世界各国のリアルタイムなデータ・インテリジェンスで皆様をお手伝い

半導体産業・業界アウトルック白書2026年版

半導体産業・業界アウトルック白書2026年版


■ キーメッセージ 「2025年の回復基調から2026年以降へ向かう構造転換期」 本白書は、2024年の調整局面を経て2025年に復調する半導体市場が、いかなる構造的変化をもたらすのかを、マクロ経済・政策・... もっと見る

 

 

出版年月
2026年1月28日
電子版価格
納期
ハードコピー、PDF(CD-ROM) ともに 通常4-5営業日程度
ページ数
2,600
言語
日本語

※税別価格:製本版150,000円/ 電子ファイル118,000円。製本版と電子ファイルをセットにした「コーポレートセット」もございます。価格の詳細はお問合せ下さい。※※製本とPDF版では編集上の違いによりページ数が若干異なります。


 

サマリー

■ キーメッセージ
「2025年の回復基調から2026年以降へ向かう構造転換期」

本白書は、2024年の調整局面を経て2025年に復調する半導体市場が、いかなる構造的変化をもたらすのかを、マクロ経済・政策・産業バリューチェーン・サプライチェーンの4つの視点から統合的に分析しています。

3つの核心的メッセージは以下の通りです:

▼ AI・データセンター主導のスーパーサイクル到来

▶ 2025年の成長率は前年比で顕著に加速し、2026年以降も中長期CAGRが拡大
▶ AIアクセラレータ、高帯域幅メモリ(HBM)、先進パッケージングが成長のドライバー
▶ チップレット化・内製化シフトにより設計・製造の再編が加速

▼ 経済安保主導の国家政策化と地域分散戦略

▶ 米国CHIPS法、欧州Chips Act、日本経済安保、中国「中国製造2025」が並行して進行
▶ 補助金の大型化・恒常化により、投資規模と期待利益率が構造的に引き上げられる
▶ インテル準国有化など新たな政策金融モデルの登場

▼ 台湾集中リスク緩和と「三層的ブロック化」の進行

▶ TSMC・Samsung・Intelによる北米・欧州・日本への製造地分散投資
▶ 先端ロジック・先進パッケージング・成熟ノード別の地域役割分担
▶ 輸出規制・サプライチェーン戦略を通じた「米国ブロック」「中国ブロック」「中間圏」の三極化

■ 読後の具体的ゴール

◎ 2025年から2026年にかけての半導体市場の「トップラインの成長」だけでなく、「構造転換」を正確に把握する

◎ 自社の経営資源(投資、人材、技術、地域)をいかに再配置すべきかについて、定量的・定性的な判断材料を得る

◎ 政策動向(CHIPS、経済安保、輸出管理)が自社ビジネスに及ぼす影響をシナリオベースで評価する

◎ 競合他社や新規参入者の戦略を先読みし、自社の市場ポジション維持・強化のための施策を立案する

◎ サプライチェーン多元化、地政学リスク緩和、技術主権確保といった「レジリエンス」経営への転換を具体化する

■ 利用シーン

本白書は、以下のような意思決定局面で実践的な情報価値を提供します。

▼ 経営戦略・事業開発層:

● 半導体製造メーカー(ファウンドリ、IDM、OSAT)の地理的投資配置と技術ロードマップの策定
● 装置・材料・設計ツールメーカーの顧客ポートフォリオと地域戦略の見直し
● システムベンダー・プラットフォーマーの垂直統合戦略とサプライチェーン多元化

▼ 政策・規制対応層

● 政府部門による半導体産業政策の企画・実施評価(CHIPS法、経済安保、クラスター戦略)
● 輸出管理・FDI規制の事業影響分析
● 国際協力枠組み(Chip4、AUKUS、QUAD、NATO等)の産業含意の把握

▼ 投資・資金配分層

● ベンチャーキャピタル、プライベートエクイティの半導体スタートアップ投資判断
● 公的ファンド・ソブリンウェルスファンドの地政学リスク評価と多国間投資設計
● 大型補助金プロジェクト(Rapidus、IMEC、Samsung新ファブ等)への監視・評価

▼ 市場分析・コンサルティング層

● 競争環境の再編・M&A候補の発掘・業界ランキング変化の先読み
● カスタマイズされたセグメント分析(AI/HPCチップ、自動車半導体、防衛向けチップ等)
● サプライチェーン多元化の進捗度評価と二次市場機会の特定

■ アクションプラン/提言骨子

1. 製造・投資戦略

▶ 地域分散の「最適化」:
片方的な多極化ではなく、先端ノード・パッケージング・成熟ノードの「役割分担型」多拠点配置
▶ 台湾依存緩和の具体施策:
TSMC海外拠点(米・日・欧)の立ち上がりにあわせた顧客契約・価格交渉の再構築
▶ 国家基金の活用:
大型補助金スキームへの アクセス可能性を事前評価し、資本効率と政治リスクのバランスを検証

2. サプライチェーン・調達

▶ 多元調達・代替供給の組織化:
クリティカル材料(ゲルマニウム、ガリウム、特殊ガス等)の二次供給確立
▶ 在庫・契約設計の「レジリエンス化」:
ブルウィップ効果への学習から、戦略在庫とロングテーム契約の統合設計
▶ ロジスティクス強靭化:
海上ルート分散・空港キャパシティ確保・IoT/AI活用による可視化

3. 技術・知財戦略

▶ チップレット・内製化への対応:
UCIe標準の準拠と、オープン インターフェース対応の必須化
▶ RISC-V・オープンアーキテクチャの活用:
IP依存リスク(Arm、ASML等)の緩和と技術主権の確保
▶ EDA・設計ツール:
サードパーティ依存度の低減、オープンソースEDAと商用ツールのハイブリッド利用

4. リスク・ガバナンス

▶ 地政学シナリオ分析:
台湾有事・米中紛争・対ロシア制裁等の複数シナリオに対応した事業継続計画(BCP)
▶ 輸出管理・サイバーセキュリティ:
CHIPS法条件・ITAR・EAR等の規制遵守と、サプライチェーン全体のサイバー脅威対応
▶ IP保護・技術流出防止:
標準必須特許(SEP)訴訟対応、暗号化通信、ハードウェアセキュリティの統合

5. エコシステム・人材

▶ 研究開発施設の共同利用:
imec、Albany NanoTech、日本の共同研究拠点への参画強化
▶ クラスター戦略への接続:
米・欧・日の国家クラスター(熊本、ドレスデン、アリゾナ等)との提携・投資
▶ 高度人材確保:
エンジニアビザ制度、オフショア開発セン ター、グローバル人材育成プログラムの統合設計


監修・発行: 一般社団法人 次世代社会システム研究開発機構



ページTOPに戻る


目次

Multifaceted Analysis of the Structural Changes Expected in the Semiconductor Industry After 2026

【 緒言 】

【 市場概況(マクロ) 】

1 2025年の回復基調と中長期CAGR加速

  • 1.1 2024年までの調整局面と2025年の位置づけ
  • 1.2 2025年の成長率見通しと復調ドライバー
  • 1.3 セグメント別に見た回復の温度差
  • 1.4 マクロ成長率(CAGR)加速の中長期シナリオ
  • 1.5 2026年以降に向けた成長モメンタム
  • 1.6 2025年回復局面の構造的特徴
  • 1.7 投資サイクルと設備拡張の影響
  • 1.8 地域別・エンドマーケット別の中長期CAGR

2 スタートアップ投資・特許活況とエコシステム拡大

  • 2.1 概観:AIブームと半導体スタートアップ投資
  • 2.2 投資領域別のトレンド

① AIアクセラレータ・専用チップ

② フォトニクス・インターコネクト

③ 設計自動化・AI×EDA

  • 2.3 政府支援とエコシステム形成

① インドのチップ設計エコシステム

② 中国・米国・欧州の動き

  • 2.4 特許動向と技術競争の可視化
  • 2.5 スタートアップと大手企業の連携パターン
  • 2.6 エコシステム拡大のマクロ的意味合い

3 AI・データセンター主導の売上拡大見通し

  • 3.1 マクロ環境と半導体スーパーサイクル
  • 3.2 AIチップ・GPUサーバー市場の拡大
  • 3.3 データセンターインフラ投資と電力構造
  • 3.4 メモリ・ストレージ分野への波及
  • 3.5 ネットワーク・インターコネクト需要の高まり
  • 3.6 カスタムシリコンとファウンダリ構造
  • 3.7 地政学・産業政策とサプライチェーン
  • 3.8 2026年以降の構造変化の論点
  • 3.9 マクロ「市場概況(マクロ)」における位置づけ

【 国策としての半導体産業 】

4 供給網強靭化と経済安保を軸にした政策パッケージ

  • 4.1 経済安保時代の半導体政策の枠組み
  • 4.2 米国・G7における供給網強靭化の方向性
  • 4.3 日本の経済安保政策と半導体供給網
  • 4.4 中国・アジアにおける自立化とブロック化
  • 4.5 フレンドシェアリングと多元的供給網
  • 4.6 輸出管理・投資審査・FDIスクリーニング
  • 4.7 重要鉱物・前工程材料との連動
  • 4.8 2026年以降に想定される構造変化

5 国家主導の製造回帰・地域分散(米・EU・日・韓・印)

  • 5.1 マクロ概観:製造地図の再編
  • 5.2 米国:CHIPS法を軸にした製造回帰
  • 5.3 欧州:Chips Actと「成熟ノード重視」の地域戦略
  • 5.4 日本:復活戦略と先端ロジック・材料クラスター
  • 5.5 韓国:K-Chips Actとメガクラスター構想
  • 5.6 インド:新興製造拠点としての台頭
  • 5.7 地域分散の実像:役割分担と競合
  • 5.8 2026年以降への含意

6 CHIPS法・各国補助金の大型化・恒常化

  • 6.1 概観:半導体を巡る「国策化」の流れ
  • 6.2 米国:CHIPS and Science Actの展開

① 法制度と予算規模

② 製造・R&D・人材への支援の恒常化

  • 6.3 欧州:European Chips Actと国家補助

① 欧州Chips Actの枠組み

② 国家補助の常態化

  • 6.4 日本:Rapidus支援と復活戦略
  • 6.5 補助金の大型化・恒常化がもたらす構造変化

① 投資規模の常態的な引き上げ

② 産業地図・サプライチェーン再編

  • 6.6 2026年以降への含意

【 政府の優遇・各種支援 】

7 国家基金・政策金融・ソブリン投資の動員

  • 7.1 概観:公的資本をテコにした半導体戦略
  • 7.2 中国:「ビッグファンド」による国家基金モデル
  • 7.3 韓国:ナショナルグロースファンドと政策金融
  • 7.4 日本:大型基金構想と政策金融の組み合わせ
  • 7.5 ソブリンウェルスファンドによるグローバル投資

① 中東・アジアのSWFの動き

② 米国の事実上のSWF構想

  • 7.6 国家基金・政策金融・SWFの役割と課題
  • 7.7 2026年以降への示唆

8 用地・送電・人材ビザ等の制度面優遇

  • 8.1 制度面優遇の位置づけと全体像
  • 8.2 用地・インフラ面の優遇

① 産業用地の確保と規制緩和

② 送電・電力料金・エネルギーインフラ

  • 8.3 人材ビザ・労働市場に関する優遇

① 日本のエンジニアビザと高度人材制度

② アジア諸国のビザ迅速化と人材誘致

  • 8.4 立地競争における総合パッケージ化

① 具体案件にみる総合インセンティブ

② 2026年以降の構造変化への含意

9 送電網・変電・地下送電ケーブル等の公的負担

  • 9.1 概観:電力インフラが補助対象となる新局面
  • 9.2 米国:メガファブ向け送電インフラの公的関与

① Micronニューヨーク案件における地下送電線

② Wolfspeed事例に見る電力会社インセンティブ

  • 9.3 日本:安定電力供給と補助スキームの一体化
  • 9.4 欧州・その他地域:グリッド強化とグリーン電力支援
  • 9.5 公的負担スキームの類型とインプリケーション
  • 9.6 2026年以降に想定される構造変化

10 産業用水・再エネ電源・高純度ガス供給の整備

  • 10.1 概観:環境制約とインフラ整備を一体化する政策潮流
  • 10.2 産業用水インフラと水資源マネジメント

① CHIPS法と水効率条件

② 熊本の地下水保全と官民連携

  • 10.3 再エネ電源・低炭素電力の確保

① 日本の10兆円枠と再エネ連携

② 他国における再エネインフラ支援

  • 10.4 高純度ガス供給網とクラスター整備

① ガスサプライヤーへの設備支援

② 貿易リスクと国内ガス能力強化

  • 10.5 2026年以降の構造変化と示唆

11 クラスター道路・物流・通関迅速化の整備

  • 11.1 概観:製造クラスターとロジスティクス政策の一体化
  • 11.2 日本:熊本クラスターにおける道路・物流整備

① TSMC熊本と周辺道路インフラ

② クラスター化と地域物流ネットワーク

  • 11.3 通関迅速化と貿易円滑化の取り組み

① ベトナムの通関制度改革とハイテク優遇

② グローバル通関制度とHS分類の改善

  • 11.4 クラスター道路・物流整備の政策的枠組み

① 補助金とインフラ投資の連動

② 物流デジタル化とスマートロジスティクス

  • 11.5 2026年以降の構造変化と示唆

12 インテル国有化:安全保障・国内製造回帰・政府による約10%持分取得構想

  • 12.1 取引の概要とスキーム
  • 12.2 安全保障と国内製造回帰の狙い
  • 12.3 準国有化・ソブリンファンド戦略としての位置づけ
  • 12.4 市場・ガバナンス面での評価と懸念
  • 12.5 他の半導体企業への波及可能性と政策的含意
  • 12.6 2026年以降の構造変化への示唆

13 CHIPS資金と連動した救済・準国有化モデルの議論

  • 13.1 インテル案件を起点とした新モデルの登場
  • 13.2 政策当局側が描く救済・準国有化のロジック

① CHIPS資金を「投資」に変える発想

② 他社・他セクターへの拡張構想

  • 13.3 経済界・シンクタンクによる批判と懸念

① 目的逸脱と希薄化リスク

② 「隠れた救済」やソーシャルリスクへの懸念

  • 13.4 企業・同盟国から見たリスクと反応

① 他社の投資判断への影響

② 準国有化モデルの波及と国際競争

  • 13.5 2026年以降の構造変化への含意

14 設備投資・R&Dへの補助金・税額控除の拡充

  • 14.1 概観:税制優遇と補助金の二本立て強化
  • 14.2 米国:CHIPS法とAdvanced Manufacturing Investment Credit

① 25%投資税額控除の仕組み

② 35%への拡大構想とR&D課題

  • 14.3 韓国:K-Chips法による税額控除率の大幅引き上げ
  • 14.4 日本:補助金拡充と次世代R&Dへの巨額予算
  • 14.5 各国スキームの比較と企業へのインプリケーション

【 業界近況 】

15 チップレット化・内製化シフトの加速

  • 15.1 概観:モノリシックからチップレットへ
  • 15.2 ハイパースケーラー・プラットフォーマーの内製化拡大
  • 15.3 チップレットとUCIeが内製化のハードルを下げる仕組み
  • 15.4 データセンターとAIワークロードが牽引する需要
  • 15.5 内製化シフトの企業戦略上の意味
  • 15.6 2026年以降の構造変化の論点

16 地政学リスクを織り込んだ多拠点製造構造

  • 16.1 脆弱性認識と多拠点化の必然性
  • 16.2 TSMC・サムスンに見る多拠点戦略

① TSMC:台湾中核+海外サテライト

② 韓国・その他プレイヤーの動き

  • 16.3 政策主導の多拠点化とコスト増
  • 16.4 企業レベルでの多拠点設計の実務
  • 16.5 2026年以降の構造変化と示唆

17 先端ノード・先進パッケージへの資本集中

  • 17.1 先端ノードに向かう世界的Capexシフト
  • 17.2 先進パッケージが「第二の前工程」化
  • 17.3 TSMC・サムスン・インテルの戦略的配分

① TSMC:先端ノード+CoWoS二本柱

② サムスン・インテル:絞り込み型投資

  • 17.4 AI・HBM需要が生む「パッケージ・ボトルネック」
  • 17.5 地理的分散と資本集中の同時進行
  • 17.6 2026年以降の構造変化へのインプリケーション

【 カテゴリー別ランキングの変化 】

18 先端ロジック製造の地域バランス再編

  • 18.1 現状認識:先端ロジックの地理的偏在
  • 18.2 先端プロセスキャパ拡大と地域分散の見通し
  • 18.3 TSMC・サムスン・インテルによる再編ドライバー

① TSMCの海外拠点強化

② 米国・欧州でのインテルとサムスン

  • 18.4 地域別シェアの変化とランキング
  • 18.5 2026年以降の構造変化の論点

19 スタートアップ領域で計測・パッケージ・設計ツールの存在感

  • 19.1 概観:装置・ツール系スタートアップの台頭
  • 19.2 計測・検査分野:量子センシングと新原理メトロロジ

① 新原理メトロロジスタートアップの伸長

② 量子センシング・光学検査の応用拡大

  • 19.3 先進パッケージ領域:OSAT・CPO・光配線系スタートアップ
  • 19.4 EDA・設計ツール:AI・クラウドを武器に新興勢力が増加

① AIネイティブEDAスタートアップの登場

② クラウドEDA・SaaS化の進展

  • 19.5 カテゴリー別ランキング変化へのインプリケーション

20 AI/HPC向けメモリ・HBMで上位勢の台頭

  • 20.1 HBM市場の急拡大と位置づけ
  • 20.2 SK hynix:HBMでの圧倒的トップ
  • 20.3 Samsung:シェア低下からの反転を模索
  • 20.4 Micron:第三勢力としての台頭
  • 20.5 AI/HPC需要とHBM技術ロードマップ
  • 20.6 カテゴリー別ランキング変化の含意

【 垂直構造(バリューチェーン) 】

21 半導体IPライセンス企業

  • 21.1 概観:市場規模とバリューチェーン上の役割
  • 21.2 主要プレイヤーと寡占構造
  • 21.3 成長ドライバー:AI・高性能計算とRISC-Vの台頭

① プロセッサ/AI IPの拡大

② RISC-Vとオープンアーキテクチャ

  • 21.4 Armを中心としたビジネスモデルの進化
  • 21.5 契約形態とサービス化の進展
  • 21.6 法的リスク・地政学リスクと2026年以降の構造変化

22 自動車OEMにおける垂直統合の進展

  • 22.1 概観:半導体不足を契機とした垂直統合シフト
  • 22.2 自社チップ開発とSoCアーキテクチャ主導
  • 22.3 半導体調達モデルの再設計とファウンドリとの直接協業
  • 22.4 サプライチェーンレジリエンスと長期契約・直接購入
  • 22.5 電池・素材・鉱物まで含めた広義の垂直統合
  • 22.6 2026年以降の構造的含意

23 消費者電子機器大手の独自チップ開発

  • 23.1 概観:カスタムシリコンへの大転換
  • 23.2 Apple:A/Mシリーズに代表される垂直統合
  • 23.3 クラウド/プラットフォーム企業:AIアクセラレータの自社開発
  • 23.4 コンシューマデバイスへの波及:スマートフォン・PC・ウェアラブル
  • 23.5 供給網と産業構造へのインパクト
  • 23.6 2026年以降の構造的含意

24 通信企業による半導体垂直統合戦略

  • 24.1 概観:ネットワークとシリコンの一体最適化
  • 24.2 通信機器ベンダーによるカスタムシリコンの展開
  • 24.3 Open RAN/クラウドRANと汎用シリコン戦略
  • 24.4 エッジAI・プライベート5Gと通信事業者のプラットフォーム化
  • 24.5 パワーデバイス・RFデバイスへの上流統合
  • 24.6 2026年以降の構造的含意

25 医療機器メーカーの専用IC開発

  • 25.1 概観:医療向け半導体市場と専用ICの位置づけ
  • 25.2 ASIC採用の目的:安全性・小型化・差別化
  • 25.3 心疾患デバイス:ペースメーカ・CRM機器の専用IC
  • 25.4 ウェアラブル・IoMT向けSoCと超低消費電力AIチップ
  • 25.5 医用画像・診断機器における専用ICとヘテロ集積
  • 25.6 2026年以降の構造的含意

26 Defense向け垂直統合サプライチェーン

  • 26.1 概観:安全保障ドライバーと垂直統合の必然性
  • 26.2 Trusted Foundry/Trusted Accessプログラムとセキュアな製造基盤
  • 26.3 RAMP/RAMP-C/SHIP:先端ノードと先進パッケージへのアクセス
  • 26.4 CHIPS法・国内Fab投資とDefenseサプライチェーンの再構築
  • 26.5 サプライチェーン全体のトレーサビリティと国際協調
  • 26.6 2026年以降の構造的含意

27 ファブレス半導体企業

  • 27.1 概観:ビジネスモデルと市場規模
  • 27.2 主なプレイヤーとセグメント別動向
  • 27.3 生成AI・HPCがもたらす構造変化
  • 27.4 ハイパースケーラーの内製化とファブレスモデルの再定義
  • 27.5 2026年以降の課題と機会

28 IDM(Integrated Device Manufacturer)モデル

  • 28.1 概観:ビジネスモデルと市場規模
  • 28.2 IDMとファブレスの長期シフト
  • 28.3 IDM 2.0:インテルに見るハイブリッド化
  • 28.4 サムスン・TIなど他IDMの戦略
  • 28.5 地政学・補助金環境の中でのIDMの役割
  • 28.6 2026年以降の構造的含意

29 専業ファウンドリ企業

  • 29.1 概観:市場規模と寡占構造
  • 29.2 先端ノードとAIブームがもたらすボトルネック
  • 29.3 地理的分散と海外Fab投資
  • 29.4 競争環境:TSMC一強と追随勢の戦略
  • 29.5 2026年以降の構造的含意

30 後工程(OSAT:Outsourced Semiconductor Assembly and Test)

  • 30.1 概観:市場規模と位置づけ
  • 30.2 主要プレイヤーと集中度
  • 30.3 先進パッケージングとAIボトルネック

① CoWoS・FOWLP・2.5D/3Dの急拡大

② 利益弾性と事業ポートフォリオの変化

  • 30.4 市場成長ドライバーと需要セグメント
  • 30.5 政策・サプライチェーン再構築の中でのOSAT
  • 30.6 2026年以降の構造的含意

31 サプライチェーンにおける素材メーカー

  • 31.1 概観:素材セグメントの市場規模と重要性
  • 31.2 地理的集中と主要プレイヤー
  • 31.3 フォトレジスト・電子ケミカルの動向

① 需要拡大と高付加価値化

② サステナビリティと規制対応

  • 31.4 特殊ガス・シリコンウエハなど他素材セグメント
  • 31.5 経済安保とサプライチェーン再構築における素材メーカー
  • 31.6 2026年以降の構造的含意

32 前工程装置メーカー

  • 32.1 概観:市場規模とバリューチェーン上の位置づけ
  • 32.2 主要プレイヤーとセグメント別特徴
  • 32.3 リソグラフィ:EUV/高NA EUVとASMLの独占
  • 32.4 WFE市場の成長ドライバーと地域分布
  • 32.5 輸出規制・地政学リスクが装置メーカーに与える影響
  • 32.6 2026年以降の構造的含意

33 後工程装置メーカー

  • 33.1 概観:市場規模と位置づけ
  • 33.2 主要プレイヤーと技術セグメント
  • 33.3 先進パッケージ向け装置:TCB・ハイブリッドボンディング・パネルFOWLP

① ボンディング装置の高度化

② パネルレベル・ファンアウト・3DIC対応

  • 33.4 レガシー技術:ワイヤボンディングと汎用ダイボンダの継続的重要性
  • 33.5 地理的分布とサプライチェーン再構築の影響
  • 33.6 2026年以降の構造的含意

34 半導体流通商社の役割

  • 34.1 概観:市場規模とバリューチェーン上の位置づけ
  • 34.2 主要プレイヤーとビジネスモデル
  • 34.3 付加価値サービス:設計支援・在庫最適化・品質保証
  • 34.4 半導体不足から得た教訓と商社の役割拡張
  • 34.5 デジタル化・データ活用と新たな競争軸
  • 34.6 2026年以降の構造的含意

35 設計(EDAツール開発企業)

  • 35.1 概観:寡占構造と市場規模の拡大
  • 35.2 メジャー3社の戦略:フルスタック化とAI統合
  • 35.3 AI・生成AIの導入と設計ワークフローの変容

① 大手ベンダーによるAI機能の組み込み

② スタートアップによるAIネイティブEDA

  • 35.4 クラウドEDAと提供モデルの変化
  • 35.5 2026年以降のバリューチェーン上の位置づけ

【 水平的関係と協業 】

36 研究開発施設の共同利用

  • 36.1 概観:共同利用型R&D拠点の役割
  • 36.2 imec:パイロットライン共有によるオープンイノベーション
  • 36.3 欧州における共同R&Dラインとサブストレートセンター
  • 36.4 大学・産業連携ラボ:TSMC-東大・IBM-大学拠点など
  • 36.5 新拠点構想:アンダルシア300mmラインとグローバル連携
  • 36.6 2026年以降の構造的含意

37 米国・欧州大学との公的研究共同体

  • 37.1 概観:公的研究共同体の位置づけ
  • 37.2 米国:NSTCとCHIPS R&Dプログラム
  • 37.3 米国:大学拠点と人材・施設プログラム
  • 37.4 欧州:大学連携と地域エコシステム
  • 37.5 公的研究共同体がもたらす構造変化
  • 37.6 2026年以降の水平的協業への含意

38 IDM間のライセンス共有

  • 38.1 概観:クロスライセンスと水平協業の基本構造
  • 38.2 代表例:TSMC–GlobalFoundries・Intel–AMDなどのクロスライセンス
  • 38.3 新潮流:半導体特許プールとライセンスのパッケージ化
  • 38.4 ビジネス・法務面の論点:共同開発と標準必須特許
  • 38.5 2026年以降の構造的含意

39 装置メーカー間の共同研究プロジェクト

  • 39.1 概観:装置メーカー協業の役割と特徴
  • 39.2 imecを中心とした戦略的パートナーシップ

① ASMLとimecの包括提携

② SCREEN・ZEISSなど他装置メーカーとの連携

  • 39.3 EUV・High-NA領域における装置メーカー共同ラボ
  • 39.4 オープンイノベーションコンソーシアムとサステナビリティ
  • 39.5 2026年以降の構造的含意

40 半導体リサイクル分野での水平連携

  • 40.1 概観:半導体リサイクルが水平連携のテーマになる理由
  • 40.2 工場内循環と業界コンソーシアム:SCCとファブの取り組み
  • 40.3 サプライヤ・装置メーカーとの水平連携と標準化
  • 40.4 電子廃棄物とグローバルな協調プラットフォーム
  • 40.5 市場成長と地域政策:規制・インセンティブを介した連携
  • 40.6 2026年以降の構造的含意

41 国際共同標準策定団体

  • 41.1 概観:標準策定団体が担う水平的ガバナンス
  • 41.2 SEMI:EHS・ファシリティ標準を通じた装置・ファブの水平連携
  • 41.3 IEC/TC47:デバイス・パッケージ信頼性の国際規格
  • 41.4 JEDEC:メモリ・ストレージ標準を通じたエコシステム形成
  • 41.5 標準策定団体と地域・産業政策の接続
  • 41.6 2026年以降の構造的含意

42 R&Dコストシェアリングコンソーシアム

  • 42.1 概観:コストシェアリングが不可欠となった背景
  • 42.2 imec:グローバルR&Dコストシェアリングの代表事例
  • 42.3 米国:NSTCとCHIPS R&Dプログラムのコストシェアリング設計
  • 42.4 欧州:Chips Joint Undertakingと三者共同出資モデル
  • 42.5 グローバル技術コンソーシアムと企業側の投資行動
  • 42.6 2026年以降の構造的含意

43 イノベーションハブによる産学官連携

  • 43.1 概観:イノベーションハブが担う新しい役割
  • 43.2 日本・台湾連携:熊本・九州圏のイノベーションハブ
  • 43.3 欧州:Brainport–Leuven軸の大学主導ハブ
  • 43.4 新興国:ベトナムVSICに見る人材・スタートアップ拠点
  • 43.5 米国・その他:NSTC・Albany NanoTechなどのハブ化
  • 43.6 2026年以降の構造的含意

44 素材メーカー間の標準化協議

  • 44.1 概観:標準化協議の目的と歴史的経緯
  • 44.2 SEMI材料・EHS委員会における素材メーカーの協働
  • 44.3 ウェーハ大口径化と材料規格の水平協議
  • 44.4 サステナビリティと排出量標準化に向けた素材メーカー協議
  • 44.5 企業レベルでの材料規格・有害物質管理
  • 44.6 2026年以降の構造的含意

45 産業横断的コンソーシアム(例:SEMI)

  • 45.1 概観:SEMIを代表とする産業横断コンソーシアムの役割
  • 45.2 技術標準化とエコシステム形成
  • 45.3 政策提言と地域横断のアドボカシー
  • 45.4 サステナビリティ:Semiconductor Climate Consortiumの取り組み
  • 45.5 2026年以降の構造的含意

46 オープンソース半導体設計(RISC-V)

  • 46.1 概観:オープンISAとしてのRISC-Vと市場浸透
  • 46.2 エコシステムとコミュニティ:サミット・RISEプロジェクト・Yocto連携
  • 46.3 採用動向:自動車・データセンター・組み込み
  • 46.4 フラグメンテーションと標準化:水平的協業の要諦
  • 46.5 チップレットとオープンハードウェア:今後の水平構造
  • 46.6 2026年以降の構造的含意

47 チップレット標準化に向けた業界連携

  • 47.1 概観:チップレットと標準化の必然性
  • 47.2 UCIeコンソーシアム:デファクトインタコネクトへ向けた進化
  • 47.3 OCP ODSA・BoW:オープンPHYとチップレットモデル標準
  • 47.4 チップレットマーケットプレイスと3DKsの進展
  • 47.5 2026年以降の構造的含意

48 EDA企業とクラウドプラットフォームの協業

  • 48.1 概観:クラウド移行が必然となったEDAワークロード
  • 48.2 Synopsys Cloudと主要クラウドベンダとの連携
  • 48.3 ハイブリッドクラウドとバースト運用:AWSとの協業事例
  • 48.4 Cadence CloudBurstとマルチクラウド戦略
  • 48.5 AI・自動化とEDAクラウドのシナジー
  • 48.6 2026年以降の構造的含意

49 ファブレス同士の合弁開発

  • 49.1 概観:ファブレス同士の水平連携が台頭する背景
  • 49.2 代表的な合弁・共同開発事例

① AIチップレット:RebellionsとCoAsia SEMI

② 自動車向けオープンチップレット:BOS SemiconductorsとTenstorrent

  • 49.3 ファブレス連携を支える周辺エコシステム
  • 49.4 地域戦略とサプライチェーンレジリエンス
  • 49.5 2026年以降の構造的含意

【 ダイナミックな競合と合従連衡 】

50 米国Biden政権下の業界再編誘導

  • 50.1 概観:産業政策と安全保障を一体化した再編誘導
  • 50.2 CHIPS法による国内再編:メガプレーヤー集中と裾野形成
  • 50.3 輸出管理と同盟国連携:対中デカップリングと「Chip4/Chip Alliance」
  • 50.4 同盟国・企業への再編圧力:投資誘導と条件付き支援
  • 50.5 2026年以降の構造変化:多極化する同盟と産業集約

51 IntelとNvidiaの提携関係

  • 51.1 概観:競合から戦略的パートナーへ
  • 51.2 データセンター向け:NVLink対応カスタムx86 CPU
  • 51.3 AI PC/クライアント向け:x86+RTX統合SoC
  • 51.4 ファウンドリ・パッケージング面での協業と制約
  • 51.5 ダイナミックな競合構造へのインプリケーション
  • 51.6 2026年以降の展望:合従連衡としての意味

52 ARMとRISC-Vの競合と協調可能性

  • 52.1 概観:2つのRISCエコシステムの位置づけ
  • 52.2 RISC-V拡大のドライバーと現状
  • 52.3 Arm側の対応とエコシステム戦略
  • 52.4 地政学と政策:RISC-Vをめぐる国家戦略
  • 52.5 競合構図:市場セグメント別の棲み分け
  • 52.6 協調可能性:ツール・ソフトウェア・チップレットでの共存
  • 52.7 2026年以降のダイナミックな競合と合従連衡

53 EUによる「チップ法」下の提携動向

  • 53.1 概観:戦略的自律性と産業連携の枠組み
  • 53.2 Chips for Europe Initiative:パイロットラインと設計プラットフォーム
  • 53.3 IPF/OEF指定と製造投資:欧州版「アンカー拠点」づくり
  • 53.4 グローバル企業との提携:TSMC・Intel案件とその揺らぎ
  • 53.5 IPCEIと第三国連携:域内コンソーシアムの拡大
  • 53.6 2026年以降の構造変化:研究中核型エコシステムと選択的自立

54 日本企業連合(Rapidus)の台頭

  • 54.1 概観:国家プロジェクトとしてのRapidus
  • 54.2 技術ロードマップとIBM・imec連携
  • 54.3 パッケージングとチップレット:前後工程一体の差別化
  • 54.4 北海道IIM‑1の進捗と資金調達スキーム
  • 54.5 エコシステムと国際提携:Tenstorrent・欧州研究機関など
  • 54.6 2026年以降の構造変化とRapidusの位置づけ

