアウト場所ポリシーの主要要素

  • 471.1　地政学リスクと輸出管理
  • 471.2　ビジネス継続性とマルチサイト戦略

472　マスクデータの性質とリスク

  • 472.1　マスクデータの技術的特徴
  • 472.2　情報漏えい・改ざんリスク

473　マスクデータ取り扱いガバナンス

  • 473.1　サイバーセキュリティフレームワークの適用
  • 473.2　ゾーンベースのマスクデータ管理

474　国際政策と企業戦略の最新動向

  • 474.1　各国政策におけるマスク・テープアウトの位置づけ
  • 474.2　企業レベルのベストプラクティス

475　共有リポジトリにおけるITAR/EAR汚染回避の重要性

  • 475.1　「汚染」の意味とリスク

476　法規制の枠組みと設計データへの適用

  • 476.1　ITARとEARの技術データ定義
  • 476.2　クラウド・共有システムへのガイダンス

477　汚染回避のためのアーキテクチャ設計

  • 477.1　「エンクレーブ」型分離モデル
  • 477.2　リポジトリ階層とメタデータ管理

478　運用プロセスとTCPによる補完

  • 478.1　Technology Control Plan (TCP) の役割
  • 478.2　クリーンルームとデータ移転プロセス

479　半導体設計・EDA/IPコアの文脈での実務ポイント

  • 479.1　IPコアとPDKの扱い
  • 479.2　クラウドEDA・CI/CDとの連携

480　組織的ガバナンスと今後の動向

  • 480.1　コンプリケーションの増大と自動化ニーズ
  • 480.2　共同研究・同盟国連携の枠組み

481　輸出規制変更をカバーするIP補償の位置づけ

  • 481.1　背景にある規制環境の不確実性

482　契約実務におけるリスク配分の基本構造

  • 482.1　輸出管理条項の典型的な位置づけ
  • 482.2　不可抗力か債務不履行か

483　IP補償条項の具体的な構成要素

  • 483.1　「規制適合保証」と「将来変更」条項
  • 483.2　補償対象となる損失の範囲

484　半導体設計・EDA/IPコアに特有の論点

  • 484.1　ECCN・用途・エンドユーザーをめぐる情報共有
  • 484.2　「代替IP」やノード切り替えを含む補償

485　今後の動向とベストプラクティス

  • 485.1　マルチ・ジャーミスディクション対応の必要性
  • 485.2　実務上の留意点

486　管轄区域を跨いだEDAツールアクセス継続性の重要性

  • 486.1　「アクセス継続性」リスクの特徴

487　近年の輸出規制動向とEDAアクセス

  • 487.1　2025年前後の対中EDA規制と解除
  • 487.2　将来想定される強化方向

488　EDA/IPアクセス継続性を支える技術・運用アプローチ

  • 488.1　IPジオフェンシングとメタデータ管理
  • 488.2　EDAライセンスとクラウド基盤側の統制

489　組織的なレジリエンス戦略：シナリオ別にEDA依存を設計する

  • 489.1　シナリオ計画と代替パス確保
  • 489.2　ローカルEDA／オープンソース活用とリスク分散

490　ガバナンス・契約・プロセス面の実務対応

  • 490.1　EDAベンダー契約・SLAにおける留意点
  • 490.2　社内ポリシー・ワークフロー整備

491　今後の展望：AI・ジオロケーション技術とEDAアクセスガバナンス

  • 491.1　AIによるポリシーベース制御と監査
  • 491.2　チップ・IPレベルのロケーション検証との連動

【　前工程製造（ファブ）　】

492　レガシーノード生産能力の耐障害性（≥28nm）

  • 492.1　レガシーノードの需要構造

493　地理的分布と集中リスク

  • 493.1　グローバル分布の概況
  • 493.2　中国集中のもたらす耐障害性課題

494　供給過不足と価格・リードタイムの揺らぎ

  • 494.1　2021年危機とアナログ／MCUのボトルネック
  • 494.2　新Fab投資と過剰供給リスク

495　政策対応とレガシーノードの安全保障化

  • 495.1　米国・EU・日本のレガシー重視方針
  • 495.2　中国のレガシー自立戦略

496　レガシーノード生産能力の耐障害性を高める方向性

  • 496.1　多拠点化と「戦略的不可欠性」の構築
  • 496.2　企業レベルの耐障害性強化

497　現地ガス生成の冗長性

  • 497.1　半導体ファブにおける主要バルクガスと需要構造

498　オンサイトガス生成の役割とメリット

  • 498.1　コストと安定供給の観点
  • 498.2　特定ガス（窒素・水素・フッ素）におけるオンサイト化の進展

499　冗長性アーキテクチャ：一次供給＋バックアップの多層構造

  • 499.1　一次供給の設計（オンサイト vs 近接プラント vs パイプライン）
  • 499.2　二次・三次バックアップ：液体貯蔵と遠隔ソース

500　地政学・サプライチェーン文脈での現地ガス生成の冗長性

  • 500.1　サプライチェーン分断リスクとローカル化
  • 500.2　クラスター戦略とガスインフラ

501　技術・運用面の課題と今後の方向性

  • 501.1　エネルギー消費と脱炭素要件
  • 501.2　安全性・運転管理・人材

502　地震・台風気候リスクを考慮した立地選定

  • 502.1　地震リスクと半導体サプライチェーン
  • 502.2　台湾地震が示した影響と復旧能力
  • 502.3　立地選定における地震リスク評価

503　台風・ハリケーン・洪水リスク

  • 503.1　台風常襲域のファブ集中とリスク
  • 503.2　ハリケーンと重要原材料拠点の例

504　気候変動・水ストレスを含む総合リスク評価

  • 504.1　水ストレスと気候シナリオ
  • 504.2　「ナチュラルリスク」を織り込んだサプライチェーン戦略

505　実務としての立地選定フレームワーク

  • 505.1　リスク評価項目の多次元化
  • 505.2　地理的分散とクラスター戦略の両立

506　企業・政府への含意

507　不足時におけるウエハースタート割当の優先順位付け

  • 507.1　ウエハースタート割当の基本概念

508　2020〜2023年不足局面で顕在化した優先順位づけ

  • 508.1　消費者エレクトロニクス vs 自動車・産業
  • 508.2　クリティカル用途向けの政治的優先

509　ファウンドリ側の割当アルゴリズムと契約設計

  • 509.1　顧客セグメンテーションと優先ランク
  • 509.2　長期契約・前払・共同投資

510　IDM／ファブライトにおける社内優先順位付け

  • 510.1　高マージン製品・戦略製品への集中
  • 510.2　顧客クリティカリティとレピュテーションリスク

511　政策・国家安全保障の観点からの優先度設定

  • 511.1　重要インフラ向けチップの確保
  • 511.2　産業政策とキャパシティ誘導

512　今後のベストプラクティスと課題

  • 512.1　需要・キャパシティの共有と共同シミュレーション
  • 512.2　契約・ガバナンスの透明性と中小顧客への配慮

513　敏感地域におけるOEM／ファウンドリ合弁事業のガバナンス

  • 513.1　敏感地域とみなされる条件

514　合弁Fabの典型構造とガバナンス課題

  • 514.1　資本構成・支配権の設計
  • 514.2　取締役会・経営会議のガバナンス

515　輸出管理・アウトバウンド投資規制と合弁ガバナンス

  • 515.1　輸出管理と技術アクセスの分離
  • 515.2　アウトバウンド投資ルールによるJV制約

516　具体事例：欧州・台湾・NXPなどの合弁とガバナンス

  • 516.1　欧州における安全保障配慮型JV
  • 516.2　NXPとVSMCなどのファウンドリ合弁

517　ガバナンス設計のキーテーマ

  • 517.1　IP保護と技術移転の境界管理
  • 517.2　国家・地方政府との関係管理

518　今後の方向性とベストプラクティス

519　ノード拡大に伴う技術移転承認

  • 519.1　「ノード拡大」と技術移転の関係

520　米国輸出規制におけるノードしきい値と承認プロセス

  • 520.1　16/14nmロジック・先端メモリを境界とする定義
  • 520.2　RFF・NACなどの例外とノード拡大

521　事例：TSMC南京Fabと成熟ノード拡大の承認

  • 521.1　16nmクラス成熟ノードに対する期間限定ライセンス
  • 521.2　韓国メーカーへの類似扱い

522　他国の輸出管理・技術移転審査

  • 522.1　日本・オランダの装置輸出管理
  • 522.2　米国同盟国とのルール協調

523　企業戦略としての技術移転承認マネジメント

  • 523.1　Fabネットワークとノード配置の再設計
  • 523.2　コンプライアンスとデューデリジェンス

524　ファブ立地における地理的バランス調整（米国、日本、EU）

  • 524.1　グローバル投資の規模感

525　米国：CHIPS法による大型誘致と条件付き支援

  • 525.1　政策の枠組みと地理的再配置
  • 525.2　制約条件と地理的バランスへの影響

526　日本：TSMC熊本とRapidusを核とした補完戦略

  • 526.1　二本柱戦略：TSMC熊本＋Rapidus
  • 526.2　役割分担と地理的バランス

527　EU：Chips Actによる「初物ファウンドリ」誘致と分散

  • 527.1　EU Chips Actの枠組み
  • 527.2　欧州内の地理的分散

528　三極間連携と残る課題

  • 528.1　共同で目指す「地理的バランス」の姿
  • 528.2　ボトルネックとリスクの残存

529　ファブ向け電力・水供給のSLA

  • 529.1　ファブが必要とするサービスレベルの目安

530　水供給SLA：量・質・継続性

  • 530.1　水需要と既往の供給障害
  • 530.2　水供給SLAの典型要件
  • 530.3　再生水・リサイクルを組み込んだSLA

531　電力供給SLA：高可用性と脱炭素要件

  • 531.1　電力需要と停電リスク
  • 531.2　高可用性SLAと冗長化設計
  • 531.3　再エネ・脱炭素とSLA

532　SLA設計におけるレジリエンスとガバナンス

  • 532.1　気候変動・水ストレスの組み込み
  • 532.2　サプライチェーン全体への波及

533　クリーンルーム拡張のリードタイムと許可取得

  • 533.1　クリーンルーム拡張の典型的なタイムライン

534　クリーンルーム建設市場とモジュラー化動向

  • 534.1　市場規模と需要ドライバー
  • 534.2　モジュラークリーンルームとリードタイム短縮

535　許可取得プロセス：環境・安全規制の影響

  • 535.1　米国の環境許認可と最近の法改正
  • 535.2　日本・EUの許可と地域差

536　既存Fabでのクリーンルーム拡張：運転中工事とコンプライアンス

  • 536.1　稼働中サイトでの拡張工事
  • 536.2　労働力とEPCキャパシティの制約

537　まとめ的含意：サプライチェーン・政策面から見た拡張リードタイム

538　関税ショック時のOPEX転嫁条項

  • 538.1　関税ショックと半導体OPEXの特徴

539　OPEX転嫁条項の基本タイプ

  • 539.1　タリフ・アロケーション条項（Tariff Allocation Clauses）
  • 539.2　価格調整（エスカレーション）条項

540　Change in Law／フォースマジュール条項との関係

  • 540.1　Change in Law条項
  • 540.2　フォースマジュールとの線引き

541　半導体ファブ文脈での実務的論点

  • 541.1　ファブ運営コストへの波及経路
  • 541.2　顧客との価格転嫁協議

542　今後の政策動向と契約設計への含意

  • 542.1　関税政策の持続性と不確実性
  • 542.2　半導体企業にとっての設計指針

543　規制下における外部委託ファブと自社ファブの戦略比較

  • 543.1　ビジネスモデルの整理

544　規制・輸出管理下での外部委託ファブ活用

  • 544.1　メリット：スケール・技術アクセス・柔軟性
  • 544.2　デメリット：規制伝播と地政学依存

545　規制環境における自社ファブ戦略の位置づけ

  • 545.1　メリット：主権的コントロールと政策インセンティブ
  • 545.2　デメリット：高い資本負担と技術追随リスク

546　規制下での外部委託ファブ vs 自社ファブの戦略比較

  • 546.1　規制適合性・安全保障の観点
  • 546.2　コスト・スケーラビリティ・イノベーション
  • 546.3　政策・補助金との相性

547　ハイブリッド戦略と今後の方向性

  • 547.1　IDM 2.0／ファブライト＋外部委託
  • 547.2　企業・政府双方への示唆

548　プロセス技術におけるクロスライセンス制約

  • 548.1　クロスライセンスの基本構造と目的

549　代表的事例：ファウンドリ間・材料／装置間のクロスライセンス

  • 549.1　GlobalFoundriesとTSMCの包括クロスライセンス
  • 549.2　材料・装置メーカー間のクロスライセンス

550　クロスライセンスに伴う制約の類型

  • 550.1　フィールド・オブ・ユース／ファブタイプによる制限
  • 550.2　地域・拠点に紐づく制約
  • 550.3　サブライセンス・ファウンドリ利用の制約（Foundry Problem）

551　産業構造・サプライチェーンへの影響

  • 551.1　技術アクセスと競争環境
  • 551.2　国家間提携・産業政策との接点

552　企業戦略上の含意：クロスライセンス制約とファブ戦略

  • 552.1　ファブ立地・外部委託戦略への影響
  • 552.2　新興プレーヤー・スタートアップへの制約

553　装置設置／現地サービスにおけるビザ依存性

  • 553.1　フィールドサービス要員の役割と人材不足

554　輸出規制・制裁と「サービスの武器化」

  • 554.1　中国向け装置保守を巡るASML事例
  • 554.2　新ルールとエンジニア派遣のガードレール

555　移民制度とファブ立地戦略

  • 555.1　米国：CHIPS法と古い移民法のギャップ
  • 555.2　EU・英国：専門職ビザの整備提案

556　ビザ依存性低減に向けた企業側の対応

  • 556.1　ローカル人材育成と現地法人の役割
  • 556.2　リモートサポートと「サービスの分割」

557　政策的含意：ビザ政策と産業・安全保障

558　排出物・廃水規制の地域間差異

  • 558.1　グローバルな規制強化の流れ

559　廃水規制：米国・欧州・東アジアの違い

  • 559.1　米国：PFAS・飲料水保護を軸にした規制
  • 559.2　韓国：TMS義務化と有害物質基準の引き上げ
  • 559.3　台湾・中国・その他アジア

560　大気排出：Fガス・PFASを巡る地域差

  • 560.1　EU：Fガス規制2024/573とPFAS議論
  • 560.2　米国・その他地域との比較

561　サプライチェーン・立地戦略への含意

  • 561.1　規制ギャップと「汚染の輸出」批判
  • 561.2　CHIPS系補助金と環境条件

562　企業戦略・技術開発の方向性

  • 562.1　廃水・排ガス技術市場の拡大
  • 562.2　サステナビリティ指標とロケーション選定

563　先進ノード生産能力のリスク（7nm以下、EUV）

  • 563.1　能力集中の現状

564　EUV依存とASML一社集中のリスク

  • 564.1　EUV装置サプライチェーンの脆弱性
  • 564.2　DUV多重露光による擬似7nmの限界

565　地政学リスクと先進ノード能力

  • 565.1　台湾海峡有事シナリオ
  • 565.2　輸出規制と技術ブロック化

566　各国の先進ノード分散投資とキャパシティ拡張

  • 566.1　米国・欧州・日本の取り組み
  • 566.2　しかし残る構造的制約

567　先進ノード生産リスクに対する企業・国家の対応

  • 567.1　企業レベルのレジリエンス戦略
  • 567.2　国家・同盟レベルの政策対応

【　バックエンド（組立、テスト、パッケージング）　】

568　先進パッケージング能力（2.5D/3D、CoWoS、FOPLP）

  • 568.1　技術概要：2.5D/3D、CoWoS、FOPLP

569　CoWoSを中心とした容量拡張とボトルネック

  • 569.1　TSMCのCoWoS/SoIC/FOPLP拡張
  • 569.2　CoWoSキャパシティがAI供給の律速要因に

570　FOPLP・パネルレベルパッケージングの台頭

  • 570.1　コスト・スループット面での優位性
  • 570.2　技術的課題と量産ロードマップ

571　地域別の先進パッケージング強化策

  • 571.1　台湾：CoWoS/SoIC/FOPLPの中心地
  • 571.2　米国・欧州：リショアリングと国家安全保障

572　今後の技術・サプライチェーン動向

573　安全な廃棄とスクラップ管理

  • 573.1　偽造リスクとスクラップの位置づけ
  • 573.2　規制枠組み：環境法と輸出管理
  • 573.3　セキュアスクラップ管理の実務
  • 573.4　偽造防止の観点からのベストプラクティス
  • 573.5　環境・サステナビリティの観点
  • 573.6　今後の動向とバックエンドへの示唆