55 韓国と台湾の協調・競合関係

  • 55.1 概観:AI時代の「最大供給ペア」
  • 55.2 先端ロジックとHBM:Samsung vs TSMCの交差点
  • 55.3 サプライチェーン連携と外交:Chip4とインド太平洋戦略
  • 55.4 通商・関税と実務的協調の動き
  • 55.5 地政学リスクと経済安全保障:競合と相互依存のジレンマ
  • 55.6 2026年以降のダイナミックな競合と合従連衡

56 インド半導体イニシアティブと米国支援

  • 56.1 概観:Semicon Indiaと「供給網プレーヤー」への飛躍
  • 56.2 政策フレーム:世界でも突出したインセンティブ水準
  • 56.3 具体プロジェクト:Micron・Vedanta・Foxconnなど
  • 56.4 米国支援とiCET:設計・成熟ノード・パッケージングの分業
  • 56.5 エコシステム構築の課題:設備・人材・インフラ
  • 56.6 2026年以降の構造変化とインドのポジション

57 代替エネルギー企業との合従連衡

  • 57.1 概観:電力多消費産業とエネルギー転換の接点
  • 57.2 再エネ調達とPPA:TSMC・Samsung・SK hynixの動き
  • 57.3 製造装置・材料メーカーと再エネ・省エネの連携
  • 57.4 ワイドバンドギャップ半導体と再エネ機器メーカーの協業
  • 57.5 データセンターとグリーン電力:AIインフラをめぐる三者連携
  • 57.6 2026年以降の構造変化:電力・炭素を軸にした新たな合従連衡

58 OpenAIによるGoogle製AIチップ利用

  • 58.1 概観:競合同士の「計算資源同盟」
  • 58.2 事実関係:TPU利用の範囲とOpenAIの公式コメント
  • 58.3 Google TPU側の戦略と技術的特徴
  • 58.4 OpenAI側のインセンティブ:コスト・サプライ・交渉力
  • 58.5 競合環境への波及:Nvidia・Microsoft・他クラウドへの影響
  • 58.6 2026年以降の「ダイナミックな競合と合従連衡」の含意

59 Apple独自チップとTSMC依存関係

  • 59.1 概観:AppleシリコンとTSMCの相互依存
  • 59.2 TSMC側の体制:先端ノードと米国拠点
  • 59.3 Appleのサプライチェーン多元化:Intel活用構想
  • 59.4 Samsungとの関係:イメージセンサと補完的役割
  • 59.5 2026年以降の構造変化:TSMC依存と「合従連衡」

60 SamsungとTSMCの製造競争と協業余地

  • 60.1 概観:シェアギャップと技術追撃
  • 60.2 2nmおよび3nm世代の競争
  • 60.3 先端パッケージング:三つ巴の中の2社
  • 60.4 競争と補完:顧客・地域・技術の分業
  • 60.5 協業余地:標準化・3D‑IC・政策の観点

61 MicrosoftのAIチップ開発とNvidia関係

  • 61.1 概観:自社チップとNvidia協業の両立
  • 61.2 Azure Maia/Cobalt:自社AIチップ開発の現状
  • 61.3 OpenAI/Broadcom連携とIPアクセス
  • 61.4 Nvidiaとの関係:超大口顧客かつ戦略パートナー
  • 61.5 中長期戦略:Nvidia依存低減と合従連衡

62 AmazonのAWSチップと外部GPU関係

  • 62.1 概観:自社シリコンと外部GPUの二正面戦略
  • 62.2 AWS自社AIチップ:TrainiumとInferentia
  • 62.3 外部GPUとの関係:Nvidia中心の「補完的提携」
  • 62.4 成果と影響:Nvidia一強へのカウンター
  • 62.5 2026年以降のダイナミックな競合と合従連衡

63 Huaweiの独自開発と制裁回避戦略

  • 63.1 概観:制裁が加速させた「自立シリコン戦略」
  • 63.2 独自チップ開発:KirinとAscendの国産化
  • 63.3 制裁回避と「ファブネットワーク」構築
  • 63.4 「スペアタイヤ2.0」と冗長性戦略
  • 63.5 制約要因:HBMと先端ノードのボトルネック
  • 63.6 2026年以降の構造変化と地政学的含意

64 QualcommとMediaTekの領域争い

  • 64.1 概観:数量のMediaTek、単価のQualcomm
  • 64.2 スマートフォンSoC:ミッドレンジとプレミアムの攻防
  • 64.3 AIスマホとオンデバイスAI:Dimensity 9400+ vs Snapdragon
  • 64.4 市場拡張:クラウドAI ASICと地域戦略
  • 64.5 2026年以降のダイナミックな競合と合従連衡

【 地政学・経済安全保障 】

65 輸出管理体制のグローバル分断

  • 65.1 概観:米中競争と「小さな庭・高い塀」からの逸脱
  • 65.2 多国間体制の停滞と「ワッセナー・マイナスワン」
  • 65.3 米国・同盟国ブロック:制度の高度化と負担増大
  • 65.4 中国・ロシアなどの対抗措置と並行ルール
  • 65.5 企業と第三国への影響:コンプライアンス負担と選別圧力
  • 65.6 2026年以降の構造変化とガバナンスの方向性

66 米中対立下の輸出規制

  • 66.1 概観:国家安全保障主導の「チップ統制」
  • 66.2 主要規制の射程:AIチップ・製造装置・「米国人」行為
  • 66.3 2023〜2025年の拡張と同盟国連携
  • 66.4 経済・技術への影響:米中双方と第三国
  • 66.5 制度とガバナンス:BIS・エンティティリスト・ライセンス運用
  • 66.6 2026年以降の展望:管理されたデカップリングと制度疲労

67 軍需向け半導体の規制強化

  • 67.1 概観:ロシア戦争とAI軍拡がもたらした転換点
  • 67.2 米国:軍事・軍事インテリジェンス用途への広範なエンドユース規制
  • 67.3 G7・EU:ロシア向け軍需チップ封じ込めとデュアルユースリスト拡張
  • 67.4 産業・企業への影響:サプライチェーンの分割とコンプライアンス強化
  • 67.5 2026年以降の構造変化:軍需と民生の境界再定義

68 経済制裁と半導体供給リスク

  • 68.1 概観:制裁がサプライチェーンの「第4のショック」になった経緯
  • 68.2 直接制裁による供給リスク:ロシア・中国へのチップ遮断
  • 68.3 間接的影響:原材料・物流・関税を通じたリスク拡散
  • 68.4 第三国・企業にとってのリスク:二次制裁・分断市場・コスト増
  • 68.5 リスク緩和の方向性:多元調達・在庫戦略・地域分散
  • 68.6 2026年以降の構造変化:制裁が「常態化した世界」での半導体ビジネス

69 サイバー攻撃による半導体施設リスク

  • 69.1 概観:クリティカルインフラとしての半導体ファブ
  • 69.2 主な攻撃パターン:ランサムウェアと知財窃取
  • 69.3 国家レベルの脅威:台湾・先端装置・FPGAサプライチェーン
  • 69.4 技術的脆弱性:OT・ICS環境とレガシーシステム
  • 69.5 政策・ガイドラインの動向:NIST・国内指針・国際協調
  • 69.6 2026年以降の構造変化:サイバー・レジリエンスを組み込んだ半導体戦略

70 半導体を巡るブロック経済圏化

  • 70.1 概観:半導体が牽引するテクノ・ブロック化
  • 70.2 米国・同盟圏:CHIPS法とフレンド・ショアリング
  • 70.3 中国ブロック:レガシーチップ支配と「Delete America」
  • 70.4 中間圏と新興ブロック:ラテンアメリカ・グローバルサウスの位置づけ
  • 70.5 2026年以降の構造変化:三層的ブロック構造とその含意

71 台湾有事リスクと分断懸念

  • 71.1 概観:半導体集中と「シリコン・シールド」
  • 71.2 台湾有事のシナリオと供給断絶リスク
  • 71.3 分断懸念とサプライチェーン再編:TSMCの地理的分散
  • 71.4 「技術ブロック化」と分断の深まり
  • 71.5 2026年以降の構造変化とリスク緩和の方向性

72 韓国の米中間バランス戦略

  • 72.1 概観:安保は米国、経済は中国というジレンマ
  • 72.2 輸出規制への対応:猶予措置と条件付き追随
  • 72.3 サプライチェーン戦略:Chinaリスク低減と友好国シフト
  • 72.4 Chip4・対米協調と対中配慮
  • 72.5 国内政策と中堅外交:APEC 2025とミドルパワー戦略
  • 72.6 2026年以降の構造変化と韓国の位置づけ

73 日本の経済安全保障政策

  • 73.1 概観:戦略的自律性と「戦略的不可欠性」の追求
  • 73.2 法制度と枠組み:経済安保推進法と関連立法
  • 73.3 半導体・量子への巨額投資と戦略拠点化
  • 73.4 輸出管理強化と対中デリスキング
  • 73.5 科学技術・サプライチェーン政策としての経済安保
  • 73.6 2026年以降の構造変化と日本の役割

74 欧州の半導体自律化政策

  • 74.1 概観:20%シェアと「戦略的自律性」
  • 74.2 欧州チップ法の三本柱とパイロットライン
  • 74.3 製造能力拡張と「戦略的第一号ファブ」
  • 74.4 危機対応と戦略的不可欠性:自律と相互依存のバランス
  • 74.5 実施状況と課題:投資規模・人材・ブロック化リスク
  • 74.6 2026年以降の構造変化と欧州の位置づけ

75 中国の「中国製造2025」戦略

  • 75.1 概観:製造強国への長期ロードマップ
  • 75.2 半導体自給目標とビッグファンドによる産業育成
  • 75.3 製造装置・材料の国産化と「50%ルール」
  • 75.4 「双循環」と自前技術路線:輸出規制への長期対応
  • 75.5 AI・先端分野へのシフトと希少資源のレバレッジ
  • 75.6 2026年以降の構造変化と「デュアルトラック」半導体モデル

76 インドの生産拠点誘致政策

  • 76.1 概観:Semicon Indiaと「フレンド・ショアリング」需要の取り込み
  • 76.2 インセンティブ枠組み:ISC・PLI・DLIの三層構造
  • 76.3 主要プロジェクトと最新動向:Micron・タタ・Foxconnなど
  • 76.4 地政学とサプライチェーン再編:フレンド・ショアリング拠点としての位置づけ
  • 76.5 課題と2026年以降の展望:エコシステム構築と人材育成

77 ロシアの半導体供給制限

  • 77.1 概観:ウクライナ侵攻後の包括規制とその狙い
  • 77.2 制裁措置の内容:半導体・装置・サービスの多層的制限
  • 77.3 供給制限の効果:価格高騰と防衛産業への圧力
  • 77.4 制裁回避ネットワークと第三国経由調達
  • 77.5 ロシア国内の輸入代替戦略と将来像
  • 77.6 2026年以降の半導体構造変化における意味

78 中東諸国の半導体投資動向

  • 78.1 概観:SWFを軸にした「ポスト石油」戦略
  • 78.2 サウジアラビア:国家半導体ハブとAIデータセンター
  • 78.3 UAE:Mubadala・MGXによるグローバル半導体投資
  • 78.4 SWFによる海外半導体投資と規制環境
  • 78.5 2026年以降の構造変化と中東の位置づけ

79 ASEANの生産拠点多角化

  • 79.1 概観:China+1とフレンド・ショアリングの受け皿
  • 79.2 地域枠組み:AFISSと統合半導体戦略
  • 79.3 主要国別の役割:マレーシア・シンガポール・ベトナム
  • 79.4 China+1と二重の引力:米中双方との連結
  • 79.5 2026年以降の課題と展望:フルスタック化とガバナンス

【 サプライチェーン分断リスクと代替戦略 】

80 北米サプライチェーン国内回帰イニシアチブの構造と展望

  • 80.1 背景:サプライチェーン分断リスク認識の高まり
  • 80.2 政策フレーム:CHIPS and Science Act と関連法

① 主な財政支援とインセンティブ

② 補助金配分とプロジェクト例

  • 80.3 北米半導体サプライチェーンの新しい地理構造

① 米国内クラスターの形成

② メキシコ・カナダとのニアショアリング

  • 80.4 産業構造変化:投資・生産・コストのトレンド

① 投資と売上の再配分

② コスト上昇と「戦略的冗長性」

  • 80.5 北米イニシアチブの中核:リショアリング、ニアショアリング、フレンドショアリング

① リショアリング(米国内回帰)

② ニアショアリング(メキシコ・カナダ活用)

③ フレンドショアリング(同盟国との分業)

  • 80.6 プロジェクトの進捗とボトルネック

① 建設遅延と規制問題

② 労働力・スキルギャップ

③ 経済性と補助金依存リスク

  • 80.7 2026年以降の構造変化シナリオ

① 自給率・シェアの変化

② グローバル投資競争と過剰設備リスク

③ サプライチェーン多極化と安全保障

  • 80.8 企業戦略・政策担当者へのインプリケーション

① 企業にとっての示唆

② 政策担当者にとっての示唆

  • 80.9 参考文献

81 欧州連合の半導体主権イニシアチブ

  • 81.1 概観:戦略的自律性と供給安全保障
  • 81.2 欧州チップ法の構造:3本柱と5つの戦略目標
  • 81.3 IPCEIとChips Act 2.0:パブリック・プライベート連携の拡張
  • 81.4 トランスアトランティック連携と対中戦略:自立と相互依存のバランス
  • 81.5 2026年以降の構造変化:欧州ブロックの位置づけと課題

82 QUAD半導体同盟パートナーシップの全体像

  • 82.1 位置づけと戦略目的
  • 82.2 QUAD半導体パートナーシップの制度枠組み

① 主要要素と原則

  • 82.3 半導体と重要鉱物:二重のサプライチェーン協力

① QUAD重要鉱物イニシアチブ

② 各国の役割分担

  • 82.4 半導体サプライチェーン協力の具体的方向性

① サプライチェーン多元化と「フレンドショアリング」

② 共同投資・共同製造ハブ構想

③ 標準・輸出管理・研究協力

  • 82.5 2026年以降の構造変化とQUADの役割

① インドの台頭と「欠けていたピース」

② 中国との関係とリスク

  • 82.6 サプライチェーン分断リスクと企業・政策へのインプリケーション

① 企業レベルの示唆

② 政策レベルの示唆

  • 82.7 参考文献

83 AUKUS技術共有協定の概要と位置づけ

  • 83.1 AUKUSの二本柱構造と技術共有の位置
  • 83.2 ピラー2が対象とする先端技術領域

① 主要技術分野

② 半導体・電子サプライチェーンとの関係

  • 83.3 技術共有を可能にする輸出管理・法制度の改革

① 輸出管理の整合化

② 「ライセンスフリー環境」と技術データ移転

  • 83.4 産業基盤・サプライチェーンへの影響

① 防衛産業基盤の統合

② 半導体関連サプライチェーンの特徴的な動き

  • 83.5 サプライチェーン分断リスクとAUKUSの役割

① 技術・サプライチェーンの「同盟内ブロック化」

② 半導体・電子機器にとっての含意

  • 83.6 2026年以降の展望と戦略的含意

① 実装フェーズへの移行

② 他同盟・パートナーへの波及可能性

  • 83.7 企業・政策担当者への示唆

① 企業にとってのポイント

② 政策担当者にとってのポイント

  • 83.8 参考文献

84 NATO半導体安全保障協力の全体像

  • 84.1 半導体がNATOにとって重要視される背景
  • 84.2 防衛クリティカル・サプライチェーン安全保障ロードマップ

① ロードマップの5つの柱

② なぜサプライチェーン強靱化が必要か

  • 84.3 防衛生産行動計画と産業協力

① 行動計画の主な要素

② 半導体との接点

  • 84.4 中国依存リスクと半導体サプライチェーン

① 中国に関するリスク評価

② 通信インフラと信頼できるベンダー

  • 84.5 NATOイノベーション・エコシステムと半導体

① NIFと防衛・レジリエンス分野への投資

② Emerging and Disruptive Technologies(EDT)政策

  • 84.6 2026年以降の構造変化とNATOの役割

① 防衛産業基盤再構築の議論

② エネルギー・インフラと半導体の結節点

  • 84.7 企業・政策担当者へのインプリケーション

① 企業にとっての示唆

② 政策担当者にとっての示唆

  • 84.8 参考文献

85 ASEAN半導体貿易枠組みの全体像

  • 85.1 ASEANの半導体産業の現状
  • 85.2 AFISS(統合半導体サプライチェーン枠組み)の構造

① フォーカスエリアI:サプライチェーン強靱化

② フォーカスエリアII〜IV:投資・技術・政策

  • 85.3 ASEAN半導体貿易枠組みの具体的施策

① 貿易・通関分野での取り組み

② 対外枠組みとの接続

  • 85.4 主要国別の役割と産業戦略

① シンガポール:前工程・設計ハブ

② マレーシア:OSAT・先端パッケージングとR&D

③ ベトナム・フィリピン・タイ:成長ドライバー

  • 85.5 サプライチェーン分断リスクと「ASEAN枠組み」の意義

① 「China+1」戦略の受け皿としてのASEAN

② 貿易枠組みとしての強みと課題

  • 85.6 2026年以降の構造変化シナリオと戦略的含意

① ASEANにとっての機会

② リスクと政策的課題

  • 85.7 企業・政策担当者へのインプリケーション

① 企業にとってのポイント

② 政策担当者にとってのポイント

  • 85.8 参考文献

86 台湾依存リスク緩和の前提と問題設定

  • 86.1 台湾リスクの構造:地政学・自然災害・インフラ

① 地政学リスク

② 自然災害・インフラリスク

③ 経済構造と人的リソース

  • 86.2 グローバルな台湾依存リスク緩和の方向性

① 地理的多元化(リショアリング・ニアショアリング)

② 技術・企業ポートフォリオの分散

  • 86.3 TSMCのグローバル分散戦略

① 米国:アリゾナ・ギガファブ・クラスター

② 日本:熊本クラスターと課題

③ 欧州:ドレスデン計画

  • 86.4 シナリオ分析と企業レベルのリスク緩和策

① 台湾有事シナリオの整理

② 企業の具体的緩和策

  • 86.5 台湾側からのリスク緩和と国際連携

① 経済・産業構造の多元化

② 同盟・ミニラテラル枠組みとの連携

  • 86.6 2026年以降の構造変化と戦略的含意

① 「制御された依存」へのシフト

② 企業・政策担当者への要点

  • 86.7 参考文献

87 サプライチェーンの多極化とは何か

  • 87.1 多極化を駆動する要因

① 地政学と安全保障

② 地理的集中リスクとパンデミック経験

  • 87.2 地域別に進む半導体サプライチェーンの再編

① 北米:リショアリングとフレンドショアリングの結節点

② 欧州:欧州CHIPS法と戦略的自律

③ 東アジア:台湾・韓国集中からアジア内分散へ

④ 新興極:ASEAN・インド・中東

  • 87.3 多極化がもたらす利点とトレードオフ

① 利点:レジリエンスと交渉力の向上

② コスト・効率面の負担

  • 87.4 多極化時代の企業戦略:設計・調達・投資

① サプライチェーン設計の原則

② 投資とパートナーシップ

  • 87.5 2026年以降の展望と政策インプリケーション

① 市場成長と地域バランス

② 政策担当者への示唆

  • 87.6 参考文献

88 製造地分散投資(米・欧・日展開)の全体像

  • 88.1 政策ドライバー:米・欧・日のCHIPS政策

① 米国:CHIPS and Science Act とリショアリング

② 欧州:欧州CHIPS法とマイクロチップ戦略

③ 日本:経済安全保障と半導体戦略

  • 88.2 主要プレーヤー別の分散投資動向

① TSMC:アリゾナ・熊本・ドレスデンの三極展開

② Intel:米・欧のメガファブ網

③ Samsung・SK hynix・欧州IDM

  • 88.3 地域別の特徴と補完関係

① 北米:先端ロジックとパッケージングの中核

② 欧州:車載・産業向けとパワー半導体

③ 日本:材料・装置+先端/成熟ノードのハイブリッド

  • 88.4 分散投資がサプライチェーンに与える影響

① レジリエンス向上と台湾依存の緩和

② コスト・競争環境への影響

  • 88.5 2026年以降の展望と戦略的インプリケーション

① キャパシティの立ち上がりと過剰投資リスク

② 企業・政策担当者への示唆

  • 88.6 参考文献

89 半導体輸送ロジスティクス強靭化の重要性

  • 89.1 現状の脆弱性:地政学・海上輸送・JIT依存

① 地政学・海上ルートのリスク

② 航空貨物・空港インフラへの依存

  • 89.2 技術面からの強靭化:IoT・AI・スマートパッケージング

① IoT/センサーによるリアルタイム環境監視

② AI・ブロックチェーンによるルート最適化とトレーサビリティ

  • 89.3 ネットワーク設計:マルチハブ・マルチモーダル化

① グローバルDC網とサービスロジスティクス

② マルチモーダル輸送とルート多様化

  • 89.4 ロジスティクス市場の構造変化とキャパシティ確保

① 専門性を持つフォワーダー・3PLの台頭

② キャパシティとサステナビリティの両立

  • 89.5 2026年以降の展望と実務的示唆

① 期待される進化方向

② 企業・政策担当者への実務的ポイント

  • 89.6 参考文献

90 半導体サプライチェーンにおける在庫戦略の再定義

  • 90.1 パンデミックとブルウィップ効果から得られた教訓

① ブルウィップ効果のメカニズム

② JITからJICへのシフト

  • 90.2 戦略在庫の考え方:何を・どこに・どれだけ持つか

① クリティカル品目の特定と差別化

② マルチエシェロン在庫最適化(MEIO)

  • 90.3 契約・ガバナンス面のレジリエンス在庫

① ストラテジック・インベントリとコミットメント契約

② 自動車・産業分野の教訓

  • 90.4 デジタル技術を活用した在庫レジリエンス

① 需要予測とシナリオ分析

② 需給共有とブルウィップ抑制

  • 90.5 2026年以降の在庫レジリエンス戦略の方向性

① リスクベース在庫と資本効率のバランス

② マルチエシェロン+契約設計の統合

  • 90.6 参考文献

91 日韓半導体協力枠組み

  • 91.1 概観:歴史対立から経済安全保障協調へ
  • 91.2 二国間協力の枠組み:輸出管理正常化と相互投資
  • 91.3 日米韓三国協力:キャンプ・デービッド原則と共同声明
  • 91.4 2026年以降の構造変化:サプライチェーン分断と日韓協力の役割

92 材料代替供給網(二次供給確立)の必要性

  • 92.1 クリティカル材料とリスク構造

① 代表的なクリティカル材料

② リスクの特徴

  • 92.2 希ガス・プロセスガスの代替供給確立

① ネオンショックと市場の再バランス

② 二次供給と多元調達の実務

  • 92.3 クリティカルミネラルと材料代替

① ガリウム・ゲルマニウム・レアアース

② 代替材料・新材料へのシフト

  • 92.4 化学・ケミカルサプライチェーンの地域分散とデジタル化

① 北米・欧州でのケミカル供給網構築

② デジタル戦略とマテリアル・インテリジェンス

  • 92.5 二次供給確立に向けたマルチソーシング戦略

① マルチソーシングと地域ポートフォリオ

② 二次供給の設計と検証

  • 92.6 2026年以降の展望と実務的インプリケーション

① 「クリティカル材料マップ」と政策連携

② 企業にとっての実務ポイント

  • 92.7 参考文献

93 サードパーティ製EDAへの移行リスクの全体像

  • 93.1 地政学・制裁リスク:EDAを巡る輸出規制と依存

① 米中対立とEDA輸出規制

② サードパーティ依存が生む「政策リスク」

  • 93.2 技術的・運用上のリスク:ツール移行のコストと品質

① ツールチェーンの互換性と学習コスト

② ベンダーロックインと長期コスト

  • 93.3 セキュリティ・知財・サプライチェーンリスク

① クローズドソースEDAのブラックボックス性

② オープンソースEDAへの移行とセキュリティ懸念

  • 93.4 サードパーティEDAとサプライチェーン分断リスクの関係

① エコシステム依存と技術主権

② サードパーティへの移行がもたらす分断リスク

  • 93.5 2026年以降の戦略的含意とリスク低減策

① マルチベンダー・マルチフロー戦略

② オープンソースと商用EDAのハイブリッド利用

③ サードパーティリスク管理(TPRM)の導入

  • 93.6 参考文献

94 量産拠点の冗長化投資の位置づけ

  • 94.1 冗長化投資が必要とされる背景

① 地理的集中リスクと地政学

② 気候・インフラリスク

  • 94.2 グローバル企業による冗長化投資の具体動向

① TSMC:台湾外3極体制の構築

② 欧州・日本の共同ファブ

③ セカンドソースの確保と工場ネットワーク

  • 94.3 冗長化投資の経済性とトレードオフ

① ファブ建設コストと規模の経済

② 利用率・過剰能力リスク

  • 94.4 冗長化投資を支える戦略設計

① ノード別・用途別の冗長性

② 立地条件とエコシステム

  • 94.5 2026年以降の展望と実務的示唆

① 冗長化の成熟と「スマートキャパシティ」

② 企業・政策担当者へのポイント

  • 94.6 参考文献

95 半導体サプライチェーンにおけるサイバーリスクの特徴

  • 95.1 攻撃ベクトルと脆弱性:ITからOT、ハードウェアまで

① IT/ソフトウェアサプライチェーン

② OT/工場・装置ネットワーク

③ ハードウェアレベル・トレーサビリティ

  • 95.2 規制・標準化動向:NIST CSF 2.0とハードウェアセキュリティ

① NIST CSF 2.0と半導体向け適用

② ハードウェアセキュリティプログラムと供給者評価

  • 95.3 企業レベルのサイバーリスク対応と危機回避システム

① ランサムウェア対策とバックアップ戦略

② SOC/CERTとインシデント対応プロセス

  • 95.4 サプライチェーン全体の危機回避システム

① グローバルトレーサビリティと真正性保証

② ベンダー監視と第三者リスク管理

③ 国際連携と情報共有プラットフォーム

  • 95.5 2026年以降の展望とレジリエンス強化の方向性

① AI・ゼロトラスト・量子耐性暗号へのシフト

② 企業・政策担当者への実務的示唆

96 「China+1」製造戦略の基本概念

  • 96.1 半導体・エレクトロニクスにおける「China+1」の狙い

① リスク低減と市場アクセスの両立

② どの工程が動いているか

  • 96.2 主要受け皿地域:ベトナム・インド・ASEAN・メキシコ

① ベトナム:半導体組立・設計クラスターの台頭

② インド:長期的「第二の中国」候補

③ ASEANその他:マレーシア・メキシコ・フィリピン

  • 96.3 「China+1」戦略の実務:製造・調達・ロジスティクスの設計

① 生産フットプリントの再設計

② 調達・物流・コンプライアンス

  • 96.4 「China+1」戦略の限界とリスク

① エコシステム格差と生産性ギャップ

② 政治・インフラリスクの転移

  • 96.5 2026年以降の展望と半導体サプライチェーンへの含意

① 中国の役割変容と多極化の進行

② 企業・政策担当者への示唆

97 装置メーカーの調達分散化とは何か

  • 97.1 コロナ危機と地政学が浮き彫りにした脆弱性

① 部品不足・中国依存の教訓

② 輸出規制・対中制裁の影響

  • 97.2 具体的な分散化の動き:地域・サプライヤー・設計

① 地域分散:北米・欧州・日本・東南アジアへの拠点シフト

② サプライヤー多元化とマルチソーシング

③ 設計面のモジュール化と代替容易性

  • 97.3 調達分散化がもたらすメリットとトレードオフ

① レジリエンス向上と顧客信頼

② コスト増・複雑性・品質管理負荷

  • 97.4 2026年以降の展望と装置メーカーの戦略的含意

① 多極型装置サプライチェーンへの移行

② デジタル化とリスク可視化の活用

③ 企業・政策担当者へのポイント

98 レアメタル代替化研究開発の位置づけ

  • 98.1 なぜレアメタル代替が重要か:クリティカルミネラルと集中リスク

① 半導体における主要クリティカルミネラル

② 中国輸出規制が投げかけた課題

  • 98.2 ガリウム・ゲルマニウム・タングステンの代替研究

① ガリウム・ゲルマニウム代替候補と課題

② タングステンプロセスの代替化

  • 98.3 レアアース代替・使用削減とリサイクル技術

① 永久磁石・モーター向け代替材料

② レアメタルリサイクルと循環利用

  • 98.4 政策・投資動向:代替化R&Dと鉱物供給戦略の一体化

① 米欧日の政策対応

② 国際協調とサプライチェーン多元化

  • 98.5 2026年以降の展望と産業への含意

① 材料イノベーションの方向性

② 企業・政策担当者への実務的ポイント

  • 98.6 参考文献

99 バッテリー関連材料との競合確保の論点

  • 99.1 バッテリーと半導体が競合する主要材料

① リチウム・ニッケル・コバルト・グラファイト

② 銅・レアアースなど周辺材料

  • 99.2 需要競合が半導体サプライチェーンに与える影響

① 価格・投資循環への波及

② 地政学・資源ナショナリズムとの連動

  • 99.3 競合を緩和する技術・ビジネス戦略

① 代替電池化学と需要構造の変化

② 半導体側の材料・設計最適化

③ 長期契約・共同投資・リサイクル

  • 99.4 2026年以降の展望とガバナンス課題

① 「ロックス vs チップス」時代の資源戦略

② 企業・政策担当者への実務的示唆

100 ホルムズ海峡等の輸送地政学リスクの全体像

  • 100.1 ホルムズ海峡のリスク構造と半導体への波及経路

① エネルギー・海運への依存度

② 軍事的緊張・電子妨害と航行リスク

  • 100.2 紅海・スエズなど他のチョークポイントとリスク拡大

① 紅海・スエズ危機の影響

② マラッカ・パナマなどの潜在リスク

  • 100.3 半導体サプライチェーンへの具体的影響

① エネルギーコストとファブ運営

② 部材・装置輸送の遅延とコスト増

  • 100.4 リスク低減のための回避・緩和戦略

① ルート多様化とマルチモーダル輸送

② 在庫・契約・BCPの見直し

③ エネルギー・製造拠点の地理的分散

  • 100.5 2026年以降の展望とガバナンス課題

① シナリオプランニングとリスク価格付け

② 国際協調と航行の自由

101 IP保護体制が半導体安定供給に与える意味

  • 101.1 IP保護とサプライチェーン分断:輸出規制・関税・訴訟

① 対中輸出規制とIP流出懸念

② 関税・貿易戦争とIP盗用

  • 101.2 標準必須特許(SEP)・特許紛争と供給安定

① SEP紛争と製品出荷リスク

② SEPガバナンス強化の影響

  • 101.3 IP保護レベルと投資・製造拠点選択

① IP保護の強い司法圏への集約

② IPリスクが高い地域に依存する場合の問題

  • 101.4 IP保護とサプライチェーンレジリエンスの両立に向けた動き

① 輸出管理と同盟国協調

② オープンイノベーションとIPライセンシング

  • 101.5 2026年以降の展望と実務的示唆

① 企業にとってのポイント

② 政策担当者にとってのポイント

102 インド半導体製造インセンティブ

  • 102.1 概観:デジタル主権とフレンド・ショアリングの結節点
  • 102.2 中央政府スキーム:製造・ATMP/OSATへの最大50%補助
  • 102.3 設計インセンティブ:DLIスキームとエコシステム構築
  • 102.4 州レベルの補完策と友好国との連携
  • 102.5 2026年以降の構造変化:リスクとポテンシャル

103 東南アジアのファブ投資シフト

  • 103.1 概観:ATP拠点から「準フルスタック」地域へ
  • 103.2 主要国別動向:マレーシア・ベトナム・シンガポール
  • 103.3 フレンド・ショアリングと二重の引力:米中双方からの投資
  • 103.4 2026年以降の構造変化:レガシー代替拠点としての役割と課題

104 台湾の地政学的リスクと供給多様化

  • 104.1 概観:世界最先端ノードの集中と「台湾リスク」
  • 104.2 想定シナリオ:封鎖・封じ込め・侵攻の経済安全保障インパクト
  • 104.3 TSMCの海外展開:米・日・独への分散とその限界
  • 104.4 供給多様化のジレンマ:リスク低減か台湾の相対的地位低下か
  • 104.5 2026年以降の構造変化:台湾リスクと多極化サプライチェーンのバランス

105 中東半導体ハブ開発

  • 105.1 概観:エネルギー依存から「チップ+AI」経済圏へ
  • 105.2 サウジアラビア:Vision 2030と半導体エコシステム構想
  • 105.3 UAE:AIデータセンターとファブ誘致の二正面戦略
  • 105.4 地政学とサプライチェーン分散:東西双方との関係
  • 105.5 2026年以降の構造変化:中東ハブの位置づけと限界

106 ラテンアメリカ半導体組立事業

  • 106.1 概観:デリスキングとニアショアリングの受け皿
  • 106.2 米州CHIPSイニシアチブ:西半球ATP能力の強化
  • 106.3 メキシコ:USMCAとニアショアリングが生むOSATハブ
  • 106.4 ブラジル:域内最大のOSAT拠点と政策ツール
  • 106.5 サプライチェーン分断リスクと2026年以降の構造変化

107 アフリカ新興半導体市場の全体像

  • 107.1 位置づけとマクロ背景
  • 107.2 価値連鎖上の現在地
  • 107.3 市場規模と成長ポテンシャル(概観)
  • 107.4 半導体サプライチェーン分断リスクとの関係
  • 107.5 政策・制度環境と政府主導イニシアティブ

① 主要国の政策動向

② AfCFTAと地域協力

③ 外資・国際機関との連携

  • 107.6 バリューチェーン別の新興領域

① アセンブリ・テスト・パッケージング(ATP)

② 設計・ファブレスモデル

③ 材料・サブストレート・部材

④ 製造装置・保守サービス

  • 107.7 地域別動向:北アフリカ・サハラ以南

① 北アフリカ:欧州近接型の製造・組立拠点

② 南アフリカ:設計・装置・特殊アプリケーション

③ 東アフリカ:デジタルハブと新規製造構想

④ 西アフリカ・中央アフリカ:資源と市場ポテンシャル

  • 107.8 サプライチェーン分断リスクとアフリカの役割

① 分断リスクの主要要因

② アフリカを活用した代替戦略

③ 欧米・アジア企業にとっての含意

  • 107.9 ボトルネックとリスク要因

① インフラギャップ(電力・水・物流)

② 人材・技術基盤

③ 資本制約と投資リスク

④ 競争環境と差別化課題

  • 107.10 2026年以降のシナリオと戦略的インプリケーション

① アフリカ向けのビジネスモデル仮説

② 企業・政策担当者への示唆

  • 107.11 参考文献

108 ロシア半導体サプライチェーン隔離の構造と展望

  • 108.1 制裁・輸出管理による隔離メカニズム

① サプライチェーン遮断の主要領域

② 制裁強化の時間軸

  • 108.2 ロシア国内半導体産業の基盤と限界

① 主要企業と技術水準

② 製造装置・材料依存

  • 108.3 輸入代替戦略と「技術主権」政策

① 国家プログラムと数値目標

② 国産製造装置開発計画

  • 108.4 並行輸入・グレーマーケットによる「事実上の再接続」

① 並行輸入合法化と規模

② 半導体・電子機器への影響

  • 108.5 国際制裁の実効性と「猫と鼠」の攻防

① 制裁強化・執行メカニズム

② enforcementギャップと第三国の役割

  • 108.6 ロシア半導体サプライチェーン隔離の構造的影響

① ロシア国内への影響

② グローバルサプライチェーンへの示唆

  • 108.7 2026年以降のシナリオ:構造変化と代替戦略

① ロシア国内シナリオ

② 西側と同盟国の代替戦略

③ 中国・インド・「グローバルサウス」との連携の可能性

  • 108.8 半導体サプライチェーン分断リスク管理への示唆

① 制裁耐性と代替ルート設計

② 技術主権・経済安全保障議論への波及

  • 108.9 参考文献

109 米中半導体分離戦略

  • 109.1 概観:国家安全保障主導の「選択的デカップリング」
  • 109.2 米国の戦略:輸出規制・CHIPS法・フレンド・ショアリング
  • 109.3 中国の戦略:自立化・市場遮断・対抗カード
  • 109.4 デカップリングの実態:部分分離と相互依存の残存
  • 109.5 2026年以降の構造変化:分離リスクと代替戦略

【 技術移転制限 】

110 エンティティリスト掲載の中国半導体企業の全体像

  • 110.1 主な掲載企業とその位置づけ

① 代表的なファブ・IDM

② 装置・材料・AIチップ企業

  • 110.2 直近の追加・修正動向

① 140社追加とリソグラフィ開発企業

② 既存掲載企業の子会社・関連会社の扱い

  • 110.3 エンティティリスト指定がもたらす影響

① 技術・装置調達への制約

② グローバルサプライチェーンへの波及

  • 110.4 中国側の対応と産業構造への影響

① 国産装置・材料・IPへの集中投資

② 産業の二層化と地域ブロック化

  • 110.5 企業・政策担当者への含意

① 企業のコンプライアンス・リスク管理

② 政策設計上の論点

111 知的財産ライセンス制限の概要

  • 111.1 制度的枠組み:輸出規制としてのライセンス制限

① 米国輸出管理規則(EAR)の拡張

② 技術移転・ライセンス契約への波及

  • 111.2 半導体バリューチェーン別に見たライセンス制限の影響

① 設計・EDA・IPコア

② 製造装置・プロセスノウハウ

③ クラウドAI・SaaS・リモート教育

  • 111.3 ライセンス制限の最新動向:制度強化と部分的緩和

① 権限拡大とグローバル適用

② 米中協議と同盟国調整

  • 111.4 レジリエンスの観点から見た知財ライセンス制限

① メリット:技術優位維持とIP流出抑止

② デメリット:分断・コスト増・イノベーションの遅延

  • 111.5 企業・政策担当者に求められる実務的対応

① 企業側:ライセンス依存度のマッピングと多元化

② 政策側:ターゲットの明確化と国際協調

  • 111.6 参考文献

112 オープンソースハードウェア・ソフトウェアの制限の全体像

  • 112.1 米国輸出管理とオープンソースの位置づけ

① EARにおける「公開技術」例外と暗号の例外

② EDA・設計ツールへのライセンス義務とオープンソース周辺

  • 112.2 RISC‑VなどオープンソースISAを巡る政治化

① 中国によるオープンソースチップ活用

② RISC‑V制限案とその限界

  • 112.3 オープンソースAI・ソフトウェアへの規制論と半導体への波及

① オープンモデル規制の是非

② 「公開済み情報」と輸出管理の境界

  • 112.4 政策・企業レベルでの「オープン制限」の実務

① 政府補助金・ガードレールとオープンプロジェクト

② 企業の自主規制とコンプライアンス対応

  • 112.5 2026年以降の展望と戦略的含意

① 制限強化のドライバーと限界

② 企業・研究機関への実務的ポイント

113 合弁事業における技術共有制限の位置づけ

  • 113.1 技術共有制限の制度枠組み:アウトバウンド投資と輸出規制

① 米国アウトバウンド投資規制の射程

② 中国側の技術移転要求と米国側の抑制

  • 113.2 主要国の合弁・対外投資規制と技術共有の制限

① 台湾:TSMCの海外合弁・投資に対する許可制

② 米国・同盟国の対中共同投資抑制

  • 113.3 企業レベルでの技術共有制限の実務

① 契約設計とIP・ノウハウのリングフェンス

② ガバナンス・人材移転の統制

  • 113.4 技術共有制限がサプライチェーンに与える影響

① 中国側の国産化加速と技術ブロック化

② 同盟圏内でのメガプロジェクト・合弁活用

  • 113.5 2026年以降の展望と実務的示唆

① 企業に求められる戦略

② 政策担当者への示唆

114 研究協力輸出管理の基本概念

  • 114.1 米英の動き:大学研究と輸出管理の一体化

① 米国:NSFトラストフレームワークと研究安全保障

② 英国:大学レベルの輸出管理ガバナンス

  • 114.2 EU・日本の研究安全保障政策と国際協力ガイドライン

① EU:研究セキュリティ強化勧告と国際協力戦略

② 日本:国際共同R&Dに対する新しいガードレール

  • 114.3 研究協力輸出管理が半導体イノベーションに与える影響

① 中国研究機関との連携制約と国産化加速

② 同盟圏内での連携強化とテーマ再配置

  • 114.4 研究機関・企業に求められる実務対応

① 研究輸出管理体制とリスク評価プロセス

② 研究者教育・契約・データ管理

  • 114.5 2026年以降の展望とサプライチェーンへの含意

① 研究段階からのブロック化と戦略的自律

② 企業・政策担当者へのポイント

115 学術交流プログラム制限の概要

  • 115.1 米国における中国人留学生・研究者への制限強化

① ビザ取り消し・審査強化と半導体分野

② タレントプログラムへの警戒とコンプライアンス負荷

  • 115.2 欧州・日本など同盟国における学術交流の見直し

① 欧州:研究安全保障と人材交流のバランス

② 日本・クアッド諸国のSTEM人材政策

  • 115.3 中国側の対抗措置と「タレント獲得戦略」

① 高待遇・迅速ビザによる人材誘致

② 欧州人材への組織的リクルート

  • 115.4 学術交流制限が半導体サプライチェーンに及ぼす影響

① 人材供給とイノベーションへの影響

② 技術ブロック化と「友好圏」内の人材循環

  • 115.5 大学・企業・政策担当者への示唆

① 大学・研究機関の対応

② 企業・政府の連携

116 半導体分野における外国投資審査の全体像

  • 116.1 米国:CFIUSとアウトバウンド投資セキュリティプログラム

① CFIUSとグリーンフィールド投資への拡張

② アウトバウンド投資セキュリティプログラム

  • 116.2 EU:FDIスクリーニングとアウトバウンド投資レビュー

① FDIスクリーニングの急拡大と半導体案件

② アウトバウンド投資勧告と今後の制度化

  • 116.3 日本:重要分野の投資受入れと安全保障審査

① 外為法に基づく審査強化

② 同盟国からの半導体投資誘致

  • 116.4 グローバルなトレンド:FDIスクリーニングの普遍化とアウトバウンド規制

① FDIスクリーニングの拡散と複雑化

② アウトバウンド投資規制という新しいフロンティア

  • 116.5 2026年以降の展望と企業への含意

① サプライチェーン再編と投資の「ブロック化」

② 企業の実務対応ポイント

117 技術移転契約遵守の位置づけ

  • 117.1 規制環境:輸出管理と技術移転契約の交差

① 米国:EAR・BISガイダンスと技術移転

② 日本・EU:中国との契約と二重規制

  • 117.2 技術移転契約遵守の実務要素

① 契約設計:輸出管理条項・終了条項・監査権

② デューデリジェンスとKYC

③ 社内統制・従業員コンプライアンス

  • 117.3 データ・クロスボーダー移転と契約遵守

① 中国PIPL・越境データ移転と標準契約

② クラウド・リモートアクセスと「みなし輸出」

  • 117.4 各国の法的立場と企業への圧力

① 米国・同盟国:厳格な執行と罰則

② 中国:強制技術移転否定と契約履行要求

  • 117.5 2026年以降の展望と実務的示唆

① 契約ポートフォリオの再設計

② ガバナンス・組織設計

118 国境を越えた研究開発パートナーシップの制限とは何か

  • 118.1 米国:CHIPS法ガードレールと共同研究制限

① CHIPSガードレールによる共同研究制約

② 輸出管理と共同R&Dの交差

  • 118.2 欧州・日本:オープンな協力と安全保障の両立

① EUの研究安全保障と対外協力戦略

② 日EUデジタル・安全保障パートナーシップ

  • 118.3 中国とのR&Dパートナーシップに対する警戒

① 産業スパイ・IP抽出への懸念

② 「友好圏」内技術同盟と中国の孤立化

  • 118.4 企業・研究機関の実務対応:パートナー選定とガバナンス

① パートナー分類とリスクベース管理

② 情報保全・アクセス制御・IP管理

  • 118.5 2026年以降の展望とサプライチェーンへの含意

① R&Dブロック化と技術軌道の分岐

② 企業・政策担当者への示唆

119 半導体特許ライセンス紛争の概要

  • 119.1 主な紛争類型と最新事例

① NPEによる半導体特許訴訟

② メモリ・ロジック系ライセンス紛争と特許プール

  • 119.2 標準必須特許(SEP)とFRAND紛争の半導体への波及

① FRAND条件を巡る多国間訴訟

② SEPと差止・IPRの関係

  • 119.3 営業秘密・技術流出と特許・ライセンス紛争

① 営業秘密盗用と特許出願の衝突

② 米中対立とメモリ技術紛争

  • 119.4 裁判所・制度面の変化:UPC、PTAB、各国知財政策

① 欧州UPCの始動とフォーラム選択

② 中国・日本の裁判所動向

  • 119.5 2026年以降の展望と企業への示唆

① 紛争の地政学化とブロック間のIP戦略

② 企業のIP・ライセンス戦略への含意

120 グローバル事業における営業秘密保護の重要性

  • 120.1 各地域の法制度と国際的な保護水準

① 米国・EU・英国など先進法域

② アジア諸国と保護ギャップ

  • 120.2 最近の事件・政策から見るリスクの具体像

① Fujian Jinhua事件と米中対立

② 中国関連事件と米国の刑事対応

  • 120.3 半導体企業における営業秘密保護の実務

① 何を営業秘密として守るか

② 法的措置と内部統制

  • 120.4 技術移転・共同研究・データ規制との交差点

① 技術移転制限と契約の板挟み

② データローカライゼーションと越境データ移転

  • 120.5 2026年以降の展望と戦略的示唆

① 規制と訴追の方向性

② 企業・政府への実務的ポイント

121 知的財産ライセンス制限

  • 121.1 ライセンス制限の制度的枠組みと対象範囲

① 米国輸出管理とライセンス要件

② ソフトウェアキー・AIモデルなど無形財の扱い

  • 121.2 半導体サプライチェーンへの影響:設計・製造・サービス

① 設計段階:EDA・IPコアのライセンス

② 製造段階:装置ソフト・プロセスノウハウ

③ サービス・クラウド:SaaS型EDAとAIプラットフォーム

  • 121.3 ライセンス制限のメリット・リスクと国際ルール

① 安全保障と技術優位維持の観点

② サプライチェーン分断・二重投資のリスク

  • 121.4 2026年以降に向けた戦略的含意と対応策

① 企業側の戦略:ライセンス依存度の可視化と多様化

② 政策側の戦略:同盟国とのルール調整と透明性

③ 国際ルールとの整合性と途上国配慮

  • 121.5 参考文献

【 エンティティリストと制裁 】

122 半導体産業における第三者デューデリジェンス義務の概要

  • 122.1 規制動向:Foundry向けデューデリジェンス・ルールとRed Flag拡充

① ファウンドリ・OSAT向け「Due Diligence Rule」

② 追加Red Flagとサプライチェーン「見通し」規制

  • 122.2 第三者デューデリジェンス義務の対象となる「第三者」とリスク領域

① ディストリビュータ・再販業者・物流事業者

② ファウンドリ・OSAT・設計サービス企業

  • 122.3 具体的なデューデリジェンス内容とベストプラクティス

① KYCCと高リスク地域の強化調査

② 契約条項・モニタリング・レポーティング

  • 122.4 取締り・訴訟事例と企業責任の拡大

① 迂回輸出ネットワークへの対応強化

② 民事訴訟における「企業過失」論

  • 122.5 2026年以降の展望と半導体企業への示唆

123 半導体分野における再輸出ライセンス要件の概要

  • 123.1 EARにおける再輸出の基本構造

① 「再輸出」「域内移転」とライセンス要件

② 25%・10%ルールとde minimis規定

  • 123.2 外国直接製品規則(FDPR)と半導体再輸出

① 先端コンピューティングFDPRとSME FDPR

② HBM・先端メモリへの適用拡大

  • 123.3 エンティティリスト掲載先向け再輸出ライセンス要件

① エンティティリスト指定と再輸出

② FDPRとエンティティリスト注記(FN5など)

  • 123.4 EU等における再輸出・迂回防止規制

① EUの「No Russia Clause」と報告義務

② 共通高優先品目リスト(CHPL)と第三国経由再輸出

  • 123.5 企業に求められる再輸出コンプライアンス実務

① 再輸出リスク評価とライセンシング戦略

② 契約条項・内部手続・記録管理

  • 123.6 2026年以降の展望

124 通過輸送及び積み替え制限の概要

  • 124.1 EU制裁における通過・積み替え規制

① ロシア・ベラルーシ向け通過禁止とCHPL連動

② 道路輸送業者・港湾・空港に対する制限

  • 124.2 米国の取締りとトランスシップメント・ネットワークへの対応

① エンティティリストによる積み替えネットワーク封じ込め

② 香港・中国・その他ハブに対する圧力

  • 124.3 企業にとっての通過・積み替えリスクとコンプライアンス要件

① リスク指標とRed Flag

② ロジスティクス契約・ルート管理の実務

  • 124.4 2026年以降の展望と半導体産業への含意

125 半導体制裁における金融機関コンプライアンス要件の全体像

  • 125.1 米国当局による金融機関向けガイダンスと制裁リスク

① OFACの二次制裁とロシア金融システムへの圧力

② BISによる金融機関向け「ベストプラクティス」ガイダンス

  • 125.2 ロシア・中国向け半導体取引を巡る金融トランザクションの実情

① 中国銀行によるロシア関連決済の厳格化

② 秘密決済スキームと地域決済プラットフォーム

  • 125.3 金融機関に求められる実務的コンプライアンス要件

① スクリーニング・モニタリングとエスカレーション

② 内部方針・ガバナンスとVSD(自主開示)

  • 125.4 外国金融機関に対する二次制裁とリスクマネジメント

① ロシア支援FFIへの二次制裁枠組み

② コレスポンデント銀行関係とメッセージングシステム

  • 125.5 半導体産業と金融機関コンプライアンスの今後

126 保険及び輸送サービス制限の概要

  • 126.1 EUロシア制裁における保険・輸送サービス制限

① 船舶・航空機に対する保険提供の禁止

② シャドーフリート・高リスク船舶への制裁

  • 126.2 輸送サービス制限と半導体・ハイテク貨物への波及

① 輸送サービスの包括的禁止

② LNG・エネルギー輸送と高付加価値貨物

  • 126.3 米国OFACによる海運・保険業界向けガイダンス

① シナリオベースのコンプライアンス・コミュニケ

② 保険・ブローカー・港湾運営者のベストプラクティス

  • 126.4 半導体産業にとってのインプリケーション

① 高リスクルート向け保険・輸送コストの上昇

② サプライチェーン再構築とサービスプロバイダー選定

127 エンティティリスト掲載の中国半導体企業の概要

  • 127.1 代表的な掲載企業とサプライチェーン上の位置づけ

① 主要ファブ・IDM・設計企業

② 装置・材料・AIチップ関連企業

  • 127.2 2024〜2025年の追加・改正動向

① 大量追加とギャップ塞ぎ

② 50%ルールと第三国ハブの封じ込め

  • 127.3 制裁が中国半導体企業に与える技術・事業インパクト

① 先端ノード・AIチップ開発への制約

② 成熟ノード・国内市場へのシフト

  • 127.4 中国側の対抗策と構造的変化

① 国家ファンドによる集中投資と「国家チーム」

② 産業のブロック化とサプライチェーン再編

  • 127.5 日本・欧州企業への実務的含意

① 再輸出・技術提供規制とコンプライアンス

② ビジネス戦略とリスク分散

  • 127.6 2026年以降の展望

128 ロシア半導体事業体への制限の概要

  • 128.1 主要ロシア半導体企業と制裁措置

① Mikronなど国内マイクロエレクトロニクス企業

② その他の半導体・電子企業

  • 128.2 米国・EU・同盟国による輸出管理強化

① 米国の高優先デュアルユース品リストと半導体

② EUの対ロシア制裁パッケージとデュアルユース管理

  • 128.3 制裁逃れネットワークと第三国経由の半導体流入

① 香港・トルコ・中央アジア経由の調達

② 第三国エンティティへの制裁拡大

  • 128.4 ロシア半導体産業への中長期的影響

① 技術水準と設備更新の停滞

② 軍需産業と一般産業への波及

  • 128.5 2026年以降の展望と日本を含む企業への示唆

129 イラン半導体貿易制裁の基本構造

  • 129.1 法制度と規制メカニズム:OFAC制裁とEAR輸出管理

① OFACによる包括制裁・SDN指定

② BISによる輸出管理とイランFDPルール

  • 129.2 イランのUAV・ミサイルにおける西側製半導体使用実態

① ドローン内部の西側コンポーネント

② 米企業チップの流入を巡る訴訟・世論

  • 129.3 2024〜2025年の新たな制裁とイラン向け調達網の摘発

① ミサイル・UAV関連調達ネットワークへの制裁

② ドローン部品供給に関与した中国企業のエンティティリスト掲載

  • 129.4 半導体貿易制裁がもたらす構造変化

① イラン国内の調達・生産への影響

② 第三国貿易とコンプライアンス負荷

  • 129.5 2026年以降の展望と企業への示唆

130 北朝鮮半導体輸出管理の全体像

  • 130.1 国連安保理決議における関連規定

① デュアルユース品・機械・電気機器の禁輸

② 科学技術協力・共同研究の制限

  • 130.2 米国による対北朝鮮制裁・輸出管理

① OFAC制裁と全面的輸出禁止

② 密輸・調達ネットワークに対する個別制裁

  • 130.3 北朝鮮の資金調達・技術獲得手段:サイバー・IT労働・第三国貿易

① サイバー攻撃・仮想通貨窃取とIT労働

② 中国・香港を活用した迂回調達

  • 130.4 半導体輸出管理の実務:各国当局・企業への要求

① 各国当局のガイダンスと規制枠組み

② 企業レベルでのデューデリジェンスとAML

  • 130.5 2026年以降の展望と半導体産業への含意

131 子会社・関連会社のコンプライアンス要件の重要性

  • 131.1 OFAC 50%ルールとBIS Affiliates Ruleの概要

① OFACの50%ルール

② BISの50% Affiliates Rule

  • 131.2 半導体企業グループに求められる主要コンプライアンス要件

① 所有構造の把握と50%判定

② 「最も厳しい制限」の適用

  • 131.3 エンティティリストと子会社・関連会社の実務的影響

① M&A・合弁・出資戦略への影響

② サプライチェーン管理と取引スクリーニング

  • 131.4 コンプライアンスプログラム構築の実務ポイント

① グループ全体のガバナンス・ポリシー

② リスクベースのデューデリジェンス・教育

  • 131.5 2026年以降の展望と半導体企業への戦略的示唆

【 技術潮流 】

132 Gate-All-Around技術

  • 132.1 総論:FinFET後継としてのGAA
  • 132.2 デバイス構造と電気的特性
  • 132.3 サムスンMBCFETと3nm世代での実用化
  • 132.4 Forksheet・CFETなどGAAファミリーの進化
  • 132.5 信頼性・製造課題と最新研究動向
  • 132.6 2026年以降の技術潮流と産業インパクト

133 光電融合技術

  • 133.1 総論:光電融合技術の位置づけ
  • 133.2 シリコンフォトニクスとプラガブル光モジュール
  • 133.3 コパッケージドオプティクス(CPO)と光電融合パッケージ
  • 133.4 製造・テスト・エコシステムの最新動向
  • 133.5 2026年以降の構造変化と展望

134 スピントロニクス

  • 134.1 総論:スピントロニクスの基本概念と産業的位置づけ
  • 134.2 MRAM(STT-MRAM, SOT-MRAM)の現状とロードマップ
  • 134.3 スピントロニクス市場と応用領域の拡大
  • 134.4 ポストCMOSロジック・量子計算との接続
  • 134.5 2026年以降の技術潮流と半導体産業へのインパクト

135 ニューロモルフィック半導体

  • 135.1 総論:ニューロモルフィック半導体とは何か
  • 135.2 代表的アーキテクチャとデバイス技術
  • 135.3 主要プレーヤーと最新チップ動向
  • 135.4 市場・応用分野と課題
  • 135.5 2026年以降の技術潮流と半導体産業への含意

136 メモリスタ技術進化

  • 136.1 総論:メモリスタの位置づけ
  • 136.2 材料・デバイス技術の進化
  • 136.3 インメモリコンピューティングとニューロモルフィック応用
  • 136.4 産業動向と過去の期待・失望サイクル
  • 136.5 2026年以降の技術潮流と半導体構造変化への影響

137 ResistiveRAM商用化

  • 137.1 総論:ReRAMの位置づけと特徴
  • 137.2 商用化の現状:組込みReRAMと主要企業
  • 137.3 市場規模と成長予測
  • 137.4 技術的優位性と課題:フラッシュ・MRAMとの比較
  • 137.5 スタンドアロンReRAMとニューロモルフィック応用への展開
  • 137.6 2026年以降の構造変化とReRAMの役割

138 High-NAEUV導入

  • 138.1 総論:High-NA EUVの位置づけ
  • 138.2 装置プラットフォームと導入スケジュール
  • 138.3 パターニング能力と技術的課題
  • 138.4 経済性・スループットと産業構造への影響
  • 138.5 2026年以降のロードマップと展望

139 3D積層技術

  • 139.1 総論:3D積層の役割と類型
  • 139.2 HBMを中心とした3Dメモリ積層
  • 139.3 TSMC 3DFabricとSoICによるロジック3D化
  • 139.4 シーケンシャル3D・3D NANDなどモノリシック系アプローチ
  • 139.5 今後の技術潮流と産業インパクト

140 先進パッケージング拡大

  • 140.1 総論:先進パッケージングの位置づけ
  • 140.2 市場成長と装置投資の拡大
  • 140.3 チップレット・HBMとヘテロジニアス統合
  • 140.4 地政学と産業政策:先進パッケージング拠点の形成
  • 140.5 TSMC・Intelなど主要企業の戦略
  • 140.6 2026年以降の構造変化と課題

141 短チャネルFET限界

  • 141.1 総論:短チャネル化と限界の背景
  • 141.2 主要な短チャネル効果とデバイス性能への影響
  • 141.3 サブスレッショルドスイングとボルツマン限界
  • 141.4 フィンFETからGAA・ナノシートへの移行と残る課題
  • 141.5 将来デバイスとポスト短チャネル時代の技術潮流

142 MaterialsBeyondSilicon開発

  • 142.1 総論:ポストシリコン材料の位置づけ
  • 142.2 III-V・GeチャネルCMOS:高移動度とSi互換性
  • 142.3 2D材料(TMD・グラフェン)によるチャネルの原子層化
  • 142.4 2D材料統合の課題と産業ロードマップ
  • 142.5 ポストCMOSデバイスとヘテロ集積
  • 142.6 2026年以降の構造変化と展望

143 III-V族材料適用

  • 143.1 総論:III-V材料の強みと適用領域
  • 143.2 ロジック向けIII-V MOSFET/ナノワイヤFET
  • 143.3 Ge/III-VハイブリッドCMOSとSiプラットフォーム統合
  • 143.4 メモリ・RF・低電力デバイスへの適用拡大
  • 143.5 2026年以降の技術潮流と産業的含意

144 モノリシック3D-IC実現

  • 144.1 総論:モノリシック3D-ICの概念と意義
  • 144.2 Sequential-3Dの方式とスケーリング効果
  • 144.3 熱・テスト・設計などの技術課題
  • 144.4 研究デモと産業ロードマップ
  • 144.5 2026年以降の構造変化と展望

145 チップレット標準化動向

  • 145.1 総論:チップレットと標準化の必要性
  • 145.2 UCIeを中心としたダイ間インターフェース標準
  • 145.3 BoWやプロプライエタリ規格との併存
  • 145.4 JEDEC・OCPによるチップレット記述と設計キット
  • 145.5 標準化がもたらすエコシステムと課題
  • 145.6 2026年以降の展望と産業構造への影響

146 2nmプロセスノード開発

  • 146.1 総論:2nm世代の位置づけ
  • 146.2 主要プレーヤーのロードマップと量産計画
  • 146.3 デバイスアーキテクチャ:GAAナノシートとその進化
  • 146.4 配線・給電技術:バックサイドPDNとBuried Power Rail
  • 146.5 アプリケーションと市場インパクト
  • 146.6 2026年以降の技術潮流と課題

【 投資・M&A 】

147 企業間買収による垂直統合強化

  • 147.1 総論:AI時代の「スタック支配」を狙う垂直統合
  • 147.2 設計ソフトウェアの取り込み:Synopsys–AnsysとRenesas–Altium
  • 147.3 ハイパフォーマンス計算での垂直統合:NVIDIA・AMD・Intelの戦略
  • 147.4 製造・パッケージング・システムへの拡張:新たな統合フロンティア
  • 147.5 2026年以降の示唆:垂直統合M&Aの方向性とリスク

148 上場規制による国別効果

  • 148.1 総論:IPO市場の分断と「安全・ガバナンス重視」へのピボット
  • 148.2 米国:ナスダックの上場規制強化と中国系半導体企業への影響
  • 148.3 香港・中国本土:テック上場優遇とフリーフロート規制の両面強化
  • 148.4 日本・欧州:ガバナンス重視の上場制度と半導体企業への評価
  • 148.5 2026年以降の示唆:上場規制が「どの資本がどこに流れるか」を決める

149 政府補助金の産業影響

  • 149.1 総論:世界的な「Chips Act」競争と産業構造
  • 149.2 米国:CHIPS and Science Actの効果と政治リスク
  • 149.3 欧州:EU Chips Actと補助金のターゲティング問題
  • 149.4 日本:Rapidus支援とサプライチェーン再編
  • 149.5 産業へのプラス効果:投資誘発・供給網強靭化・スタートアップ機会
  • 149.6 負の側面:補助金レース・過剰投資・規制条件の硬直性
  • 149.7 2026年以降の示唆:スタートアップ・投資・M&Aへの影響

150 PrivateEquityの半導体投資

  • 150.1 総論:豊富なドライパウダーと半導体ブームの交差
  • 150.2 PEが注目する半導体セグメント
  • 150.3 投資スタイル:成長投資・ロールアップ・インフラ志向
  • 150.4 ベンチャー/成長ステージとの関係:PEマネーの裾野拡大
  • 150.5 投資・M&A動向と今後の示唆

151 上場半導体企業のM&A動向

  • 151.1 総論:AI・EDA・インフラを軸にした大型再編の再加速
  • 151.2 EDA・設計ソフトウェアを巡る統合:Synopsys–Ansys案件
  • 151.3 AIアクセラレータを巡る買収:NVIDIA–Groq取引
  • 151.4 2024〜2025年のM&A状況:件数抑制と価値集中
  • 151.5 上場半導体企業にとっての戦略的含意

152 中国キャピタルコントロールの影響

  • 152.1 総論:中国内外の資本統制と半導体産業
  • 152.2 米国側の対中投資・輸出規制と中国企業への波及
  • 152.3 中国側のキャピタルコントロールと国内資本動員
  • 152.4 香港・国内市場でのIPOと資本調達構造の変化
  • 152.5 半導体スタートアップ・M&Aへの影響と2026年以降の展望

153 VCの半導体ポートフォリオ

  • 153.1 総論:AIブーム下での半導体投資の再拡大
  • 153.2 投資額・ラウンド構造:メガラウンドへの集中
  • 153.3 フォーカス領域:AIチップ・フォトニクス・量子
  • 153.4 VCポートフォリオ戦略:集中と分散のバランス
  • 153.5 2026年以降に向けた示唆:VCポートフォリオの再編方向

154 ソブリンウェルスファンドの投資戦略

  • 154.1 総論:15兆ドル級プレーヤーの半導体シフト
  • 154.2 中東SWF:AI・半導体を軸にした産業ポートフォリオ
  • 154.3 アジアSWF:Temasek・GICによるAIバリューチェーン投資
  • 154.4 新興国SWFと地域クラスター形成:オマーンのケース
  • 154.5 2026年以降への示唆:SWFと半導体スタートアップ・M&Aの接点

155 半導体債券市場動向

  • 155.1 総論:AI投資ブームと信用力改善による債券市場の拡大
  • 155.2 資金需要の背景:1兆ドル規模の設備投資サイクル
  • 155.3 グリーンボンド・サステナビリティ債の活用
  • 155.4 コンバーチブル債・ハイブリッド債:成長資本と株主希薄化のバランス
  • 155.5 クレジットスプレッドと格付見通し:AIブームが支える信用力
  • 155.6 2026年以降の展望:半導体債券市場の構造変化

156 ESG投資による資金流れ

  • 156.1 総論:ESG市場の減速と「選別強化」への転換
  • 156.2 グローバルESGファンドの資金フローとテック・半導体の位置づけ
  • 156.3 半導体企業のESG評価と資金アクセス
  • 156.4 投資テーマの変化:単純な「グリーン」からトランジション支援へ
  • 156.5 2026年以降の展望:ESG資本と半導体投資・M&Aの接点

【 半導体スタートアップと成長戦略 】

157 AI半導体スタートアップの台頭

  • 157.1 総論:AIブームが生んだ新たな半導体勢力
  • 157.2 メガラウンドとユニコーン:Cerebras・Groq・SambaNova
  • 157.3 多様化するスタートアップ群:光・チップレット・インメモリ計算
  • 157.4 地政学と中国・韓国勢の台頭
  • 157.5 2026年以降の成長戦略と産業構造への影響

158 シリコンバレーVC投資動向

  • 158.1 総論:AIバブルと「選別的復活」
  • 158.2 投資額とセクター構成:AI・半導体・インフラ

① AIマクロラウンドの拡大

② 半導体・インフラ投資との連動

  • 158.3 投資行動の変化:ディープテック志向とリスク管理

① ディープテックへのシフト

② リスクマネーの質とストラクチャー

  • 158.4 地政学と規制の影響:チップ輸出管理と投資先選別

① 対中輸出規制とハードウェア投資

  • 158.5 2026年以降の展望:半導体スタートアップと成長戦略への含意

① AIインフラと半導体スタートアップへの示唆

② 地域エコシステムとしてのシリコンバレー

159 量子チップ開発スタートアップ

  • 159.1 総論:量子チップ市場とスタートアップの役割
  • 159.2 巨額調達とユニコーン:PsiQuantum・Quantinuum・IQMなど
  • 159.3 技術アーキテクチャの多様化と半導体プロセス
  • 159.4 資金調達動向とビジネスモデル
  • 159.5 2026年以降の成長戦略と半導体産業へのインパクト

160 差別化技術(特殊プロセス開発)

  • 160.1 総論:スケーリング限界とプロセス差別化の重要性
  • 160.2 先端CMOSにおける特殊プロセス:GAAと背面電源配線

① Gate-All-Around FETとBSPDN

② DTCOとカスタムIC設計プラットフォーム

  • 160.3 複合半導体・特殊材料プロセスの最前線

① SiC・GaN・その他複合半導体

② 標準化なき領域でのプロセス・IP統合

  • 160.4 プロセス差別化を支えるデジタルツインとデータ解析
  • 160.5 カスタムシリコン需要と特殊プロセスのビジネス機会
  • 160.6 2026年以降に向けたスタートアップのプロセス戦略