574　ATP向け保税倉庫戦略

  • 574.1　保税倉庫・FTZの基本メカニズム
  • 574.2　アジアにおける保税ハブ（シンガポール・マレーシア・インド）
  • 574.3　ATP向け保税倉庫の戦略的メリット
  • 574.4　輸出管理・再輸出規制との関係
  • 574.5　典型的なATP保税倉庫オペレーション
  • 574.6　リスクと留意点

575　輸出表示と原産地表示の正確性

  • 575.1　多国間生産と原産地判定ルール
  • 575.2　国別表示要件とラベル運用
  • 575.3　HSコード・輸出管理表示の正確性
  • 575.4　トレーサビリティと表示精度の技術的支え
  • 575.5　国家間提携政策・通商摩擦との関係

576　OSATとの委託在庫管理

  • 576.1　委託在庫管理の基本モデル
  • 576.2　OSAT市場拡大と委託在庫の位置づけ
  • 576.3　需要変動とリスク分担
  • 576.4　ロジスティクス・3PLとの連携
  • 576.5　地政学リスクとOSAT連携の再設計
  • 576.6　OSATとの委託在庫管理における実務ポイント
  • 576.7　今後の展望

577　新拠点における自動車グレード/APQP整合性

  • 577.1　自動車グレードとバックエンド要件
  • 577.2　APQPと新拠点立ち上げ
  • 577.3　PPAPとサイト認定の実務
  • 577.4　AEC-Q規格と最新リビジョンへの対応
  • 577.5　OSAT・サブコン新拠点の課題
  • 577.6　国家間提携・サプライチェーン再編との接点

578　基板供給のボトルネックと二重調達源

  • 578.1　ABF基板とT-Glassを巡る構造的ボトルネック
  • 578.2　地域・企業集中と供給リスク

579　キャパシティ拡張と長期契約

  • 579.1　Ibiden・Unimicronなどの増産計画
  • 579.2　材料メーカー・下流との連携

580　二重調達源・レジリエンス戦略の具体像

  • 580.1　顧客側：GPU・CPUベンダーのマルチソーシング
  • 580.2　サプライヤ側：地域分散と工場冗長化

581　政策・市場動向と今後の見通し

582　テスト装置の移転/輸出ライセンス

  • 582.1　米国輸出管理におけるバックエンドの位置づけ
  • 582.2　高性能IC向けテスト拠点への一般ライセンス

583　テスト装置移転に関わる具体的なライセンス要件

  • 583.1　エンドユーザ・エンドユース規制（Part 744）
  • 583.2　中国・マカオなど特定地域向けの扱い

584　テスト装置移転とOSATビジネスへの影響

  • 584.1　OSATのロケーション戦略
  • 584.2　デジタル機能・ソフトウェアの規制リスク

585　他国の輸出規制とテスト装置

  • 585.1　日本・欧州・中国の枠組み

586　実務対応としてのライセンス管理とコンプライアンス

587　最終テストデータの越境転送管理

  • 587.1　最終テストデータの性質とリスク

588　中国法制下の越境データ転送

  • 588.1　データ安全法・個人情報保護法の枠組み
  • 588.2　半導体テストデータへの実務的影響

589　米国・欧州・同盟国のデータ・クラウド規制

  • 589.1　デジタル主権とクラウド管轄権
  • 589.2　米国輸出管理との交差

590　実務的な越境転送管理アーキテクチャ

  • 590.1　ローカル保持＋メタデータ連携
  • 590.2　データ分類とポリシーベース制御

591　今後の方向性と企業対応

592　管轄区域を跨いだ歩留まり学習の機密性

  • 592.1　歩留まり学習データが持つ機密性

593　データ主権・法規制と歩留まり学習

  • 593.1　データ主権と産業データガバナンス
  • 593.2　マルチジャリスディクション環境でのコンプライアンス

594　フェデレーテッドラーニングによる歩留まり学習

  • 594.1　データを動かさない協調学習
  • 594.2　差分プライバシーと個別予算の導入

595　歩留まり学習プラットフォームとセキュリティ設計

  • 595.1　ログ・メタデータレイヤでの抽象化
  • 595.2　アクセス制御・ゼロトラスト化

596　今後の方向性と企業戦略

597　複数地域における信頼性ラボ認証

  • 597.1　信頼性ラボ認証の基本枠組み
  • 597.2　ISO/IEC 17025と自動車規格の組み合わせ

598　地域別の信頼性ラボネットワークと動向

  • 598.1　アジア（中国・台湾・韓国・東南アジア）
  • 598.2　日本・欧州・北米

599　複数地域ラボ認証がサプライチェーンにもたらす効果

  • 599.1　マルチソーシングとローカル認証
  • 599.2　OEM・規制当局への説明責任

600　ラボ認証の取得・維持における課題

  • 600.1　標準・規格の更新スピード
  • 600.2　認定スキーム間の調整とコスト

601　今後の展望と企業戦略

602　ATPにおける偽造防止トレーサビリティ

  • 602.1　偽造リスクとATP工程の脆弱性
  • 602.2　一意識別子とレーザマーキング
  • 602.3　パッケージ・ラベルレベルでのトレーサビリティ
  • 602.4　ディストリビュータ認証とサプライチェーン管理
  • 602.5　ブロックチェーンと分散台帳の活用動向
  • 602.6　ATP現場での実務的実装ポイント
  • 602.7　政策・標準化の最新動向

603　パッケージング材料の関税リスク

  • 603.1　パッケージング材料が直面する関税構造
  • 603.2　中国発材料・パッケージへの関税強化
  • 603.3　パッケージング拠点と最終組立国による課税
  • 603.4　材料原産地・HSコード管理の重要性
  • 603.5　コスト構造とサプライチェーン再編
  • 603.6　関税リスクマネジメントと企業戦略

604　労働力移動と訓練ビザ

  • 604.1　米国：CHIPS法と専門職ビザ改革の議論
  • 604.2　既存ビザ制度とバックエンド人材
  • 604.3　訓練・OJTを伴う短期ビザ
  • 604.4　ASEAN・インド：訓練と就労を組み合わせたスキーム
  • 604.5　労働力移動がバックエンド供給網に与える影響
  • 604.6　今後の政策・企業戦略の方向性

605　OSAT拠点のASEAN/インド地域における分散化

  • 605.1　ASEANにおけるOSAT・バックエンド集積
  • 605.2　ペナンを中心とするマレーシアの役割
  • 605.3　ベトナム・タイ・シンガポールの動き

606　インドにおけるOSAT/ATMP拠点の立ち上げ

  • 606.1　政策インセンティブと代表案件
  • 606.2　パイロットラインと量産への移行
  • 606.3　インドのOSAT戦略上の課題

607　OSAT分散化のドライバーと供給網への含意

  • 607.1　China+1戦略とリスク分散
  • 607.2　労働コスト・ロジスティクス・3PLの役割

608　市場構造とOSAT大手の戦略

  • 608.1　グローバルトップ10の動向
  • 608.2　ASEAN/インド拠点が担うポジション

609　今後の展望と課題

【　材料：ウエハー及び基板　】

610　SOI・SiGe特殊ウエハーのライセンスと関税動向

  • 610.1　概要と位置づけ
  • 610.2　サプライチェーンと主要供給国
  • 610.3　米国の関税強化と影響
  • 610.4　「ウエハー・ウォーズ」と輸出管理の強化
  • 610.5　ライセンス契約と技術移転制約
  • 610.6　HSコードと分類上の論点
  • 610.7　SOIウエハー市場と規制感度
  • 610.8　SiGe特殊ウエハーとFD-SOI・RF用途
  • 610.9　中国の国産化政策と輸入代替
  • 610.10　EU・日本の政策的スタンス
  • 610.11　ライセンス・関税戦略上の実務ポイント
  • 610.12　今後の展望とリスクシナリオ
  • 610.13　参考情報源

611　ウェーハ再生・循環利用プログラム

  • 611.1　ウェーハ再生・循環利用の概要
  • 611.2　再生プロセスと技術要素
  • 611.3　市場規模と成長ドライバー
  • 611.4　コスト削減効果と経済性
  • 611.5　環境負荷低減と循環経済への貢献
  • 611.6　代表的な再生サービス・プログラム
  • 611.7　他産業との連携と二次利用
  • 611.8　企業のESG・サプライチェーン戦略との統合
  • 611.9　課題と今後の展望

612　半導体ウエハー・基板コンテキストにおける石英製品・セラミック部品の原産地リスク

  • 612.1　石英・セラミック部品の位置づけ
  • 612.2　原産地リスクの基本構造
  • 612.3　地政学・輸出管理による原産地リスク
  • 612.4　人権・ESG起点の原産地リスク
  • 612.5　気候変動・自然災害による供給不安定化
  • 612.6　市場構造と供給集中の実態
  • 612.7　需要急増とキャパシティ制約
  • 612.8　代替材料・技術進化と原産地リスクの変容
  • 612.9　トレーサビリティとサプライチェーン可視化の動き
  • 612.10　各地域の政策動向とリロケーション
  • 612.11　企業レベルのリスクマネジメントの方向性

613　グラファイト・SiCサセプタ調達のリスクと最新動向

  • 613.1　グラファイト・SiCサセプタの機能的位置づけ
  • 613.2　主な用途別ニーズと技術要件
  • 613.3　市場規模と成長ドライバー
  • 613.4　サプライチェーン構造と主要プレーヤー
  • 613.5　原料グラファイトの原産地リスク
  • 613.6　グラファイト輸出規制と地政学的影響
  • 613.7　SiCコーティング技術と製造拠点の集中
  • 613.8　需要サイドの構造変化：SiC・GaN時代
  • 613.9　調達リスク：原産地・技術・サイクル性
  • 613.10　各国産業政策とサプライチェーン再編
  • 613.11　企業レベルの調達戦略・リスク低減策

614　マスクブランク（EUV/DUV）アクセス制約の概要と最新動向

  • 614.1　マスクブランクの技術的役割
  • 614.2　サプライチェーン構造と供給集中
  • 614.3　需要拡大とキャパシティ制約
  • 614.4　米国主導の輸出規制とアクセス制約
  • 614.5　マスクブランクそのものへのアクセス制約
  • 614.6　供給集中リスクと品質ボトルネック
  • 614.7　中国・新興国のキャッチアップとローカル化の試み
  • 614.8　需要サイドの調達戦略とアクセス確保
  • 614.9　国家間提携とサプライチェーン再構築
  • 614.10　リスクマネジメントの論点整理

615　リードフレーム・モールドコンパウンド関税の概要と最新動向

  • 615.1　パッケージ材料としての位置づけ
  • 615.2　主要な貿易フローと生産拠点
  • 615.3　米国の対中追加関税と半導体関連品目
  • 615.4　新政権下での対中関税環境
  • 615.5　中国側の対抗関税と包材への影響
  • 615.6　その他地域の関税・貿易措置
  • 615.7　モールドコンパウンド市場とコスト構造への影響
  • 615.8　サプライチェーン再編と「チャイナ＋1」戦略
  • 615.9　企業の関税リスクマネジメントの方向性

616　ワイヤボンディング用貴金属（Au、Cu、Pd）の調達リスクと最新動向

  • 616.1　ワイヤボンディング用貴金属の位置づけ
  • 616.2　材料別特性と用途分化
  • 616.3　PdコートCuワイヤ市場と成長見通し
  • 616.4　信頼性・技術課題と材料選択
  • 616.5　貴金属価格変動とサプライチェーンリスク
  • 616.6　原産地と鉱山・精錬の集中
  • 616.7　環境規制・ESGとリサイクルの進展
  • 616.8　需要構造の変化：先端パッケージとオルタナティブ
  • 616.9　企業の調達戦略とリスクマネジメント

617　SOI・SiGe特殊ウエハーのライセンスと関税

  • 617.1　1. SOI・SiGe特殊ウエハーの位置づけ
  • 617.2　2. 供給網と主要プレーヤー
  • 617.3　3. 地政学とサプライチェーン再編
  • 617.4　4. 米国の追加関税と其の波及
  • 617.5　5. SOI・SiGeとHSコード・税率の論点
  • 617.6　6. 輸出管理とライセンス制度
  • 617.7　7. カナダ・EU・アジア諸国の管理枠組み
  • 617.8　8. 技術ライセンスと知財保護
  • 617.9　9. 中国の国産化と輸入代替の進展
  • 617.10　10. 需要サイド：5G・RF・車載の拡大
  • 617.11　11. コスト構造と関税感度
  • 617.12　12. 企業の調達・ライセンス戦略
  • 617.13　13. 政策枠組みの今後の方向性
  • 617.14　14. 企業が留意すべきポイントの整理

618　サファイア・SiCウエハーの地政学的リスク

  • 618.1　サファイア・SiCウエハーの戦略的重要性
  • 618.2　供給集中と地域別構造
  • 618.3　中国台頭と供給支配リスク
  • 618.4　サファイアウエハーの地域偏在
  • 618.5　米中対立と輸出規制
  • 618.6　輸送・物流の地政学リスク
  • 618.7　デカップリングと二重エコシステム
  • 618.8　需要拡大と供給ひっ迫リスク
  • 618.9　新興国シフトとリスク分散
  • 618.10　政府投資・補助金と戦略在庫
  • 618.11　企業のリスクマネジメント戦略

619　GaNエピウエハー輸出管理

  • 619.1　GaNエピウエハーの戦略的重要性
  • 619.2　日本におけるGaN材料の輸出管理枠組み
  • 619.3　米国EAR・CCLにおけるGaN関連規制
  • 619.4　中国によるガリウム輸出規制とその波及
  • 619.5　ガリウム制約がGaNエピウエハーに与える影響
  • 619.6　中国側の輸出管理と対抗措置の可能性
  • 619.7　日本・アジア企業への影響と対応
  • 619.8　同盟国・地域別管理リストの動向
  • 619.9　軍事・宇宙用途を巡る管理強化
  • 619.10　企業が直面するコンプライアンス課題
  • 619.11　サプライチェーン戦略と今後の展望

620　ガラスコア基板開発パートナー

  • 620.1　ガラスコア基板の位置づけ
  • 620.2　インテルを中心としたエコシステム
  • 620.3　日本ガラスメーカーとプリンティング企業の役割
  • 620.4　欧州装置ベンダーとサプライチェーン連携
  • 620.5　ガラスコア基板の開発パートナー類型
  • 620.6　地域別パートナーシップの動向
  • 620.7　韓国・台湾・その他アジアの取り組み
  • 620.8　技術課題とパートナー協業テーマ
  • 620.9　市場規模とビジネスモデル
  • 620.10　ガラスコア基板開発パートナーを検討する際の視点

621　ABF樹脂の生産能力と地域分散

  • 621.1　ABF樹脂の役割と市場概観
  • 621.2　供給構造と主要サプライヤー
  • 621.3　味の素による能力増強計画
  • 621.4　地域別生産と消費の分布
  • 621.5　供給制約と増産の背景
  • 621.6　キャパシティ拡張の具体的動き
  • 621.7　ABF樹脂の地域分散の進展
  • 621.8　市場リスクと地域分散の必要性
  • 621.9　技術進化と能力利用率への影響
  • 621.10　政策・補助金と地域戦略

622　銅箔とRDL材料の調達

  • 622.1　銅箔・RDL材料の役割と市場概観
  • 622.2　パッケージ基板向け銅箔の供給構造
  • 622.3　銅箔需要の拡大要因と技術要求
  • 622.4　地域別供給とサプライチェーン
  • 622.5　供給リスクと価格動向
  • 622.6　RDL材料市場と主流材料
  • 622.7　RDL用途における銅と絶縁材料の要件
  • 622.8　RDL材料の地域分布と需要ドライバー
  • 622.9　メッキケミカル・フォト材料との連携
  • 622.10　調達戦略とリスクマネジメント
  • 622.11　今後の展望

623　フォトレジスト基材化学品の原産地

  • 623.1　フォトレジストと基材化学品の概要
  • 623.2　日本の支配的ポジション
  • 623.3　韓国・台湾・米国・欧州の役割
  • 623.4　中国の国産化と原料内製化の動き
  • 623.5　原産地の地理的集中とサプライチェーンリスク
  • 623.6　輸出管理と原産地の政治的意味
  • 623.7　地域別の原産地分布と輸出入構造
  • 623.8　サプライチェーン多様化と拠点分散の動向
  • 623.9　企業に求められる原産地管理と調達戦略

624　CMPパッド/スラリー供給業者の冗長性

  • 624.1　CMP消耗品市場の規模と構造
  • 624.2　スラリー供給業者の集中度と冗長性
  • 624.3　CMPパッド市場のプレーヤー構成
  • 624.4　材料タイプ別の依存関係
  • 624.5　供給集中がもたらすリスク
  • 624.6　冗長性確保に向けたファブ側の取り組み
  • 624.7　サプライヤー側の地域分散と投資動向
  • 624.8　先端材料分野での新規参入と協業
  • 624.9　企業が取るべき冗長化戦略のポイント