161 チップレット分野の商用化挑戦

  • 161.1 総論:爆発的な市場ポテンシャルと商用化ギャップ
  • 161.2 市場規模とアプリケーション別動向
  • 161.3 標準化とエコシステム:UCIeによる「チップレット市場」の基盤づくり
  • 161.4 技術的課題:熱・歩留まり・3Dスタックの壁
  • 161.5 ビジネス・法務上の課題:IP保護と契約設計
  • 161.6 スタートアップの挑戦:インタコネクト・AIアクセラレータ・メモリアーキテクチャ
  • 161.7 2026年以降の商用化戦略と構造変化への含意

162 IPライセンスモデル展開

  • 162.1 総論:半導体IPライセンス市場の拡大
  • 162.2 主要プレーヤーとビジネスモデルの基本

① Arm・Synopsys・Cadenceを中心とする従来モデル

② 市場構造と成長ドライバー

  • 162.3 RISC-V・AI・チップレットがもたらす新しいIPモデル

① RISC-VエコシステムとCPU IPスタートアップ

② チップレット・UCIe時代のインターフェースIP

  • 162.4 スタートアップ視点のIPライセンスモデル設計

① ビジネススキーム:ライセンス+ロイヤルティ+サービス

② 戦略的ポジショニングと競争環境

  • 162.5 2026年以降の展望:半導体スタートアップとIPモデルの役割

163 IPOと資本市場戦略

  • 163.1 総論:半導体ブームとIPO市場の回復
  • 163.2 グローバルIPO動向と半導体関連案件
  • 163.3 IPO vs M&A:スタートアップのエグジット選択
  • 163.4 地域別の資本市場環境:米欧・中国・日本
  • 163.5 2026年以降の半導体スタートアップにとってのIPO・資本市場戦略

164 戦略的アライアンス形成の加速

  • 164.1 総論:AI時代の半導体とアライアンスの必然性
  • 164.2 AIインフラを巡るメガアライアンス
  • 164.3 設計・製造・EDA/IPにまたがる共創モデル
  • 164.4 車載・モビリティ分野での共同SoC開発
  • 164.5 供給網分散と地政学リスク対応としてのアライアンス
  • 164.6 研究開発コンソーシアムとスタートアップの位置づけ
  • 164.7 2026年以降のスタートアップ成長戦略への含意

165 光半導体スタートアップ

  • 165.1 総論:光半導体スタートアップの台頭と位置づけ
  • 165.2 代表的企業:Ayar Labs・Lightmatter・Celestial AI・Xscape Photonics
  • 165.3 市場規模・成長予測とCPOエコシステム
  • 165.4 地域クラスターと資金調達動向
  • 165.5 2026年以降の成長戦略と産業構造への含意

166 車載向け半導体ベンチャー

  • 166.1 総論:CASEシフトと車載ベンチャーの役割
  • 166.2 ADAS・自動運転向けAIチップ・センシング
  • 166.3 EV・電動化向けパワー半導体・BMS・車載SoC
  • 166.4 スタートアップ・OEM・大手半導体の協業構造
  • 166.5 2026年以降の構造変化と車載半導体ベンチャーの展望

167 パワー半導体新興企業

  • 167.1 総論:SiC・GaNシフトと新興企業の台頭
  • 167.2 代表的SiC・GaN系スタートアップと技術特徴
  • 167.3 市場環境:EV・再エネ・AIデータセンタが牽引
  • 167.4 産業構造とM&A・アライアンス動向
  • 167.5 2026年以降の技術潮流とパワー半導体新興企業の展望

168 中国発スタートアップの資金調達難

  • 168.1 総論:中国テックVC環境の冷え込みと半導体偏重
  • 168.2 VC縮小の実態:外資の退潮と国内資本への依存
  • 168.3 半導体スタートアップへの選別的投資とボトルネック
  • 168.4 資金調達難をもたらす要因:地政学・規制・マクロ経済
  • 168.5 政策対応と「ハードテック」偏重の新局面
  • 168.6 2026年以降の展望:半導体スタートアップと成長戦略への含意

169 欧州半導体スタートアップ育成政策

  • 169.1 総論:欧州チップス法とスタートアップ育成の位置づけ

170 欧州半導体スタートアップ育成政策

  • 170.1 総論:欧州チップス法とスタートアップ育成の位置づけ
  • 170.2 欧州チップス法の構造と資金スキーム

① 三本柱と予算規模

② Chips for Europe InitiativeとChips Fund

  • 170.3 実装メカニズム:Chips Joint Undertakingと各国プログラム

① Chips Joint Undertaking(Chips JU)の役割

② 各国レベルの実装例と補完策

  • 170.4 フォトニクス・ディープテック分野のスタートアップ育成

① PhotonDeltaとPhotonVenturesによる集中的支援

② その他のクラスターとIPCEIとの連動

  • 170.5 2026年以降の展望と半導体スタートアップ成長戦略への含意

171 日本の大学発半導体企業

  • 171.1 総論:大学発ディープテックとしての位置づけ
  • 171.2 代表的大学発半導体企業の事例

① FLOSFIA(京都大学発・Ga2O3パワー半導体)

② Ookuma Diamond Device(北海道大学発・ダイヤモンド半導体)

③ Trigence Semiconductor(法政大学発・オーディオIC)

④ Qubitcore(OIST発・トラップドイオン量子コンピューティング)

  • 171.3 大学・産業クラスターと半導体エコシステム

① 東北大学を中心とする半導体共創拠点

② 国家戦略と大学発スタートアップ支援

  • 171.4 2026年以降の構造変化と日本の大学発半導体企業の展望

172 製造受託への依存課題

  • 172.1 総論:ファブレスモデルと依存構造
  • 172.2 キャパシティ集中と優先順位の問題
  • 172.3 技術ロックインとマルチファウンドリの困難さ
  • 172.4 スタートアップ特有の課題:試作アクセスとスケールのギャップ
  • 172.5 地政学・サプライチェーンリスクと政策対応
  • 172.6 2026年以降に向けたスタートアップの戦略的対応

【 応用分野 】

173 ロボット制御用半導体の概要と最新動向

  • 173.1 ロボット制御用半導体の定義と役割
  • 173.2 ロボット向け半導体市場規模と成長見通し
  • 173.3 需要を牽引するロボットアプリケーション
  • 173.4 技術構成要素:コンピュートIC
  • 173.5 技術構成要素:パワーエレクトロニクスとモータ制御IC
  • 173.6 技術構成要素:センサ・アナログ・インタフェースIC
  • 173.7 技術構成要素:接続・通信IC
  • 173.8 市場セグメント別の動向
  • 173.9 半導体産業全体のトレンドとの関係
  • 173.10 キードライバー:AI・エッジコンピューティング
  • 173.11 キードライバー:Industry 4.0とスマートファクトリー
  • 173.12 技術トレンド:高性能SoCと統合化
  • 173.13 技術トレンド:先進パッケージとチップレット
  • 173.14 技術トレンド:セーフティ・サイバーセキュリティ
  • 173.15 サプライチェーンと地政学リスク
  • 173.16 主要プレーヤーとエコシステム
  • 173.17 2026年以降の構造変化の方向性
  • 173.18 ロボット制御用半導体に求められる戦略的示唆
  • 173.19 代表的な参考情報源

174 自動車(EV向け半導体)

  • 174.1 市場規模と需要構造
  • 174.2 EVとICEでの半導体搭載量の違い
  • 174.3 EV電動パワートレインにおける主要半導体
  • 174.4 SiC・GaNを中心としたパワー半導体サプライヤの動向
  • 174.5 車載コンピューティング・通信・センサーの高度化
  • 174.6 2026年以降の展望:EV向け半導体がもたらす産業構造変化

175 データセンターAIチップ

  • 175.1 市場規模と成長ドライバー
  • 175.2 プレーヤー構図:NVIDIA優位と追撃勢力
  • 175.3 ハイパースケーラー独自チップ:TPU・Trainium・Maiaなど
  • 175.4 電力・インフラへの影響:高密度化が生む制約
  • 175.5 2026年以降の構造変化:GPU一極からマルチアーキテクチャ時代へ

176 金融機関向けHPCASICの概要と最新動向

  • 176.1 金融機関向けHPCASICとは何か
  • 176.2 金融におけるHPC活用領域
  • 176.3 高頻度取引と超低レイテンシASIC
  • 176.4 リスク管理・価格計算向けHPCASIC
  • 176.5 金融機関向けHPCワークロードの特徴
  • 176.6 HPCASICの技術要素:アーキテクチャ
  • 176.7 HPCASICの技術要素:製造プロセスとパッケージング
  • 176.8 金融HPC市場と半導体需要の位置付け
  • 176.9 金融機関向けHPCASICの最新動向

① 高頻度取引向けカスタムASICの普及

② AIとHPCの金融分野での融合

③ クラウドHPCとカスタムシリコン

  • 176.10 規制・セキュリティ要件とASIC設計
  • 176.11 2026年以降の半導体産業構造との関係
  • 176.12 戦略的示唆と今後の課題

177 工場自動化向け半導体の概要と最新動向

  • 177.1 工場自動化向け半導体の定義と位置付け
  • 177.2 市場規模と成長見通し
  • 177.3 工場自動化を支える主要デバイスカテゴリ
  • 177.4 スマートファクトリー化と半導体需要構造
  • 177.5 代表的なアプリケーション別の半導体ニーズ

① 産業用ロボット・協働ロボット

② PLC・産業用PC・分散制御システム

③ ドライブ・インバータ・電源装置

④ センサネットワークと状態監視

  • 177.6 工場自動化向け半導体の技術トレンド

① エッジAIと分散インテリジェンス

② 産業用ネットワークとTSN

③ ワイドバンドギャップパワーデバイス

④ 先進パッケージ・チップレットと産業用途

  • 177.7 地域別動向とサプライチェーン
  • 177.8 2026年以降の半導体産業構造との関係
  • 177.9 工場自動化向け半導体に求められる戦略的示唆

178 次世代コンシューマ機器向けSoCの概要と最新動向

  • 178.1 次世代コンシューマ機器向けSoCの定義と位置付け
  • 178.2 市場規模と需要ドライバー
  • 178.3 次世代コンシューマSoCのアーキテクチャ構成

① 計算コアとAIアクセラレータ

② メモリ階層とインタコネクト

③ 接続・I/O・セキュリティ

  • 178.4 次世代コンシューマ機器とSoCの主要アプリケーション

① AIスマートフォン・AI PC

② 次世代テレビ・ホームエンタテインメント

③ ウェアラブル・XR・スマートグラス

④ スマートホーム・白物家電

  • 178.5 技術トレンド:エッジAIとオンデバイス学習
  • 178.6 技術トレンド:先進パッケージ・チップレットの導入
  • 178.7 技術トレンド:低消費電力とサステナビリティ
  • 178.8 コンシューマ体験と人間中心設計
  • 178.9 2026年以降の半導体産業構造との関係
  • 178.10 主要プレーヤーとエコシステム
  • 178.11 戦略的示唆

179 B2B産業機器用途向け半導体の概要と最新動向

  • 179.1 B2B産業機器用途の定義と位置付け
  • 179.2 市場規模と成長見通し
  • 179.3 B2B産業機器を構成する主要カテゴリ

① 代表的な産業機器分野

  • 179.4 デバイス別の需要構造

① パワー半導体

② アナログ・ミックスドシグナルとMCU

③ センサ・通信IC

  • 179.5 B2B産業機器向け半導体の主要トレンド

① Edge AIと項目レベルインテリジェンス

② 接続性と産業用ネットワーク

③ 先進パッケージと半導体製造装置

④ サステナビリティとエネルギー効率

  • 179.6 地政学・サプライチェーン再編とB2B産業機器
  • 179.7 2026年以降の構造変化の方向性

180 eVTOL航空機向け半導体の概要と最新動向

  • 180.1 eVTOL航空機と半導体需要の概要
  • 180.2 eVTOL航空機における主要システムと半導体

① 電動推進・パワートレイン

② アビオニクス・フライトコントロール

③ 通信・監視・地上インフラ

  • 180.3 パワーエレクトロニクス向け半導体の最新動向

① SiC・GaNによる高効率インバータ

② 冗長性・安全性を考慮した電源アーキテクチャ

  • 180.4 アビオニクス・飛行制御向け半導体

① 自律飛行とAI処理

② EMI対策と信号品質

  • 180.5 バッテリ・充電インフラと関連半導体
  • 180.6 都市型エアモビリティ市場と半導体産業へのインパクト
  • 180.7 2026年以降の構造変化と戦略的示唆

181 モバイルSoC動向

  • 181.1 市場規模と主要ベンダー
  • 181.2 オンデバイスAI対応SoCの拡大
  • 181.3 ベンダー別戦略:Apple・Qualcomm・MediaTek
  • 181.4 アーキテクチャ動向:Armv9とRISC-V
  • 181.5 2026年以降の示唆:モバイルSoCが担う半導体産業の役割

182 5G/6G通信向け半導体

  • 182.1 市場規模と全体像
  • 182.2 RFフロントエンド:5Gでの高度化と統合
  • 182.3 材料技術:LDMOSからGaN・SiGe・III-V on Siへ
  • 182.4 6Gに向けた半導体技術ロードマップ
  • 182.5 2026年以降の構造変化:5G成熟と6G準備の二重構造

183 IoTデバイス向け半導体

  • 183.1 市場規模と需要ドライバー
  • 183.2 コアコンポーネント:センサー・MCU・通信チップ
  • 183.3 エッジAI・TinyML対応チップの台頭
  • 183.4 アンビエントIoTとバッテリーレス半導体
  • 183.5 2026年以降に向けた産業構造上の含意

184 医療診断向け半導体

  • 184.1 市場規模と成長ドライバー
  • 184.2 画像診断:CMOSイメージセンサと検出器の高度化
  • 184.3 ラボオンチップとポイントオブケア診断
  • 184.4 ウェアラブル・リモートモニタリング向け半導体
  • 184.5 2026年以降の構造変化と医療診断半導体の役割

185 防衛・宇宙分野半導体

  • 185.1 市場規模と全体像
  • 185.2 放射線耐性エレクトロニクス(Rad-Hard)
  • 185.3 宇宙向けFPGA・プロセッサとメモリ
  • 185.4 GaN/RF・電力半導体:レーダーと電源システム
  • 185.5 2026年以降の構造変化と戦略的含意

186 エネルギーマネジメントシステム用半導体

  • 186.1 市場規模と位置付け
  • 186.2 BEMS/HEMSにおける制御・通信半導体
  • 186.3 パワーエレクトロニクス:SiCインバータとスマートグリッド
  • 186.4 超低消費電力・エネルギーハーベスティングSoC
  • 186.5 2026年以降の構造変化とEMS向け半導体の役割

187 AR/VRデバイス向け半導体

  • 187.1 市場規模とAR/VRチップの位置付け
  • 187.2 ヘッドセット出荷とXRプロセッサSoC
  • 187.3 マイクロディスプレイ:OLEDoSとシリコンベースMicroLED
  • 187.4 センサ・近眼ディスプレイと周辺半導体
  • 187.5 2026年以降の構造変化:XRプラットフォームと半導体産業への影響

【 注目視点 】

188 デジタルツインによる半導体設計効率化の概要と最新動向

  • 188.1 半導体分野におけるデジタルツインの概念
  • 188.2 デジタルツインがもたらす設計効率化のメカニズム

① シミュレーション主導の「シフトレフト」

② 設計・製造の双方向フィードバック

  • 188.3 具体的な適用領域:チップ/パッケージ設計のデジタルツイン

① 2.5D/3D IC・ヘテロジニアス統合

② 製品ツイン・システムレベル検証

  • 188.4 ファブレベルのデジタルツインと設計効率化の連携

① ファブデジタルツインによる歩留まり立ち上げ加速

② 政策・インフラレベルでのデジタルツイン活用

  • 188.5 AIとデジタルツインの融合、標準化の動向

① AIによる自律最適化と強化学習

② 標準化とエコシステム連携

  • 188.6 2026年以降の構造変化と戦略的示唆

189 半導体製造におけるAI自動化の概要と最新動向

  • 189.1 半導体製造におけるAI自動化の位置付け
  • 189.2 主要ユースケース1:欠陥検査と歩留まり最適化

① 画像ベース検査の深層学習化

② AIによる歩留まり解析と最適化

  • 189.3 主要ユースケース2:装置制御・予知保全・スマートスケジューリング

① 予知保全とダウンタイム削減

② プロセス制御・スケジューリング自動化

  • 189.4 主要ユースケース3:サプライチェーン・スマートファクトリー統合

① スマートファクトリーと標準化

② サプライチェーン最適化と持続可能性

  • 189.5 技術動向:生成AI・LLMと現場オペレーションの統合
  • 189.6 2026年以降の構造変化と戦略的示唆

190 次世代半導体の国際比較競争力の概要と最新動向

  • 190.1 次世代半導体と競争力の枠組み
  • 190.2 地域別競争力:ロジック・メモリ・パッケージ

① 先端ロジック(2nm世代)を巡る競争

② メモリ・HBMと3Dアーキテクチャ

③ 先進パッケージ・3D‑IC

  • 190.3 地域別競争力:WBG・特殊デバイスと産業構造

① ワイドバンドギャップ半導体(SiC・GaN)

② EU・日本のポジションと課題

  • 190.4 米国・中国・東アジアの戦略と競争力

① 米国:設計優位+製造回帰

② 中国:量の拡大と技術キャッチアップ

③ 台湾・韓国:製造・パッケージの中核

  • 190.5 2026年以降の構造変化と日本・企業への示唆

① 構造変化の方向性

② 日本・企業にとっての戦略的示唆

191 非シリコン系材料の商業化展望の概要と最新動向

  • 191.1 非シリコン系材料の位置付けと市場背景
  • 191.2 ワイドバンドギャップ材料:SiC・GaN・ダイヤモンド

① SiC・GaNパワー半導体の市場展望

② ダイヤモンド・超広帯域ギャップ材料

  • 191.3 2次元材料・カーボン系材料のロードマップ

① グラフェン:インターコネクトから本格半導体へ

② TMDC・2D材料のデバイス応用

③ カーボンナノチューブ(CNT)

  • 191.4 商業化ドライバーと課題:用途別展望

① エネルギー・モビリティ分野

② コンピューティング・データセンタ分野

③ フレキシブル・センシング・ニッチ応用

  • 191.5 2026年以降の構造変化と戦略的示唆

192 宇宙製造による新プロセス可能性の概要と最新動向

  • 192.1 宇宙製造と半導体の関係
  • 192.2 微小重力環境がもたらす物理的メリット

① 結晶成長・薄膜形成での優位性

② プラズマ・インクジェットプロセスの新展開

  • 192.3 具体的プロジェクトとターゲット材料

① NASA・United SemiconductorsのGaN/複合結晶

② Space Forgeと欧州勢の軌道ファクトリー構想

③ メタ解析が示す品質改善のポテンシャル

  • 192.4 プロセス・サプライチェーン面での新しい可能性

① 新プロセスの例:マイクログラビティ対応プロセス群

② 経済性・環境面のインパクト

  • 192.5 課題と2026年以降の構造変化シナリオ

① 技術・運用上の課題

② 2026年以降の構造変化シナリオ

193 半導体を国家インフラとする概念化の概要と最新動向

  • 193.1 概念の変化:産業から国家インフラへ
  • 193.2 米国:半導体インフラ化の政策的フレーミング

① クリティカルインフラとしての認定とCHIPS法

② 国家安全保障戦略とインフラ連関

  • 193.3 欧州・英国:デジタル主権と戦略資産としての半導体

① EU Chips Actと「戦略的自律性」

② 英国のナショナル半導体戦略

  • 193.4 日本:経済安全保障と「戦略的自律性・不可欠性」

① 経済安全保障政策の中核としての半導体

② インフラ概念としての整理

  • 193.5 「国家インフラ」としての半導体の特徴的要素

① 物理・サイバー一体の保護対象

② 経済・技術主権のレバー

194 サブスクリプション型半導体利用モデルの概要と最新動向

  • 194.1 サブスクリプション型半導体利用モデルの定義
  • 194.2 なぜサブスクリプション型が注目されているか
  • 194.3 半導体バリューチェーン別のサブスクリプションモデル

① シリコンAaS(Silicon‑as‑a‑Service, SiaaS)

② 製造装置・EaaS(Equipment‑as‑a‑Service)

③ IP・EDA・設計環境のサブスクリプション

④ デバイス/ハードウェアas‑a‑Service(HaaS/DaaS)

  • 194.4 サブスクリプション型モデルのビジネスインパクト

① 収益構造とKPIの変化

② 顧客側のメリットとリスク

  • 194.5 2026年以降の半導体産業構造への影響

① 供給側:ファブレス・IDM・装置メーカーの戦略転換

② 需要側:顧客業種ごとの採用パターン

  • 194.6 今後の課題と展望

195 半導体リユース市場拡大の概要と最新動向

  • 195.1 半導体リユース市場の定義と位置付け
  • 195.2 市場規模と成長見通し

① 中古半導体製造装置市場

② 電子部品・半導体デバイスのリユース

  • 195.3 リユース市場拡大を支える要因

① コスト削減と参入障壁の低下

② 環境負荷低減と循環経済

  • 195.4 リユースの対象領域とビジネスモデル

① 中古半導体製造装置・部材

② 電子部品・半導体デバイスの再利用

③ 循環型サプライ契約・買い戻しスキーム

  • 195.5 技術・制度面の課題

① 品質保証と標準化の不足

② 経済性とビジネスインセンティブ

  • 195.6 2026年以降の構造変化と戦略的示唆

① 半導体産業構造への影響

② 企業戦略上の要点

196 カーボンニュートラル工場の認証制度の概要と最新動向

  • 196.1 カーボンニュートラル工場認証とは何か
  • 196.2 関連する主要認証・イニシアチブ

① PAS 2060・BSI Net Zero Pathway

② SBTi・RE100

③ CarbonNeutral®認証・製品カーボンフットプリント

  • 196.3 半導体工場におけるカーボンニュートラル化の実務

① 排出源と算定枠組み

② 削減手段:再エネ・効率化・プロセス改革

  • 196.4 認証制度の最新動向と事例

① 先進事例:カーボンニュートラル企業・サイト

② 認証スキームの進化

  • 196.5 2026年以降の構造変化と戦略的示唆

① 顧客・投資家からの要求水準の高まり

② 競争要因としての「グリーンファブ」

③ 半導体産業構造との関係

197 半導体とブロックチェーン融合の概要と最新動向

  • 197.1 半導体とブロックチェーン融合の基本概念
  • 197.2 主要ユースケース:サプライチェーン・トレーサビリティ

① マイクロエレクトロニクスの完全トレーサビリティ

② 化学品・材料トレーサビリティ

  • 197.3 主要ユースケース:セキュリティ・IP保護とハードウェアルートオブトラスト

① ハードウェアルートオブトラストとブロックチェーン

② IP保護とライセンス管理

  • 197.4 主要ユースケース:チップレット時代のプロビナンスとマーケットプレイス

① チップレットのプロビナンス管理

② 半導体取引プラットフォームとスマートコントラクト

  • 197.5 半導体製品そのものとブロックチェーンの関係

① 暗号・マイニング専用半導体からの進化

② デバイスID・ライフサイクル管理

  • 197.6 課題と今後の構造変化

① スケーラビリティ・プライバシー・ガバナンス

② 標準化と採用メカニズム

③ 2026年以降の半導体産業構造へのインパクト

【 財務・経済的影響 】

198 為替レートの変動が及ぼす影響の概要

  • 198.1 円安・円高が日本の半導体企業に与える影響

① 円高局面での収益悪化と投資抑制

② 円安局面での利益押し上げと投資加速

  • 198.2 中国・アジア通貨の変動と電子部品輸出

① 元安・アジア通貨安と価格競争力

② 通貨安の負の側面:輸入コストと為替リスク

  • 198.3 グローバル・バリューチェーンと為替ボラティリティ

① GVC統合度が高い電子セクターの感応度

② 企業財務への影響:換算差とヘッジコスト

  • 198.4 2026年以降への含意と企業の対応

199 輸送・物流コストの増加の概要

  • 199.1 海上輸送コストの上昇要因とその影響

① 紅海迂回とコンテナ運賃の高騰

② 規制コストと環境サーチャージ

  • 199.2 航空輸送と高付加価値電子部品

① 航空貨物市場の拡大と料金水準

② 総保有コストの観点からの選択

  • 199.3 電子・半導体サプライチェーンにおける実務的影響

① コスト増とマージン圧迫

② リードタイムと在庫戦略の見直し

  • 199.4 2026年以降に向けた含意と対応策

200 保険料の調整の概要

  • 200.1 海上保険市場全体のプレミアム動向

① マリン保険プレミアムの拡大と安定化

② 制裁・コンプライアンス要因の影響

  • 200.2 戦争危険保険料の急騰と局地的調整

① 紅海・黒海情勢と保険料率の変動

② 地域ごとのプレミアム調整とシフト

  • 200.3 半導体サプライチェーンにおける保険料調整の影響

① 高価値貨物としての半導体と保険負担

② 与信リスクと貿易信用保険の役割

  • 200.4 保険料調整が財務・経済に与える含意

① コスト構造・価格転嫁への影響

② 保険会社・再保険会社のリスク管理と料率設計

  • 200.5 2026年以降の展望と企業の戦略的対応

① 保険料水準の先行きとボラティリティ

② 企業側の保険戦略とリスクエンジニアリング

201 在庫保有コストの最適化の概要

  • 201.1 半導体サプライチェーンにおける在庫戦略の変化

① JITの限界とJICへの揺り戻し

② レジリエンスと効率性の両立へ

  • 201.2 在庫保有コストの構成要素と定量管理

① 在庫保有コストの内訳

② 安全在庫の算定とサービスレベル

  • 201.3 地政学リスク・貿易摩擦と在庫最適化

① 関税・物流リスクと在庫積み増し

② ニアショアリングとハイブリッド在庫モデル

  • 201.4 在庫保有コスト最適化の具体的手法

① データ駆動型の需要予測と可視化

② 安全在庫と余剰在庫の積極的なマネジメント

  • 201.5 2026年以降の展望と半導体企業へのインプリケーション

① 成長投資と在庫最適化の両立

202 サプライヤー価格変動の管理

  • 202.1 価格変動の構造要因と最近の傾向

① 需給ショックとカテゴリ分化

② 関税・貿易摩擦とコストパススルー

  • 202.2 調達・契約レベルでの価格変動管理

① 長期契約・価格フォーミュラと事前合意

② コスト分析と「should-cost」モデル

  • 202.3 サプライヤーポートフォリオと地理的分散の活用

① マルチソーシングと地域分散

② ニアショアリング・ハイブリッドモデルの影響

  • 202.4 データ活用・在庫政策による価格平準化

① 市場インテリジェンスと早期シグナル検知

② 戦略的ストッキングと価格ヘッジ

  • 202.5 2026年以降の展望と実務上のポイント

① 価格ボラティリティとリスクセンター調達

② 半導体企業にとっての実務的示唆

203 契約再交渉の戦略

  • 203.1 関税・貿易戦争環境下での契約再交渉の必要性

① 貿易政策ショックと長期契約のミスマッチ

② 法的観点:不可抗力・ハードシップと関税

  • 203.2 契約再交渉の基本戦略とプロセス

① データに基づく「正当性」の構築

② 柔軟性とリスク分担を組み込む再交渉

  • 203.3 貿易摩擦・物流契約における再交渉の実務

① 物流・運賃契約の再交渉ポイント

② 半導体サプライチェーンに特有の論点

  • 203.4 契約条項設計:再交渉を前提とした条文の工夫

① 再交渉条項・ハードシップ条項の活用

② 価格調整・MAC条項・タリフパススルー

  • 203.5 2026年以降に向けた戦略的含意

① サプライチェーン再設計と契約の連動

② 契約管理のデジタル化とAI活用

204 原価加算方式と固定価格契約の比較

  • 204.1 原価加算方式(コストプラス)の特徴

① 基本的な構造

② メリットとデメリット

  • 204.2 固定価格契約(フィックスドプライス)の特徴

① 基本的な構造

② メリットとデメリット

  • 204.3 リスク配分とインセンティブ構造の比較

① 価格リスク・品質インセンティブ

② 管理コストと透明性

  • 204.4 半導体サプライチェーンでの実務的な使い分け

① EMS・ファウンドリ契約での適用パターン

② 貿易摩擦・関税下でのハイブリッド設計

  • 204.5 半導体企業にとっての選択指針

① どのような条件でどちらを選ぶか

205 数量割引の再構築

  • 205.1 伝統的数量割引モデルの課題

① 単純なティアードプライシングの限界

② 年間ボリュームリベート依存のリスク

  • 205.2 新しい数量割引アーキテクチャの方向性

① ティアード+リベート+パフォーマンス指標

② インフレ・コスト変動を織り込んだダイナミック割引

  • 205.3 半導体・電子部品分野での具体的再構築アプローチ

① 在庫・関税・物流コストを反映したティア設計

② チャネル・地域別の差別化された数量割引

  • 205.4 数量割引再構築が財務・経済に与える影響

① マージン管理と価格弾力性のバランス

② 需要平準化・在庫最適化への効果

  • 205.5 2026年以降に向けた実務的示唆

206 総所有コスト分析

  • 206.1 総所有コスト分析の基本構造

① 総着荷コストとTCOの関係

② TCOの主な構成要素

  • 206.2 関税・物流・立地が総所有コストに与える影響

① 関税と総着荷コストの再計算

② オフショア・ニアショア・リショアのTCO比較

  • 206.3 TCOに基づくソーシング・設計・在庫戦略

① ソーシング判断への組み込み

② 設計段階での「関税・物流を織り込んだ設計」

  • 206.4 総所有コスト分析の実務ステップ

① データ収集とモデル構築

② KPIと意思決定フレーム

  • 206.5 2026年以降の展望と半導体産業への含意

207 関税が部品価格に与える影響の概要

  • 207.1 最近の半導体・電子部品関税の動向

① 米中関係を中心とする関税引き上げ

② EU・台湾など他地域への拡張

  • 207.2 関税が部品価格に及ぼす直接的なコスト効果

① 関税の価格転嫁メカニズム

② エレクトロニクス部品の具体例

  • 207.3 間接的な影響:サプライチェーン再編とコスト構造の変化

① 調達先の切り替えと再ロケーション

② マージン圧迫と製品ミックスの変更

  • 207.4 最新の政策議論と企業側の対応オプション

① 2025~2026年の政策シナリオ

② 部品価格影響を緩和する企業戦略

【 投資・資金調達 】

208 設備リース対購入の判断

  • 208.1 半導体製造装置投資の構造的特徴

① WFE市場の拡大と装置コストの高騰

② 装置ライフサイクルと技術陳腐化リスク

  • 208.2 リース活用のメリットと制約

① キャッシュフローと柔軟性のメリット

② 長期リースのコストと契約リスク

  • 208.3 購入・所有のメリットと課題

① 資産価値とTCOの観点

② 購入の資本制約と技術リスク

  • 208.4 IFRS16による会計処理の変化と判断への影響

① リースのオンバランス化

② 財務指標・契約制約への波及

  • 208.5 テスト・計測分野におけるリースの先行活用

① 市場成長と需要ドライバー

② 半導体ファブ投資への示唆

  • 208.6 設備リース対購入判断の評価フレーム

① 定量評価:TCOとシナリオ分析

② 定性的要因:技術・地政学・規制

  • 208.7 2026年以降に向けた戦略的含意

209 運転資金需要の増加

  • 209.1 関税・貿易摩擦が運転資金に与える直接的影響

① 調達コスト上昇と前払資金の増加

② 関税前の駆け込み在庫と在庫積み増し

  • 209.2 サプライチェーン再編とキャッシュコンバージョンサイクルの変化

① リードタイム延長と安全在庫の増加

② 地域ブロック化と拠点間債権債務

  • 209.3 金利上昇と金融環境がもたらす資金繰り圧力

① 高金利環境下での在庫・売掛金のコスト

② 金融機関側から見た運転資金ニーズの増加

  • 209.4 運転資金需要増加の典型的メカニズム

① 在庫日数・売掛金回収日数・買掛金支払日数

② 事例:関税前後の在庫戦略シナリオ

  • 209.5 運転資金管理・調達における新たな対応

① サプライチェーンファイナンスとトレードクレジット

② 在庫・調達戦略の見直し

  • 209.6 2026年以降の半導体産業における示唆

210 研究開発投資の再配分必要性

  • 210.1 貿易摩擦・関税がもたらすR&D構造変化

① 輸出規制と市場縮小が研究テーマを変える

② 自国技術確立へのシフト

  • 210.2 地域ブロック化とR&Dの地理的再配分

① CHIPS法・欧州チップ法によるR&Dプログラム

② リショアリングとアプリケーションR&Dへの配分

  • 210.3 技術ポートフォリオ再編とR&D再配分の方向

① 微細化一辺倒からの脱却

② 材料・パッケージ・サプライチェーン技術への投資

  • 210.4 企業財務とR&D再配分のトレードオフ

① 利益率圧迫とR&D比率の上昇

② 公的R&D支援と民間投資の棲み分け

  • 210.5 2026年以降に向けたR&D再配分戦略の含意

211 合弁事業資金調達構造

  • 211.1 典型的な合弁ファブの資金調達構造

① エクイティ出資とプロジェクトファイナンス

② 政府補助金・税制優遇との組み合わせ

  • 211.2 金融投資家との共同投資スキーム

① IntelのSCIPモデルとJV出資

② クレジット評価と資本コスト低減

  • 211.3 政府・国有ファンドとの合弁と補助金

① 中国・インドなどでの国家ファンド参加

② 貿易摩擦下でのローカル化要請とJV義務

  • 211.4 貿易摩擦と関税環境がJV構造に与える影響

① ローカル生産拠点としてのJVの役割

② 技術管理・制裁リスクと資本構造

  • 211.5 2026年以降に向けた合弁資金調達の戦略的含意

212 政府インセンティブプログラムの活用

  • 212.1 主要な政府インセンティブプログラムの概要

① 米国:CHIPS and Science Actと投資税額控除

② 日本:半導体戦略と指定半導体基金

  • 212.2 欧州チップ法と各国の補完スキーム

① EUレベルのR&I支援とFOAK認定

② 各国レベルの税制・補助金

  • 212.3 インセンティブ活用の財務的効果と設計ポイント

① CAPEX・OPEX双方への効果

② 貿易摩擦・関税を踏まえた活用

  • 212.4 企業側から見たインセンティブ活用戦略

① 投資案件のストラクチャリング

② マルチリージョンでの最適組み合わせ

  • 212.5 2026年以降の展望と実務的示唆

213 輸出信用・貿易金融へのアクセス

  • 213.1 輸出信用・貿易金融が半導体ビジネスに果たす役割

① 大型設備案件向けの長期輸出信用

② 運転資金とサプライチェーンファイナンス

  • 213.2 貿易摩擦・輸出規制がアクセス条件を変えるメカニズム

① タリフ・地政学リスクによるリスクプレミアムの上昇

② 輸出管理・制裁とコンプライアンス負担

  • 213.3 各種プレイヤーによる輸出信用・貿易金融の提供枠組み

① 輸出信用機関(ECA)と開発金融機関

② 商業銀行・トレードファイナンスプロバイダー

  • 213.4 半導体企業から見たアクセス確保の課題と対応

① 中堅・中小サプライヤーの格差

② タリフ回避と新興市場へのシフトに伴う金融需要

  • 213.5 2026年以降の戦略的含意:輸出信用・貿易金融をどう組み込むか

214 外国為替ヘッジ戦略

  • 214.1 半導体企業が直面する為替リスクの特徴

① トランザクションリスクとバランスシートリスク

② 関税・貿易政策による為替ボラティリティ

  • 214.2 企業のFXヘッジ実務と最新動向

① ヘッジ比率・期間の拡大

② 半導体メーカー事例:段階的ヘッジと自動化

  • 214.3 主要ヘッジ手段とその使い分け

① フォワード・オプション・スワップの活用

② グローバルFX市場の動向とヘッジ商品

  • 214.4 貿易摩擦コンテキストに特有のヘッジ戦略

① タリフショックを織り込んだシナリオヘッジ

② サプライチェーン再構成と通貨ポートフォリオ

  • 214.5 2026年以降に向けた実務的含意

215 政治リスク保険の要件

  • 215.1 政治リスク保険がカバーする典型的リスク

① 主な補償範囲

② 半導体プロジェクトに特有のリスク

  • 215.2 主要な引受機関と一般的な加入要件

① 多国間機関・輸出信用機関の要件

② 民間保険市場の審査項目

  • 215.3 半導体産業での政治リスク保険活用と求められる構造

① サプライチェーン再編とPRI需要の高まり

② 金融機関・投資家側からの要求

  • 215.4 具体的な要件設計と留意点

① カバレッジ範囲・補償割合・テナー

② 投資家・案件側が満たすべき条件

  • 215.5 2026年以降の半導体投資における政治リスク保険の位置づけ

216 サプライチェーン金融プログラムの開発

  • 216.1 半導体産業におけるSCF導入の背景

① 関税・地政学リスクによる運転資本負担の増加

② リショアリング・マルチソーシングが生む資金ニーズ

  • 216.2 SCFプログラムの基本構造と主要モデル

① 買い手主導型SCF(リバースファクタリング)

② 在庫ファイナンス・販売金融を含む拡張型SCF

  • 216.3 デジタル化・AI活用によるSCFプラットフォームの進化

① AI・ブロックチェーンによるリスク評価と自動化

② マルチファンダー・マーケットプレイス型の広がり

  • 216.4 関税環境下でのSCFプログラム設計のポイント

① 高金利・関税コストを織り込んだ価格設計

② ESG・レジリエンス指標と連動した「サステナブルSCF」

  • 216.5 2026年以降に向けたSCFプログラム開発の実務的示唆

217 ファブ建設資金調達の課題

  • 217.1 先端ファブ投資のスケールとコスト構造

① 1兆ドル規模の設備投資と資本集約化

② 地域間コスト格差と構造的ハンディ

  • 217.2 公的支援と民間投資のギャップ

① CHIPS法など補助金の規模と限界

② 補助金交付遅延とファイナンスリスク

  • 217.3 金利環境・労働市場・サプライチェーンが与える制約

① 高金利とプロジェクトファイナンスの難度

② 人材・サプライチェーン制約

  • 217.4 需要サイクルと投資タイミングの不確実性

① 市況サイクルとオーバーキャパシティ懸念

② AI・2nm投資ブームと集中リスク

  • 217.5 政策・金融スキーム面での対応方向

① 公的支援の設計とオペックス補填の不足

② 民間資金と共同投資モデルの模索

  • 217.6 2026年以降の展望とファブ資金調達戦略

【 市場アクセス 】

218 競争環境の変化

  • 218.1 地政学と関税がもたらす競争軸のシフト

① グローバル最適から地域エコシステム最適へ

② トランプ関税とAI輸出規制が生む新たな優位性

  • 218.2 新規プレーヤーと地域ブロックの台頭

① ASEAN・インドなど友好国クラスターの成長

② 欧州の「主権AI」戦略と競争位置付け

  • 218.3 バリューチェーン内競争の質的変化

① ビッグテック・自動車・クラウドによるインハウス設計競争

② 環境・ESG・データ主権をめぐる競争

  • 218.4 関税・貿易政策が価格・収益構造に与える影響

① コスト構造の地域差と価格競争

② スタートアップと中堅企業への影響

  • 218.5 2026年以降の競争戦略への含意

219 市場参入障壁の修正

  • 219.1 参入障壁の性質変化:関税から非関税措置へ

① ローカルコンテンツ要件・政府調達ルールの強化

② 技術・デジタル規制を通じた見えにくい障壁

  • 219.2 輸出規制が形成する「技術境界」と市場アクセス

① 先端ノードへのアクセス制限と二層市場

② 友好国向け優遇とライセンス制の簡素化

  • 219.3 産業政策と補助金が作る新たな参入条件

① チップ法・補助金を通じた「ポジティブな障壁」

② 中国のビッグファンドと国内市場保護

  • 219.4 市場参入障壁の修正が半導体企業にもたらす実務的変化

① マルチロケーション戦略と規制適合設計

② 非関税障壁への対応としての標準・データ戦略

  • 219.5 2026年以降の展望と戦略的含意

220 顧客審査プロセスの変更

  • 220.1 先端半導体向け規制強化と顧客審査の高度化

① BISによる追加デューデリジェンス要件

② エンドユーザー・エンドユース審査の拡張

  • 220.2 顧客審査プロセスの具体的変更点

① 拡張されたKYCとベネフィシャルオーナー確認

② エンドユース・ステートメントと継続モニタリング

  • 220.3 デジタル化・自動化による審査プロセスの再構築

① スクリーニング技術とデータ品質要求の向上

② AI活用によるリスクベース審査

  • 220.4 市場アクセス戦略としての顧客審査プロセス再設計

① 高リスク市場への選別的アクセス

② 顧客体験と機密情報保護との両立

  • 220.5 2026年以降を見据えた実務的含意

221 代替製品開発の必要性

  • 221.1 輸出規制・関税が既存製品に与える制約

① 性能閾値・性能密度制限への対応

② 関税・サプライチェーン制約と原材料代替

  • 221.2 規制適合型代替製品の開発動向

① ダウングレードAIチップと二層市場

② 非米系アーキテクチャ・国産AIチップの台頭

  • 221.3 国内代替・インポートサブスティテューションの潮流

① 基盤チップ分野での自給化志向

② 代替材料・代替プロセス開発の必要性

  • 221.4 規制・市場ニーズを踏まえた設計戦略

① 「輸出適合設計」と「多規格ポートフォリオ」

② 価格帯・性能帯ごとの代替製品マップ

  • 221.5 2026年以降に向けた代替製品開発の実務的含意

222 代替サプライヤー審査コスト

  • 222.1 フレンドショアリング・リショアリングが審査コストを押し上げる構造

① サプライヤー多様化と評価業務の増大

② リショアリング・ニアショアリングの初期投資

  • 222.2 代替サプライヤー審査に必要な主な評価項目

① 技術・品質・供給能力の検証

② ESG・人権・コンプライアンス面のデューデリジェンス

  • 222.3 審査コストの具体的内訳と影響

① 直接コスト:監査・試作・認証

② 間接コスト:リードタイム・リスク管理・組織負荷

  • 222.4 テクノロジー活用による審査コスト圧縮の試み

① サプライヤーリスクプラットフォームとデータ連携

② 共通監査・業界標準化の活用

  • 222.5 2026年以降に向けた戦略的含意

223 市場シェア保護戦略

  • 223.1 地域エコシステムの最適化によるシェア防衛

① デュアル・マルチ拠点モデルの採用

② 地域別製品・サービス提供

  • 223.2 規制適合型製品と価格戦略

① 輸出規制に対応した性能調整モデル

② 関税転嫁と価格・契約の見直し

  • 223.3 政策・ロビー活動を通じた競争条件の形成

① ターゲット関税・輸出規制の形成

② 同盟国とのルール形成と市場アクセス

  • 223.4 競合の自立化・代替化に対する牽制と協調

① 中国の自立化戦略とその含意

② 競合国市場における限定的プレゼンス維持

  • 223.5 2026年以降に向けた市場シェア保護の実務的示唆

224 新規市場開拓投資

  • 224.1 地政学リスクとフレンドショアリングが開拓投資をシフトさせる

① 東南アジア・インドへの製造・バックエンド投資

② 新興国との技術アライアンスとFDI

  • 224.2 高成長アプリケーションを狙った市場開拓投資

① 自動車半導体・EV・ADAS分野

② 産業・クリーンエネルギー・AIインフラ向け

  • 224.3 新規市場開拓投資と貿易・関税環境の相互作用

① 関税回避とFTA活用を前提とした立地選択

② 新興市場の規制・インフラリスクとバランス

  • 224.4 企業レベルでの新規市場開拓投資の設計ポイント

① エコシステム視点の投資パッケージ

② セグメント別ポートフォリオと資本配分

  • 224.5 2026年以降の新規市場開拓投資の方向性

225 顧客関係管理への影響

  • 225.1 貿易摩擦・輸出規制が顧客関係にもたらす構造変化

① 供給リスクの顕在化と信頼の再構築

② コスト・リードタイム変動と契約条件の見直し

  • 225.2 サプライチェーン再編と顧客ポートフォリオ管理

① 地域別エコシステムへの再ポジショニング

② 顧客選別とリスクベースの取引方針

  • 225.3 デジタル化・データ活用による顧客関係管理の高度化

① 需要・供給データを軸にした協調計画

② 規制・コンプライアンス情報の統合管理

  • 225.4 供給制約下での顧客体験とロイヤルティ

① 透明な情報開示と優先配分ルール

② 顧客成功・共同事業計画の位置づけ

  • 225.5 2026年以降の顧客関係管理に向けた示唆

226 ブランドと評判の考慮事項

  • 226.1 地政学リスクと「どの側に立つブランドか」という認識

① 輸出規制・制裁とブランド位置付け

② 対中ビジネスと国内世論・投資家の目

  • 226.2 ESG・サステナビリティとブランド価値

① サプライチェーンESG規制と評判リスク

② レアアース・重要鉱物を巡る倫理的懸念

  • 226.3 供給信頼性・コラボレーション文化とレピュテーション

① サプライチェーン・レジリエンスと「信頼できる相手」像

② 輸出規制順守とコンプライアンス文化

  • 226.4 貿易摩擦下でのコミュニケーションとステークホルダー管理

① リスク・ポジショニングに関する透明な発信

② 社会・メディアからの視線とブランド防衛

  • 226.5 2026年以降に向けたブランド・評判戦略の方向性

227 規制順守コストの増加

  • 227.1 半導体輸出規制強化によるコンプライアンス負担

① BISルール改正とライセンス管理コスト

② ルールの頻繁な変更と専門人材ニーズ

  • 227.2 関税・ルール・オブ・オリジン複雑化による取引コスト

① 高関税とトレードコンプライアンスコスト

② サプライチェーン再設計と規制適合の二重コスト

  • 227.3 サプライチェーンESG・デューデリジェンス義務の拡大

① サステナビリティ関連規制によるコスト増

② デューデリジェンス体制構築とIT投資

  • 227.4 コンプライアンスコスト増加がビジネス戦略に与える影響

① 収益性・投資判断・価格転嫁への波及

② 組織設計と「コンプライアンス・バイ・デザイン」

  • 227.5 2026年以降に向けた規制順守コスト増加への対応方向

【 国際協力と戦略的意義 】

228 日米半導体同盟の近代化

  • 228.1 1. 同盟近代化の基本枠組み
  • 228.2 2. 政策レベル:基本原則・共同タスクフォース・三国枠組み
  • 228.3 3. 先端ロジック:Rapidusと米国のパートナーシップ
  • 228.4 4. レガシー半導体と装置・材料:利害の違いと調整
  • 228.5 5. 研究開発・人材育成と技術アジェンダ
  • 228.6 6. 経済安全保障・輸出管理・関税との連動
  • 228.7 7. 2026年以降の構造変化と戦略的意義

229 半導体産業における環境基準に基づく国際協調

  • 229.1 概要と位置づけ
  • 229.2 温室効果ガス削減と気候変動対応
  • 229.3 PFAS・化学物質規制をめぐる国際協調
  • 229.4 水資源・エネルギー効率と技術ロードマップ
  • 229.5 産業コンソーシアムと自発的イニシアティブ
  • 229.6 気候リスクとサプライチェーン再編
  • 229.7 国際規範・ガイドラインと政策対話
  • 229.8 2026年以降の構造変化と戦略的意義

230 半導体産業におけるIP保護の国際的ルール策定

  • 230.1 半導体と知的財産ルールの全体像
  • 230.2 既存国際枠組み:TRIPSとWIPO条約
  • 230.3 レイアウト設計・意匠保護の調和
  • 230.4 営業秘密・サイバーセキュリティとIP保護
  • 230.5 産業政策・輸出管理とIPルールの交差
  • 230.6 産業コンソーシアムとIPガバナンス
  • 230.7 各地域政策とIP戦略
  • 230.8 開かれた標準とオープンIPの台頭
  • 230.9 2026年以降の構造変化と国際ルールの方向性

231 半導体インフラの共同投資枠組みの国際協力と戦略的意義

  • 231.1 概要と位置づけ
  • 231.2 国家主導型共同投資:CHIPS法と欧州Chips Act
  • 231.3 企業・政府・需要家のマルチステークホルダーJV
  • 231.4 同盟国間の戦略的共同投資:Chip4と日欧台連携
  • 231.5 新興国・地域における共同投資とエコシステム構築
  • 231.6 共同投資の金融・ガバナンス設計
  • 231.7 共同投資枠組みがもたらす産業構造変化
  • 231.8 2026年以降の展望と戦略的意義

232 半導体産業における技術人材の国際共同育成

  • 232.1 概要と課題認識
  • 232.2 米国CHIPS法とグローバル人材戦略
  • 232.3 日米大学連携と三国間育成モデル
  • 232.4 東南アジアとの連携と短期タレントプログラム
  • 232.5 ベトナム・日本間の共同育成
  • 232.6 欧州クラスターとスキル戦略
  • 232.7 企業主導の国際人材プログラムとレジリエントワークフォース
  • 232.8 2026年以降の構造変化と戦略的意義

233 スペース・衛星用途での半導体国際基準化の国際協力と戦略的意義

  • 233.1 概要と基準化の全体像
  • 233.2 主要な国際・地域規格体系

① 欧州:ECSSとESCC

② 米国:MIL規格とNASA文書

③ 国際規格:ISO・ITUなど

  • 233.3 コンポーネント試験・放射線標準の動向
  • 233.4 メガコンステレーションと商用COTS活用の基準化
  • 233.5 国際協力とガバナンス:宇宙安全・持続可能性の観点
  • 233.6 2026年以降の構造変化と戦略的意義

234 米韓技術連携強化

  • 234.1 1. 協力枠組みの全体像
  • 234.2 2. 供給網レジリエンスとSCCD(サプライチェーン・商業対話)
  • 234.3 3. 研究開発・人材交流:CET対話とNSTC–K-Advanced Semiconductor Technology Center 連携
  • 234.4 4. CHIPS法・K-CHIPS法と韓国企業の米国投資
  • 234.5 5. 半導体サプライチェーン・輸出管理・安全保障の接合
  • 234.6 6. 2026年以降の構造変化と戦略的意義

235 台湾の国際同盟戦略

  • 235.1 1. シリコン・シールドと半導体外交の基本構図
  • 235.2 2. TSMCのグローバル展開と「分散による同盟化」
  • 235.3 3. 技術優位維持と海外投資制限:シリコン・シールド2.0
  • 235.4 4. 米国との準同盟関係:安全保障と産業政策の結合
  • 235.5 5. 日本・欧州との多層連携:サプライチェーンの政治連結
  • 235.6 6. 2026年以降の構造変化と戦略的意義

236 日欧半導体協力会議

  • 236.1 1. 枠組みの位置づけと背景
  • 236.2 2. 主要合意事項:半導体協力覚書(MoC)の内容
  • 236.3 3. デジタル・パートナーシップと日欧半導体協力会議の連結
  • 236.4 4. 産業政策・経済安全保障対話との連携
  • 236.5 5. 研究開発・材料協力:先端材料対話との相乗効果
  • 236.6 6. 2026年以降の構造変化と戦略的意義

237 QUADにおける半導体協議

  • 237.1 1. QUAD枠組みと半導体アジェンダの位置づけ
  • 237.2 2. 半導体サプライチェーン・イニシアティブと能力マッピング
  • 237.3 3. 半導体供給網コンティンジェンシー・ネットワーク(MoC)
  • 237.4 4. QUIN(Quad Investors Network)による民間投資の動員
  • 237.5 5. 技術標準・経済安全保障と半導体協議の連関
  • 237.6 6. 2026年以降の構造変化と戦略的意義

238 G7における半導体安保議題

  • 238.1 1. 経済安全保障アジェンダの中での位置づけ
  • 238.2 2. サプライチェーン強靭化とレジリエンス強化策
  • 238.3 3. 半導体PoC(Point of Contact)グループと危機対応メカニズム
  • 238.4 4. Apuliaサミット(2024年)と半導体を含む過剰生産能力問題
  • 238.5 5. 輸出管理・対中レガシーチップ規制を巡る協調
  • 238.6 6. 2026年以降の構造変化と戦略的意義

239 ASEAN地域半導体協調の国際協力と戦略的意義

  • 239.1 概要と位置づけ
  • 239.2 AFISSと関連政策フレームワーク
  • 239.3 主要国の機能分担と補完関係
  • 239.4 国際協力の新局面とパートナーシップ
  • 239.5 地政学リスクと技術ブロック化への対応
  • 239.6 供給網強靱化とレジリエンス構築
  • 239.7 産業クラスターとインフラ整備
  • 239.8 技術・人材協力とイノベーション
  • 239.9 ガバナンス・規制調和と投資環境
  • 239.10 戦略的意義と今後のシナリオ

240 国連による半導体安定供給枠組みの国際協力と戦略的意義

  • 240.1 国連による半導体議題の位置づけ
  • 240.2 概念上の「半導体安定供給枠組み」とは何か
  • 240.3 現在の国連内の関連イニシアティブ

① 国連大学(UNU)の技術ブリーフ

② 国連経済社会局(UN DESA)の分析

  • 240.4 化学物質規制と半導体製造の関係
  • 240.5 国連と他フォーラムの役割分担
  • 240.6 安定供給枠組みの主要論点

① レジリエンスと分散化

② 経済安全保障と輸出管理

  • 240.7 持続可能性・環境・社会的側面
  • 240.8 2026年以降の構造変化と国連の役割
  • 240.9 今後構想されうる具体的枠組み案
  • 240.10 産業・各国戦略とのインターフェース

241 WTOへの半導体関連紛争提起の国際協力と戦略的意義

  • 241.1 半導体とWTO紛争の全体像
  • 241.2 主な半導体関連WTO紛争・問題提起

① 中国による米国の輸出規制提訴

② 補助金・産業政策を巡る論点

  • 241.3 安全保障例外と輸出管理の法的論点
  • 241.4 紛争解決機能の停滞とその影響
  • 241.5 歴史的事例と学習効果
  • 241.6 産業界から見たWTO紛争の位置づけ
  • 241.7 2026年以降の構造変化とWTOの戦略的意義
  • 241.8 国際協力と日本・東アジアへの含意

242 米・EU半導体協力枠組み

  • 242.1 1. 協力枠組みの概要
  • 242.2 2. 主要政策:CHIPS法と欧州チップ法の連携
  • 242.3 3. サプライチェーン強靭化:早期警戒と需要予測
  • 242.4 4. 補助金・投資支援の透明性と「補助金競争」回避
  • 242.5 5. 輸出管理と経済安全保障の調整
  • 242.6 6. 研究開発・人材育成とレガシーチップ協力
  • 242.7 7. 2026年以降の構造変化と戦略的意義

【 二国間協定 】

243 G7半導体サプライチェーンイニシアチブの多国間協力と戦略的意義

  • 243.1 枠組みの成立と基本理念
  • 243.2 供給網強靱化の柱:原則と政策手段
  • 243.3 半導体PoCグループ:運用レベルの調整メカニズム
  • 243.4 重要鉱物・電池イニシアチブとの連動
  • 243.5 2026年以降の展望と半導体産業構造への影響

244 OECD半導体貿易ガイドラインの国際枠組みと戦略的意義

  • 244.1 OECDにおける半導体議論の位置づけ
  • 244.2 バリューチェーン・マッピングと依存関係の可視化
  • 244.3 貿易・投資・補助金に関するガイドライン的原則
  • 244.4 原材料・輸出制限への対応指針
  • 244.5 セミコンダクター非公式交換ネットワークと政策対話
  • 244.6 2026年以降の構造変化とガイドラインの役割

245 WTO半導体貿易紛争メカニズムの構造と役割

  • 245.1 WTO紛争処理制度と半導体分野への適用
  • 245.2 補助金・産業政策を巡る争点
  • 245.3 輸出規制・原材料制限を巡る新たな紛争
  • 245.4 WTO制度の機能不全と暫定的メカニズム
  • 245.5 2026年以降の半導体産業構造とWTOメカニズムの展望

246 国連技術移転枠組みと半導体産業への含意

  • 246.1 枠組みの全体像と位置づけ
  • 246.2 UNFCCC技術メカニズムと低炭素技術
  • 246.3 UNCTAD技術移転取極とTRIPS第66.2条
  • 246.4 知的財産権と技術移転のバランス
  • 246.5 ガバナンス上の課題と2026年以降の展望

247 日米半導体協力協定の国際協力と戦略的意義

  • 247.1 歴史的背景と基本原則
  • 247.2 協力の制度枠組みとガバナンス
  • 247.3 先端半導体開発とパッケージング協力
  • 247.4 サプライチェーン強靱化と安全保障
  • 247.5 人材育成・大学連携:UPWARDS for the Future
  • 247.6 産業エコシステム連携と地域間協力
  • 247.7 レガシー半導体をめぐる利害と調整
  • 247.8 2026年以降の構造変化と日米協力の展望

248 RCEPの半導体サプライチェーンへの影響

  • 248.1 RCEPの概要と電子・半導体分野での位置づけ
  • 248.2 単一原産地規則とバリューチェーン統合効果
  • 248.3 関税削減と高付加価値製造拠点へのインセンティブ
  • 248.4 供給網レジリエンスと地政学的リスク分散
  • 248.5 ASEAN半導体戦略との相乗効果
  • 248.6 2026年以降の半導体産業構造への含意

249 IPEFの枠組みと半導体関連規定

  • 249.1 IPEFの概要と4本柱
  • 249.2 サプライチェーン協定の制度設計と半導体の位置づけ
  • 249.3 半導体サプライチェーン強靭化に向けたIPEFの役割
  • 249.4 他の多国間枠組みとの相互補完と課題
  • 249.5 2026年以降の構造変化とIPEF規定の意味

250 CPTPPルールと半導体産業への波及

  • 250.1 CPTPPの性格と「半導体章」の位置づけ
  • 250.2 デジタル貿易・暗号ルールと設計・IP保護
  • 250.3 原産地規則とサプライチェーン統合効果
  • 250.4 SOE規律・技術移転禁止と競争環境
  • 250.5 デジタル経済ガバナンスと他枠組みへの波及
  • 250.6 2026年以降の半導体産業構造へのインプリケーション

251 RCEPデジタル貿易規定と半導体産業への含意

  • 251.1 電子商取引章の基本構造と特徴
  • 251.2 データフリーフローとローカライゼーション規制
  • 251.3 ソースコード保護・電子的無税化などのルール
  • 251.4 デジタル貿易規定が半導体バリューチェーンに与える影響
  • 251.5 2026年以降の構造変化とRCEPデジタル規定の役割

252 ASEANプラス3技術協力枠組みと半導体産業への含意

  • 252.1 枠組みの成立と基本理念
  • 252.2 科学技術・イノベーション協力の枠組み
  • 252.3 デジタル経済・サプライチェーン強靱化と半導体
  • 252.4 具体的協力プログラムと人材・R&D基盤
  • 252.5 2026年以降の構造変化とASEANプラス3の戦略的意義

253 Chip4同盟調整メカニズムの多国間協力と戦略的意義

  • 253.1 Chip4同盟の基本構想と参加国
  • 253.2 調整メカニズム:作業部会と政策協議
  • 253.3 サプライチェーン安全保障と友好国シフト
  • 253.4 CHIPS法2.0とChip4の関係
  • 253.5 内部的な緊張要因と調整課題
  • 253.6 2026年以降の構造変化とChip4調整メカニズムの展望

254 米韓チップ同盟パートナーシップの国際協力と戦略的意義

  • 254.1 基本的な枠組みと背景
  • 254.2 首脳共同声明と政策対話
  • 254.3 投資と補助金:CHIPS法とK-Chips法
  • 254.4 技術同盟化:R&D・標準・AIチップ
  • 254.5 対中戦略と「チップ4」との関係
  • 254.6 経済安全保障・サプライチェーン対話
  • 254.7 2026年以降の構造変化と展望

255 米台半導体技術協定の国際協力と戦略的意義

  • 255.1 概要と位置づけ
  • 255.2 制度的枠組み:TTICと21世紀貿易イニシアチブ
  • 255.3 TSMCアリゾナ計画と共同投資
  • 255.4 サプライチェーン・リスクと地政学的ジレンマ
  • 255.5 産業補完性と技術シナジー
  • 255.6 デジタル貿易・データガバナンスとの連動
  • 255.7 2026年以降の構造変化と展望

256 EU-日本デジタルパートナーシップ枠組みの国際協力と戦略的意義

  • 256.1 枠組みの成立と基本的性格
  • 256.2 半導体協力:メモランダムと供給網強靱化
  • 256.3 デジタル・技術分野の協力領域
  • 256.4 データガバナンス・DFFTとデジタル貿易
  • 256.5 サイバーセキュリティ・海底ケーブル・接続性
  • 256.6 競争力・サプライチェーン戦略との連動
  • 256.7 2026年以降の構造変化と戦略的意義

257 豪日重要鉱物協定の国際協力と戦略的意義

  • 257.1 協定の成立と目的
  • 257.2 主な内容と協力分野
  • 257.3 重要鉱物の範囲と半導体との関係
  • 257.4 投資・共同プロジェクトの展開
  • 257.5 多国間枠組みとの連動と地政学的意味
  • 257.6 2026年以降の構造変化と戦略的意義

258 米印半導体イニシアチブパートナーシップの国際協力と戦略的意義

  • 258.1 全体像と位置づけ
  • 258.2 2023年MoU:サプライチェーンとイノベーション協力
  • 258.3 iCETの枠組みと半導体の位置づけ
  • 258.4 産業投資:Micron案件とその波及効果
  • 258.5 R&D・人材協力と大学連携
  • 258.6 サプライチェーン多元化と安全保障の文脈
  • 258.7 2026年以降の構造変化と展望

259 英米技術共有協定の国際協力と戦略的意義

  • 259.1 枠組みの概要:大西洋宣言と技術同盟化
  • 259.2 英国半導体戦略と対米協力の位置づけ
  • 259.3 大西洋宣言とデジタル・AI・半導体協力
  • 259.4 データアクセス協定と法執行分野の技術共有
  • 259.5 2025年以降のAI・量子・インフラ協力と半導体への波及
  • 259.6 2026年以降の構造変化と戦略的意義

260 カナダ・米国USMCA半導体条項の国際協力と戦略的意義

  • 260.1 USMCAと半導体関連条項の位置づけ
  • 260.2 カナダ・米国にとってのUSMCAの意義
  • 260.3 デジタル貿易章と半導体サプライチェーン
  • 260.4 北米半導体エコシステム構築とUSMCAレビュー
  • 260.5 最新動向:半導体章の提案と将来展望
  • 260.6 2026年以降の構造変化とカナダ・米国への含意

261 独・台半導体協力の国際協力と戦略的意義

  • 261.1 協力の全体像と背景
  • 261.2 ドレスデンESMC投資の枠組み
  • 261.3 ドイツ・ザクセン州との戦略的連携
  • 261.4 研究・イノベーション協力とクラスター形成
  • 261.5 地政学的含意とリスク分散
  • 261.6 2026年以降の構造変化と独・台協力の展望

262 蘭・米輸出管理調整の国際協力と戦略的意義

  • 262.1 協力の枠組みと基本構図
  • 262.2 オランダ側の規制措置:EUV禁止から先端DUV制限へ
  • 262.3 米国側規制と域外適用の調整
  • 262.4 2023–2024年の主要な調整局面
  • 262.5 多国間連携と今後の展望
  • 262.6 2026年以降の構造変化と戦略的意義

【 多国間枠組み 】

263 G7半導体サプライチェーンイニシアチブの全体像

  • 263.1 枠組みの成立背景と基本性格
  • 263.2 広義の「経済レジリエンス」戦略の中での位置づけ
  • 263.3 主要コンポーネント:PoCグループと原則群
  • 263.4 目的:レジリエンス・セキュリティ・公正競争
  • 263.5 ガバナンス構造:首脳・閣僚・実務者の三層
  • 263.6 PoCグループの役割と活動
  • 263.7 具体的協力分野:情報共有・トレーサビリティ・投資

① 情報共有とストレステスト

② チップトレーサビリティと信頼性

③ 投資フローと「トラステッド・キャピタル」

  • 263.8 対中デリスキングと多角化戦略
  • 263.9 パートナー国との連携:RISEと拡張協力
  • 263.10 2024〜2025年の主要動向
  • 263.11 2026年以降の半導体産業構造への含意
  • 263.12 日本を含む各国への戦略的インプリケーション
  • 263.13 制約と今後の課題

264 OECD半導体貿易ガイドラインの位置づけ

  • 264.1 OECDの半導体関連ワークの全体像
  • 264.2 Semiconductor Informal Exchange Network(SIEN)
  • 264.3 半導体バリューチェーンの共通タクソノミー
  • 264.4 原材料輸出規制と半導体貿易への含意
  • 264.5 貿易・投資・補助金に関する原則的ガイドライン
  • 264.6 責任ある鉱物サプライチェーン指針との連続性
  • 264.7 「Mapping the semiconductor value chain」報告の示唆
  • 264.8 「OECD半導体貿易ガイドライン」の実質的内容
  • 264.9 2026年以降の半導体産業構造へのインプリケーション

265 WTO半導体貿易紛争メカニズムの概要

  • 265.1 WTO紛争解決制度の基本枠組み
  • 265.2 半導体関連紛争の歴史的展開
  • 265.3 半導体紛争に適用される主要協定
  • 265.4 典型的な半導体関連WTO事案

① 中国半導体VAT優遇紛争

② 日韓半導体材料輸出管理紛争

  • 265.5 現在の制度的制約:上級委員会停止と「安全保障例外」
  • 265.6 CHIPS法・補助金競争と紛争メカニズム
  • 265.7 原材料・輸出規制紛争と半導体
  • 265.8 半導体紛争メカニズムの実務的機能
  • 265.9 2026年以降の半導体産業構造への含意

266 国連技術移転枠組みと半導体産業

  • 266.1 国連技術移転枠組みの全体像
  • 266.2 技術促進メカニズム(TFM)の構造と役割
  • 266.3 UNFCCCにおける技術移転枠組み
  • 266.4 WIPO・UNCTADによる知財と技術移転の調整
  • 266.5 UNCTAD「技術とイノベーション報告」と半導体
  • 266.6 半導体と「グリーン技術移転」議論
  • 266.7 国連技術移転枠組みの主要コンポーネント
  • 266.8 2024〜2025年の最新動向
  • 266.9 2026年以降の半導体産業への含意
  • 266.10 多国間技術移転ガバナンスと半導体企業の戦略