625　300mmウエハー供給集中と長期供給契約（LTA）

  • 625.1　300mmウエハー市場構造と地域集中
  • 625.2　供給逼迫と価格上昇の背景
  • 625.3　LTAの仕組みと役割
  • 625.4　新規300mm能力投資とLTA連動
  • 625.5　需要トレンド：AI・HPC・300mmリクレーム
  • 625.6　LTAを巡る課題とサプライチェーン戦略
  • 625.7　政策・地政学と300mm供給集中
  • 625.8　ファウンドリ・IDM側のリスクマネジメント

【　材料：ガス・化学品　】

626　ヘリウム供給量と割当の現状と半導体産業への影響

  • 626.1　ヘリウムの用途と半導体依存度
  • 626.2　世界のヘリウム供給構造
  • 626.3　需給バランスと「ヘリウム不足」の再発
  • 626.4　半導体向け割当と地域別影響
  • 626.5　半導体需要拡大と供給制約の将来像
  • 626.6　回収・リサイクル技術と需要サイド対策
  • 626.7　産地・物流リスクと地政学要因
  • 626.8　半導体企業の調達・割当マネジメント

627　シリンダー返却物流と関税の構造

  • 627.1　半導体用ガスシリンダーの位置づけ
  • 627.2　国際物流におけるシリンダーの扱い
  • 627.3　関税・消費税と再利用容器の扱い
  • 627.4　実務上の申告スキームとリスク
  • 627.5　シリンダー返却遅延とサプライチェーンへの影響
  • 627.6　デジタル化・トレーサビリティと返却管理
  • 627.7　シリンダー返却と環境・サステナビリティ
  • 627.8　企業レベルの実務的対応策

628　バルクガスファームの冗長性と安全性

  • 628.1　バルクガスファームの役割と設計原則
  • 628.2　冗長性アーキテクチャ：N+1から多層バックアップまで
  • 628.3　安全性：規格・ガイドラインと監視システム
  • 628.4　オンサイト生成 vs 液体配送：冗長性と安全性のトレードオフ
  • 628.5　危険ガスのバルク供給と追加安全対策
  • 628.6　監視・制御・再起動プロセス
  • 628.7　サプライヤーとの協調とBCP
  • 628.8　今後の動向と設計上の論点

629　有害ガスの輸入許可と半導体産業

  • 629.1　半導体で扱う有害ガスの特徴
  • 629.2　日本における有害ガス輸入手続きの枠組み
  • 629.3　安全保障・大量破壊兵器拡散防止との関係
  • 629.4　他地域の規制動向と輸入許可制度
  • 629.5　企業にとってのコンプライアンス課題
  • 629.6　半導体企業の実務対応と最新動向

630　サプライヤー現地充填プラント提携の戦略的重要性

  • 630.1　現地充填プラント提携の位置づけ
  • 630.2　グローバルガス企業によるローカル生産拠点の拡大
  • 630.3　現地充填・混合能力がもたらす供給レジリエンス
  • 630.4　ファブ近接型プラントと共同投資モデル
  • 630.5　新興市場でのローカルパートナー戦略
  • 630.6　グリーンガス・水素ビジネスとの連携
  • 630.7　需要家側から見た提携のメリットと留意点
  • 630.8　今後の展望と政策的インプリケーション

631　電子溶剤・現像液の調達先マッピング

  • 631.1　電子溶剤・現像液の役割と市場規模
  • 631.2　主要溶剤（NMP・PGMEA）サプライチェーン
  • 631.3　電子溶剤の地域別調達マッピング
  • 631.4　TMAH現像液のサプライチェーンと地域集積
  • 631.5　サプライチェーンマッピングの視点：溶剤と現像液
  • 631.6　地域別調達マッピングの要点
  • 631.7　リスクと最新動向：国産化・多元調達・環境規制
  • 631.8　調達先マッピングに基づく実務的示唆

632　アンモニア・水素の現地生成 vs 輸入

  • 632.1　半導体産業における水素・アンモニアの役割
  • 632.2　水素供給オプションの基本構造
  • 632.3　現地水素生成のメリット・デメリット
  • 632.4　水素コスト比較：SMR vs 電解
  • 632.5　半導体ファブにおける水素現地生成の実務的評価
  • 632.6　アンモニアのサプライチェーンと役割
  • 632.7　アンモニア・水素の輸入拡大と国際連携
  • 632.8　現地生成 vs 輸入の比較視点
  • 632.9　半導体向け具体的導入トレンド
  • 632.10　サプライチェーン設計と政策インプリケーション
  • 632.11　企業レベルの戦略オプション

633　シラン・TEOS・WF6のライセンスと輸送

  • 633.1　シラン・TEOS・WF6の役割と市場動向
  • 633.2　危険物性と安全規制の前提
  • 633.3　国際輸送における規制枠組み
  • 633.4　輸出管理・デュアルユース規制の適用
  • 633.5　日本・米欧の輸出ライセンス要件
  • 633.6　中国・ロシア向け供給に対する新たな制約
  • 633.7　物流面の制約：ボンベ・ISOコンテナ・サプライチェーン
  • 633.8　需要増加と供給集中リスク
  • 633.9　ファブ側の輸送・ライセンス対応戦略
  • 633.10　国家間提携・政策との関係

634　HF・HCl・H2SO4の化学物質原産地リスク

  • 634.1　半導体プロセスにおける3酸の役割
  • 634.2　HFの原産地集中と日韓輸出規制の教訓
  • 634.3　韓国・中国でのHF国産化とサプライチェーン再編
  • 634.4　H₂SO₄の高純度化と地域集積
  • 634.5　HCl・副生ルートと原料リスク
  • 634.6　地政学・輸出管理と原産地リスク
  • 634.7　環境規制・PFAS規制との相互作用
  • 634.8　サプライチェーン多元化とローカル生産の動き
  • 634.9　企業レベルの原産地リスクマネジメント

635　フォトレジストポリマー及び感光剤の輸出制限とサプライチェーン

  • 635.1　フォトレジストの戦略的重要性
  • 635.2　2019年の日韓輸出管理とEUVレジスト
  • 635.3　2023年の日韓関係改善と制限解除
  • 635.4　対中輸出規制とEUV/高性能レジスト
  • 635.5　グローバル市場とサプライチェーン集中
  • 635.6　米中対立と輸出規制の拡張シナリオ
  • 635.7　関税・通商措置とフォトレジスト
  • 635.8　中国の国産化と規制回避の試み
  • 635.9　企業レベルのリスクマネジメントと調達戦略

636　パーフルオロ化ガス（CF4、C2F6）規制の変遷と半導体産業への影響

  • 636.1　CF4・C2F6の特性と半導体での用途
  • 636.2　京都議定書とPFC規制の国際枠組み
  • 636.3　業界自主取り組みと排出インベントリ問題
  • 636.4　PFAS文脈での再定義と規制強化
  • 636.5　EU F-Gas規制とPFCの位置づけ
  • 636.6　米国・アジアにおける政策動向
  • 636.7　技術的対応：代替ガス・プロセス最適化・アバート装置
  • 636.8　排出起源の特定と測定・報告の高度化
  • 636.9　今後の規制シナリオと半導体企業への示唆

637　温室効果ガス削減技術調達の現状と論点

  • 637.1　半導体産業における排出構造
  • 637.2　排ガスアバート装置市場と調達のポイント
  • 637.3　大規模RCS vs POUアバートの調達戦略
  • 637.4　PFAS・PFC削減技術の技術動向
  • 637.5　調達プロセスへのGHG削減の組み込み
  • 637.6　グリーンファブ設計とエネルギー起源排出削減
  • 637.7　先進的な削減ソリューションと新規技術
  • 637.8　政策・産業政策と技術調達の連動
  • 637.9　企業にとっての実務的示唆

638　特殊ドーパントガス（B2H6、PH3、AsH3）の流通経路とリスク

  • 638.1　ドーパントガスの機能と市場規模
  • 638.2　供給サイド：製造企業と地域分布
  • 638.3　一般的な流通経路とサプライチェーン構造
  • 638.4　規制とライセンス：毒性・デュアルユース管理
  • 638.5　地域別の流通拠点とクラスター
  • 638.6　需要側：シリコンロジック・メモリとIII-Vデバイス
  • 638.7　安全・環境面の懸念と対応
  • 638.8　地政学・輸出管理リスクと流通経路への影響
  • 638.9　今後のトレンドと調達上の示唆

639　超高純度仕様の調和とサプライチェーンへの波及

  • 639.1　超高純度要求の背景と課題
  • 639.2　UHPガス仕様と分析技術の標準化
  • 639.3　ITRS/SEMIによる純度仕様調和の動き
  • 639.4　「Pure than pure」アプローチと上流産業への影響
  • 639.5　UHP設備・センサーのグローバル調和
  • 639.6　仕様調和がサプライチェーンに与える影響
  • 639.7　地域間・企業間でのギャップと今後の調和動向

640　高純度ネオン・クリプトン・キセノン調達（ウクライナ）のリスクと再編動向

  • 640.1　希ガスと半導体製造の関係
  • 640.2　ウクライナの希ガス供給ポジション
  • 640.3　生産プロセスと構造的ボトルネック
  • 640.4　ロシア侵攻による供給ショック
  • 640.5　代替調達と地理的分散の進展
  • 640.6　価格動向と市場再均衡
  • 640.7　ウクライナ生産回復の見通しと制約
  • 640.8　半導体企業のリスクマネジメントと調達戦略
  • 640.9　国家間提携と戦略物資としての位置づけ
  • 640.10　まとめとしてのリスク構造

【　装置：リソグラフィー・パターニング　】

641　DUVの深い/狭い緩和ウィンドウの意味と最先端動向

  • 641.1　プロセスウィンドウと「深い/狭い」概念
  • 641.2　ArF液浸・多重パターニングでのウィンドウ縮小
  • 641.3　材料・プロセス側からのウィンドウ拡大策
  • 641.4　設備・演算リソグラフィーによる「深い」運転
  • 641.5　中国・SMICによるDUV拡張と極端な狭窄ウィンドウ
  • 641.6　経済性とEUV移行の判断
  • 641.7　企業にとっての実務的示唆

642　遠隔診断主権制約の概要と最新動向

  • 642.1　遠隔診断と「主権」リスクの位置づけ
  • 642.2　ASMLリモート無効化機能を巡る議論
  • 642.3　データ主権・産業データ越境規制の拡大
  • 642.4　半導体・クラウド主権政策と遠隔診断の制約
  • 642.5　遠隔診断主権制約への実務的対応

643　中古リソグラフィー装置二次市場規制の概要と最新動向

  • 643.1　中古装置二次市場の拡大と政策的注目
  • 643.2　米国輸出管理：中古装置にも適用される包括的ルール
  • 643.3　「中古DUV活用」に対する締め付けとグレーマーケット
  • 643.4　二次市場規制の具体的メカニズムとコンプライアンス要求
  • 643.5　企業・市場参加者への実務的示唆

644　マルチベンダー認定パターニングライン

  • 644.1　コンセプトと背景
  • 644.2　imecにおけるマルチパートナー・パターニングエコシステム
  • 644.3　ベンダー各社のマルチベンダー志向ソリューション
  • 644.4　サプライチェーンレジリエンスとマルチベンダーライン
  • 644.5　実務的な設計・認定のポイント

645　規制下における契約稼働率保証

  • 645.1　輸出規制とサービス制限が稼働率保証に与える前提
  • 645.2　ASML事例：サービス制限圧力と契約への波及
  • 645.3　契約稼働率保証条項の再設計トレンド
  • 645.4　ファブ側のリスク分散と補完策
  • 645.5　規制環境下での「現実的な」稼働率保証水準

646　サービスデポの地域化

  • 646.1　地域化の目的とサプライチェーン上の位置づけ
  • 646.2　ASMLの地域修理拠点拡張：北京・韓国など
  • 646.3　地政学・ローカルコンテンツ政策との相互作用
  • 646.4　レジリエンス・環境・コストの観点からの評価
  • 646.5　ファブと装置メーカーにとっての実務的含意

647　装置ベンダーとのフォトレジスト共同認定

  • 647.1　共同認定の目的と基本構造
  • 647.2　ArF世代における装置ベンダーとの協業事例
  • 647.3　EUV・High-NA EUVにおける共同認定エコシステム
  • 647.4　レジストメーカー側の共同認定戦略
  • 647.5　ドライレジスト・新方式における共同開発
  • 647.6　戦略的パートナーシップの市場的意味
  • 647.7　企業にとっての実務的インプリケーション

648　ペリクル・レチクルポッド供給ルートの構造と最新動向

  • 648.1　ペリクル・レチクルポッドの機能と市場規模
  • 648.2　EUVペリクル供給チェーン：ASMLと三井化学・信越化学
  • 648.3　ペリクル市場の地理分布とキーサプライヤー
  • 648.4　レチクルポッド・マスクボックスのサプライチェーン
  • 648.5　供給ルート：日本・台湾・韓国から世界ファブへ
  • 648.6　容量制約とサプライチェーンリスク
  • 648.7　政策・地政学と供給網再構築
  • 648.8　レチクルポッド・ペリクル調達の実務的ポイント

649　計測オーバーレイ装置アクセスの現状と課題

  • 649.1　オーバーレイ計測装置の役割と市場構造
  • 649.2　技術的進化：イメージングベースとオンデバイスオーバーレイ
  • 649.3　地政学・輸出規制による装置アクセス制約
  • 649.4　アクセス格差：先端ノードと成熟ノード
  • 649.5　先端メトロロジー需要とアクセス戦略
  • 649.6　企業にとっての実務的示唆

650　マスクライター及び検査装置移転の現状と構造

  • 650.1　マスクライター市場とサプライヤー集中
  • 650.2　フォトマスク検査装置とLasertecの独占的地位
  • 650.3　輸出規制とマスク装置の移転制約
  • 650.4　地域間移転：中古装置・世代落ち資産の再配置
  • 650.5　EUV関連検査装置の輸出遅延とサプライチェーンへの影響
  • 650.6　日本のマスク装置サプライチェーンと地域戦略
  • 650.7　企業にとっての装置移転・調達戦略上のポイント

651　新規地域におけるクリーンルームクラス要件

  • 651.1　半導体クリーンルーム標準の基本枠組み
  • 651.2　EUV・先端ノードのリソグラフィーゾーン要件
  • 651.3　新規地域（米欧・インド・中東など）でのクリーンルーム要件
  • 651.4　インド・中東など新興市場での動向
  • 651.5　技術・運用要件：新規地域における設計ポイント
  • 651.6　サプライチェーン・政策面から見たクリーンルームクラス要件

652　フィールドサービスエンジニア移動制限の構造と影響

  • 652.1　フィールドサービスエンジニアと供給網の関係
  • 652.2　米国輸出管理における「米国人規制」とサービス制限
  • 652.3　ASML・リソグラフィーベンダーへのサービス制限圧力
  • 652.4　FSE移動制限の類型：法規制・ビザ・企業ポリシー
  • 652.5　企業側の対応：リモートサービス・現地化・人材ポートフォリオ
  • 652.6　サプライチェーン・ファブ運営へのインプリケーション

653　スペアパーツ輸出承認及びリードタイム

  • 653.1　スペアパーツ輸出承認の基本枠組み
  • 653.2　ASML事例：対中サービスとスペアパーツへのライセンス義務
  • 653.3　グローバルなスペアパーツ市場とリードタイム動向
  • 653.4　輸出承認とリードタイムが与える装置稼働への影響
  • 653.5　ファブ側の調達・在庫・ロジスティクス戦略
  • 653.6　政策・サプライチェーンレジリエンスの観点からの示唆

654　装置ソフトウェア更新輸出コンプライアンス

  • 654.1　装置ソフトウェア更新が輸出管理対象となる理由
  • 654.2　2023–2024年の新ルール：ソフトウェアツールとソフトウェアキー
  • 654.3　リソグラフィー装置ソフトウェアとリモート機能のコンプライアンス論点
  • 654.4　実務上のコンプライアンス対応：分類・許可・ログ管理
  • 654.5　企業・ファブ側のリスク管理と今後の方向性

655　EUV装置輸出ライセンス及びサービスサポート

  • 655.1　EUV装置輸出規制の基本構図
  • 655.2　オランダ輸出管理：ライセンス制度とDUVまでの拡張
  • 655.3　米国輸出管理：FDPRとサービス・技術サポート規制
  • 655.4　日蘭米協調と日本装置メーカーへの波及
  • 655.5　EUV装置のサービスサポート制限
  • 655.6　中国側の対応と迂回戦略
  • 655.7　サービスサポートと人材・ソフトウェアの規制
  • 655.8　ライセンス運用とケースバイケース審査
  • 655.9　企業にとっての調達・保守戦略上の示唆