267 RCEPが半導体産業に与える影響

  • 267.1 RCEPの概要と半導体との関係
  • 267.2 原産地規則と部材調達の再編
  • 267.3 関税削減と競争力への影響
  • 267.4 サプライチェーン構造と「中国プラスRCEP」
  • 267.5 ルール・オブ・オリジンと企業戦略
  • 267.6 RCEPと他の多国間枠組みとの関係
  • 267.7 日本・韓国・中国・ASEANへの含意
  • 267.8 2026年以降の構造変化シナリオ

268 IPEF規定と半導体多国間枠組み

  • 268.1 IPEFの基本構造と位置づけ
  • 268.2 サプライチェーン協定の制度設計
  • 268.3 半導体を含む「クリティカルセクター」の指定
  • 268.4 IPEF規定とCHIPS法・産業政策との連動
  • 268.5 危機対応ネットワークと半導体ショック
  • 268.6 ガバナンス機関と民間セクターの関与
  • 268.7 クリティカルミネラルと半導体材料
  • 268.8 IPEF規定がもたらす2026年以降の構造変化
  • 268.9 課題と限界

269 CPTPPと半導体産業への影響

  • 269.1 CPTPPの基本構造と半導体関連条項
  • 269.2 ITA参加義務とハイテク製品関税の撤廃
  • 269.3 原産地規則と電子的認証の役割
  • 269.4 電子商取引章とデジタル半導体エコシステム
  • 269.5 投資・サービス章と半導体FDI
  • 269.6 CPTPP・RCEP・IPEFとの相互作用
  • 269.7 2026年以降の構造変化への含意

270 RCEPデジタル貿易規定と半導体産業

  • 270.1 電子商取引章の基本構造
  • 270.2 関税禁止とペーパーレス貿易
  • 270.3 データローカライゼーションと越境データ移転規定
  • 270.4 個人情報保護・サイバーセキュリティ枠組み
  • 270.5 RCEPデジタル規定と半導体サプライチェーン
  • 270.6 CPTPPとの比較と補完関係
  • 270.7 2026年以降の構造変化への含意

271 ASEANプラス3技術協力枠組みと半導体産業

  • 271.1 枠組みの成立と基本性格
  • 271.2 科学技術・イノベーション協力のガバナンス
  • 271.3 具体的な技術協力プログラムと人材育成
  • 271.4 ASEAN統合半導体サプライチェーン構想との接続
  • 271.5 外相会合・首脳会合におけるSTI・デジタル協力の位置づけ
  • 271.6 日本・中国・韓国の役割と競合・補完関係
  • 271.7 2026年以降の半導体産業構造への含意

272 半導体多国間枠組みとChip4同盟調整メカニズム

  • 272.1 Chip4同盟の基本構造
  • 272.2 調整メカニズムの目的
  • 272.3 ガバナンスと運営形態
  • 272.4 サプライチェーン調整機能
  • 272.5 研究開発・標準化の連携
  • 272.6 輸出管理と対中政策の調整
  • 272.7 補助金・投資誘致競争の調整
  • 272.8 多国間枠組みとの接続:IPEF・QUAD等
  • 272.9 産業界との関係と実務レベルの課題
  • 272.10 2024〜2025年の最新動向
  • 272.11 2026年以降の構造変化への含意
  • 272.12 日本・韓国・台湾それぞれの戦略的位置づけ
  • 272.13 米国産業政策とChip4の相互作用
  • 272.14 リスク要因と限界
  • 272.15 展望:多国間枠組みの中のChip4調整メカニズム

【 規格・認証 】

273 越境認証相互承認協定と半導体産業への影響

  • 273.1 相互承認協定(MRA)の基本概念
  • 273.2 主な越境MRAスキームと電子・半導体関連分野
  • 273.3 貿易・投資への影響と定量的効果
  • 273.4 半導体産業におけるMRAの位置づけ
  • 273.5 2026年以降の構造変化と越境MRAの戦略的意義

274 試験手順の相互承認と半導体産業へのインプリケーション

  • 274.1 試験手順相互承認の概念と制度基盤
  • 274.2 ラウンドロビン試験と測定手順の国際統一
  • 274.3 半導体信頼性・車載分野における試験手順の共通化
  • 274.4 試験所認定ネットワークとデータ相互受入れ
  • 274.5 2026年以降の半導体産業構造と試験手順相互承認の役割

275 サイバーセキュリティ規格の整合と半導体産業の構造変化

  • 275.1 規格整合の全体像と半導体との関係
  • 275.2 代表的なサイバーセキュリティ国際規格と適用領域
  • 275.3 EU・米国など主要ブロック間の整合努力
  • 275.4 中国・その他地域の動向と分断リスク
  • 275.5 2026年以降の半導体産業構造とサイバーセキュリティ規格整合の意味

276 環境基準の調整と半導体産業の構造変化

  • 276.1 半導体製造と環境負荷の可視化
  • 276.2 EUを中心とした環境規制強化と国際調整
  • 276.3 サプライチェーン全体を対象にした排出基準の整合
  • 276.4 二国間・多国間協力によるグリーン基準の共通化
  • 276.5 2026年以降の半導体産業構造と環境基準調整の戦略的意義

277 労働者安全基準の調和と半導体産業の構造変化

  • 277.1 半導体産業における労働安全衛生の特性
  • 277.2 国際的枠組みと各国規制の整合
  • 277.3 産業界によるベストプラクティス共有と標準化
  • 277.4 労働者安全基準調和の課題と地域格差
  • 277.5 2026年以降の構造変化と労働者安全基準調和の戦略的意義

278 データ保護とプライバシー要件が半導体産業にもたらす再編圧力

  • 278.1 グローバルなデータ保護規制の枠組み
  • 278.2 IoT・エッジ時代のプライバシー・バイ・デザイン
  • 278.3 越境データ移転規制とファブ・設計拠点の配置
  • 278.4 半導体産業固有のデータ保護課題と責任範囲の拡大
  • 278.5 2026年以降の産業構造とデータ保護・プライバシー要件の戦略的意義

279 反腐敗コンプライアンス基準と半導体産業の構造変化

  • 279.1 国際反腐敗規制の枠組みと域外適用
  • 279.2 ISO 37001などマネジメントシステム規格の活用
  • 279.3 サプライチェーン・デュー・ディリジェンスとの統合
  • 279.4 半導体企業の反腐敗プログラムの特徴と最新動向
  • 279.5 2026年以降の半導体産業構造と反腐敗基準の戦略的意義

280 輸出管理コンプライアンス認証と半導体産業の構造変化

  • 280.1 半導体輸出管理の特徴と規制強化の流れ
  • 280.2 自主的コンプライアンスプログラムと認証・資格制度
  • 280.3 AEO・トラステッドトレーダー制度と輸出コンプライアンス
  • 280.4 最新ガイダンスが求める「用途・サプライチェーン」レベルのデューデリジェンス
  • 280.5 2026年以降の半導体産業構造と輸出管理コンプライアンス認証の意義

281 サプライチェーン透明性基準と半導体産業の構造変化

  • 281.1 透明性基準の全体像と規制ドライバー
  • 281.2 トレーサビリティ技術と標準化の進展
  • 281.3 紛争鉱物・責任ある鉱物調達と透明性
  • 281.4 半導体企業のESG・デューデリジェンス対応と課題
  • 281.5 2026年以降の産業構造とサプライチェーン透明性基準の戦略的意義

282 国際半導体規格の調和と2026年以降の構造変化

  • 282.1 規格調和の基本構造と主要プレーヤー
  • 282.2 製造装置・工場自動化規格の国際調和
  • 282.3 信頼性・ESD・品質管理規格の共通化
  • 282.4 政策レベルでの規格調和と地政学的文脈
  • 282.5 2026年以降の半導体産業構造と規格調和の意味

【 半導体チップと部品 】

283 5Gインフラ向け半導体部品

  • 283.1 5G基地局に必要な主要半導体部品

① RFフロントエンド部品(PA・LNA・フィルタなど)

② ベースバンド・トランシーバ・ネットワークプロセッサ

  • 283.2 GaNを中心とするパワーデバイス技術

① Massive MIMOとGaN PAの採用拡大

② GaN-on-Si/MMICとミリ波対応

  • 283.3 RFフロントエンド統合とモジュール化の進展

① RFフロントエンドモジュール(FEM)とRFIC

② マルチバンド対応と高度パッケージング

  • 283.4 5Gチップセット市場とオープンRANの影響

① 5Gチップセット市場の構造と成長

② オープンRANとメーチャントシリコン

  • 283.5 Beyond 5G/6Gに向けたインフラ半導体の展望

① テラヘルツ帯・RIS・省エネ要求

② 2026年以降の構造変化のポイント

284 電源管理用半導体チップ

  • 284.1 市場規模とセグメント構造

① グローバル市場と成長率

② 地域別・用途別の特徴

  • 284.2 技術トレンド:高集積・高効率・デジタル化

① システムレベル統合と高度な機能

② ワイドバンドギャップデバイスとの連携

  • 284.3 AIデータセンターと高性能コンピューティング向け電源

① マルチフェーズVRとAIアクセラレータ

② データセンター全体の電力最適化

  • 284.4 自動車・産業・IoT向け電源管理

① EV・車載電子システム

② 産業IoT・ウェアラブル・エッジデバイス

  • 284.5 2026年以降の構造変化と戦略的含意

285 センサーチップ及びMEMSデバイス

  • 285.1 市場規模とセグメント構造

① MEMSセンサおよびMEMS市場の規模

② 製品別・用途別の特徴

  • 285.2 IoT・スマートセンシングとセンサーチップ

① IoTセンサ市場とスマートセンシング

② IoTチップ内でのセンサーの位置づけ

  • 285.3 技術トレンド:MEMSとAI・エッジ処理の統合

① インテリジェントセンサ処理ユニット(ISPU)

② エッジAI・エッジコンピューティングとの連携

  • 285.4 アプリケーション別の最新動向

① 自動車・モビリティ

② ウェアラブル・ヘルスケア・スマートホーム

③ 産業オートメーションとロボティクス

  • 285.5 2026年以降の構造変化と半導体産業への含意

286 アナログ及び混合信号半導体

  • 286.1 市場規模とセグメント構造

① アナログ・混合信号IC市場の規模

② デバイス別:データコンバータと汎用アナログ

  • 286.2 技術トレンド:高精度・高速・低消費電力

① データコンバータ(ADC/DAC)の高度化

② 省電力・広電圧対応とプロセス技術

  • 286.3 アプリケーション別の最新動向

① IoT・エッジコンピューティング・スマートデバイス

② 自動車・産業・通信インフラ

  • 286.4 IPビジネスと設計エコシステム

① アナログ/ミックスドシグナルIP市場

② システムレベル統合とチップレット

  • 286.5 2026年以降の構造変化と戦略的含意

287 レガシーノード半導体の供給状況

  • 287.1 需要構造とレガシーノード依存

① 自動車・産業・汎用MCUの比重

② IoT・コンシューマ・標準ロジック

  • 287.2 供給能力と設備投資の動向

① 200mm・300mmファブのキャパシティ

② 中国を中心とするレガシーノード拡張

  • 287.3 需給バランス:2024~2026年前後のシナリオ

① ポストコロナの調整と再逼迫リスク

② 自動車・産業向け需要の回復

  • 287.4 地政学と産業政策の影響

① 米国・EU・日本のレガシーノード政策

② 中国のレガシーノード拡張と国際競争

  • 287.5 2026年以降の構造変化と戦略的含意

288 マイクロコントローラ及びマイクロプロセッサユニット

  • 288.1 市場規模とセグメント構造

① MCU市場:IoT・自動車・産業が牽引

② 自動車用MCUとデータセンターCPU

  • 288.2 技術トレンド:MCUの高度化と省電力化

① 超低消費電力MCUとIoT向け最適化

② 自動車向け高性能MCU

  • 288.3 マイクロプロセッサ/CPU市場の変化

① データセンターCPUとAI統合

② エッジAIプロセッサと組込みMPU

  • 288.4 RISC‑Vを中心としたアーキテクチャの変化

① RISC‑V MCU/MPU市場の拡大

② 組込み・自動車・AI向けの採用

  • 288.5 2026年以降の構造変化と戦略的含意

289 FPGA及びプログラマブルロジックデバイス

  • 289.1 市場規模とセグメント構造

① FPGA市場の規模と成長率

② PLD全体の位置づけ

  • 289.2 技術トレンド:eFPGA・AIアクセラレーション・低消費電力

① eFPGAとSoCへの組込み

② AIアクセラレータとしてのFPGA

  • 289.3 アプリケーション別の最新動向

① 通信・データセンター・エッジAI

② 自動車・産業オートメーション・コンシューマ

  • 289.4 2026年以降の構造変化と半導体産業への含意

290 高度なコンピューティング用集積回路(IC)の輸出規制

  • 290.1 1. 概要と政策目的
  • 290.2 2. 米国による制度の枠組み
  • 290.3 3. 性能パラメータと対象ICの定義
  • 290.4 4. ライセンス制度と例外
  • 290.5 5. 2025年IFRによる新たな枠組み
  • 290.6 6. 同盟国・パートナー国との連携
  • 290.7 7. 中国を中心とする対象国への影響
  • 290.8 8. 企業戦略への影響:設計・製造・ファウンドリ
  • 290.9 9. サプライチェーン・地政学リスクの増幅
  • 290.10 10. 2026年以降に予想される構造変化
  • 290.11 11. 日本の半導体産業への含意
  • 290.12 12. 企業の対応戦略とガバナンス

291 AIプロセッサチップの貿易制限(GPU、NPU、TPU)

  • 291.1 1. 概要:AIプロセッサ規制の位置づけ
  • 291.2 2. 米国によるAIチップ輸出規制の枠組み
  • 291.3 3. 性能パラメータとGPU・NPU・TPUの扱い
  • 291.4 4. 中国市場向け「ダウングレード版」AIチップ
  • 291.5 5. ライセンス、ティア制度、通知義務
  • 291.6 6. AIサーバー・クラスタとシステムレベル規制
  • 291.7 7. 中国国内のAIチップ開発への波及
  • 291.8 8. グローバルAIチップ市場へのインパクト
  • 291.9 9. 下流産業・クラウドサービスへの影響
  • 291.10 10. AIプロセッサタイプ別の貿易制限の特徴
  • 291.11 11. 貿易制限とビジネスモデルの再設計
  • 291.12 12. 2026年以降に予想される構造変化

292 メモリチップの制限(DRAM、NANDフラッシュ、HBM)

  • 292.1 1. 概要:ロジック偏重からメモリ重視へ
  • 292.2 2. 米国の基本枠組み:DRAM・NAND・HBM
  • 292.3 3. DRAM規制:ノードと装置アクセスの管理
  • 292.4 4. NANDフラッシュ規制:高積層品の戦略的重要性
  • 292.5 5. HBM規制の本格化:AIボトルネックへの対応
  • 292.6 6. 韓国メモリメーカーへの影響
  • 292.7 7. 中国メモリ産業の状況と制約
  • 292.8 8. メモリチップ制限とAIサプライチェーン
  • 292.9 9. 各メモリ種別の規制特徴比較
  • 292.10 10. 日本・欧州を含む同盟国の関与
  • 292.11 11. 2026年以降の構造変化:ボトルネックとしてのメモリ

293 ロジックチップ輸出規制(16nmノード未満)

  • 293.1 1. 概要:16nm未満ロジック規制の位置づけ
  • 293.2 2. 米国輸出管理の基本枠組み
  • 293.3 3. 16nm未満ロジックの技術的境界
  • 293.4 4. 製造装置・EUV/ArF液浸への着目
  • 293.5 5. 完成品チップへの直接規制:14/16nm+トランジスタ数基準
  • 293.6 6. TSMC・サムスンなどファウンドリへの影響
  • 293.7 7. 中国ファウンドリの対応:SMICの7nmなど
  • 293.8 8. 中国の産業政策と成熟ノード拡張
  • 293.9 9. 同盟国協調:米・蘭・日による装置規制
  • 293.10 10. 2026年以降に予想される構造変化

294 自動車用半導体サプライチェーンの混乱

  • 294.1 混乱の構造的要因

① パンデミックと需要予測のミス

② 物理的災害・運用リスクと地政学

  • 294.2 2020–2023年の危機とその残存影響

① 生産台数へのインパクトと現在の状況

② 市場行動の変化と中古車・価格への波及

  • 294.3 EV・ADASの普及と新たな需要圧力

① 車載半導体搭載量の増加

② AIデータセンターとの半導体争奪戦

  • 294.4 構造変化に向けた対応と新たなサプライチェーン像

① 垂直統合・直接調達・設計内製化

② 在庫戦略・マルチソーシング・地域分散

  • 294.5 2026年以降の混乱リスクと戦略的含意

295 量子コンピューティングプロセッサ及び部品

  • 295.1 アーキテクチャ別の量子プロセッサ

① 主流方式とその特徴

② 超伝導量子チップ市場とトランスモンの優位

  • 295.2 周辺半導体とクライオCMOS技術

① 制御・読み出し用CMOS電子回路

② 商用クライオCMOSプラットフォームの登場

  • 295.3 ロードマップとスケーリング戦略

① 誤り訂正・論理キュービットへの移行

② 市場規模と投資動向

  • 295.4 半導体産業への波及:製造・材料・パッケージング

① 専用プロセスと既存CMOSラインの活用

② クライオパッケージ・相互接続・冷却インフラ

  • 295.5 2026年以降の構造変化と戦略的含意

296 窒化ガリウム(GaN)パワー半導体

  • 296.1 市場規模と成長ドライバ

① 全体市場とセグメント別動向

② 主要アプリケーション領域

  • 296.2 シリコン・SiCとの比較とポジショニング

① 性能優位性と適用レンジ

② GaN-on-Si/GaN-on-GaNとコスト構造

  • 296.3 技術トレンド:デバイス構造・信頼性・モジュール化

① GaN HEMT構造と信頼性課題

② パッケージ技術と統合パワーIC

  • 296.4 主要アプリケーション別の最新動向

① コンシューマ・モバイルとノートPCアダプタ

② AIデータセンター・通信インフラ

③ 自動車・モビリティ・再エネ

  • 296.5 産業構造・競合環境と2026年以降の見通し

① 主要プレーヤーとエコシステム

② 2026年以降の構造変化のポイント

297 炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス

  • 297.1 市場規模と成長ドライバ

① グローバル市場の規模感

② 主要アプリケーション別の需要

  • 297.2 EV・充電インフラにおける中核技術化

① トラクションインバータとOBC

② 高速DC充電と800Vアーキテクチャ

  • 297.3 再生可能エネルギー・インフラ・産業用途

① 太陽光・風力・蓄電システム

② データセンター・5G・産業ドライブ

  • 297.4 供給構造・8インチウェーハ化と一時的な過剰投資

① 6インチから8インチへの移行

② 過剰設備と稼働率低下

  • 297.5 SiCとGaNの市場ポジションと2026年以降の構造変化

① SiC・GaN混成市場の俯瞰

② 2026年以降の戦略的含意

298 化合物半導体材料及びデバイス

  • 298.1 市場規模と主要セグメント

① グローバル市場の規模感

② デバイスカテゴリ別の特徴

  • 298.2 RF・高周波デバイス:5G/6GとAIデータセンタの基盤

① RF GaAs・GaNとモバイル/基地局向け

② 6G・テラヘルツ帯とInP/III-V材料

  • 298.3 パワー化合物半導体:SiC・GaNが牽引

① SiC・GaNパワーデバイスの位置づけ

② エネルギー・モビリティ・インフラへの波及

  • 298.4 オプトエレクトロニクス・フォトニクス:AI時代の光インフラ

① レーザ・LED・フォトダイオード

② データセンター・AIとシリコンフォトニクス連携

  • 298.5 地政学・地域戦略と2026年以降の構造変化

299 暗号化及びセキュリティ半導体チップ

  • 299.1 市場規模と主要カテゴリ

① HSM・TPM・セキュアMCUの市場動向

② セキュアマイクロコントローラと組込みセキュリティ

  • 299.2 主なセキュリティチップの役割と機能

① HSM・TPM・セキュアエレメント

② セキュアMCUとIoTデバイス保護

  • 299.3 ポスト量子暗号とハードウェアアクセラレータ

① PQC標準化とハードウェア実装

② データセンター向けPQCハードウェア

  • 299.4 IoT・車載・エッジAIにおけるセキュリティチップの役割

① IoTセキュリティとセキュアエレメント

② 車載セキュリティとV2X

  • 299.5 2026年以降の構造変化と戦略的含意

300 イメージセンサー及びビジョン処理ユニット

  • 300.1 市場規模と主要アプリケーション

① イメージセンサー市場の成長

② 自動車・産業・コンシューマ別の動向

  • 300.2 技術トレンド:CMOSイメージセンサーの高度化

① BSI・積層型・グローバルシャッタ

② 「ピクセルからインテリジェンスへ」のシフト

  • 300.3 ビジョン処理ユニットとEdge AIアクセラレータ

① VPU市場と用途

② Edge AIアクセラレータ市場との関係

  • 300.4 アプリケーション別の最新動向

① 自動車・モビリティ

② 産業オートメーション・ロボティクス・スマートリテール

  • 300.5 2026年以降の構造変化と戦略的含意

301 RF及びミリ波半導体部品

  • 301.1 市場規模と主要セグメント

① RF半導体・RFフロントエンドの規模

② サブ6GHzとミリ波のバランス

  • 301.2 技術トレンド:材料とアーキテクチャ

① GaAs・GaN・SiGe・Si RFの役割分担

② ミリ波・サブテラヘルツ向けデバイス

  • 301.3 応用別動向:モバイル、インフラ、自動車、IoT

① モバイル端末とコンシューマ

② 5G/6Gインフラと固定無線アクセス(FWA)

③ 自動車レーダ・V2X・衛星通信

  • 301.4 2026年以降の構造変化と半導体産業への含意

302 光電子半導体部品

  • 302.1 市場規模とセグメント構造

① 世界市場規模と成長率

② 主要アプリケーション別の特徴

  • 302.2 データセンターとシリコンフォトニクス

① 光トランシーバと光配線の需要拡大

② シリコンフォトニクスとCPOの進展

  • 302.3 自動車・産業分野での光電子デバイス

① LiDAR・カメラ・照明の高度化

② 産業用センシング・機械ビジョン

  • 302.4 化合物半導体と光電子デバイス

① GaAs・InP・GaNなどの役割

② パワーデバイスとのクロスオーバー

  • 302.5 高速光インターコネクトと将来技術

① Co-packaged Optics(CPO)と光I/O

② 新材料・新構造(メタサーフェス・集積フォトニクス)

  • 302.6 2026年以降に向けた光電子半導体部品の位置づけ

【 原材料及び前駆体 】

303 ゲルマニウム貿易管理と調達

  • 303.1 1. ゲルマニウムの戦略的重要性
  • 303.2 2. 中国による輸出管理導入の経緯
  • 303.3 3. 2024年の対米禁輸措置とその強化
  • 303.4 4. 貿易統計から見た供給縮小
  • 303.5 5. 2025〜2026年の対米禁輸「一時停止」と不確実性
  • 303.6 6. ゲルマニウム需要と用途別の影響
  • 303.7 7. サプライチェーンと調達戦略の課題
  • 303.8 8. 米国・EU・日本の対応と調達多様化
  • 303.9 9. 企業レベルでのリスク管理・調達オプション
  • 303.10 10. 2026年以降の構造変化と展望

304 ポリシリコン原料のサプライチェーン

  • 304.1 1. ポリシリコン需要の構造
  • 304.2 2. 中国の支配的地位とその背景
  • 304.3 3. 新疆ウイグル自治区と人権リスク
  • 304.4 4. 価格動向とエネルギーコスト
  • 304.5 5. ソーラーと半導体の供給相関
  • 304.6 6. 中国以外の主要供給者と多様化の試み
  • 304.7 7. 米国・EU・日本の政策対応
  • 304.8 8. 強制労働規制とトレーサビリティ要求
  • 304.9 9. エネルギー転換とポリシリコン需要の長期展望
  • 304.10 10. 2026年以降のサプライチェーン構造変化

305 特殊ガス供給(アルゴン、水素など)

  • 305.1 1. 特殊ガス市場の規模と位置づけ
  • 305.2 2. アルゴン・窒素・水素の主な用途
  • 305.3 3. 供給チェーンと産業ガス大手の支配
  • 305.4 4. ロシア・ウクライナ戦争とアルゴン供給リスク
  • 305.5 5. 需要拡大とメガファブ建設の影響
  • 305.6 6. 品質要求とレギュレーション
  • 305.7 7. 地域別供給網と集中リスク
  • 305.8 8. 2026年以降に予想される構造変化

306 スパッタリング用高純度金属ターゲット

  • 306.1 1. 役割と市場規模の概要
  • 306.2 2. 主な材料種類と用途トレンド
  • 306.3 3. 純度要件と製造技術
  • 306.4 4. サプライチェーンと主要プレーヤー
  • 306.5 5. 原料調達リスクと価格要因
  • 306.6 6. 地域別市場構造とアジアの優位性
  • 306.7 7. 技術動向:銅ターゲットと新材料
  • 306.8 8. リサイクル・サステナビリティとコスト最適化
  • 306.9 9. 2026年以降に予想される構造変化

307 CMPスラリーおよび研磨材料

  • 307.1 1. 市場規模と需要構造
  • 307.2 2. 主要プレーヤーと地域分布
  • 307.3 3. スラリー種別と応用領域
  • 307.4 4. 研磨材・添加剤の技術動向
  • 307.5 5. 先端ノード(3nm世代)におけるCMPの役割拡大
  • 307.6 6. ハイブリッドウェーハボンディングと3D実装への対応
  • 307.7 7. 地域別市場と韓国・日本・台湾のポジション
  • 307.8 8. コスト構造とサプライチェーンリスク
  • 307.9 9. 2026年以降の構造変化と展望

308 パッケージング材料および基板

  • 308.1 1. 市場規模と位置づけ
  • 308.2 2. 主要パッケージング技術と材料構成
  • 308.3 3. IC基板市場:ABF・BT・ガラスコア
  • 308.4 4. 主要サプライヤーと地域集中
  • 308.5 5. ABF不足と材料ボトルネック
  • 308.6 6. ガラスコア基板と新材料の台頭
  • 308.7 7. リードフレーム・封止材料・アンダーフィル
  • 308.8 8. チップレット時代とUCIe対応基板
  • 308.9 9. 地政学リスクとサプライチェーン再構築
  • 308.10 10. 2026年以降の構造変化と展望

309 ボンディングワイヤおよび相互接続材料

  • 309.1 1. 市場規模と役割
  • 309.2 2. 材料別トレンド:金から銅・PCC・銀へ
  • 309.3 3. 銅ボンディングワイヤの採用拡大と課題
  • 309.4 4. パラジウムコート銅(PCC)・銀合金ワイヤの位置づけ
  • 309.5 5. 市場構造とアプリケーション別動向
  • 309.6 6. 相互接続材料の進化:マイクロバンプからハイブリッドボンディングへ
  • 309.7 7. ガラスコア基板や先端パッケージとの関係
  • 309.8 8. コスト・信頼性・サステナビリティの課題
  • 309.9 9. 2026年以降の構造変化と展望

310 半導体グレードの酸および溶剤

  • 310.1 1. 市場規模と役割
  • 310.2 2. 主な酸・溶剤と用途
  • 310.3 3. 高純度要求とUHP化の進展
  • 310.4 4. キーケミカル:超高純度硫酸・過酸化水素・HF
  • 310.5 5. 高純度溶剤市場と主要プレーヤー
  • 310.6 6. 半導体ケミカル市場全体での位置づけ
  • 310.7 7. ウェーハ洗浄プロセスと酸・溶剤の組み合わせ
  • 310.8 8. 規制・環境対応とサステナビリティ
  • 310.9 9. 2026年以降の構造変化と展望

311 ドーパント材料およびイオン注入源

  • 311.1 1. 基本概念と市場規模
  • 311.2 2. 主要ドーパント種とイオン注入源ガス
  • 311.3 3. イオン源技術とドーパントガス供給
  • 311.4 4. 高度CMOSにおけるドーピング技術の進化
  • 311.5 5. 代替ドーピング手法:固相拡散とエピタキシャルドーピング
  • 311.6 6. フッ素系ドーパントガスとイオン源耐久性
  • 311.7 7. 安全性・規制とサプライチェーン
  • 311.8 8. 今後の構造変化と展望(2026年以降)

312 エピタキシャル成長前駆体材料

  • 312.1 1. エピ成長市場と前駆体材料の位置づけ
  • 312.2 2. シリコンおよびSiGeエピ用前駆体
  • 312.3 3. ワイドバンドギャップ(SiC・GaN)エピ用前駆体
  • 312.4 4. GaN on SiC / Siエピとバッファ層前駆体
  • 312.5 5. 前駆体純度と不純物制御
  • 312.6 6. サプライチェーンと地政学的要因
  • 312.7 7. シリコン前駆体ガスのトレンド
  • 312.8 8. 2026年以降の構造変化と展望

313 誘電体およびバリア材料

  • 313.1 1. 市場規模と役割
  • 313.2 2. ゲート誘電体:SiO₂からハイk/メタルゲートへ
  • 313.3 3. 新規ハイk誘電体とレアアース酸化物
  • 313.4 4. 低k配線間絶縁膜と機械強度の両立
  • 313.5 5. 銅配線バリア・ライナ材料:TaN/TaからRu・Co系へ
  • 313.6 6. TaN改質バリアとRu/Co系統合材料
  • 313.7 7. ハイk/ローk前駆体市場とALD/CVD材料
  • 313.8 8. 2026年以降の構造変化と展望

314 アンチモン輸出禁止と代替調達

  • 314.1 1. アンチモンの戦略的重要性
  • 314.2 2. 中国による輸出規制と2024年の輸出禁止
  • 314.3 3. 禁輸の市場インパクトと価格高騰
  • 314.4 4. 2025年の対米禁輸「停止」と残存リスク
  • 314.5 5. サプライチェーン構造と中国依存
  • 314.6 6. 半導体・防衛・エネルギー分野での影響
  • 314.7 7. 代替調達源の開拓と課題
  • 314.8 8. リサイクル・代替材料・需要側対策
  • 314.9 9. 企業レベルの調達戦略とガバナンス
  • 314.10 10. 2026年以降の構造変化と展望

315 希土類元素サプライチェーンの混乱

  • 315.1 1. 希土類と半導体・電子産業の関係
  • 315.2 2. 中国の支配的地位と技術輸出規制
  • 315.3 3. 2025年の新たな輸出規制と対象元素
  • 315.4 4. 磁石輸出の急減とEV・モータ産業への波及
  • 315.5 5. 半導体サプライチェーンへの具体的影響
  • 315.6 6. extraterritorial規制とサプライチェーンの複雑化
  • 315.7 7. 日本・EU・米国の連携とデリスキング戦略
  • 315.8 8. 中国の輸出規制が示す「経済戦」の側面
  • 315.9 9. サプライチェーン強靱化の方向性:多元化・省資源・循環
  • 315.10 10. 2026年以降に予想される構造変化

316 シリコンウェーハ材料の供給状況と価格

  • 316.1 1. 市場規模と需要構造
  • 316.2 2. ウェーハサイズ別の供給状況(300mm/200mm)
  • 316.3 3. 出荷動向とサイクル(2022〜2025年)
  • 316.4 4. 価格動向:短期調整と中長期上昇圧力
  • 316.5 5. 供給側の産業構造と上位企業
  • 316.6 6. 地域別生産と中国プレーヤーの台頭
  • 316.7 7. AI・先端ノードと300mmウェーハ需要
  • 316.8 8. 投資サイクルと供給余力
  • 316.9 9. 価格に影響する中長期要因
  • 316.10 10. 2026年以降に予想される構造変化

317 超高純度化学薬品とプロセスガス

  • 317.1 1. 市場規模と位置づけ
  • 317.2 2. 超高純度ウェットケミカルの動向
  • 317.3 3. 主要薬液と地域別供給
  • 317.4 4. プロセスガス:ネオン・希ガス・フッ素系
  • 317.5 5. 高純度プロセスシステムとインフラ投資
  • 317.6 6. サプライチェーンリスクと地政学
  • 317.7 7. 2026年以降に予想される構造変化

318 フォトレジスト材料および特殊化学薬品

  • 318.1 1. 市場規模と需要構造
  • 318.2 2. 技術別セグメント(KrF/ArF/EUV)
  • 318.3 3. 主要サプライヤーと日韓貿易管理の教訓
  • 318.4 4. EUVレジストの材料科学とMetal Oxide Resist
  • 318.5 5. 2nm世代以降とHigh-NA EUVへの対応
  • 318.6 6. 特殊化学薬品:レジスト周辺材料の重要性
  • 318.7 7. 価格動向と地域別競争
  • 318.8 8. 貿易管理とサプライチェーンリスク
  • 318.9 9. 2026年以降の構造変化と展望

319 リソグラフィプロセス用ネオンガス供給

  • 319.1 1. ネオンガスの役割と市場規模
  • 319.2 2. ウクライナ危機以前の供給構造
  • 319.3 3. ロシア・ウクライナ戦争によるショック
  • 319.4 4. 半導体向けネオン市場の成長見通し
  • 319.5 5. 供給多様化と新興生産拠点
  • 319.6 6. ファブ側のリスク緩和策:在庫・多重調達・リサイクル
  • 319.7 7. リサイクルとプロセス効率化
  • 319.8 8. 規制・標準と品質要求の高度化
  • 319.9 9. 各地域の自立化戦略:台湾・日本・米国
  • 319.10 10. 2026年以降の構造変化と展望