【　装置：成膜、エッチング、イオン注入、洗浄、アニール　】

656　ドライエッチング装置の移転とレシピIP

  • 656.1　ドライエッチング装置とレシピIPの位置づけ
  • 656.2　輸出管理・技術移転規制とドライエッチング
  • 656.3　レシピIPの保護形態と契約実務
  • 656.4　装置移転（二次市場・拠点移設）とレシピの扱い
  • 656.5　先端ノード・EUV連携における最新動向
  • 656.6　実務的示唆：移転スキーム設計とコンプライアンス

657　静電チャック再構築の輸出制限

  • 657.1　静電チャックと再構築サービスの位置づけ
  • 657.2　米国輸出規制におけるESC関連の位置づけ
  • 657.3　ESC再構築・部品輸出への影響
  • 657.4　日本・オランダの装置規制とESCの扱い
  • 657.5　ESC再構築サービス市場と地域分散
  • 657.6　企業が取るべきコンプライアンス・調達戦略

658　RFジェネレーター/マッチネットワークの調達

  • 658.1　RF電源とマッチの役割・要求仕様
  • 658.2　主要サプライヤーと市場規模
  • 658.3　技術トレンド：高機能RF電源と統合化
  • 658.4　調達・サプライチェーンの変化
  • 658.5　輸出規制と調達リスク
  • 658.6　ファブ視点の調達・標準化戦略

659　エンドポイント検出センサーの輸出可能性

  • 659.1　エンドポイント検出センサーの機能と市場
  • 659.2　技術トレンドと先端ノードへの適用
  • 659.3　米国輸出規制における位置づけと影響
  • 659.4　日本・EUの管理枠組みと輸出可能性
  • 659.5　実務上の輸出可能性と留意点

660　装置移転の許可と通関

  • 660.1　装置移転の基本構造とリスク認識
  • 660.2　米国規制：中古装置の輸出・再輸出
  • 660.3　日本規制と再輸出の扱い
  • 660.4　通関・許可プロセスの実務的ポイント
  • 660.5　サプライチェーン・政策動向と今後の方向性

661　二重調達された重要スペアキット

  • 661.1　重要スペアキットと二重調達の意義
  • 661.2　二重調達戦略の設計：どのスペアを対象にするか
  • 661.3　OEMスペアとサードパーティ／リファービッシュの組み合わせ
  • 661.4　二重調達と輸出規制・通商政策の交差
  • 661.5　実務としての二重調達スペアキット設計

662　イオン注入装置ビームラインスペア部品調達ルート

  • 662.1　ビームラインスペア部品の位置づけと需要動向
  • 662.2　主要OEMによるグローバルサービスネットワーク
  • 662.3　輸出規制とビームライン部品調達ルートへの影響
  • 662.4　ビームラインスペア調達ルートの地域化・多元化
  • 662.5　ファブ視点からの調達・在庫戦略

663　急速熱処理装置のサポート

  • 663.1　RTP装置の役割とサポート対象
  • 663.2　OEMとサードパーティによるサポート体制
  • 663.3　スペア部品・リファービッシュを軸としたサポートの最新動向
  • 663.4　輸出管理とグローバルサポートへの制約
  • 663.5　ファブ側から見たRTPサポート戦略

664　ウェットベンチ材料輸入制約

  • 664.1　ウェットベンチ材料の重要性と市場構造
  • 664.2　日本・韓国間輸出規制と代替調達ルート
  • 664.3　中国・米国・日本を巡る材料規制と自給化
  • 664.4　環境・安全規制による輸入制約とコスト増
  • 664.5　供給網レジリエンスと水資源制約の複合リスク
  • 664.6　ファブ・サプライヤーに求められる対応方針

665　炉管/石英部品の原産地管理

  • 665.1　高純度石英部品の重要性と供給集中
  • 665.2　HPQを巡る戦略物資化と原産地トレーサビリティ
  • 665.3　中国・欧米間の輸出規制とHPQ供給の地政学リスク
  • 665.4　原産地管理の実務：サプライチェーンデータとトレーサビリティ
  • 665.5　レジリエンス視点からの炉管/石英部品調達戦略

666　チャンバーコーティングの知的財産権とライセンス範囲

  • 666.1　チャンバーコーティングIPの対象範囲
  • 666.2　半導体装置におけるコーティング関連特許と紛争
  • 666.3　ライセンス範囲：装置購入・プロセスキット・アフターマーケット
  • 666.4　知財保護の形態：特許・営業秘密・契約
  • 666.5　企業・ファブが意識すべきライセンス実務上の論点

667　サブファブ真空ポンプサービスの現地化

  • 667.1　サブファブと真空ポンプサービスの役割
  • 667.2　グローバルOEMによる地域サービス網の構築
  • 667.3　サービスの高度化：データ駆動・統合サブファブ管理
  • 667.4　現地化のドライバー：レジリエンス・環境・政策
  • 667.5　サブファブ真空サービス現地化の具体的な形態
  • 667.6　ファブ側から見た現地化戦略と留意点

668　ガスキャビネットとバルブマニホールドの関税

  • 668.1　ガスキャビネット／バルブマニホールドの品目分類
  • 668.2　米中関税（Section 301）とバルブ関連品目
  • 668.3　ガスキャビネットのHS分類と関税の幅
  • 668.4　アジア主要国のバルブ・ガスキャビネット関税動向
  • 668.5　ファブ・装置メーカーが取るべき関税最適化とリスク管理

669　スクラバーおよび排ガス処理装置の調達

  • 669.1　半導体ファブにおけるスクラバーの役割
  • 669.2　主要サプライヤーと市場構造
  • 669.3　技術トレンド：高効率除害とリサイクル
  • 669.4　調達戦略：グローバル調達から地域最適化へ
  • 669.5　環境規制・ESGと調達要件の高度化
  • 669.6　ファブ視点でのベンダー選定とリスク管理

670　ALD/CVD装置の輸出分類

  • 670.1　米国EARにおける分類枠組み
  • 670.2　SME IFR以降のALD/CVD装置に対する強化
  • 670.3　日本の輸出管理におけるALD/CVD装置の指定
  • 670.4　韓国・その他同盟国の解釈とアジア拠点への影響
  • 670.5　実務上の分類・コンプライアンスのポイント

【　試験・計測機器　】

671　半導体サプライチェーン再編と故障解析ラボ機器移動の全体像

  • 671.1　サプライチェーン地政学と政策動向
  • 671.2　故障解析ラボの役割変化
  • 671.3　故障解析ラボ機器移動の主要ドライバー
  • 671.4　試験・計測機器市場の拡大と構造変化
  • 671.5　代表的な故障解析・試験計測機器の動向
  • 671.6　ラボ機器移動とファブ連携の深化
  • 671.7　機器移動に伴う技術的・運用上の課題
  • 671.8　データ連携とクラウド時代のラボ統合
  • 671.9　中古・リファービッシュ機器と新興国ラボ
  • 671.10　研究機関・大学ラボへの波及
  • 671.11　将来展望と戦略的示唆
  • 671.12　参考文献・情報源（最大5件）

672　信頼性試験室の調達と最新動向

  • 672.1　信頼性試験室の機能と装置構成
  • 672.2　自社内製ラボ構築の動き
  • 672.3　受託信頼性試験サービス市場の拡大
  • 672.4　OSAT・テストハウスとの一体調達
  • 672.5　地政学リスクと立地戦略
  • 672.6　調達時の技術・品質要件
  • 672.7　今後の展望と調達戦略

673　ESD管理装置の規格差異と最新動向

  • 673.1　主要ESD規格の枠組み
  • 673.2　ANSI/ESD S20.20と IEC 61340-5-1 の差異
  • 673.3　日本RCJS規格と国際規格の対応
  • 673.4　規格差異がESD管理装置調達に与える影響
  • 673.5　標準改定と今後の動向

674　計測機器のサイバーセキュリティ強化の概要と最新動向

  • 674.1　規制・ガイドラインの枠組み
  • 674.2　計測機器に特有のサイバーリスク
  • 674.3　ベンダー側のセキュリティ・バイ・デザイン強化
  • 674.4　ファブ運用側の強化施策
  • 674.5　まとめとしての方向性

675　国境を越えたソフトウェアキー/ライセンスサーバーの概要

  • 675.1　ソフトウェアキーとライセンスサーバーの役割
  • 675.2　米国輸出管理におけるソフトウェアキーの位置付け
  • 675.3　各国のデュアルユース規制とクラウド/ライセンスサーバー
  • 675.4　サプライチェーンとビジネスモデルへの影響
  • 675.5　企業実務での対応・ベストプラクティス
  • 675.6　今後の方向性

676　遠隔診断のホワイトリスト登録の概要

  • 676.1　半導体工場における遠隔診断の位置付け
  • 676.2　ホワイトリスト登録の基本コンセプト
  • 676.3　実装パターン：ゲートウェイ型と装置直結型
  • 676.4　日本OTセキュリティガイドラインが求める遠隔アクセス管理
  • 676.5　認証・権限管理と監査ログ
  • 676.6　サプライチェーンと国境を越えた遠隔診断
  • 676.7　今後の方向性

677　X線/CT・音響顕微鏡輸入許可の現状と動向

  • 677.1　X線/CT・音響顕微鏡の技術的特徴と半導体用途

①　非破壊故障解析技術としての位置付け

②　先端パッケージングと計測需要

  • 677.2　各国の輸出管理・輸入許可枠組み

①　日本における外為法・リスト規制

②　米欧・中国など主要国の動向

  • 677.3　輸入許可プロセスと実務上の論点

①　ライセンス申請とコンプライアンス

②　デュアルユース認定とリスク評価

  • 677.4　サプライチェーン再編と輸入許可リスク

①　友好国シフトと装置供給

②　中国市場・新興国市場との関係

  • 677.5　故障解析ラボ視点での輸入戦略

①　装置仕様と規制閾値の最適化

②　共同利用・国内製造によるリスク分散

  • 677.6　将来展望と政策・企業への示唆
  • 677.7　参考文献・情報源（最大5件）

678　プローブカード・ロードボード原産地リスクの全体像

  • 678.1　プローブカード・ロードボードの役割と市場構造

①　技術的役割と特性

②　サプライチェーンと地理的集中

  • 678.2　原産地リスクの主要要因

①　地政学・通商政策リスク

②　供給集中と技術依存

  • 678.3　原産地リスクの具体的なシナリオ

①　関税・輸出規制強化シナリオ

②　ロジスティクス・在庫リスク

  • 678.4　原産地リスクと品質・信頼性

①　材料・製造プロセスの違い

②　偽造品・トレーサビリティ問題

  • 678.5　リスク低減に向けた企業戦略

①　マルチソーシングと地域分散

②　設計標準化とデジタル移管

  • 678.6　政策・産業クラスターの対応方向

①　リショアリング・ニアショアリングとテストインフラ

②　規制・環境要件とサプライヤー選定

  • 678.7　企業実務への示唆

679　ATEプラットフォームファームウェア輸出規制の全体像

  • 679.1　ATEプラットフォームとファームウェアの役割

①　ATEプラットフォームの構成

②　ファームウェア・ソフトウェアの特性

  • 679.2　米国を中心とした輸出管理強化の流れ

①　半導体関連輸出規制とATEの位置付け

②　ソフトウェアキー・ファームウェアへの着目

  • 679.3　日本・欧州など他地域の動向

①　日本の安全保障輸出管理とテスト装置

②　欧州・オランダの動き

  • 679.4　ATEファームウェア輸出規制の実務的論点

①　対象範囲の解釈（貨物・ソフトウェア・技術）

②　デュアルユース性の評価

  • 679.5　企業側コンプライアンスとリスク管理

①　ATEベンダーの対応

②　ファブ・OSAT側の留意点

  • 679.6　将来展望と戦略的示唆

680　バーンインオーブン関税リスクの全体像

  • 680.1　バーンインオーブンと関連市場

①　技術的役割と用途

②　関連する周辺部材

  • 680.2　半導体業界全体における関税リスク

①　関税が業界最大の懸念事項へ

②　関税がコストと立地に与える影響

  • 680.3　バーンインオーブンに特有の関税リスク

①　HSコード・装置分類の問題

②　出荷ルートと最終用途の違い

  • 680.4　リスク低減のためのサプライチェーン戦略

①　調達・物流面の対策

②　立地・原産地戦略

  • 680.5　企業実務への示唆

681　インライン計測（CD-SEM、AFM）アクセスの全体像

  • 681.1　インラインCD-SEMの役割と技術トレンド
  • 681.2　インラインAFMの役割拡大
  • 681.3　供給網・国家間政策とメトロロジー装置アクセス
  • 681.4　インライン計測キャパシティとアクセス格差
  • 681.5　今後の戦略的示唆

682　校正サービス現地化の全体像

  • 682.1　半導体製造における校正の位置付け
  • 682.2　現地化を促すサプライチェーン・政策要因
  • 682.3　校正サービス現地化の具体的な形態
  • 682.4　オンサイト校正とモバイルラボ
  • 682.5　認定制度と国際相互承認
  • 682.6　半導体向け特化サービスの展開
  • 682.7　校正サービス現地化がもたらす効果と課題
  • 682.8　今後の展望と戦略的示唆

683　制限国境を越えたスペア部品プールの概要と最新動向

  • 683.1　スペア部品プールの役割と基本モデル
  • 683.2　輸出管理強化がスペア運用に与える影響
  • 683.3　制限国境を跨ぐスペア部品プールのリスク
  • 683.4　メーカー・ユーザー側の対応と新たなスキーム
  • 683.5　在庫戦略とサプライチェーン設計への示唆

684　データ完全性とデータ輸出ポリシーの全体像

  • 684.1　半導体製造におけるデータ完全性の概念
  • 684.2　試験・計測機器とデータ完全性管理
  • 684.3　データ輸出ポリシーと越境データ移転
  • 684.4　輸出管理とデータの扱い
  • 684.5　ガバナンス・標準化と今後の方向性

685　パラメトリックテスター輸出ライセンス

  • 685.1　パラメトリックテスターの位置づけと規制対象性
  • 685.2　米国における分類とライセンス要件
  • 685.3　日本の輸出管理枠組みとパラメトリックテスター
  • 685.4　中国向け輸出に関する最新動向
  • 685.5　ライセンス判断とコンプライアンス実務のポイント

【　パワー＆ワイドバンドギャップ（SiC/GaN）　】

686　GaN-on-Si/SiCエピタキシー輸出制約の全体像

  • 686.1　GaN-on-Si/SiCエピタキシーの戦略的重要性
  • 686.2　米国・Wassenaarにおける規制枠組み
  • 686.3　中国のガリウム輸出規制と相互制裁
  • 686.4　製造装置・MOCVDツールへの輸出制約
  • 686.5　デバイス・エピウェーハ輸出の制約と許可条件
  • 686.6　産業・政策側の対応と将来展望

687　エネルギー効率規制の整合性とWBGの位置づけ

  • 687.1　国際的な効率基準調和の流れ
  • 687.2　EV充電・データセンターなど新規分野での規制整合性
  • 687.3　WBGパワーデバイスが果たす役割
  • 687.4　規制整合性がサプライチェーンに与える影響
  • 687.5　企業・政策への示唆

688　GaN HEMT RFバリアント輸出の概要

  • 688.1　GaN HEMT RFデバイスの技術的背景
  • 688.2　Wassenaarアレンジメントと各国リストでの位置づけ
  • 688.3　米国・同盟国の運用と事例
  • 688.4　原材料・サプライチェーン規制との関係
  • 688.5　企業実務と今後の方向性

689　高電圧デバイス輸出分類の概要

  • 689.1　高電圧パワーデバイスの技術的範囲
  • 689.2　Wassenaarアレンジメントと高電圧デバイス
  • 689.3　米国EARにおける高電圧デバイス分類
  • 689.4　日本の外為法・技術管理ガイダンス
  • 689.5　高電圧デバイス輸出分類における実務上の論点
  • 689.6　企業への示唆

690　管轄区域横断的な自動車PPAPの概要

  • 690.1　SiC/GaNパワーデバイスと自動車PPAPの位置づけ
  • 690.2　IATF 16949:2024とEV向け要求の強化
  • 690.3　管轄区域横断PPAPの実務課題
  • 690.4　ワイドバンドギャップ特有のPPAP要求
  • 690.5　サプライチェーン再編とPPAPのクロスリージョン化
  • 690.6　企業事例と標準化の動き
  • 690.7　今後の方向性と戦略的示唆

691　SiC基板加工とスクラップ処理経路の全体像

  • 691.1　SiC基板加工プロセスの概要
  • 691.2　ウェーハ加工で発生するスクラップの種類
  • 691.3　スクラップリサイクルと材料循環
  • 691.4　ウェーハ・基板のリクレームと再利用
  • 691.5　環境影響低減と規制対応
  • 691.6　今後の動向とサプライチェーンへの示唆

692　WBG向けドーピング・イオン注入装置アクセスの概要

  • 692.1　WBGデバイスにおけるイオン注入の役割
  • 692.2　専用イオン注入装置の技術動向
  • 692.3　市場成長と地域別キャパシティ拡張
  • 692.4　地政学と輸出管理が与える影響
  • 692.5　中国・新興国におけるローカル装置開発
  • 692.6　プロセス最適化と計測インフラ
  • 692.7　企業・政策への示唆