320 パラジウムおよびその他の貴金属の調達

  • 320.1 1. 半導体におけるパラジウム・貴金属の役割
  • 320.2 2. パラジウム供給構造とロシア依存
  • 320.3 3. ロシア・ウクライナ戦争の価格・供給への影響
  • 320.4 4. 中長期価格動向と他用途からの影響
  • 320.5 5. 半導体向け貴金属市場のトレンド
  • 320.6 6. 調達リスク:地政学・供給集中・価格ボラティリティ
  • 320.7 7. 調達・サプライチェーン戦略:多元化とリサイクル
  • 320.8 8. 代替材料と使用量削減の取り組み
  • 320.9 9. 2026年以降の構造変化と展望

321 電池および半導体用途のグラファイト材料

  • 321.1 1. グラファイト材料の基本構造と用途
  • 321.2 2. 電池用途:アノード材料としての支配的地位
  • 321.3 3. 中国の支配的地位と輸出規制
  • 321.4 4. 輸出規制の範囲と2025年の強化
  • 321.5 5. EV・電池サプライチェーンへの影響
  • 321.6 6. 半導体用途:グラファイトサセプタと高温治具
  • 321.7 7. グラファイト製品供給と欧州・日本メーカーの役割
  • 321.8 8. 合成グラファイト vs. 天然グラファイト:特性とトレンド
  • 321.9 9. サプライチェーン多様化と新規プロジェクト
  • 321.10 10. 2026年以降に予想される構造変化

322 ガリウム輸出規制とサプライチェーン

  • 322.1 1. ガリウムの戦略的重要性
  • 322.2 2. 中国の輸出規制の経緯
  • 322.3 3. 2025〜2026年の緩和と「一時停止」
  • 322.4 4. ガリウム供給構造と中国依存
  • 322.5 5. 価格・市場への影響
  • 322.6 6. サプライチェーン多様化の動き
  • 322.7 7. 半導体・電力電子産業への影響
  • 322.8 8. サプライチェーン構造の今後のシナリオ

【 製造装置 】

323 DUVリソグラフィシステムおよびメンテナンス

  • 323.1 1. DUVリソグラフィの位置づけと市場規模
  • 323.2 2. システム構成と主要タイプ(KrF/ArFドライ/ArF液浸)
  • 323.3 3. 主要メーカーと競争動向
  • 323.4 4. メンテナンスビジネスとサービスモデル
  • 323.5 5. 予防保全・AI活用・遠隔診断
  • 323.6 6. 輸出規制とDUV装置
  • 323.7 7. 先端/成熟ノードにおける役割分担
  • 323.8 8. 2026年以降の構造変化と展望

324 エピタキシャル成長装置

  • 324.1 1. 市場規模と全体像
  • 324.2 2. 技術分類:MOCVD・CVD・MBE・HVPE
  • 324.3 3. SiC・GaN向けエピ装置市場と応用
  • 324.4 4. MOCVD装置の進化とパワーエレクトロニクス向け最適化
  • 324.5 5. SiCエピタキシャル成長装置の技術トレンド
  • 324.6 6. 地政学・サプライチェーン要因と地域別動向
  • 324.7 7. 2026年以降の構造変化と展望

325 パッケージングおよび組立装置

  • 325.1 1. 市場規模と位置づけ
  • 325.2 2. 装置セグメントと主要機能
  • 325.3 3. 先進パッケージング装置の台頭
  • 325.4 4. ダイボンディング装置の高度化
  • 325.5 5. ワイヤボンディングとフリップチップの併存
  • 325.6 6. 3Dパッケージングとハイブリッドボンディング装置
  • 325.7 7. 地域別動向とOSATの役割
  • 325.8 8. 2026年以降の構造変化と展望

326 テスト装置とプローバー

  • 326.1 1. 市場規模と位置づけ
  • 326.2 2. 主な装置カテゴリーと機能
  • 326.3 3. プローブカード市場と技術トレンド
  • 326.4 4. ウェーハプローブステーションと自動化
  • 326.5 5. SoC・メモリテスタ市場の最新動向
  • 326.6 6. 2026年以降の構造変化と展望

327 ダイシングとシングレーションツール

  • 327.1 1. 市場規模と役割
  • 327.2 2. 主なダイシング技術と装置タイプ
  • 327.3 3. ブレードダイシングとレーザーダイシングの比較
  • 327.4 4. ステルスダイシングとプラズマダイシング:高付加価値プロセス
  • 327.5 5. SiC・GaNなどワイドバンドギャップ材料への対応
  • 327.6 6. 薄ウェーハプロセスとダイシングテープ・シングレーション材料
  • 327.7 7. 2026年以降の構造変化と展望

328 ワイヤボンディングとフリップチップ装置

  • 328.1 1. 市場規模と全体像
  • 328.2 2. ワイヤボンダ装置の特徴と技術トレンド
  • 328.3 3. フリップチップボンダ装置と先進パッケージング
  • 328.4 4. ワイヤボンディングとフリップチップの比較と補完関係
  • 328.5 5. 市場再編:半導体ボンディング装置・チップボンディング市場
  • 328.6 6. 2026年以降の構造変化と展望

329 フォトマスクとレチクル製造ツール

  • 329.1 1. 市場規模と役割
  • 329.2 2. フォトマスク製造プロセスと主要ツール
  • 329.3 3. マルチビームマスクライタとEUVマスク開発
  • 329.4 4. フォトマスク検査・修正装置の高度化
  • 329.5 5. レチクル製造向けメトロロジ・インスペクションツール
  • 329.6 6. 市場トレンドと2026年以降の構造変化

330 ガス供給と化学薬品処理システム

  • 330.1 1. 市場規模と役割
  • 330.2 2. ガス供給システムの構成とトレンド
  • 330.3 3. 高純度特殊ガスとスマートモニタリング
  • 330.4 4. 化学薬品処理・CMPスラリーと廃液管理
  • 330.5 5. 温室効果ガス排出とアベートメントシステム
  • 330.6 6. 2026年以降の構造変化と展望

331 ウェーハ洗浄装置

  • 331.1 1. 市場規模と位置づけ
  • 331.2 2. ウェーハ洗浄装置の分類とプロセス
  • 331.3 3. シングルウェーハ vs バッチ洗浄
  • 331.4 4. メガソニック洗浄と先端構造への対応
  • 331.5 5. 先端ノード・3Dパッケージングと洗浄ニーズ
  • 331.6 6. 洗浄薬液と環境対応
  • 331.7 7. 2026年以降の構造変化と展望

332 プロセス監視と制御システム

  • 332.1 1. 市場規模と役割
  • 332.2 2. システム構成:APC・FDC・EDA・MES
  • 332.3 3. Advanced Process Control(APC)とRun-to-Run制御
  • 332.4 4. FDC(Fault Detection and Classification)と予知保全
  • 332.5 5. AI・機械学習によるプロセス最適化と歩留まり管理
  • 332.6 6. 2026年以降の構造変化と展望

333 ファブ建設資材とインフラ

  • 333.1 1. 市場規模と位置づけ
  • 333.2 2. ファブ建設に必要な主な資材と設備
  • 333.3 3. クリーンルーム建設トレンド:モジュール化とプレハブ化
  • 333.4 4. ユーティリティインフラ:電力・水・ガスの要件
  • 333.5 5. グリーンビルディングとサステナビリティ
  • 333.6 6. デジタルツインとモジュラー建設によるプロジェクト最適化
  • 333.7 7. 2026年以降の構造変化と展望

334 エッチング装置およびプロセスツール

  • 334.1 1. 市場規模と位置づけ
  • 334.2 2. ドライエッチング装置のタイプと適用領域
  • 334.3 3. 3D NAND・ロジック向けHARエッチ技術
  • 334.4 4. プラズマ制御・パルス電源・クライオエッチの進化
  • 334.5 5. アトミックレイヤーエッチング(ALE)とニュートラルビームエッチ
  • 334.6 6. エッチング薬液・ガスとプロセスケミストリ
  • 334.7 7. キープレーヤーと地域動向
  • 334.8 8. 2026年以降の構造変化と展望

335 成膜装置(CVD、PVD、ALD)

  • 335.1 1. 薄膜成膜装置市場の規模と位置づけ
  • 335.2 2. CVD装置:量産のワークホースからハイブリッド化へ
  • 335.3 3. PVD装置:金属配線・電極の主力
  • 335.4 4. ALD装置:高アスペクト比・原子層制御の必須技術
  • 335.5 5. 高kゲート・バリア/ライナ向け成膜クラスター
  • 335.6 6. 3D NAND・GAAFET時代のALD活用
  • 335.7 7. 成膜装置市場の主要プレーヤーと地域動向
  • 335.8 8. 2026年以降の構造変化と展望

336 イオン注入装置

  • 336.1 1. 市場規模と位置づけ
  • 336.2 2. イオン注入装置の基本構成と分類
  • 336.3 3. 主要プレーヤーと装置ポートフォリオ
  • 336.4 4. 先端CMOS・GAAFETにおける注入ニーズ
  • 336.5 5. パワー半導体・ワイドバンドギャップ材料への応用
  • 336.6 6. AI・HPCとインダストリー4.0に向けた装置の高度化
  • 336.7 7. 構造変化と今後の展望(2026年以降)

337 CMP(化学機械的平坦化)ツール

  • 337.1 1. CMP市場規模と装置の役割
  • 337.2 2. CMPツールの基本構成とプロセスフロー
  • 337.3 3. 装置メーカーとアプリケーション別動向
  • 337.4 4. スラリー・パッドなど消耗材の高度化
  • 337.5 5. 先端ノードでのCMP課題:ハイブリッドボンディングと3D集積
  • 337.6 6. スラリー・パッド技術のトレンドとサステナビリティ
  • 337.7 7. 2026年以降の構造変化と展望

338 計測および検査装置

  • 338.1 1. 市場規模と役割
  • 338.2 2. 主な装置カテゴリーと用途
  • 338.3 3. 主要プレーヤーと技術プラットフォーム
  • 338.4 4. EUVマスク・パターニングにおけるアクティニック検査
  • 338.5 5. AI・機械学習による検査の高度化
  • 338.6 6. 次世代ノード向けメトロロジ戦略
  • 338.7 7. 地域別動向と構造変化の展望(2026年以降)

339 ウェーハハンドリングおよび自動化システム

  • 339.1 1. 市場規模と役割
  • 339.2 2. ウェーハ搬送ロボットとEFEM
  • 339.3 3. ウェーハサイズ拡大とロボット技術
  • 339.4 4. AMHS(自動搬送システム)の構成と進化
  • 339.5 5. 導入効果とシミュレーション・最適化
  • 339.6 6. スマートファクトリーとMES連携、予知保全
  • 339.7 7. FOUP/FOSBとクリーン搬送
  • 339.8 8. 2026年以降の構造変化と展望

340 クリーンルーム装置およびインフラ

  • 340.1 1. クリーンルーム市場と半導体ファブの特徴
  • 340.2 2. HVAC・フィルタリングシステムの構成とトレンド
  • 340.3 3. エネルギー消費と省エネ最適化
  • 340.4 4. 超純水・ガス配管・ユーティリティインフラ
  • 340.5 5. クリーンルーム建設とモジュラー化・持続可能性
  • 340.6 6. 2026年以降の構造変化と展望

341 熱処理装置

  • 341.1 1. 市場規模と役割
  • 341.2 2. 垂直拡散炉:バッチ処理の主力
  • 341.3 3. ランプ加熱RTP/RTA:急速アニールの進化
  • 341.4 4. ミリ秒アニールとレーザースパイクアニール
  • 341.5 5. ドーパント活性化と熱予算制御
  • 341.6 6. 熱処理装置市場のプレーヤーと地域動向
  • 341.7 7. 2026年以降の構造変化と展望

342 EUVリソグラフィ装置と輸出規制

  • 342.1 1. EUVリソグラフィ装置の概要と市場
  • 342.2 2. High‑NA EUVの技術的特徴と導入タイムライン
  • 342.3 3. オランダ・米国による輸出規制の枠組み
  • 342.4 4. 中国向け制限の具体的影響
  • 342.5 5. 中国の対抗戦略:国産EUV開発と投資
  • 342.6 6. グローバルサプライチェーンへの波及
  • 342.7 7. 2026年以降の構造変化と展望

【 先進製造ノード 】

343 フレキシブル・プリンテッドエレクトロニクス製造

  • 343.1 基本概念と先進ノードとの関係
  • 343.2 製造プロセス:R2R印刷とFHE統合
  • 343.3 材料・デバイス技術の最新動向
  • 343.4 市場規模・用途展開と産業構造
  • 343.5 2026年以降の課題と先進製造ノードへのインプリケーション

344 EUVリソグラフィー能力配分

  • 344.1 ASMLの供給能力と市場全体像
  • 344.2 主要ファウンドリー・メモリメーカーへの配分
  • 344.3 輸出規制と中国のアクセス制約
  • 344.4 High‑NA/Low‑NAの戦略的使い分け
  • 344.5 2026年以降の能力配分と産業構造への影響

345 ゲート・オール・アラウンド(GAA)トランジスタ技術

  • 345.1 GAAトランジスタの基本構造とFinFETとの違い
  • 345.2 サムスン・TSMC・Intelの導入ロードマップ
  • 345.3 GAAの性能・電力・スケーラビリティ上の利点
  • 345.4 信頼性・製造上の課題と研究動向
  • 345.5 2026年以降の産業構造とGAA技術の位置づけ

346 3DNANDフラッシュの微細化限界

  • 346.1 現状の層数・密度と2030年ロードマップ
  • 346.2 微細化限界を規定する物理・プロセス要因
  • 346.3 スケーリングを支える新技術:ストリングスタッキングとZピッチ縮小
  • 346.4 CMOS配置・ハイブリッドボンディングとシステムレベルの限界
  • 346.5 2026年以降に見込まれる「実質的な微細化限界」と産業構造への影響

347 先進パッケージング技術へのアクセス

  • 347.1 先進パッケージングの位置づけと主要技術
  • 347.2 TSMC 3DFabricとチップレットエコシステム
  • 347.3 Intel/OSAT陣営と米国の先進パッケージング戦略
  • 347.4 先進パッケージングへのアクセス格差とボトルネック
  • 347.5 2026年以降の産業構造とアクセス戦略の含意

348 チップレット及びシステムインパッケージ技術

  • 348.1 チップレット/SiPの基本概念と導入動機
  • 348.2 UCIeとオープンチップレットエコシステム
  • 348.3 2.5D/3D実装とSiP市場の拡大
  • 348.4 AI・HPC向けチップレットシステムの最新動向
  • 348.5 2026年以降の産業構造とチップレット/SiPの戦略的意義

349 ニューロモーフィックコンピューティングチップの開発

  • 349.1 ニューロモーフィックチップの基本概念と目的
  • 349.2 代表的デジタルニューロモーフィックチップと大規模システム
  • 349.3 アナログ/インメモリ実装と新興メモリデバイス
  • 349.4 応用分野・市場動向と技術的課題
  • 349.5 2026年以降の先進製造ノードとの関係と産業構造への示唆

350 フォトニック集積回路の製造

  • 350.1 シリコンフォトニクスと製造プラットフォームの特徴
  • 350.2 先進ノードとの連携とサブ3nm時代の光電融合
  • 350.3 Co-Packaged Opticsと光I/Oの量産化動向
  • 350.4 フォトニック集積回路市場とサプライチェーン構造
  • 350.5 2026年以降の技術課題と先進製造ノードへの示唆

351 MEMS及びセンサー製造技術

  • 351.1 MEMS製造の基本構造と200mm/300mm化
  • 351.2 CMOSとの統合と先進ノードの位置づけ
  • 351.3 自動車・IoTを中心とするセンサー市場拡大
  • 351.4 製造技術の高度化:WLP・TSV・3D集積
  • 351.5 2026年以降の産業構造とMEMS製造の位置づけ

352 サブ3nmプロセス技術へのアクセス

  • 352.1 サブ3nmノードの定義と主要プレーヤー
  • 352.2 TSMC・Samsung・Intelのサブ3nmロードマップ
  • 352.3 地政学・輸出管理がもたらすアクセス制約
  • 352.4 サブ3nmアクセスとユーザーセグメントの分化
  • 352.5 2026年以降の産業構造へのインプリケーション

【 特定用途に関する懸念事項 】

353 自動運転車向け半導体の要件

  • 353.1 総論:自動運転と半導体要件の枠組み
  • 353.2 自動運転レベルと半導体機能要件
  • 353.3 機能安全(ISO 26262)とASIL要件
  • 353.4 安全アーキテクチャと冗長設計
  • 353.5 信頼性・長期動作と環境耐性
  • 353.6 計算性能・AI推論能力の要件
  • 353.7 メモリ・ストレージ要件
  • 353.8 通信・ネットワーク要件
  • 353.9 セキュリティ・サイバー耐性要件
  • 353.10 センサ向け半導体の要件(カメラ・レーダ・LiDAR)
  • 353.11 パワーエレクトロニクスと電源系半導体
  • 353.12 開発プロセスとツールチェーン要件
  • 353.13 サプライチェーンと地政学リスク
  • 353.14 規制・標準化動向と半導体要件への影響
  • 353.15 市場規模と競争環境:2026年以降の見通し
  • 353.16 2026年以降の構造変化と懸念事項
  • 353.17 企業・政策サイドへの含意

354 5Gインフラ設備の可用性

  • 354.1 総論:5Gインフラと半導体構造変化の関係
  • 354.2 5Gカバレッジと可用性の現状
  • 354.3 5Gインフラ市場規模と投資動向
  • 354.4 5G基地局市場と設備可用性
  • 354.5 5G半導体サプライチェーンと可用性リスク
  • 354.6 地域別:アジア太平洋・中国のインフラ可用性
  • 354.7 地域別:北米・欧州のインフラ可用性
  • 354.8 5G-AdvancedとAI-RANの導入動向
  • 354.9 O-RAN・仮想化RANと設備の柔軟性
  • 354.10 RFフロントエンド・パワーアンプのボトルネック
  • 354.11 光通信・トランシーバへの依存と課題
  • 354.12 電力・冷却インフラとの連動
  • 354.13 産業・社会インフラ用途における5G可用性
  • 354.14 5Gインフラと6Gプレストラテジー
  • 354.15 2026年以降のリスクシナリオと構造変化
  • 354.16 政策・企業戦略への含意

355 IoTデバイス向け半導体の調達

  • 355.1 総論:IoT半導体調達の重要性
  • 355.2 市場規模と需要構造
  • 355.3 主要コンポーネントとサプライヤ階層
  • 355.4 地域別エコシステムと製造拠点
  • 355.5 調達リスク1:レガシーノード依存
  • 355.6 調達リスク2:セルラーIoTチップの供給制約
  • 355.7 調達リスク3:材料・パッケージングとコスト構造
  • 355.8 トレンド1:エッジAI統合とSoC化
  • 355.9 トレンド2:超低消費電力設計とTinyML
  • 355.10 トレンド3:セキュリティ機能統合
  • 355.11 トレンド4:標準プロトコル(Matter等)と設計刷新
  • 355.12 調達戦略1:マルチソーシングと第二ソース設計
  • 355.13 調達戦略2:長期供給契約と在庫戦略
  • 355.14 調達戦略3:設計柔軟性とモジュラアーキテクチャ
  • 355.15 調達戦略4:地政学リスクと地域分散
  • 355.16 2026年以降の構造変化と懸念事項
  • 355.17 企業戦略への含意

356 医療機器向け半導体の適合性

  • 356.1 総論:医療機器と半導体の位置づけ
  • 356.2 医療機器向け半導体市場の動向
  • 356.3 規制枠組みと半導体適合性
  • 356.4 品質マネジメントとサプライヤ適格性
  • 356.5 リスクマネジメントと故障モードの扱い
  • 356.6 EMC・電気的安全と部品選定
  • 356.7 ソフトウェア搭載半導体とIEC 62304
  • 356.8 AI搭載医療機器と半導体要件
  • 356.9 サイバーセキュリティ要求と半導体
  • 356.10 地域別規制動向と適合性への影響
  • 356.11 供給網リスクと関税・貿易問題
  • 356.12 ASIC・カスタム半導体へのシフト
  • 356.13 ウェアラブル・在宅医療機器と適合性要件
  • 356.14 2026年以降の構造変化と懸念事項
  • 356.15 企業・政策側への示唆

357 航空宇宙・防衛向けチップの要件

  • 357.1 総論:市場動向と用途特性
  • 357.2 環境要件:温度・振動・真空・放射線
  • 357.3 放射線耐性(Rad-Hard/Rad-Tolerant)の要件
  • 357.4 回路・アーキテクチャレベルの放射線対策
  • 357.5 パワー半導体と電源系の要件
  • 357.6 信頼性・品質規格と認証(MIL/ESA/NASA)
  • 357.7 セキュリティ・サプライチェーン信頼性(Trusted/Assured)
  • 357.8 先端ノードとレガシーノードの使い分け
  • 357.9 デバイス種別:ロジック・メモリ・アナログ・RF
  • 357.10 無人システム・宇宙商業化と新たな要件
  • 357.11 先端パッケージングとオンショアリング
  • 357.12 サプライチェーン分断と輸出管理
  • 357.13 2026年以降の構造変化と懸念事項

358 産業オートメーション向け半導体の需要

  • 358.1 総論:市場規模と位置づけ
  • 358.2 産業オートメーション市場の動向
  • 358.3 産業向け半導体市場規模と成長率
  • 358.4 需要ドライバー1:Industry 4.0とスマートファクトリー
  • 358.5 需要ドライバー2:ロボティクスとサーボドライブ
  • 358.6 需要ドライバー3:センサネットワークとIIoT
  • 358.7 デバイス別:ロジック・MCU・アナログ・パワー
  • 358.8 産業向け要求仕様:信頼性と長期供給
  • 358.9 エッジAIと産業用コンピューティング
  • 358.10 地域別動向:アジア・欧州・北米
  • 358.11 供給側の動き:設備投資と自動化
  • 358.12 リスク要因:景気循環と投資サイクル
  • 358.13 2026年以降の構造変化と懸念事項
  • 358.14 企業戦略への示唆

359 再生可能エネルギーシステム向け半導体

  • 359.1 総論:再エネとパワー半導体の位置づけ
  • 359.2 市場規模と成長見通し
  • 359.3 再エネシステムにおける主要用途
  • 359.4 WBGデバイス(SiC・GaN)の採用加速
  • 359.5 GaNとSiCの適用領域の違い
  • 359.6 系統規模蓄電と半導体需要
  • 359.7 パワーエレクトロニクス全体のトレンド
  • 359.8 制御・監視向け半導体とデジタル化
  • 359.9 地域別動向と投資環境
  • 359.10 技術・供給面の懸念事項
  • 359.11 再エネシステム事業者への示唆

360 スマートグリッドインフラ構成部品

  • 360.1 総論:スマートグリッドとインフラ需要
  • 360.2 市場規模とセグメント構成
  • 360.3 主要構成部品1:スマートメータとAMI機器
  • 360.4 主要構成部品2:配電自動化装置(DA)
  • 360.5 主要構成部品3:送電・系統監視装置(SCADA/PMU)
  • 360.6 主要構成部品4:エネルギー貯蔵・分散電源連系装置
  • 360.7 通信インフラ:PLC・RFメッシュ・セルラーIoT
  • 360.8 データ管理・制御センタ向けITインフラ
  • 360.9 地域別動向:インドと新興国のインフラ構成
  • 360.10 グリッドモダナイゼーションと部品要件の高度化
  • 360.11 2026年以降の懸念事項と半導体産業への影響

361 民生用電子機器向けチップの供給状況

  • 361.1 総論:市場規模と成長位置づけ
  • 361.2 セグメント別需要構造
  • 361.3 供給全体のマクロ環境
  • 361.4 スマートフォン・PC向けチップの供給状況
  • 361.5 メモリ供給逼迫と民生機器への影響
  • 361.6 先端ロジック・SoCの供給状況
  • 361.7 汎用アナログ・ディスクリートの供給
  • 361.8 地域別供給構造と政策の影響
  • 361.9 価格動向とメーカー戦略
  • 361.10 中長期的懸念と構造変化
  • 361.11 企業側への示唆

362 データセンター向けAIアクセラレータの供給網

  • 362.1 総論:AIスーパーサイクルと供給網の位置づけ
  • 362.2 市場規模と需要ドライバー
  • 362.3 バリューチェーン構造
  • 362.4 技術アーキテクチャと製品カテゴリ
  • 362.5 先端ノードウェハ供給とロジック側ボトルネック
  • 362.6 HBMメモリの構造的な逼迫
  • 362.7 先端パッケージング(CoWoS等)の制約
  • 362.8 サブストレート・材料供給
  • 362.9 システムインテグレーションとラックレベル供給網
  • 362.10 地政学リスクと輸出管理
  • 362.11 地域別エコシステムと分断
  • 362.12 ハイパースケーラーの調達戦略と長期契約
  • 362.13 価格動向と契約形態の変化
  • 362.14 電力・冷却インフラとの連動リスク
  • 362.15 需要の集中と「AIファクトリー」構想
  • 362.16 二次市場・第三者運営事業者の台頭
  • 362.17 供給多様化と競争環境
  • 362.18 メモリ・ストレージとの補完関係
  • 362.19 長期投資とファブ新設の動き
  • 362.20 政府政策と産業戦略
  • 362.21 リスクシナリオ:2026年以降の構造変化
  • 362.22 企業戦略上の示唆
  • 362.23 おわりに:構造転換期の供給網マネジメント

【 ソフトウェア&IPツール 】

363 IPコアのライセンスと入手可能性

  • 363.1 総論:IPコア市場の規模と役割
  • 363.2 市場セグメント:プロセッサIPとインタフェースIP
  • 363.3 ライセンシングモデル:買い切りからロイヤルティまで
  • 363.4 アクセス性とサプライチェーン上の位置づけ
  • 363.5 RISC‑VとプロセッサIPの構造転換
  • 363.6 地政学リスクとIPライセンス制限
  • 363.7 インタフェースIPとチップレット時代の入手性
  • 363.8 IP入手可能性とオープンエコシステム
  • 363.9 IPライセンス戦略とチップレットエコシステム
  • 363.10 地域別のIPエコシステムと技術主権
  • 363.11 2026年以降の懸念事項と機会

364 シミュレーションおよびモデリングツールの制限

  • 364.1 総論:シミュレーションツールの位置づけ
  • 364.2 経済的制約:ライセンス費用と計算資源
  • 364.3 技術的制約:モデル精度と統合の難しさ
  • 364.4 人材・スキル不足と学習コスト
  • 364.5 セキュリティ・IP保護と共有の制約
  • 364.6 輸出管理と地政学によるツールアクセス制限
  • 364.7 AI駆動シミュレーションの可能性と制約
  • 364.8 市場構造:TCAD市場の集中とベンダーロックイン
  • 364.9 2026年以降の構造変化と懸念事項

365 設計検証ソフトウェアへのアクセス

  • 365.1 総論:設計検証ツールの重要性と市場規模
  • 365.2 ツール種別:シミュレーション、フォーマル、ハードウェア支援
  • 365.3 アクセス制約1:ライセンスコストとHPC資源
  • 365.4 アクセス制約2:輸出管理と地政学
  • 365.5 アクセス制約3:人材とプロセスの複雑性
  • 365.6 クラウドベース検証環境とKYC規制
  • 365.7 AI駆動検証ツールの登場と課題
  • 365.8 新興国・中国における国産検証ツールの台頭
  • 365.9 2026年以降の構造変化と懸念事項

366 製造実行システムソフトウェア

  • 366.1 総論:MESの役割と市場規模
  • 366.2 機能範囲:半導体向けMESのコア機能
  • 366.3 市場動向:クラウド/ハイブリッド型MESへの移行
  • 366.4 AI・解析機能の統合と「インテリジェントMES」
  • 366.5 半導体・スマートファクトリー市場との関連
  • 366.6 データ統合・レガシー設備との接続という制約
  • 366.7 セキュリティ・コンプライアンスとアクセス管理
  • 366.8 ビジネスモデルとアクセス性:MESaaSとハイブリッド
  • 366.9 2026年以降の構造変化と懸念事項

367 サプライチェーン管理ソフトウェアツール

  • 367.1 総論:SCMソフトの市場規模と半導体との関係
  • 367.2 機能コンポーネント:計画・実行・可視化・リスク
  • 367.3 半導体特有の要件:長リードタイムと高CAPEX
  • 367.4 デジタルツインとコントロールタワーの台頭
  • 367.5 AI駆動SCMツールのトレンド
  • 367.6 半導体向けSCMにおける課題と制約
  • 367.7 レジリエンス強化とリスクリダクション機能
  • 367.8 クラウド/マルチクラウド化とエコシステム
  • 367.9 2026年以降の構造変化と懸念事項

368 製造向けサイバーセキュリティソフトウェア

  • 368.1 総論:市場規模と半導体における重要性
  • 368.2 半導体ファブ向け要件と標準化動向
  • 368.3 ソフトウェアカテゴリ:ネットワーク・エンドポイント・監視
  • 368.4 AI・機械学習を活用したOTセキュリティ
  • 368.5 規制・標準:IEC 62443とNIST CSF 2.0
  • 368.6 脅威トレンド:ランサムウェアとサプライチェーン攻撃
  • 368.7 地域別動向と半導体エコシステム
  • 368.8 ツール統合とゼロトラストOTアーキテクチャ
  • 368.9 2026年以降の構造変化と懸念事項

369 プロセス制御ソフトウェアのライセンス

  • 369.1 総論:プロセス制御ソフトと市場環境
  • 369.2 プロセス制御ソフトの構成要素と半導体との関係
  • 369.3 従来のライセンスモデル:パーペチュアルとタグベース
  • 369.4 近年のライセンス動向:サブスクリプションと従量課金
  • 369.5 ハイブリッドライセンスと機能別モジュール化
  • 369.6 ライセンス管理とコンプライアンスの高度化
  • 369.7 AI駆動APCとライセンスのIP化
  • 369.8 産業オートメーション全体のライセンス潮流
  • 369.9 2026年以降の懸念事項と構造変化

370 品質管理システムソフトウェア

  • 370.1 総論:QMSソフトの役割と市場規模
  • 370.2 機能コンポーネントと半導体での適用領域
  • 370.3 市場成長要因:規制対応とコスト削減
  • 370.4 クラウドQMSと中小企業への浸透
  • 370.5 MES・ERP・PLMとの統合とデジタルスレッド
  • 370.6 AI・画像解析を活用した品質検査と解析
  • 370.7 サプライヤ品質管理とエコシステム連携
  • 370.8 2026年以降の構造変化と懸念事項

371 コンプライアンス追跡および報告ツール

  • 371.1 総論:市場規模と役割
  • 371.2 ツールの主な機能領域
  • 371.3 半導体に特有なコンプライアンス領域
  • 371.4 エクスポートコントロール向けコンプライアンスツール
  • 371.5 ESG・サステナビリティ報告ツール
  • 371.6 AI・自動化の活用と最新動向
  • 371.7 半導体企業における導入課題と展望

372 電子設計自動化(EDA)ソフトウェアへのアクセス

  • 372.1 総論:EDA市場の規模と重要性
  • 372.2 主要ベンダと市場集中構造
  • 372.3 成長ドライバー:AI・先端ノード・システムレベル設計
  • 372.4 クラウドEDAとアクセス形態の変化
  • 372.5 地政学と輸出管理がもたらすアクセス制約
  • 372.6 2025年EDA輸出規制とその後の反転
  • 372.7 日本・他国の輸出管理とソフトウェア規制
  • 372.8 EDAアクセスと技術主権:RISC-Vの役割
  • 372.9 クラウドEDAとリージョン別アクセス格差
  • 372.10 スタートアップ・アカデミアにおけるEDAアクセス
  • 372.11 2026年以降の構造変化と懸念事項

【 環境規制 】

373 水使用規制強化

  • 373.1 総論:半導体と水資源リスク
  • 373.2 気候変動と水ストレス:規制強化の背景
  • 373.3 台湾における水使用規制の実例
  • 373.4 水需要の将来予測と政策対応
  • 373.5 再利用・リサイクル義務と企業の対応
  • 373.6 規制・ガバナンス:水ガバナンスメカニズムの進化
  • 373.7 技術的アプローチ:UPW削減とプロセス改善
  • 373.8 2026年以降の構造変化と懸念事項

374 フッ素ガス使用制限

  • 374.1 総論:半導体とフッ素系温室効果ガス
  • 374.2 規制枠組み:京都議定書・キガリ改正・EU Fガス規則
  • 374.3 EUにおける半導体向けフッ素ガス規制のポイント
  • 374.4 業界の自主目標とベストプラクティス
  • 374.5 プロセス面でのフッ素ガス削減・代替の技術動向
  • 374.6 排ガス処理・アバットメント技術の高度化
  • 374.7 米国EPA・各国報告制度とデータ精緻化
  • 374.8 非フッ素代替技術の研究動向
  • 374.9 2026年以降の構造変化と懸念事項

375 EUグリーンディール対応

  • 375.1 総論:EUグリーンディールの枠組み
  • 375.2 半導体産業に対する期待と課題
  • 375.3 CSRD・CBAMなど横断規制への対応
  • 375.4 EUチップス法とサステナビリティ要件
  • 375.5 企業レベルで求められる対応策
  • 375.6 2026年以降の構造変化と懸念事項