693　熱管理材料関税の概要

  • 693.1　EV・半導体サプライチェーンにおける熱管理材料
  • 693.2　対中関税とグラファイト・熱材料への影響
  • 693.3　グローバル関税環境とサプライチェーン再編
  • 693.4　EV・電池政策との連動
  • 693.5　企業戦略への示唆

694　信頼性試験（HTGB/H3TRB）ラボ立地方針の概要

  • 694.1　HTGB/H3TRBの役割とWBG特有の要件
  • 694.2　規格動向と「AEC＋」「JEDEC＋」の潮流
  • 694.3　ラボ立地に影響する地政学・規制要因
  • 694.4　地域別ラボ戦略と拠点配置
  • 694.5　ラボ設計・設備調達のポイント
  • 694.6　今後の方向性とポリシー策定の示唆

695　パワーモジュール組立（焼結）の移転動向概要

  • 695.1　焼結パワーモジュール組立の技術的位置づけ
  • 695.2　市場成長と地域別パッケージング能力
  • 695.3　焼結プロセスと装置ベンダーのグローバル展開
  • 695.4　サプライチェーン再編と組立拠点移転の方向性
  • 695.5　中国とその他地域との比較
  • 695.6　企業・政策への示唆

696　EVサプライチェーン現地化インセンティブの概要

  • 696.1　米国：IRAとFEOC規制による北米サプライチェーン誘導
  • 696.2　欧州：関税・補助金・規制を組み合わせた域内化
  • 696.3　新興国：関税優遇と投資義務のパッケージ
  • 696.4　日本とSiC/GaNサプライチェーン強化
  • 696.5　企業戦略への示唆

697　SiCブール・ウェーハ供給多様化の全体像

  • 697.1　主要プレーヤーと市場構造
  • 697.2　地政学とサプライチェーンリスク
  • 697.3　長期供給契約と戦略提携
  • 697.4　粉末・ブール段階での多様化
  • 697.5　6インチから8インチへの移行と供給課題
  • 697.6　地域別の動向と日本のポジション
  • 697.7　企業・政策への示唆

【　メモリとストレージ　】

698　メモリノード増産向けプロセスガス/材料の概要

  • 698.1　3D NAND向けプロセスガスと材料ニーズ
  • 698.2　DRAMスケーリングと高アスペクト比構造用材料
  • 698.3　特殊ガスサプライチェーンとレジリエンス
  • 698.4　環境規制とガス・材料イノベーション
  • 698.5　今後の方向性と戦略的示唆

699　ストレージデバイス組立品への関税の概要

  • 699.1　基本的なHSコードと関税の仕組み
  • 699.2　米国の対中追加関税とストレージ製品
  • 699.3　原産地・組立拠点シフトとサプライチェーン再編
  • 699.4　関税がストレージ価格と調達戦略に与える影響
  • 699.5　今後の関税動向と企業への示唆

700　フィールド故障返品ロジスティクスの概要

  • 700.1　フィールド故障返品ロジスティクスの基本構造
  • 700.2　データセキュリティと高セキュリティRMA
  • 700.3　逆物流の最適化とサステナビリティ
  • 700.4　需要予測・在庫計画とRMAデータ活用
  • 700.5　グローバルRMAと越境ロジスティクスの課題

701　3D NAND積層装置へのアクセスの概要

  • 701.1　3D NAND積層プロセスと装置の役割
  • 701.2　主要装置メーカーと技術トレンド
  • 701.3　米国輸出規制と中国メーカーのアクセス制約
  • 701.4　多国籍企業の中国工場と装置アクセス
  • 701.5　3D NAND積層装置アクセスがサプライチェーンに与える示唆

702　メモリ工場向け歩留まり重要装置スペアの概要

  • 702.1　歩留まりに直結する装置とスペアの典型
  • 702.2　スペアパーツ管理とファブ可用性
  • 702.3　クリティカルスペア戦略と「スパアキッティング」
  • 702.4　地政学リスクとスペア供給網
  • 702.5　今後の方向性とメモリ工場への示唆

703　パーシステントメモリ輸出ステータスの概要

  • 703.1　現行技術と製品カテゴリ
  • 703.2　米国EARにおける位置づけと先端IC規制
  • 703.3　EU・その他地域でのデュアルユース扱い
  • 703.4　新興NVM（MRAM/ReRAMなど）の輸出ステータス
  • 703.5　実務上の輸出ステータス確認のポイント

704　ファウンドリ-IDM合弁事業コンプライアンス枠組みの概要

  • 704.1　JVコンプライアンスに影響する主な政策軸
  • 704.2　中国関連JVとリスク管理
  • 704.3　同盟国間JVにおけるコンプライアンス枠組み
  • 704.4　JVガバナンスとサプライチェーン規制への対応
  • 704.5　メモリ・ストレージ分野への示唆

705　市場変動下でのメモリ供給配分の概要

  • 705.1　需要ショックとメモリサイクルの変質
  • 705.2　メーカー側の供給配分ロジック
  • 705.3　コントラクト市場とスポット市場での配分
  • 705.4　地政学リスクと地域間配分
  • 705.5　需要家側の調達・配分戦略
  • 705.6　今後の供給配分の方向性

706　OEMファームウェア暗号化輸出制限の概要

  • 706.1　暗号化ファームウェアに適用される基本枠組み
  • 706.2　マスマーケット暗号とライセンス例外ENC
  • 706.3　OEMファームウェア暗号化に特有の論点
  • 706.4　各国・地域での暗号輸出制限との整合
  • 706.5　実務上のコンプライアンス対応と最新動向

707　地域別コントローラIPライセンスの概要

  • 707.1　コントローラIP市場と事業モデル
  • 707.2　地域別ライセンスとファウンドリ依存
  • 707.3　中国市場向けIPライセンスの特徴
  • 707.4　知財保護・競争法と地域別ロイヤルティ設定
  • 707.5　地政学・輸出管理を織り込んだIP戦略の方向性

708　ルーティング変更下での信頼性サンプリングの概要

  • 708.1　サプライチェーン再構築とルーティング変更の背景
  • 708.2　信頼性サンプリングの基本概念と役割
  • 708.3　ルーティング変更を考慮したサンプリング設計
  • 708.4　ベイズネットワークとAIを用いた動的サンプリング
  • 708.5　メモリ／ストレージ分野での具体的インプリケーション

709　DRAM/NAND技術移転規制の概要

  • 709.1　米国規制の枠組みと閾値
  • 709.2　韓国企業の中国工場と特例・猶予
  • 709.3　中国ローカルメーカーへの影響と対応
  • 709.4　技術移転規制がサプライチェーンに与える影響
  • 709.5　企業・政策への示唆

【　アナログ、ミックスドシグナル、RF　】

710　RFフロントエンドモジュール輸出管理の概要

  • 710.1　規制枠組みとRFフロントエンドの位置づけ
  • 710.2　米国EARにおける関連管理と中国関連強化
  • 710.3　5G・ミリ波RFFEと安全保障上の関心
  • 710.4　産業界のコンプライアンス実務と課題
  • 710.5　今後の動向と企業への示唆

711　精密コンバータの輸出規制の概要

  • 711.1　国際枠組み（ワッセナー・アレンジメント）と性能しきい値
  • 711.2　米国EAR（ECCN 3A001等）における精密コンバータ規制
  • 711.3　EU・カナダなど他地域リストとの整合
  • 711.4　日本の輸出管理とキャッチオール強化の方向性
  • 711.5　サプライチェーン・設計戦略への含意

712　RF向けITAR隣接スクリーニングの概要

  • 712.1　ITAR・EAR・600シリーズの位置づけ
  • 712.2　RFコンポーネントの分類と「隣接」領域
  • 712.3　隣接スクリーニングの実務プロセス
  • 712.4　グローバルサプライチェーンとニューラルなスクリーニング強化
  • 712.5　将来動向と技術的支援ツール

713　GaAs/GaN RFウェーハファウンドリアクセスの概要

  • 713.1　GaAs RFファウンドリ市場とアクセス構造
  • 713.2　RF GaNファウンドリとアプリケーション拡大
  • 713.3　サプライチェーン集中と地政学リスク
  • 713.4　企業・政府によるアクセス確保の動き
  • 713.5　設計企業のGaAs/GaNファウンドリアクセス戦略

714　複数地域における高信頼性パッケージングの概要

  • 714.1　高信頼性パッケージングの技術トレンド
  • 714.2　OSAT市場と地域分散の動き
  • 714.3　車載・産業向けのマルチサイト資格と品質要件
  • 714.4　地政学リスクと地域間役割分担
  • 714.5　複数地域で高信頼性パッケージングを実現する戦略

715　自動車/テスト規格の調和の概要

  • 715.1　AEC-Qファミリーと信頼性試験の共通化
  • 715.2　ISO 26262に基づく機能安全要求の統合
  • 715.3　EMC・RF試験規格の調和課題
  • 715.4　サプライチェーン・規制面から見た規格調和の意義
  • 715.5　今後の方向性とアナログ/RFデバイスへの影響

716　アナログASSPおよびディスクリート部品への関税の概要

  • 716.1　HSコード別の位置付けと基本税率
  • 716.2　米国の対中半導体・ディスクリート関税
  • 716.3　供給網と調達ルートへの影響
  • 716.4　アナログ/ディスクリート特有のリスクと機会
  • 716.5　企業の調達・価格戦略への含意

717　センサーMEMS向け供給継続性の概要

  • 717.1　需要構造と成長ドライバー
  • 717.2　200mmレガシーファブ依存と設備制約
  • 717.3　供給継続性を脅かすリスク要因
  • 717.4　ファウンドリ・IDM側の対応と再編
  • 717.5　需要家側の供給継続性確保戦略
  • 717.6　今後の方向性と政策・企業への示唆

718　RFフィルタ基板・セラミックスのルーティングの概要

  • 718.1　RFフィルタと基板・セラミックス技術
  • 718.2　サプライチェーン構造と地域集中
  • 718.3　レアアース・クリティカルマテリアルの輸出規制と影響
  • 718.4　LTCC・セラミックモジュールのルーティング最適化
  • 718.5　地政学リスク下でのルーティング戦略と今後の方向性

719　テストソケット・RFフィクスチャの調達の概要

  • 719.1　テストソケット・RFフィクスチャの役割と技術動向
  • 719.2　市場規模と供給網の特徴
  • 719.3　調達上の課題：リードタイム・コスト・材料
  • 719.4　RFテストソケット市場の最新動向
  • 719.5　調達戦略とエコシステムの構築
  • 719.6　ミリ波・車載時代のRFフィクスチャ調達への示唆

720　地域横断的な認定再利用の概要

  • 720.1　相互承認枠組みと電気電子機器分野の事例
  • 720.2　自動車・宇宙・産業分野における認定再利用の試み
  • 720.3　セキュリティ評価における認証再利用とIoTプラットフォーム
  • 720.4　サプライチェーン設計とローカライゼーションの両立
  • 720.5　今後の方向性と企業への示唆

721　レガシーノード アナログファブ耐障害性の概要

  • 721.1　レガシーノードアナログの需要構造と脆弱性
  • 721.2　200mmファブとレガシーノードのレジリエンス特性
  • 721.3　地域集中と中国レガシーチップ拠点のリスク
  • 721.4　政策レベルでの耐障害性強化策
  • 721.5　企業戦略としてのアナログファブ耐障害性

【　先進パッケージングとヘテロジニアス統合　】

722　3D積層用接着剤・アンダーフィルの現状と展望

  • 722.1　位置づけと基本機能
  • 722.2　先進パッケージングとヘテロジニアス統合における役割
  • 722.3　技術トレンド：ハイブリッドボンディングとマイクロギャップ充填
  • 722.4　信頼性要求と材料設計パラメータ
  • 722.5　市場規模と需要ドライバー
  • 722.6　サプライチェーン構造と主要プレーヤー
  • 722.7　地政学と国家間提携がもたらす影響
  • 722.8　CHIPS法・EU Chips Actと材料産業
  • 722.9　中国・東アジアの台頭とリスク分散
  • 722.10　日本の材料産業と戦略的位置付け
  • 722.11　サステナビリティと環境規制対応
  • 722.12　供給網リスクとレジリエンス戦略
  • 722.13　今後の研究開発テーマ
  • 722.14　ビジネス機会と戦略示唆
  • 722.15　参考情報源

723　越境歩留まり学習データ共有の現状と展望

  • 723.1　越境歩留まり学習の位置づけ
  • 723.2　歩留まり管理ソリューションとAI活用
  • 723.3　先進パッケージングにおけるデータ統合の特徴
  • 723.4　データ共有を阻む法規制・IP・プライバシー課題
  • 723.5　フェデレーテッドラーニングと分散AIのアプローチ
  • 723.6　サプライチェーンデータ連携と在庫・需給管理
  • 723.7　デジタルツインと越境学習の組み合わせ
  • 723.8　政策・国家間連携の文脈
  • 723.9　今後の方向性と実務上の検討ポイント

724　HBMアセンブリ輸出制約の現状と展望

  • 724.1　HBMと先進パッケージングの位置づけ
  • 724.2　米国輸出管理の枠組みとHBMの位置付け
  • 724.3　「先端HBM」と「旧世代HBM」の線引き
  • 724.4　HBMアセンブリと「同梱」規制の関係
  • 724.5　ライセンス例外「HBM」とアセンブリ制約
  • 724.6　韓国メーカーと中国拠点への影響
  • 724.7　中国側の対応と国産HBM開発
  • 724.8　ヘテロジニアス統合サプライチェーンへの波及
  • 724.9　調達ルートと再輸出管理の厳格化
  • 724.10　先進パッケージング拠点間の国家間協力
  • 724.11　HBMアセンブリ輸出制約がビジネスに与える影響
  • 724.12　企業の対応戦略と今後の展望
  • 724.13　参考情報源

725　チップレットインターフェースIPの管轄制限と最新動向

  • 725.1　チップレットインターフェースIPの概要
  • 725.2　UCIeを含む標準化動向とIPビジネス
  • 725.3　米国輸出管理とEDA・IPへの適用
  • 725.4　「管轄制限」とは何か
  • 725.5　AI・HPC用途チップレットIPへの着目
  • 725.6　オープン標準と管轄制限のジレンマ
  • 725.7　サプライチェーンと「アンカー」チップレット
  • 725.8　日本・韓国・台湾企業への影響
  • 725.9　中国における独自インターフェース／EDAの動き
  • 725.10　企業が取るべき対応と展望

726　マイクロバンプ・ハイブリッドボンディング装置アクセスの現状と展望

  • 726.1　技術概要と位置づけ
  • 726.2　装置市場と主要ベンダー
  • 726.3　技術要件と装置スペック
  • 726.4　供給網と装置アクセスの地政学
  • 726.5　中国企業の技術追随と国産化
  • 726.6　米国・同盟国の政策動向
  • 726.7　先進パッケージサプライチェーンへの波及
  • 726.8　アクセス制約がビジネスにもたらす影響
  • 726.9　今後の技術・政策シナリオ

727　パネルレベルパッケージング能力の分散と地政学的再配置

  • 727.1　パネルレベルパッケージングの概要
  • 727.2　市場成長と技術ドライバー
  • 727.3　地域別能力分布と分散の実態
  • 727.4　アジアにおける集中とリスク
  • 727.5　北米・欧州での能力拡張
  • 727.6　企業間・国家間提携と能力の分散
  • 727.7　技術フォーマットと標準化の進展
  • 727.8　コスト構造とサプライチェーンへの影響
  • 727.9　地政学リスクと今後のシナリオ
  • 727.10　まとめとしての戦略的含意

728　サーマルインターフェース材料調達の現状と課題

  • 728.1　サーマルインターフェース材料の役割
  • 728.2　市場規模と成長ドライバー
  • 728.3　技術トレンド：ハイブリッドTIMと高熱伝導化
  • 728.4　データセンターとAIサーバにおける要求
  • 728.5　地域別サプライチェーン構造
  • 728.6　貿易政策と調達リスク
  • 728.7　サプライヤー構造と競争環境
  • 728.8　調達戦略：マルチソーシングとローカル化
  • 728.9　先進パッケージングとの協調設計
  • 728.10　サステナビリティと規制対応
  • 728.11　今後の展望とビジネス機会

729　基板型PCBの現地化と供給網再編

  • 729.1　基板型PCBと先進パッケージングの関係
  • 729.2　グローバルPCB市場とSLP成長
  • 729.3　中国依存からの分散と関税要因
  • 729.4　現地化を促す米欧日の政策
  • 729.5　地域別基板型PCB現地化の動き
  • 729.6　SLPと先進パッケージ基板の融合
  • 729.7　地政学リスクと「地域化サプライチェーン」
  • 729.8　調達・設計面での含意

730　既知良品ダイ物流管理の現状と課題

  • 730.1　既知良品ダイ（KGD）の位置づけ
  • 730.2　マルチダイ設計と歩留まり構造
  • 730.3　KGDテストと物流フローの基本
  • 730.4　マルチベンダー環境での課題
  • 730.5　トレーサビリティとデジタルスレッド
  • 730.6　ロジスティクスと自動化技術
  • 730.7　試験戦略と既知良品概念の拡張
  • 730.8　サプライチェーンとビジネスモデルへの影響
  • 730.9　地政学と供給網再編の文脈
  • 730.10　今後の方向性と検討ポイント

731　ATPサイト間信頼性試験の等価性と課題

  • 731.1　ATPサイト間等価性の意味
  • 731.2　先進パッケージングに固有の信頼性要求
  • 731.3　マルチサイトテストと測定ばらつき
  • 731.4　サイト間信頼性評価の標準的アプローチ
  • 731.5　データ駆動型の相関・等価性検証
  • 731.6　ヘテロジニアス統合とシステムレベル信頼性
  • 731.7　認証制度と第三者評価
  • 731.8　サプライチェーン・政策面での含意

732　チップレットセットの関税分類の概要

  • 732.1　HS上の半導体・先進パッケージ位置づけ
  • 732.2　チップレットセットと「マルチコンポーネントIC」の関係
  • 732.3　関税率・追加関税への影響
  • 732.4　各国税関の判断と事前教示の必要性
  • 732.5　先進パッケージング企業・OEMにとっての実務ポイント

733　2.5Dインターポーザ供給と関税の概要

  • 733.1　2.5Dインターポーザ市場と供給構造
  • 733.2　ヘテロジニアス統合と2.5Dインターポーザの役割
  • 733.3　関税・貿易政策が与える影響
  • 733.4　2.5Dインターポーザ供給の地政学リスクと再配置
  • 733.5　企業に求められる調達・税務戦略

【　下流統合とOEM　】

734　医療機器規制が配線設計に与える影響

  • 734.1　規制フレームワークの全体像
  • 734.2　電気安全要求と配線レイアウト
  • 734.3　EMC／EMI規制とグラウンディング・シールド
  • 734.4　医療電源・接地構成が配線に与える影響
  • 734.5　規制駆動のサイバーセキュリティ要求と配線
  • 734.6　材料選定と環境・滅菌プロセスへの適合
  • 734.7　体系的リスクマネジメントと配線設計レビュー
  • 734.8　最新動向と今後の設計戦略

735　市場別構成管理の意義と最新動向

  • 735.1　市場別構成管理とは何か
  • 735.2　輸出管理・制裁対応としての市場別構成
  • 735.3　関税・貿易措置と価格構成の最適化
  • 735.4　各国製品規制・EPRへの対応
  • 735.5　AIサーバ・半導体製品の市場別構成事例
  • 735.6　市場別構成管理の実務ポイント

736　フィールドファームウェア更新と輸出規制の位置づけ

  • 736.1　ソフトウェア更新は「輸出」に該当するか
  • 736.2　アクセス情報とクラウド経由配信に関する新ルール
  • 736.3　高度計算・半導体関連ソフトウェアへの特別規制
  • 736.4　オープンソース暗号と更新時の誤解
  • 736.5　下流統合とOEMにおける実務的対応

737　5G/ORANにおける通信輸出管理オーバーレイの動向

  • 737.1　通信輸出管理オーバーレイの意味
  • 737.2　5Gと中国企業に対する制裁・規制
  • 737.3　標準化活動と輸出管理の緩和
  • 737.4　5Gサプライチェーンと地政学リスク
  • 737.5　ORANセキュリティと規制の交錯
  • 737.6　半導体規制とのオーバーレイと装置設計への影響
  • 737.7　OEMと通信事業者の調達・設計戦略
  • 737.8　今後の展望と実務上の留意点

738　防衛/デュアルユース用途スクリーニングの現状

  • 738.1　スクリーニングの目的と規制枠組み
  • 738.2　米国EARにおける軍事・デュアルユース管理
  • 738.3　EU・中国等のエンドユース/エンドユーザー規制
  • 738.4　デューデリジェンスと下流リスクの捉え方
  • 738.5　実務としてのスクリーニングプロセス
  • 738.6　サプライチェーン再編とデュアルユース強化の関係
  • 738.7　下流統合とOEMの観点からの実務的示唆

739　民生電子機器の関税転嫁とサプライチェーン

  • 739.1　関税転嫁の基本メカニズム
  • 739.2　民生電子機器価格への具体的影響
  • 739.3　サプライチェーンの再編と「友好国」シフト
  • 739.4　電子部品・半導体関税と下流への波及
  • 739.5　OEM・ブランド側の価格戦略と転嫁度合い
  • 739.6　下流統合とOEMにとっての実務的含意

740　クラウド/HPCサーバー部品表地域化の背景

  • 740.1　AIサーバー需要とBOM構造
  • 740.2　コンピュート・ソブリンティと地域分散
  • 740.3　輸出規制・関税とBOM地域化
  • 740.4　生産拠点の多極化とローカルBOM
  • 740.5　データローカライゼーション政策との連動
  • 740.6　OEM・クラウド事業者の部品表地域化戦略
  • 740.7　今後の展望

741　エネルギー・産業制御コンプライアンスの現状と動向

  • 741.1　規制強化の全体像
  • 741.2　NERC CIPを中心とした北米の枠組み
  • 741.3　EU NIS2指令と産業制御への適用
  • 741.4　サプライチェーンリスク管理と半導体
  • 741.5　クラウド活用とエネルギー規制の交差
  • 741.6　日本・アジアにおける産業制御ガイドライン
  • 741.7　OEM・半導体ベンダーにとっての実務的示唆

742　IoTデバイス原産地表示の正確性と規制動向

  • 742.1　原産地表示とIoTラベリングの交差
  • 742.2　米国における「Made in USA」基準とIoT
  • 742.3　友好国シフトと原産地ルールの複雑化
  • 742.4　IoTセキュリティラベル制度と「高リスク国」情報
  • 742.5　IoT標準・認証スキームと原産地情報
  • 742.6　OEM・下流統合の観点からの実務ポイント

743　アフターマーケットサービス部品の入手可能性と半導体サプライチェーン

  • 743.1　電子部品ライフサイクルと供給リスク
  • 743.2　オブソレス管理と在庫・延長生産プログラム
  • 743.3　自動車・産業分野におけるアフターマーケット部品の動向
  • 743.4　「修理する権利」とスペアパーツ供給義務
  • 743.5　グローバル半導体供給構造と今後の見通し
  • 743.6　下流統合とOEMの実務的示唆

744　RMA越境通関制約の概要とリスク

  • 744.1　RMAと越境通関の基本構造
  • 744.2　修理・返品品に対する関税免除スキーム
  • 744.3　実務上のボトルネックとよくある誤り
  • 744.4　輸出管理・制裁とRMAの交錯
  • 744.5　RMAネットワーク設計とローカルサービス化の潮流
  • 744.6　下流統合とOEMにおける実務対応

745　自動車分野における代替供給源認定の現状と課題

  • 745.1　チップ不足後のサプライ戦略の転換
  • 745.2　代替供給源認定のプロセスと規格
  • 745.3　デュアルソーシングとマルチティア視点
  • 745.4　代替ライン・代替ロケーション認定の事例
  • 745.5　チップ代替と設計レベルでの互換性確保
  • 745.6　在庫戦略と代替供給源の組み合わせ
  • 745.7　OEM・ティア1・半導体メーカーの役割分担

【　サステナビリティとコンプライアンス　】

746　水再利用と干ばつ対策

  • 746.1　半導体産業と水リスクの基本構造
  • 746.2　干ばつ事例と生産影響
  • 746.3　水再利用技術の位置付けとトレンド
  • 746.4　主要プレーヤーの水ステュワードシップ戦略
  • 746.5　供給網全体での水リスク評価とレジリエンス
  • 746.6　水マネジメントに関するESG・コンプライアンス枠組み
  • 746.7　国家間提携政策と水資源の位置付け
  • 746.8　技術面の詳細：超純水循環とZLD志向
  • 746.9　供給網・調達ルートと水再利用の関係
  • 746.10　水再利用とスコープ3・ESG評価
  • 746.11　地域社会・ステークホルダーとの関係
  • 746.12　今後の方向性と課題

747　炭素国境税と製品カーボンデータ

  • 747.1　炭素国境調整メカニズム（CBAM）の概要
  • 747.2　CBAMと半導体サプライチェーンへの波及
  • 747.3　CSRD・ESPR・デジタルプロダクトパスポートとの連関
  • 747.4　製品カーボンデータ（PCF）の定義と要求水準
  • 747.5　半導体製品PCFの算定上の特徴
  • 747.6　サプライチェーン・調達ルートへの影響
  • 747.7　データフレームワークとシステム要件
  • 747.8　戦略的含意：炭素国境税時代の競争力

748　調達におけるサプライヤーESGスコア統合

  • 748.1　ESGスコア統合の背景とドライバー
  • 748.2　外部ESGレーティングとプラットフォームの役割
  • 748.3　半導体企業におけるESGスコア活用事例
  • 748.4　調達プロセスへの統合パターン
  • 748.5　スコアの構成要素と重み付け
  • 748.6　課題：スコアの信頼性・比較可能性・負荷
  • 748.7　ESGスコア統合と国家間提携・規制対応
  • 748.8　今後の方向性：ESGスコアからインパクト指標へ

749　エネルギー調達保証（再生可能エネルギー証書/電力購入契約）

  • 749.1　再生可能エネルギー調達の基本構造
  • 749.2　半導体産業と電力調達リスク
  • 749.3　再生可能エネルギー証書（REC/NFC等）の役割と限界
  • 749.4　電力購入契約（PPA）の種類と特徴
  • 749.5　主要半導体企業のPPA・再エネ戦略
  • 749.6　国・地域別PPA制度と国家間提携
  • 749.7　追加性と「高品質調達」概念
  • 749.8　サプライチェーン全体のエネルギー調達保証
  • 749.9　リスク管理と契約設計上の論点
  • 749.10　レポーティング・コンプライアンスとガバナンス
  • 749.11　今後の展望：グリーン電力と半導体供給網

750　PFASおよび溶剤規制の相違

  • 750.1　PFASの定義と半導体における用途
  • 750.2　溶剤の定義と半導体での利用
  • 750.3　EUにおけるPFAS包括規制の動向
  • 750.4　米国のPFAS規制とTSCA報告義務
  • 750.5　アジア太平洋地域のPFAS政策
  • 750.6　溶剤規制：VOC・HAP管理の枠組み
  • 750.7　PFAS規制と溶剤規制のアプローチの違い
  • 750.8　半導体サプライチェーンへの影響：PFAS
  • 750.9　半導体サプライチェーンへの影響：溶剤
  • 750.10　コンプライアンスと情報開示の要件
  • 750.11　企業戦略：PFASと溶剤への対応方針の差別化

751　温室効果ガス削減設備調達計画

  • 751.1　半導体GHG排出構造と削減レバー
  • 751.2　ガスアベート装置調達の戦略的位置付け

①　アベート設備調達における重点要件

  • 751.3　エネルギー効率化設備とユーティリティ投資
  • 751.4　再エネ・低炭素電力との連動
  • 751.5　調達計画のステップ：アベートメントコストカーブの活用
  • 751.6　国家政策・補助金と設備調達
  • 751.7　サプライチェーン連携による設備投資の波及
  • 751.8　設備調達計画における課題とリスク
  • 751.9　設備調達計画とネットゼロロードマップの統合

752　紛争鉱物およびコバルトデューデリジェンス

  • 752.1　紛争鉱物・コバルトデューデリジェンスの基本枠組み
  • 752.2　法規制の概要：米国・EU・国際枠組み
  • 752.3　コバルトデューデリジェンスの台頭とEUバッテリー規則
  • 752.4　半導体サプライチェーンにおける紛争鉱物・コバルトの位置付け
  • 752.5　企業実務：サプライヤー調査と精錬所トレーサビリティ
  • 752.6　紛争鉱物とコバルトのリスク特性の違い
  • 752.7　最新動向：対象鉱物の拡大と統合的デューデリジェンス
  • 752.8　実務的なKPIとガバナンス

753　RoHS/REACHと中国RoHSの整合性

  • 753.1　規制の役割分担：RoHSとREACH
  • 753.2　中国RoHSの最新動向とEU RoHSとの物質整合
  • 753.3　中国RoHSの「カタログ＋例外リスト」とEU RoHSの相違
  • 753.4　物質・限度値・試験標準レベルでの整合性
  • 753.5　REACHと中国RoHSの関係：SCIP・SVHCと中国規制
  • 753.6　半導体サプライチェーンにおける整合運用のポイント
  • 753.7　今後のリスク：PFAS・ベリリウム等への拡張可能性

754　電子廃棄物および回収責任

  • 754.1　電子廃棄物問題の構造と半導体の位置付け
  • 754.2　拡大生産者責任（EPR）とWEEE指令
  • 754.3　回収責任の具体的仕組み（欧州・北米）
  • 754.4　アジア太平洋地域でのEPR・回収制度の拡大
  • 754.5　半導体OEM・B2B製品における回収責任
  • 754.6　回収責任と資源循環戦略（リユース・リフレッシュ・リサイクル）
  • 754.7　電子廃棄物ガバナンスと国際協力
  • 754.8　企業戦略としての電子廃棄物・回収責任

755　監査権限と透明性条項

  • 755.1　サプライチェーン法制と監査・透明性義務
  • 755.2　監査権限条項の典型的な内容
  • 755.3　透明性条項：データ開示とレポーティング
  • 755.4　半導体企業の監査・透明性実務の傾向
  • 755.5　EUサプライチェーン法と監査・透明性条項の強制力
  • 755.6　契約ドラフティング上の論点とベストプラクティス
  • 755.7　デジタル・トレーサビリティと継続的モニタリング
  • 755.8　監査権限・透明性条項と国家間提携政策

756　部品の持続可能な包装

  • 756.1　規制動向：EU包装規則と各国EPR
  • 756.2　半導体部品包装の機能要件と制約
  • 756.3　持続可能包装の設計原則
  • 756.4　再生材・バイオマテリアルの利用
  • 756.5　再利用可能包装とリターナブルソリューション
  • 756.6　情報ラベリングとトレーサビリティ
  • 756.7　サプライチェーンと国家間提携政策の観点
  • 756.8　企業事例と今後の方向性

757　階層別サプライヤーのスコープ3可視性

  • 757.1　スコープ3と半導体固有の特徴
  • 757.2　階層別サプライヤー構造と排出ポイント
  • 757.3　サステナビリティ規制と可視性要求の高まり
  • 757.4　GHGプロトコルにおけるデータ品質と階層可視性
  • 757.5　半導体企業のスコープ3サプライヤーエンゲージメント
  • 757.6　デジタルプラットフォームとマルチティア可視性
  • 757.7　BOMベースのスコープ3可視化と階層連結

①　階層別可視性のKPIと管理指標

  • 757.8　国家間提携政策とスコープ3可視性
  • 757.9　スコープ3可視性とコンプライアンス領域の交差
  • 757.10　実務上の課題：データ取得とサプライヤー負荷
  • 757.11　ベストプラクティス：階層別スコープ3可視性の構築ステップ
  • 757.12　企業事例から見える方向性
  • 757.13　今後の展望：スコープ3可視性と半導体戦略

【　データ、セキュリティ、IT管理　】

758　製造/テストログのデータ居住地

  • 758.1　製造/テストログとサプライチェーンでの役割
  • 758.2　データローカライゼーション法制と産業データ
  • 758.3　品質保証とデータ居住地のトレードオフ
  • 758.4　データ主権・データスペースと製造ログ
  • 758.5　ハイブリッド/マルチクラウドとローカル拠点の組み合わせ
  • 758.6　国別データ居住地ポリシーの整理とガバナンス
  • 758.7　国家間提携政策とデータ居住地
  • 758.8　戦略的含意：製造/テストログのデータ居住地設計

759　ATE/プログラム完全性管理の重要性

  • 759.1　半導体サプライチェーンとATEの位置づけ
  • 759.2　データ・セキュリティ・IT管理との接続点

760　ATE/テストプログラム完全性管理の基本要素

  • 760.1　構成管理とバージョン管理
  • 760.2　変更管理とトレーサビリティ
  • 760.3　アクセス制御と職務分掌

761　サイバーセキュリティ観点からの完全性確保

  • 761.1　OTゼロトラストとATE保護
  • 761.2　マルウェア・改ざん検知とホワイトリスト実行
  • 761.3　ログ管理とインシデント対応

762　データ活用・サプライチェーン連携と完全性

  • 762.1　テストデータ分析プラットフォームとリアルタイム監視
  • 762.2　サプライチェーン全体でのプログラム配信・検証
  • 762.3　国家間提携と検査の相互信頼

763　将来動向：AI・デジタル化と完全性管理高度化

  • 763.1　ソフトウェア定義ATEとプログラム複雑化
  • 763.2　AIによる異常検知とセルフガード
  • 763.3　標準化とガイドラインの整備

764　共同ラボと知財漏洩リスクの全体像

  • 764.1　半導体サプライチェーンと共同ラボの位置づけ
  • 764.2　「データ・セキュリティ・IT管理」との接点

765　契約・ガバナンスレベルの漏洩防止策

  • 765.1　背景IPと成果IPの明確化
  • 765.2　アクセス権限と秘密保持義務の規定
  • 765.3　研究セキュリティ・委員会とリスク評価

766　法制度・国家政策と共同ラボ

  • 766.1　輸出管理と技術移転規制
  • 766.2　研究セキュリティ政策と国際協力
  • 766.3　産業界のポジションと自主ルール

767　技術的対策：DLPとゼロトラスト

  • 767.1　データ漏洩防止（DLP）プログラム
  • 767.2　ゼロトラストとアクセス制御
  • 767.3　ログ監査とインシデント対応

768　共同ラボ運営のベストプラクティスと今後の方向性

  • 768.1　物理・組織的セキュリティ
  • 768.2　大学・スタートアップとの連携とIP戦略
  • 768.3　国際連携と標準化の展望

769　サプライヤーポータルのゼロトラスト

  • 769.1　なぜサプライヤーポータルにゼロトラストが必須か
  • 769.2　ゼロトラストの基本原則とCISAモデル
  • 769.3　サプライヤーポータルにおけるゼロトラスト設計要素
  • 769.4　サプライチェーン・ゼロトラストのベストプラクティス
  • 769.5　ゼロトラストサプライヤーポータル実装パターン
  • 769.6　半導体サプライチェーンと国家間提携への含意

770　暗号化キー用セキュアKMS/HSM

  • 770.1　HSM/KMSの役割と基本アーキテクチャ
  • 770.2　NIST 800-57に基づく鍵ライフサイクル管理
  • 770.3　オンプレHSMとクラウドKMS/HSM
  • 770.4　ベストプラクティス：キー管理の運用設計
  • 770.5　データ主権・輸出管理とKMS/HSM
  • 770.6　ポスト量子暗号と次世代KMS/HSM動向
  • 770.7　半導体サプライチェーンにおける戦略的意味

771　ファブ内OTネットワークのセグメンテーション

  • 771.1　半導体ファブ向けOTセキュリティガイドラインの枠組み
  • 771.2　OTネットワークセグメンテーションとマイクロセグメンテーション
  • 771.3　セグメンテーションがランサムウェアリスクに与える効果
  • 771.4　実装上のパターンと課題
  • 771.5　半導体ファブ特有のセグメンテーション観点
  • 771.6　国家間提携・サプライチェーン政策との関係

772　リモートツールアクセスとテレメトリー制限

  • 772.1　半導体ファブにおけるリモートアクセスの位置付け
  • 772.2　ICS/OTリモートアクセスの脅威と規制的要求
  • 772.3　ゼロトラストに基づくリモートツールアクセス制御
  • 772.4　テレメトリー収集とデータ流出リスクのバランス
  • 772.5　安全なリモート接続手順と運用コントロール
  • 772.6　国家間提携・供給網政策とリモートアクセス/テレメトリー

773　サイバー保険と引受証拠

  • 773.1　サイバー保険市場の動向と半導体サプライチェーン
  • 773.2　引受証拠として求められる主要セキュリティ統制
  • 773.3　半導体分野特有の引受論点と証拠
  • 773.4　引受プロセスと「アクティブ保険」の潮流
  • 773.5　サイバー保険とガバナンス・コンプライアンスの連動

774　半導体サプライチェーンとSBOMの位置づけ

  • 774.1　SBOMの基本概念
  • 774.2　半導体供給網コンテキストの特徴
  • 774.3　データ・セキュリティ・IT管理との接点

775　SBOMの標準仕様と実装技術

  • 775.1　代表的なSBOMフォーマット
  • 775.2　CycloneDX v1.6とCBOM・アテステーション
  • 775.3　SBOMツールエコシステム

776　政策動向と国家間提携の潮流

  • 776.1　米国を中心とした規制とガイダンス
  • 776.2　日本・EU・インドなど他地域の動き
  • 776.3　経済安全保障・同盟連携との関係

777　データ・セキュリティ・IT管理へのインパクト

  • 777.1　脆弱性管理とインシデントレスポンス
  • 777.2　データガバナンスとアクセス制御
  • 777.3　IT資産管理・コンフィグ管理との統合

778　半導体産業での実装シナリオと課題

  • 778.1　製造装置・IP・EDAツールでの利用
  • 778.2　サプライチェーン全体でのSBOM連鎖
  • 778.3　実務上の課題
  • 778.4　プライバシー・知財保護の懸念

779　今後の展望と戦略的示唆

  • 779.1　クリティカルインフラと量子時代への対応
  • 779.2　組織に求められるガバナンス
  • 779.3　代表的な参考情報

780　半導体サプライチェーンと地域別インシデント報告義務

  • 780.1　地域別インシデント報告義務の共通構造
  • 780.2　半導体サプライチェーン文脈での重要性

781　米国：CIRCIAを中心とする枠組み

  • 781.1　CIRCIA（Cyber Incident Reporting for Critical Infrastructure Act）
  • 781.2　半導体関連事業者への影響
  • 781.3　実務上のポイント

782　欧州：NIS2とCyber Resilience Act

  • 782.1　NIS2指令のインシデント通知ルール
  • 782.2　サプライチェーンとフローダウン義務
  • 782.3　Cyber Resilience Act（CRA）の報告義務
  • 782.4　半導体製造・製品メーカーへの含意

783　日本およびアジア太平洋地域の動向

  • 783.1　日本：政府方針と半導体工場向けガイドライン
  • 783.2　日本企業の実務対応
  • 783.3　アジア太平洋地域の規制強化トレンド

784　ガバナンス・IT管理・サプライチェーン運用上の示唆

  • 784.1　グローバルインシデント報告フレームの設計
  • 784.2　サプライヤー契約と報告協力義務
  • 784.3　OT/IT統合とインシデント演習
  • 784.4　情報共有コミュニティとスレットインテリジェンス

785　歩留まり・RMAデータ匿名化の位置づけ

  • 785.1　歩留まり・RMAデータの特徴
  • 785.2　データ・セキュリティ・IT管理のコンテキスト

786　匿名化・秘匿化の基本モデル

  • 786.1　形式的プライバシーモデルの適用
  • 786.2　典型的な変換手法
  • 786.3　匿名化とデータ有用性のトレードオフ

787　供給網・国家間提携におけるデータ共有モデル

  • 787.1　マルチパーティ歩留まり改善プラットフォーム
  • 787.2　クロスリージョン・クラウド基盤での安全な共有
  • 787.3　国家間提携政策とデータ主権

788　最新技術動向：フェデレーテッドラーニングとプライバシー保護AI

  • 788.1　フェデレーテッドラーニングの活用
  • 788.2　プライバシー保護機械学習と差分プライバシー
  • 788.3　オープンツールと標準化の流れ

789　IT管理・ガバナンスと実務的課題

  • 789.1　アクセス制御と監査
  • 789.2　データ品質とサイロ解消
  • 789.3　再識別リスクと契約・法務
  • 789.4　今後の方向性

790　輸出制限対象設計データのアクセス制御

  • 790.1　規制枠組みと「みなし輸出」リスク
  • 790.2　アクセス制御の基本原則
  • 790.3　データ分類とラベリング
  • 790.4　ユーザー・ロール・属性に基づくアクセス制御
  • 790.5　暗号化・保管場所・クラウド利用
  • 790.6　ログ・監査・ポリシー実効性の確保
  • 790.7　DLP・コラボレーションツールとの連携
  • 790.8　組織ガバナンスと教育
  • 790.9　今後の動向：ゼロトラストと高度輸出規制の収斂

【　調達戦略と契約　】

791　長期生産能力予約条項の概要

  • 791.1　半導体サプライチェーンにおける位置づけ
  • 791.2　「調達戦略と契約」コンテキストとの関係

792　代表的な契約構造と条項

  • 792.1　能力予約料・前払金・テイク・オア・ペイ
  • 792.2　需要予測とコミットメントの運用
  • 792.3　期間・技術スコープ・柔軟性

793　実例と政策・地政学との接点

  • 793.1　Wolfspeed–InfineonのSiC能力予約
  • 793.2　GFとファブレスのウェーハ予約契約
  • 793.3　国家間提携・産業政策との関係

794　調達戦略・契約ガバナンス上の論点

  • 794.1　需要ボラティリティと財務リスク
  • 794.2　契約設計上の主な交渉ポイント
  • 794.3　内部ガバナンスとデータ管理

795　今後の動向と戦略的示唆

  • 795.1　レジリエンス強化とマルチソーシング
  • 795.2　AI・EV・電力インフラ需要とSiC/先端ノード
  • 795.3　調達側への実務的示唆

796　割当未達時ペナルティの基本概念

  • 796.1　「調達戦略と契約」コンテキストでの位置づけ

797　買い手側：注文・購買コミット未達のペナルティ

  • 797.1　テイク・オア・ペイ型ショートフォールフィー
  • 797.2　段階的ショートフォールペナルティ
  • 797.3　研究結果：ショートフォールペナルティの役割

798　売り手側：供給コミット未達のペナルティ

  • 798.1　サプライショート時の支払義務
  • 798.2　間接ペナルティ：契約更新や次世代製品の配分
  • 798.3　ロバスト割当とペナルティ最小化

799　直接ペナルティと間接ペナルティの比較

  • 799.1　直接ペナルティ：違約金・液化損害賠償
  • 799.2　間接ペナルティ：価格条件・将来取引への影響

800　調達戦略・契約設計における実務的論点

  • 800.1　ペナルティ水準と柔軟性のバランス
  • 800.2　クレジット・ロールオーバー・緩和策
  • 800.3　ガバナンスとKPI管理

801　今後の動向と戦略的示唆

  • 801.1　レジリエンス強化とペナルティ設計

802　管理技術に関する機密範囲の基本概念

  • 802.1　営業秘密・管理技術と法的枠組み
  • 802.2　地政学リスクと機密範囲拡大の背景

803　管理技術に含まれる情報カテゴリー

  • 803.1　製造・運転管理ノウハウ
  • 803.2　ビジネス・サプライチェーン管理情報
  • 803.3　デジタルシステム・AIモデル・データ構造

804　機密範囲を定義する標準・ガイドライン

  • 804.1　営業秘密管理システム標準の要件
  • 804.2　日本の「機微技術管理」ガイダンス
  • 804.3　企業の実務慣行

805　調達契約・共同開発契約における機密範囲の設計

  • 805.1　機密情報定義条項の設計ポイント
  • 805.2　共有範囲とブラックボックス化のバランス
  • 805.3　国家間提携・補助金契約との整合

806　今後の動向と戦略的示唆

  • 806.1　営業秘密フレームワークの高度化
  • 806.2　輸出規制・安全保障との接点

807　ウェーハのテイク・オア・ペイ条項とフレックスバンドの位置づけ

  • 807.1　サプライチェーンと調達戦略のコンテキスト

808　テイク・オア・ペイ条項の基本構造

  • 808.1　テイク・オア・ペイの定義と目的
  • 808.2　ウェーハ供給契約における具体例
  • 808.3　テイク・オア・ペイ条項の設計要素

809　フレックスバンド（量的柔軟性枠）の仕組み

  • 809.1　フレックスバンドの役割
  • 809.2　実務契約での表現例
  • 809.3　フレックスバンドのパラメータ

810　調達戦略・契約ガバナンスの観点

  • 810.1　テイク・オア・ペイ＋フレックスバンドの組み合わせ
  • 810.2　調達側から見たメリット・リスク
  • 810.3　契約交渉における主要論点
  • 810.4　内部ガバナンスとデータ管理

811　国家間提携・産業政策との関係と今後の動向

  • 811.1　供給網レジリエンスと優先枠の確保
  • 811.2　新興分野（SiC・GaN）での契約トレンド
  • 811.3　調達・契約戦略への示唆

812　最恵国待遇・地域別例外の基本概念

  • 812.1　貿易政策上のMFNと企業契約上のMFN
  • 812.2　地域別例外規定が必要とされる背景

813　半導体サプライチェーンとMFN条項

  • 813.1　企業間供給契約におけるMFN条項
  • 813.2　政策レベルのMFNと半導体関税
  • 813.3　二国間・地域間の「MFN水準保証」

814　地域別例外規定と輸出管理・安全保障

  • 814.1　輸出規制における国別カテゴリー
  • 814.2　企業契約における地域別例外の典型パターン
  • 814.3　フレンドショアリングと地域別例外

815　調達契約におけるMFN・地域別例外の設計論点

  • 815.1　契約上の典型的な条文構造
  • 815.2　MFNと独占禁止・競争法リスク
  • 815.3　調達戦略上の活用ポイント

816　国家間提携・今後の動向

  • 816.1　「チップス・フォー・トレード」型フレームワーク
  • 816.2　企業側への実務的示唆

817　輸出許可条件付条項の位置づけ

  • 817.1　条項の基本概念
  • 817.2　半導体サプライチェーンとの関係

818　典型的な契約構造と条文要素

  • 818.1　契約発効の停止条件（condition precedent）
  • 818.2　onsemi標準約款に見る実務例
  • 818.3　ライセンス変更・取消しへの対応

819　最新の輸出管理動向と契約への影響

  • 819.1　AI・先端チップに対する新ライセンス制度
  • 819.2　半導体製造装置・プロセス技術への拡大
  • 819.3　日本・中国など他法域の動き

820　調達戦略・契約ガバナンスの論点

  • 820.1　条項設計時の主要ポイント
  • 820.2　半導体特有の実務課題
  • 820.3　データ・IT管理との連動

821　今後の動向と戦略的示唆

  • 821.1　動的規制環境への適応
  • 821.2　フレンドショアリングとライセンス例外の活用
  • 821.3　契約実務へのまとめ

822　法改正再交渉トリガーとは何か

  • 822.1　半導体調達戦略との関係

823　典型的な条項構造と内容

  • 823.1　Change in Law / Hardship 条項の位置づけ
  • 823.2　再交渉トリガーの定義要素
  • 823.3　条項例の典型的フロー

824　最近の法改正事例と再交渉ニーズ

  • 824.1　関税・輸出規制の急変
  • 824.2　AIチップ輸出規制・ライセンス制度の導入
  • 824.3　補助金・投資インセンティブの見直し

825　契約実務・ガバナンス面での留意点

  • 825.1　再交渉トリガーと不可抗力・輸出許可条項の関係
  • 825.2　再交渉義務の内容と限界
  • 825.3　内部ガバナンスとモニタリング

826　今後の動向と半導体企業への示唆

  • 826.1　グローバルな政策変動の加速
  • 826.2　戦略的な条項設計の方向性

827　原産国保証と国家間政策の位置づけ

  • 827.1　原産国保証の基本概念
  • 827.2　「調達戦略と契約」コンテキストでの意味

828　原産国保証条項の構造と実務

  • 828.1　契約上の典型的な保証内容
  • 828.2　FEOC規制と原産国保証
  • 828.3　関税・原産地規則との連動

829　原産国監査とトレーサビリティ技術

  • 829.1　OEM・IDMによるサプライチェーン監査
  • 829.2　トレーサビリティ標準と原産国データ
  • 829.3　デジタル技術（RFID・ブロックチェーン等）の活用

830　原産国保証と監査の調達・契約への組み込み

  • 830.1　契約条項の主な構成要素
  • 830.2　サプライチェーンレジリエンスとの接点
  • 830.3　データ管理と社内ガバナンス

831　今後の動向と戦略的示唆

  • 831.1　政策・規制の方向性
  • 831.2　企業への実務的示唆

832　関税・税制変更の転嫁の全体像

  • 832.1　半導体向け関税環境の特徴
  • 832.2　「調達戦略と契約」の観点

833　契約メカニズム：タリフ転嫁条項と調整インデックス

  • 833.1　タリフ・アロケーション条項
  • 833.2　タリフ調整条項（Tariff Adjustment Clause）
  • 833.3　通貨・関税インデックス連動

834　税制変更の転嫁とインセンティブの扱い

  • 834.1　法人税・投資減税の変更
  • 834.2　税制インセンティブの「シェア」条項

835　サプライチェーン再編・トレーサビリティとの連動

  • 835.1　原産国シフトと転嫁可能性
  • 835.2　政策当局の視点と転嫁の限界

836　実務的な契約・調達戦略のポイント

  • 836.1　調達契約に組み込むべき主な条項
  • 836.2　コスト転嫁戦略の設計
  • 836.3　サプライチェーン全体でのリスク分担

837　サービス制限下での装置稼働時間クレジットの基本概念

  • 837.1　半導体装置特有のコンテキスト

838　稼働時間クレジットのSLA設計

  • 838.1　装置稼働率指標としきい値
  • 838.2　クレジットの形態（料金割引か時間延長か）
  • 838.3　サービス制限を織り込んだSLAの工夫

839　国家間政策・輸出規制とサービス制限

  • 839.1　輸出規制に起因するサービス制限
  • 839.2　サービス制限条項とクレジットの関係

840　調達戦略と契約ガバナンスへの組み込み

  • 840.1　SLAメトリクスとクレジットテーブルの設計
  • 840.2　サービス制限下でのフィールドサービス戦略
  • 840.3　データ・ログ共有と検証可能性

841　今後の動向と戦略的示唆

  • 841.1　サービスクレジットの高度化と自動適用
  • 841.2　調達・契約ガバナンスへの示唆

842　地域内スペアストックSLAの概念と重要性

  • 842.1　半導体サプライチェーンにおける位置づけ

843　スペアストックSLAの基本構造

  • 843.1　サービスレベル別の配置モデル
  • 843.2　SLA指標：レスポンスタイムとパーツ可用性
  • 843.3　多層ネットワークと横持ち（ラテラル）補完

844　調達戦略・契約ガバナンスへの影響

  • 844.1　装置本体契約とスペアSLAの連動
  • 844.2　在庫コスト分担と価格モデル
  • 844.3　リスクベースのパーツ分類とSLA層別化

845　最新動向：予測保全・デジタル化と地域ストック

  • 845.1　予測分析による在庫最適化
  • 845.2　Additive Manufacturingとオンデマンド生産
  • 845.3　サービサビリティと持続可能性の統合

846　半導体企業への実務的示唆

  • 846.1　契約上のSLA定義とKPI
  • 846.2　調達戦略への組み込み

847　主要材料の指数連動価格とは何か

  • 847.1　指数連動価格の基本構造
  • 847.2　調達戦略・契約ガバナンスへの影響

848　ネオンガス：地政学リスクとリサイクルの影響

  • 848.1　ネオン市場の供給不安と価格指数
  • 848.2　ネオン価格指数と長期契約
  • 848.3　リサイクル・代替技術と価格安定化

849　ABF基板：AIブームとタイトなLTA

  • 849.1　ABF市場と需給タイト化
  • 849.2　ABF価格の指数連動とLTA構造
  • 849.3　調達側の戦略的オプション

850　シリコンウェーハ：LTAと価格指標

  • 850.1　ウェーハ市場とLTAの役割
  • 850.2　ウェーハ価格指数とコスト要因
  • 850.3　投資ブームと指数連動の長期化

851　調達戦略・契約設計への示唆

  • 851.1　材料別の指数連動の特徴比較
  • 851.2　リスク分担メカニズムとしての指数連動
  • 851.3　ガバナンス・データ管理の観点

【　地域化とパートナーシップ　】

852　ASEAN/インドにおけるATP・基板の拡大

  • 852.1　背景：地域化とバックエンド移転
  • 852.2　ASEANのATPハブ化
  • 852.3　個別国動向：シンガポール・マレーシア
  • 852.4　個別国動向：ベトナム・タイ・フィリピン
  • 852.5　ASEAN域内政策と供給網フレームワーク
  • 852.6　インドのATP・OSAT成長戦略
  • 852.7　インド国内の統合サプライチェーン構想
  • 852.8　ASEANとインドの補完関係
  • 852.9　基板（ABF等）生産の東南アジアシフト
  • 852.10　ABF基板市場とアジア太平洋の優位
  • 852.11　フレンドショアリングとATP・基板の役割
  • 852.12　物流・3PLとクラスター形成
  • 852.13　人材・技術移転と課題
  • 852.14　今後の展望：ASEAN/インドの位置付け

853　中小企業向けローカルエコシステム開発

  • 853.1　背景：地域化と中小企業の役割
  • 853.2　CHIPS法とSME支援・地域クラスター
  • 853.3　欧州Chips ActとSME国際化支援
  • 853.4　東南アジア・マレーシアのエコシステム戦略
  • 853.5　シンガポール・インド連携とSMEシナジー
  • 853.6　日本の地方クラスターと中小企業
  • 853.7　エコシステム開発における政策ツール
  • 853.8　レジリエンスと多様化の視点から見たSMEクラスター
  • 853.9　今後の展望：中小企業主導のイノベーションと国際連携

854　緊急時パートナー代替マトリクス

  • 854.1　概要：代替マトリクスという発想
  • 854.2　作成方法：リスクと代替可能性の二軸
  • 854.3　政府・同盟国レベルの早期警戒と連動
  • 854.4　原材料・ガス・装置における代替戦略
  • 854.5　AI・データ活用による動的マトリクス
  • 854.6　ガバナンス・契約面での前提整備
  • 854.7　今後の展望：地域ブロック間の代替連携

855　中東における材料・ガス提携

  • 855.1　半導体ガス市場と中東の浮上
  • 855.2　GCC諸国の産業ガス・電子材料戦略
  • 855.3　サウジアラビア：Vision 2030と半導体材料
  • 855.4　産業ガスメジャーの中東シフト
  • 855.5　高純度特殊ガス生産と技術提携
  • 855.6　電子材料・化学品クラスターの形成
  • 855.7　中東とアジアファブとのパートナーシップ
  • 855.8　イスラエル・UAEの技術連携
  • 855.9　中東における半導体ガス需要のドライバー
  • 855.10　供給網多様化とリスクヘッジ
  • 855.11　合弁・M&Aの特徴とビジネスモデル
  • 855.12　課題：技術水準・品質保証・人材
  • 855.13　今後の展望：材料・ガス提携の位置付け

856　ラテンアメリカにおけるEMS・流通ハブ

  • 856.1　背景：地域化・ニアショアリングとラテンアメリカ
  • 856.2　メキシコ：北米向けEMS・流通ハブ
  • 856.3　メキシコにおける半導体関連EMSの特徴
  • 856.4　ニアショアリングを支える制度・インフラ
  • 856.5　ブラジル：地域内市場向けEMS拠点
  • 856.6　コスタリカ・コロンビアなど新興EMSハブ
  • 856.7　パナマ：半導体・電子機器の流通ハブ
  • 856.8　EMSと流通ハブの連携構造
  • 856.9　ラテンアメリカEMS市場の成長要因
  • 856.10　半導体サプライチェーンの文脈での位置付け
  • 856.11　課題：インフラ・規制・人材
  • 856.12　今後の展望：多極型EMS・流通ネットワーク

857　アフリカにおける鉱物調達デューデリジェンス

  • 857.1　背景：クリティカルミネラルと半導体サプライチェーン
  • 857.2　アフリカにおける資源開発と大国競争
  • 857.3　デューデリジェンスの国際基準：OECDガイダンス
  • 857.4　EUクリティカルローマテリアルズ法とアフリカ
  • 857.5　半導体サプライチェーンとデューデリジェンス要件
  • 857.6　アフリカ域内政策と価値連鎖戦略
  • 857.7　企業レベルのデューデリジェンス実務
  • 857.8　OECD・ドナーによる情報共有プラットフォーム
  • 857.9　アフリカにおけるリスク類型
  • 857.10　新たな規制動向と投資デューデリジェンス
  • 857.11　パートナーシップ型アプローチと現地価値創出
  • 857.12　今後の展望：半導体サプライチェーンとアフリカDD

858　制限区域外におけるクロスライセンス共同開発

  • 858.1　背景：輸出規制と技術協力の二重トレンド
  • 858.2　クロスライセンスと競争法・知財ルール
  • 858.3　制限区域と「制限区域外」の概念
  • 858.4　チップ法・対外投資規制と共同開発
  • 858.5　日欧米など同盟国間の技術協力余地
  • 858.6　クロスライセンス共同開発の代表的スキーム
  • 858.7　制限区域外R&Dハブとしての第三国活用
  • 858.8　IP・貿易ルールから見たクロスライセンス
  • 858.9　ガバナンス：コンプライアンスと契約設計
  • 858.10　今後の展望：地域化と知財連携

859　官民コンソーシアムへの参加

  • 859.1　背景：地域化と官民連携の必要性
  • 859.2　米国：NSTCコンソーシアムと参加枠組み
  • 859.3　imec型国際コンソーシアムのモデル
  • 859.4　各地域チップ法とコンソーシアム
  • 859.5　官民コンソーシアム参加のメリット
  • 859.6　参加条件・ガバナンスとIP管理
  • 859.7　供給網・人材・標準化を対象とする新型コンソーシアム
  • 859.8　企業視点からの参加戦略と留意点
  • 859.9　今後の展望：多国間コンソーシアムと「チップ外交」

860　大学研究の輸出コンプライアンス

  • 860.1　背景：半導体・量子分野と研究セキュリティ
  • 860.2　基本概念：輸出・技術移転・みなし輸出
  • 860.3　各国の規制強化動向
  • 860.4　大学に求められる研究セキュリティ・プログラム
  • 860.5　半導体関連ルールのポイント
  • 860.6　大学内部のガバナンスと手続き
  • 860.7　共同研究・受託研究における留意点
  • 860.8　研究者教育と実務上のベストプラクティス
  • 860.9　地域化・パートナーシップ時代の大学の役割

861　人材交流・研修協定

  • 861.1　背景：半導体人材不足と国際連携
  • 861.2　米国・日本：高付加価値製造に向けた人材交流
  • 861.3　米国とベトナム・インド太平洋諸国の研修協定
  • 861.4　CHIPS法における教育・研修要件
  • 861.5　産業団体による政策青写真と協定拡大
  • 861.6　欧州：ECS Academyと域内人材モビリティ
  • 861.7　大学間ネットワークとサマー・スクール
  • 861.8　地域クラスターにおける人材協定
  • 861.9　人材交流・研修協定がサプライチェーン地域化に果たす役割

862　保護条項付き合弁会社ガバナンス

  • 862.1　背景：半導体サプライチェーンと合弁スキーム
  • 862.2　保護条項の基本要素：マイノリティ保護と予約事項
  • 862.3　ボード構成と情報アクセス
  • 862.4　典型的な予約事項・拒否権の内容
  • 862.5　クラス株式・ゴールデンシェアによる保護
  • 862.6　投資審査・対外投資規制とJVガバナンス
  • 862.7　知的財産・技術保護条項
  • 862.8　コンプライアンス・制裁・輸出管理への対応
  • 862.9　エグジット・紛争解決と長期ガバナンス
  • 862.10　今後の展望：地域ブロックごとのJVガバナンス標準化

863　米国・同盟国共同調達枠組み（日・台・EU・韓）の概要と最新動向

  • 863.1　地域化・フレンドショアリングの文脈
  • 863.2　米国主導の半導体同盟構想
  • 863.3　米国CHIPS法と同盟国連携
  • 863.4　EU Chips Act と米国・同盟国協調
  • 863.5　日米・日欧・日韓連携の位置付け
  • 863.6　台湾との連携とリスク分散
  • 863.7　共同調達・共同投資メカニズム
  • 863.8　供給網早期警戒・情報共有
  • 863.9　輸出管理と投資審査の協調
  • 863.10　産業政策と役割分担の議論
  • 863.11　韓国の立場と中国依存脱却
  • 863.12　日本・EU・韓国の制度的枠組み
  • 863.13　同盟国共同調達の今後の課題

【　透明性、分析、モニタリング　】

864　政策転換早期警戒指標

  • 864.1　概要：政策転換を「指標」で先読みする発想
  • 864.2　政府側の取り組み：EU Chips Act と早期警戒
  • 864.3　日本・同盟国の早期警戒メカニズム
  • 864.4　企業向け指標の具体例
  • 864.5　AI・NLPによる規制モニタリング
  • 864.6　経済安全保障指標と半導体政策
  • 864.7　多国間枠組みと指標の標準化
  • 864.8　サプライチェーン・ダッシュボードとの統合
  • 864.9　今後の展望：政策転換のプロアクティブ管理

865　コスト分離のモデルシナリオ

  • 865.1　概要：コスト分離とサプライチェーン再編
  • 865.2　グローバル分業維持 vs 完全自給のコスト差
  • 865.3　地域別コスト構造と部分的地域化シナリオ
  • 865.4　デリスキング（リスク低減）シナリオのマクロ影響
  • 865.5　企業レベルのトータルコストモデル
  • 865.6　今後の展望：コスト分離と透明性の両立

866　取締役会レベルでのリスク報告頻度

  • 866.1　概要：サプライチェーンリスクとボード関与
  • 866.2　実態：定期報告からアドホック報告への後退
  • 866.3　ベストプラクティス：四半期ベースの委員会報告
  • 866.4　重要リスク領域に対する「毎会議レベル」のアップデート
  • 866.5　今後の方向性：定期レビューとアドホック報告の二層化

867　物流混乱監視（運河・港湾・ストライキ）

  • 867.1　概要：半導体サプライチェーンと物流混乱
  • 867.2　運河リスク：パナマ・紅海・スエズ
  • 867.3　港湾混雑・ストライキの影響
  • 867.4　物流混乱監視のデータソースとKPI
  • 867.5　AI・可視化ツールによるリアルタイム監視
  • 867.6　半導体サプライチェーンへの示唆
  • 867.7　今後の展望：監視から能動的リスクマネジメントへ

868　主要投入資材価格指数追跡

  • 868.1　概要：半導体コスト構造と価格指数
  • 868.2　シリコンウェハー・前工程材料の動向
  • 868.3　クリティカルミネラル価格と指数追跡
  • 868.4　生産者物価指数（PPI）と半導体製品価格
  • 868.5　価格指数ダッシュボードの設計と活用
  • 868.6　今後の展望：価格指数とサプライチェーン戦略の統合

869　輸出拒否／ライセンス状況モニタリング

  • 869.1　概要：半導体と輸出ライセンスリスク
  • 869.2　米国BISの動きとモニタリングポイント
  • 869.3　EU・同盟国のライセンスデータ公開
  • 869.4　実務で追うべき指標とデータポイント
  • 869.5　AI／デジタルツールによる自動モニタリング
  • 869.6　今後の展望：経済安全保障時代のライセンス監視

870　取引先リスクとESGアラート

  • 870.1　概要：半導体サプライチェーンとESGリスク
  • 870.2　規制環境：CSRD・CSDDDとESGアラート義務
  • 870.3　取引先リスクアセスメントのベストプラクティス
  • 870.4　AIによるサプライヤーESGスコアリング市場
  • 870.5　ESGアラートシステムの設計と運用
  • 870.6　半導体企業のケースとマルチステークホルダー枠組み
  • 870.7　今後の展望：ESGアラートとサプライチェーン戦略の一体化

871　ファブ／OSATからの稼働率／利用率シグナル

  • 871.1　概要：稼働率シグナルの意味
  • 871.2　直近のファブ稼働・容量動向
  • 871.3　OSATの利用率とボトルネック化
  • 871.4　稼働率シグナルの収集と分析
  • 871.5　稼働率シグナルを用いたサプライチェーン戦略
  • 871.6　今後の展望：リアルタイム稼働シグナルとデジタル連携

872　需要シグナル平滑化によるブルウィップ効果低減

  • 872.1　概要：半導体サプライチェーンとブルウィップ
  • 872.2　需要シグナル平滑化の基本メカニズム
  • 872.3　協調予測・補充（CPFR）と情報共有
  • 872.4　AI需要センシングとブルウィップ効果低減
  • 872.5　半導体固有の遅延構造とシミュレーション
  • 872.6　今後の展望：デジタルツインと協調的需要管理

873　OEM向け割当方針の透明性確保

  • 873.1　概要：なぜ割当方針の透明性が重要か
  • 873.2　2020年代前半の教訓：自動車チップ危機
  • 873.3　法務・競争法の観点からのガイドライン
  • 873.4　割当方針透明化の実務的要素
  • 873.5　OEMとの協調とマルチソーシング戦略
  • 873.6　政策ツール・業界イニシアティブとの連動

874　原産地追跡とデジタルCOO

  • 874.1　概要：原産地情報の戦略的重要性
  • 874.2　デジタルCOOの国際的動向
  • 874.3　産業界ガイドラインとデジタル化のポイント
  • 874.4　ブロックチェーン・AIによる原産地追跡
  • 874.5　半導体トレーサビリティと原産地情報
  • 874.6　標準化・相互運用性と今後の展望

875　階層別リアルタイムリードタイムダッシュボード

  • 875.1　概要：階層別リードタイム可視化の狙い
  • 875.2　背景：サプライチェーン透明性のギャップ
  • 875.3　技術基盤：コントロールタワーとAI分析
  • 875.4　リードタイムダッシュボードの設計要素
  • 875.5　データソースと統合の課題
  • 875.6　階層別指標とドリルダウン
  • 875.7　透明性・デューデリジェンスとの接続
  • 875.8　今後の展望：デジタルツインとネットワーク最適化

　

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