376 RE100準拠半導体工場建設

  • 376.1 総論:RE100と半導体工場の位置づけ
  • 376.2 主要プレーヤーのコミットメントとタイムライン
  • 376.3 RE100準拠ファブ建設の技術・インフラ要件
  • 376.4 立地戦略:再エネアクセスと電力系統制約
  • 376.5 24/7カーボンフリー電力と会計の高度化
  • 376.6 ポリシー・サプライチェーン圧力と投資インセンティブ
  • 376.7 2026年以降の構造変化と懸念事項

377 CO2排出削減義務化

  • 377.1 総論:温暖化目標と企業への要請
  • 377.2 各国・地域の削減義務と排出量目標
  • 377.3 半導体産業の排出動向と課題
  • 377.4 CBAMなどカーボンプライシングの強化
  • 377.5 半導体企業のネットゼロ宣言と自主目標
  • 377.6 規制と標準:SBTi・CSRD・ESG報告
  • 377.7 2026年以降の構造変化と懸念事項

【 サステナビリティ対応 】

378 廃棄物循環型モデルの採用

  • 378.1 総論:半導体とサーキュラーエコノミー
  • 378.2 工場内での資源循環:プロセス廃棄物から二次資源へ
  • 378.3 部材・治具のクローズドループ再利用
  • 378.4 シリコンウェハ・電子部品のリサイクル
  • 378.5 希少金属・レアアースの回収と再資源化
  • 378.6 eウェイストと逆物流ネットワーク
  • 378.7 水・金属を対象とした循環型廃水処理
  • 378.8 ビジネスモデル・設計段階への組み込み
  • 378.9 2026年以降の構造変化と懸念事項

379 リユース・リサイクルシリコン戦略

  • 379.1 総論:シリコン循環の重要性
  • 379.2 ウェハリクレームの仕組みと用途
  • 379.3 サステナビリティとコスト面の効果
  • 379.4 近接リクレーム拠点とローカルエコシステム
  • 379.5 太陽電池・電子機器からのシリコン回収連携
  • 379.6 新しいシリコン資源化技術と副産物利用
  • 379.7 環境影響評価とリサイクルの限界
  • 379.8 2026年以降の構造変化と戦略的含意

380 Scope3排出量管理

  • 380.1 総論:Scope3の位置づけと特徴
  • 380.2 上流Scope3:材料・装置・物流の排出構造
  • 380.3 下流Scope3:製品使用・エンドオブライフ排出
  • 380.4 測定・算定フレームワークとSBTi要件
  • 380.5 管理解決策:上流に対するレバー
  • 380.6 管理解決策:下流に対するレバー
  • 380.7 データ・システム・パートナーシップの構築
  • 380.8 2026年以降の構造変化と懸念事項

381 ESG投資基準に基づく工場評価

  • 381.1 総論:ESG投資基準と半導体工場
  • 381.2 環境(E)指標:脱炭素・資源効率・汚染管理
  • 381.3 社会(S)指標:労働・安全・地域社会との関係
  • 381.4 ガバナンス(G)指標とESG評価プロバイダの枠組み
  • 381.5 評価手法:指標体系とデータドリブン診断
  • 381.6 EUタクソノミー・CSRDと工場評価の連動
  • 381.7 2026年以降の構造変化と半導体工場への含意

382 再エネ比率増加のインパクト

  • 382.1 総論:半導体と電力ミックスの関係
  • 382.2 排出削減インパクト:Scope2強度の低下
  • 382.3 立地・投資戦略への影響
  • 382.4 コスト構造と電力価格ボラティリティ
  • 382.5 サプライチェーン・ESG評価への波及効果
  • 382.6 2026年以降の構造変化と懸念事項

383 環境レーティングによる調達制限

  • 383.1 総論:環境レーティングと調達制限の考え方
  • 383.2 グリーン調達ガイドラインと評価項目
  • 383.3 禁止物質・SVHC管理と調達制限
  • 383.4 環境レーティングとサプライヤ選定・優遇
  • 383.5 Scope3削減・ESG対応と調達制限の連動
  • 383.6 2026年以降の構造変化と懸念事項

384 米国IRA法下の環境要件

  • 384.1 総論:IRAと半導体・製造業の位置づけ
  • 384.2 主要税額控除とクリーン製造要件
  • 384.3 クリーン電力・水素・CCUSに関する環境基準
  • 384.4 労働・地域要件と環境投資の結びつき
  • 384.5 CHIPS法・州インセンティブとの相乗効果
  • 384.6 2026年以降の構造変化と懸念事項

385 アジア新興国での環境規制強化

  • 385.1 総論:半導体シフトと規制強化の同時進行
  • 385.2 タイ:包括環境法(NEQA)改正と排出管理
  • 385.3 ベトナム:排ガス課金制度と大気汚染削減目標
  • 385.4 マレーシア・その他ASEAN:大気規制と電力起源排出の問題
  • 385.5 インド・中国などの規制動向と半導体誘致政策
  • 385.6 半導体産業にとっての機会とリスク

386 半導体製造装置の省エネ評価

  • 386.1 総論:装置レベル省エネ評価の重要性
  • 386.2 評価フレーム:SEMI S23とECFの活用
  • 386.3 装置・サブファブ機器ごとの省エネ改善例
  • 386.4 シミュレーション・データ駆動型評価の進展
  • 386.5 HVAC・ユーティリティ連携型の省エネ評価
  • 386.6 2026年以降の評価指標と産業構造への影響

387 脱炭素型半導体製造プロセス開発

  • 387.1 総論:排出構造と脱炭素の課題
  • 387.2 プロセスガス削減・置換とアバットメント高度化
  • 387.3 エネルギー効率化とグリーン電力の組み合わせ
  • 387.4 ウェットプロセス・洗浄の低炭素化と水使用削減
  • 387.5 材料循環・希少ガス回収とサプライチェーン脱炭素
  • 387.6 脱炭素プロセス開発の評価指標とツール
  • 387.7 2026年以降の展望と懸念事項

【 将来シナリオと戦略 】

388 チップレットによる柔軟設計時代の概要と最新動向

  • 388.1 チップレットと柔軟設計の基本概念
  • 388.2 柔軟設計を支える標準化とエコシステム

① UCIeによるオープンインターコネクト

② チップレットマーケットプレイスと電子カタログ

  • 388.3 柔軟設計時代の技術的メリットと制約

① 性能・歩留まり・コスト面の利点

② 設計・テスト・セキュリティの新たな課題

  • 388.4 柔軟設計時代のビジネスモデルと将来シナリオ

① チップレット市場規模と応用領域

② オープンチップレットエコノミーと設計者の役割変化

  • 388.5 2026年以降の構造変化と戦略的示唆

389 半導体×AI融合の新ビジネスモデル

  • 389.1 概要と位置づけ
  • 389.2 2026年以降の構造変化の方向性
  • 389.3 カテゴリー1: AIインフラ向け専用チップモデル

① データセンターAIアクセラレータ

② AI最適化メモリ・インタコネクト

  • 389.4 カテゴリー2: エッジAI・ローカル推論モデル

① エッジAIアクセラレータの台頭

② 自動車・産業機器向けエッジAI

  • 389.5 カテゴリー3: AIによる半導体開発・製造プロセス変革モデル

① AI活用EDAと設計サービス

② スマートファブと製造最適化

  • 389.6 カテゴリー4: チップレットとオープンISAを軸としたエコシステムモデル

① チップレットベースのモジュール化

② RISC-Vとオープンハードウェア

  • 389.7 カテゴリー5: サプライチェーンと地政学を踏まえた地域別モデル

① 地域別クラスタリングと共同投資

② サプライチェーン可視化とリスクマネジメント

  • 389.8 カテゴリー6: 付加価値サービス型モデル(ソフトウェア/プラットフォーム)

① AIランタイム・コンパイラ・SDK

② AIモデルIPとアプリケーションリファレンス

  • 389.9 カテゴリー7: 人材・組織変革と新しいパートナーシップ

① AI人材と組織構造の変化

② クロスインダストリー連携

  • 389.10 カテゴリー8: 将来シナリオと戦略的含意

① シナリオ1:AIスーパーサイクル継続

② シナリオ2:エッジ分散と規制強化

  • 389.11 戦略的示唆(企業向けアクション)

390 量子半導体の商用化ロードマップ

  • 390.1 序論:量子半導体とは何か
  • 390.2 カテゴリー1:技術プラットフォーム別ロードマップ

① 超伝導量子ビット

② シリコンスピン量子ビット

③ フォトニック/量子ドット半導体

④ その他方式(イオントラップ・ニュートラルアトムなど)

  • 390.3 カテゴリー2:時間軸別商用化ステージ(〜2035年)

① 〜2026年:NISQ世代の産業実証期

② 2027〜2030年:論理キュービット獲得と初期フォールトトレランス

③ 2031〜2035年:大規模エラ―訂正と本格商用化

  • 390.4 カテゴリー3:半導体サプライチェーンへの組み込み

① 量子対応ファウンドリとプロセス統合

② パッケージングと3Dインテグレーション

  • 390.5 カテゴリー4:応用分野別商用化ロードマップ

① HPC・クラウドサービス

② 量子センシング/通信

  • 390.6 カテゴリー5:政策・エコシステム戦略

① 各国・地域の量子産業戦略

② 産業連携と標準化

  • 390.7 カテゴリー6:将来シナリオと半導体企業への示唆

① シナリオA:CMOS主導の量子「シリコン・モーメント」

② シナリオB:ニッチ高付加価値プラットフォームとしての定着

  • 390.8 戦略的アクションの方向性

391 バイオ半導体の可能性

  • 391.1 序論:バイオ半導体とは何か
  • 391.2 カテゴリー1:技術プラットフォームと基本コンセプト

① 有機半導体とイオントロニクス

② ソフト・バイオハイブリッドインタフェース

  • 391.3 カテゴリー2:ニューロモルフィック・インセンサコンピューティング

① 有機人工シナプスとニューロン

② インセンサ・ニューロモルフィックイメージャと電子皮膚

  • 391.4 カテゴリー3:医療・神経インタフェース応用

① 慢性安定ニューラルインタフェース

② 生分解性・一時使用デバイス

  • 391.5 カテゴリー4:産業構造・サプライチェーンへの波及

① 既存CMOSとのハイブリッド化

② 規制・認証と長期ビジネスモデル

  • 391.6 カテゴリー5:将来シナリオと戦略的含意

① シナリオA:ヘルスケア主導の新市場創出

② シナリオB:既存半導体の高付加価値ニッチとして定着

  • 391.7 半導体企業への戦略的アクション

392 分散コンピューティングの進化

  • 392.1 序論:分散コンピューティングと半導体産業
  • 392.2 カテゴリー1:クラウド〜エッジ連携のマクロトレンド

① データの重心のシフト

② ハイブリッド/マルチクラウドと「スーパークラウド」

  • 392.3 カテゴリー2:AIワークロードと分散配置

① AIチップとヘテロジニアスコンピューティング

② ネットワーク制約とデータ移動戦略

  • 392.4 カテゴリー3:データセンターアーキテクチャの分解(ディスアグリゲーション)

① CXLとディスアグリゲーテッドアーキテクチャ

② オプティカルI/Oと高密度AIデータセンター

  • 392.5 カテゴリー4:エッジ/デバイス側の進化

① エッジクラウドとマイクロデータセンター

② デバイスエッジと分散AI

  • 392.6 カテゴリー5:セキュリティ・データ主権・運用課題

① データ主権とソブリンクラウド

② 分散インフラの運用複雑性とセキュリティ

  • 392.7 カテゴリー6:将来シナリオと半導体企業への戦略的含意

① シナリオA:AI駆動のハイパー分散インフラ

② シナリオB:コスト・エネルギー制約による選択的分散

  • 392.8 戦略的アクションの方向性

393 グリーン半導体工場モデル

  • 393.1 序論:なぜグリーンファブが重要か
  • 393.2 カテゴリー1:グリーン半導体工場モデルの基本構造

① エネルギーと排出ガスの全体像

② リソース循環とローカル環境配慮

  • 393.3 カテゴリー2:先進企業のネットゼロ戦略とロードマップ

① TSMC・Samsung・Intelなど大手の目標

② 装置・材料メーカーのSBTとネットゼロ

  • 393.4 カテゴリー3:プロセス・装置レベルのグリーン技術

① ウェットプロセスと超純水削減

② 高GWPガス削減と代替プロセス

  • 393.5 カテゴリー4:工場インフラとエネルギーモデル

① 再エネ調達とオンサイト発電

② 高効率ユーティリティと熱マネジメント

  • 393.6 カテゴリー5:サプライチェーンとScope3削減

① 上流・下流を含む排出構造

② グリーン製品ポートフォリオと顧客価値

  • 393.7 カテゴリー6:将来シナリオと戦略的含意

① シナリオA:ネットゼロ整合のグローバル連携モデル

② シナリオB:エネルギー制約と規制不確実性による地域分化

  • 393.8 半導体企業への戦略的アクション

394 国家主導型産業再編シナリオ

  • 394.1 序論:産業政策回帰としての半導体
  • 394.2 カテゴリー1:主要地域の国家主導型半導体戦略

① 米国・EUの「Chips Acts」

② 日本の「戦略的カムバック」構想

③ 中国の国家IC基金(Big Fund)第3期

  • 394.3 カテゴリー2:国家主導の再編メカニズム

① 補助金・税制・規制による立地誘導

② 共同R&D基盤と人材エコシステムの構築

  • 394.4 カテゴリー3:地政学とブロック化シナリオ

① 友好国連携と「ワールド・オブ・Chips Acts」

② 中国主導エコシステムと第三極

  • 394.5 カテゴリー4:企業視点から見た国家主導シナリオのインパクト

① 戦略自由度の制約と補助金依存

② コーポレートガバナンスと国益の二重目標

  • 394.6 カテゴリー5:将来シナリオと日本企業への戦略的含意

① シナリオA:協調的多極体制(管理された相互依存)

② シナリオB:ブロック化とデュアルサプライチェーン

③ 戦略的アクションの方向性

395 オープンイノベーション時代の半導体

  • 395.1 序論:閉じた垂直統合から協調型エコシステムへ
  • 395.2 カテゴリー1:研究コンソーシアム型オープンイノベーション

① imecに代表される協調研究センター

② 日本・世界の新たなコミュニティ形成

  • 395.3 カテゴリー2:オープンISA・オープンソースシリコン

① RISC-Vのインパクト

② オープンソースハードウェアと設計エコシステム

  • 395.4 カテゴリー3:オープンチップレットとコンポーザブルシリコン

① Open Chiplet Atlas(OCA)エコシステム

② OCP・Arm CSSなど他のオープンプラットフォーム

  • 395.5 カテゴリー4:地域・産業横断のオープンイノベーション拠点

① グローバルハブとしてのimecと新拠点

② 日本発の産業横断コミュニティとTSMC OIP

  • 395.6 カテゴリー5:将来シナリオと戦略的含意

① シナリオA:オープン標準主導のイノベーション加速

② シナリオB:オープンとクローズドのハイブリッド競争

  • 395.7 半導体企業への戦略的アクション

396 半導体資源循環型産業シナリオ

  • 396.1 序論:資源制約と半導体の循環転換
  • 396.2 カテゴリー1:市場・政策動向とマクロトレンド

① 半導体リサイクル・サステナビリティ市場の拡大

② クリティカルマテリアル回収の地政学的重要性

  • 396.3 カテゴリー2:製造段階の資源循環(工場内クローズドループ)

① 水資源の循環利用とUPWシステム

② ウェハ再生・スクラップリサイクル

  • 396.4 カテゴリー3:使用・廃棄段階での資源循環(都市鉱山とデザイン)

① Eスクラップからのクリティカルマテリアル回収

② メーカー主導の回収プログラムとサーキュラー製品

  • 396.5 カテゴリー4:技術・ビジネスモデルの進化

① 高度リサイクル技術とグリーンケミストリー

② サーキュラーサプライチェーンと新ビジネス機会

  • 396.6 カテゴリー5:将来シナリオと戦略的含意

① シナリオA:循環経済主導の資源安全保障

② シナリオB:部分的循環と資源制約リスクの残存

  • 396.7 半導体企業への戦略的アクション

397 ポスト・モアズロー概念の概要と最新動向

  • 397.1 ポスト・モアズロー概念とは何か
  • 397.2 ポスト・モアズローを構成する主要技術軸

① 1. ヘテロジニアス統合とチップレット

② 2. アーキテクチャ革新(Near/In‑Memory・ニューロモルフィック等)

③ 3. 新計算パラダイム(量子・フォトニック・ニューロモルフィック)

  • 397.3 ポスト・モアズローのロードマップと産業構造

① システム技術協調最適化(STCO)へのシフト

② 異種統合時代のエネルギー・性能スケーリング

  • 397.4 将来シナリオと戦略的含意

① シナリオ1:ヘテロジニアス統合主導の「緩やかなムーア継続」

② シナリオ2:超異種計算インフラへの移行

③ シナリオ3:性能成長の減速と最適化重視

  • 397.5 企業・国家の戦略的対応の方向性

【 リスク/課題/対策動向 】

398 地政学リスク(制裁)

  • 398.1 序論:制裁が半導体構造に与えるインパクト
  • 398.2 カテゴリー1:対中輸出管理の枠組みと最新動向

① 米国の先端半導体輸出規制

② 対中投資規制と第三国拡大

  • 398.3 カテゴリー2:同盟国による装置制裁と供給網の分断

① 日本・オランダの装置輸出制限

② 供給チェーンの分断と友好国シフト

  • 398.4 カテゴリー3:企業にとっての主なリスクと課題

① 規制の複雑化とコンプライアンスリスク

② 需要縮小・報復措置・コスト増

  • 398.5 カテゴリー4:対策動向と戦略的対応

① フレンドショアリングと生産拠点多様化

② 制裁対応設計と製品ポートフォリオ分離

  • 398.6 半導体企業への戦略的アクション

399 半導体技術人材不足問題

  • 399.1 序論:1兆ドル産業を制約する人材ギャップ
  • 399.2 カテゴリー1:人材不足の規模と構造

① 数量的ギャップ:2030年までの需給予測

② 質的ギャップ:専門スキルとマネジメント層の不足

  • 399.3 カテゴリー2:人材不足を生む要因

① 需要側:投資拡大と産業の裾野拡大

② 供給側:教育・キャリアのミスマッチ

  • 399.4 カテゴリー3:人材不足がもたらす産業・地域への影響

① 新工場立ち上げ遅延と稼働率低下

② 地域格差・産業間競争の激化

  • 399.5 カテゴリー4:対策動向と企業の戦略的アクション

① 政策・エコシステムレベルの取り組み

② 企業レベルの人材戦略:採用・育成・定着

③ 教育・トレーニングの高度化とAI活用

  • 399.6 半導体企業への実務的示唆

400 グローバル人材確保競争

  • 400.1 序論:1兆ドル産業を巡る人材争奪戦
  • 400.2 カテゴリー1:需要サイド—各地域の生産拡大目標と人材需要

① 米国・EUのシェア拡大目標と人材需要

② アジア太平洋:生産集中と人材偏在

  • 400.3 カテゴリー2:供給サイド—教育・移民・産業魅力度の変化

① 教育システムとSTEM人材の地理分布

② 移民・ビザ政策と人材モビリティ

  • 400.4 カテゴリー3:企業レベルでのグローバル人材争奪戦

① EVP・報酬・働き方を巡る競争

② オフショア開発・マルチロケーション採用

  • 400.5 カテゴリー4:今後のシナリオと企業への示唆

① シナリオA:人材競争激化によるコスト上昇と分散化

② シナリオB:協調的人材育成とデジタルスキリングによる緩和

  • 400.6 半導体企業への戦略的アクション

401 STEM教育への半導体特化カリキュラム

  • 401.1 序論:人材危機とカリキュラム再設計の必然性
  • 401.2 カテゴリー1:政策レベルの動き—CHIPS法とNSF/ASAの枠組み

① CHIPS and Science Actによる教育投資

② American Semiconductor Academy(ASA)と全国教育ネットワーク

  • 401.3 カテゴリー2:K-12段階での半導体統合カリキュラム

① 小中高理科・技術科への半導体コンテンツ組込み

② 教員研修と教材エコシステム

  • 401.4 カテゴリー3:高等教育・コミュニティカレッジにおける専門カリキュラム

① 半導体専攻・マイクロエレクトロニクスプログラムの拡充

② カリキュラム標準化と全国ネットワーク

  • 401.5 カテゴリー4:最新動向—産学協働モデルとデジタル教育

① ファブ企業による共同カリキュラム・アカデミー

② デジタル教材・オンラインプラットフォーム・包摂性

  • 401.6 半導体企業への示唆と具体的アクション

402 サプライチェーン教育プログラム

  • 402.1 序論:レジリエンス要求と教育ニーズの顕在化
  • 402.2 カテゴリー1:政策・公的機関によるサプライチェーン教育の枠組み

① CHIPS法とNSF/NIST/DoDの役割

② NSFによるコミュニティカレッジ支援とレジリエンス教育

  • 402.3 カテゴリー2:大学・専門教育におけるサプライチェーン特化プログラム

① 大学・大学院レベルの専攻・講座

② オンラインコースと国際共同プログラム

  • 402.4 カテゴリー3:企業・コンサルによる実務志向プログラム

① レジリエンスと可視化に焦点を当てたトレーニング

② エコシステム全体を対象とした研修

  • 402.5 カテゴリー4:今後の方向性と企業への実務的示唆

① サプライチェーン教育プログラムの設計原則

② 半導体企業が取るべきアクション

403 研究者人材の国際移動

  • 403.1 序論:技術覇権とモビリティの二律背反
  • 403.2 カテゴリー1:米国を中心とする伝統的受け皿モデルの変容

① 米国の移民・ビザ政策と「冷却効果」

② CHIPS投資と研究者不足のミスマッチ

  • 403.3 カテゴリー2:中国・欧州による「リターン・タレント」戦略

① 中国の帰国促進とグローバルタレント獲得策

② 欧州の「安全な避難港」戦略

  • 403.4 カテゴリー3:アジア諸国・日本におけるブレインドレインとリテンション

① 日本の「ロストジェネレーション」と近隣国への流出

② その他アジア諸国の人材獲得と送り出し

  • 403.5 カテゴリー4:研究者移動をめぐるリスクと政策対応

① 安全保障・輸出管理と人的移動

② 研究者の視点から見たリスク・負担

  • 403.6 半導体企業・研究機関への示唆とアクション

404 技術系移民政策改革

  • 404.1 序論:産業政策の成否を左右する移民制度
  • 404.2 カテゴリー1:米国—CHIPS法と移民制度改革のギャップ

① CHIPS法と人材不足の現実

② 高度人材ビザ拡大を巡る立法・行政の動き

  • 404.3 カテゴリー2:カナダ—テックタレント戦略と半導体への展開

① Tech Talent Strategyとスタートアップビザ

② 半導体戦略と人材政策の統合

  • 404.4 カテゴリー3:欧州—Chips Act 2.0とEUタレントビザ構想

① スキルギャップとEU域内モビリティ

② 研究者・起業家の誘致策

  • 404.5 カテゴリー4:技術系移民政策改革が半導体産業にもたらす影響

① 競争力とレジリエンスの両面効果

② 安全保障・社会的受容とのトレードオフ

  • 404.6 半導体企業・政策当局への実務的示唆

405 半導体人材育成大学プログラム

  • 405.1 序論:大学が担う人材供給インフラの再構築
  • 405.2 カテゴリー1:米国における代表的大学プログラム

① Purdue University:Semiconductors@PurdueとSTARS

② Arizona State University:ASU-Intel コラボレーション

③ その他の米国大学とNNMEネットワーク

  • 405.3 カテゴリー2:日本・アジアにおける半導体人材育成大学プログラム

① Rapidus×北海道大学・国内大学の再編

② アジア他国の大学連携

  • 405.4 カテゴリー3:カリキュラム設計と教育モードの変化

① モジュール化・マイクロクレデンシャル化

② 多様性とインクルージョンを重視したプログラム設計

  • 405.5 カテゴリー4:大学プログラムの課題と半導体企業への示唆

① 課題:装置・教員・スピードの制約

② 半導体企業の実務的アクション

406 シリコンバレーとアジア教育比較

  • 406.1 序論:半導体・AI時代の「教育エコシステム競争」
  • 406.2 カテゴリー1:シリコンバレー教育エコシステムの特徴

① 大学・VC・スタートアップの三位一体モデル

② 失敗許容・リスクテイク文化と教育

  • 406.3 カテゴリー2:アジアのSTEM教育と人材パイプライン

① PISAトップ層が示す圧倒的な基礎学力

② 一斉教育・試験競争と創造性のトレードオフ

  • 406.4 カテゴリー3:イノベーションと半導体人材戦略の観点からの比較

① イノベーション成果指標と教育システムの相関

② 教育文化の違いがキャリア選択に与える影響

  • 406.5 カテゴリー4:今後のリスク・課題・対策動向

① リスク・課題:人材の偏在と「二重のミスマッチ」

② 対策動向:ハイブリッドモデルへの収れん

  • 406.6 半導体企業・政策当局への示唆

407 新興国人材流入の影響

  • 407.1 序論:人材不足と新興国の「供給源」化
  • 407.2 カテゴリー1:新興国からの半導体人材供給ポテンシャル

① インド:圧倒的なSTEMパイプライン

② ベトナム・東南アジア:バックエンド拠点と若年人材

  • 407.3 カテゴリー2:先進国側から見た新興国人材流入の影響

① 人材不足解消とコスト・柔軟性のメリット

② 競争・社会統合・キャリア格差の課題

  • 407.4 カテゴリー3:出身国側から見た影響—ブレインドレインからブレインサーキュレーションへ

① 伝統的なブレインドレイン懸念

② ブレインサーキュレーションと大学・産業育成

  • 407.5 カテゴリー4:2026年以降の構造変化と戦略的含意

① 新興国を巡る人材争奪とサプライチェーン再編

② リスク:品質・セキュリティ・政治的安定性

  • 407.6 半導体企業・政策当局への実務的示唆

408 高齢化社会と人材更新問題

  • 408.1 序論:投資拡大と同時進行する「シルバー・エクソダス」
  • 408.2 カテゴリー1:高齢化と退職波がもたらす構造リスク

① 米国・欧州:製造現場の「グレート・リタイアメント」

② 日本・東アジア:人口動態と移民制約の二重苦

  • 408.3 カテゴリー2:高齢化が引き起こすオペレーション・イノベーション面の課題

① 現場生産性と品質の低下リスク

② 技術継承と次世代リーダー不在

  • 408.4 カテゴリー3:高齢化社会がもたらす技術・ビジネス機会

① 自動化・スキル拡張技術への需要

② シニア人材の活用と新しい働き方

  • 408.5 カテゴリー4:人材更新に向けた対策と戦略的アクション

① 知識継承とデジタル化

② 教育・採用・組織設計の刷新

③ 多様な人材源の活用とポートフォリオ管理

④ ガバナンスと政策面での対応

409 経済的リスク(価格変動)

  • 409.1 序論:構造的に高まる価格変動リスク
  • 409.2 カテゴリー1:メモリを起点とした価格サイクル

① HBM・DRAMのスーパーサイクル

② 価格変動がシステム需要に与える波及

  • 409.3 カテゴリー2:ロジック・成熟ノードの需給と価格

① ショートからグラットへ:過去サイクルの教訓

② 自動車・産業セグメントの在庫調整と回復

  • 409.4 カテゴリー3:マクロ経済・政策・AIがもたらす新たなボラティリティ

① 需要ショックと投資ブームの組み合わせ

② AIブームによる価格構造の変化

  • 409.5 カテゴリー4:シナリオ別の価格リスク像

① シナリオA:AIスーパーサイクル持続による高値安定

② シナリオB:過剰投資と需要鈍化による価格調整

  • 409.6 半導体企業への価格リスク対策と戦略

410 サイバーリスクと工場停止影響

  • 410.1 序論:OT化する半導体工場と新たな脅威
  • 410.2 カテゴリー1:代表事例から見る工場停止インパクト

① TSMC WannaCry感染と売上損失

② 装置サプライヤー経由のランサムウェアとサプライチェーン被害

  • 410.3 カテゴリー2:半導体工場ならではのサイバーリスク構造

① OTネットワークと装置群の脆弱性

② 情報漏えいと品質・安全への影響

  • 410.4 カテゴリー3:サイバー攻撃が工場停止・サプライチェーンに与える波及

① 直接的なダウンタイム・財務インパクト

② サプライチェーン全体への波及

  • 410.5 カテゴリー4:対策動向とOTセキュリティ戦略

① 各国ガイドラインとOTゼロトラスト

② 工場運用・装置ライフサイクルに組み込む対策

  • 410.6 半導体企業への戦略的アクション

411 環境リスク(資源枯渇)

  • 411.1 序論:半導体成長と資源制約の衝突
  • 411.2 カテゴリー1:クリティカルマテリアル(ガリウム・ゲルマニウム等)の供給リスク

① EU・米国が定義するクリティカルマテリアル

② 中国の輸出規制と供給ショック

  • 411.3 カテゴリー2:水資源の枯渇リスクと気候変動

① ファブの水需要拡大と水ストレス

② 台湾・アリゾナにおける「水–エネルギー・ネクサス」

  • 411.4 カテゴリー3:希ガス・ヘリウムなど不可欠ガスの枯渇リスク

① ヘリウム需要の急増と供給制約

② ネオン・キセノンなど希ガスの供給ショック

  • 411.5 カテゴリー4:資源枯渇リスクへの対策と将来シナリオ

① 政策レベルの対応:CRMA・資源外交・リサイクル

② 企業レベルの対応:効率化・代替・循環

③ 将来シナリオ:持続可能な成長か、資源制約によるボトルネックか

  • 411.6 半導体企業への戦略的アクション

412 需給バランスの不確実性

  • 412.1 序論:チップ不足から過剰懸念まで
  • 412.2 カテゴリー1:構造要因—サイクル・長いリードタイム・複雑なサプライチェーン

① 伝統的なサイクルとAIによる増幅

② 分断されたサプライチェーンと再配置

  • 412.3 カテゴリー2:セグメント別に異なる需給パターン

① AI向け先端ロジック・メモリ:潜在的な供給不足

② 自動車・産業・成熟ノード:在庫調整と再成長

  • 412.4 カテゴリー3:「不足」と「過剰」が同時に存在する時代

① ノード別・用途別のアンバランス

② パッケージ・材料・サブストレートのボトルネック

  • 412.5 カテゴリー4:需給不確実性への対応と戦略

① 「ジャストインタイム」から「ジャストインケース」へ

② 投資・ポートフォリオ戦略の見直し

  • 412.6 半導体企業への戦略的アクション

413 社会リスク(技術失業)

  • 413.1 序論:半導体×AI・自動化がもたらす雇用インパクト
  • 413.2 カテゴリー1:半導体バリューチェーンにおける自動化と職務変容

① 設計・検証・テストにおけるAI活用

② ファブ運転・保全・品質管理の自動化

  • 413.3 カテゴリー2:技術失業リスクの中身―誰が影響を受けるのか

① 反復作業・ルーチン業務への圧力

② 高度人材不足とのねじれ現象

  • 413.4 カテゴリー3:地域・サプライチェーン全体における社会リスク

① 先進国での雇用構造変化と人材流動

② 新興国・下請け企業への影響

  • 413.5 カテゴリー4:対策動向—「技術失業リスク」を緩和する仕組み

① 産業・企業レベルの人材育成・再訓練

② 政策・エコシステムレベルの対応

  • 413.6 半導体企業への戦略的アクション

414 知財訴訟リスク

  • 414.1 序論:微細化・チップレット時代のIP紛争激化
  • 414.2 カテゴリー1:訴訟動向—UPC・ITC・NPEの台頭

① 欧州UPCにおける半導体訴訟

② 米国ITC 337条調査と輸入排除リスク

③ NPE・特許トロールの戦略的シフト

  • 414.3 カテゴリー2:技術トレンドと知財紛争の焦点

① 先進パッケージ・チップレット・インターポーザ

② AI・EDA・製造プロセスのソフトウェア特許

  • 414.4 カテゴリー3:訴訟の経済的・サプライチェーン的インパクト

① 多法域での訴訟・差止めリスク

② NPE・輸入規制がもたらすコスト増

  • 414.5 カテゴリー4:知財訴訟リスク低減のための戦略的対応

① プロアクティブなIPポートフォリオ構築とFTO分析

② NPE対策・多法域訴訟への備え

③ 組織・プロセスとしてのIPガバナンス

415 市場バブル懸念

  • 415.1 序論:AIスーパーサイクルとバブル議論
  • 415.2 カテゴリー1:AI投資ブームと「AIチップバブル」論

① データセンターCapExとレバレッジの急増

② 株価バリュエーションと集中のリスク

  • 415.3 カテゴリー2:キャパシティ投資と「供給バブル」懸念

① 先端ノード・地域別の過剰投資リスク

② 中国・レガシーノードにおける供給偏在

  • 415.4 カテゴリー3:マクロ・金融面から見たバブル判定要素

① バリュエーションとマクロ規模の比較

② 需要の質とROIの不確実性

  • 415.5 カテゴリー4:バブル崩壊シナリオとソフトランディング条件

① バブル崩壊シナリオのトリガー

② ソフトランディングの条件

  • 415.6 半導体企業への戦略的アクション

416 安全保障上の輸出管理強化

  • 416.1 序論:半導体と安全保障の一体化
  • 416.2 カテゴリー1:米国の先端半導体・AI輸出管理の進化

① 2022年以降の段階的強化

② AIモデル重量と世界的チップ規制

  • 416.3 カテゴリー2:日蘭との協調と装置輸出規制

① ASML・Nikon・東京エレクトロンを巡る枠組み

② 日本の23品目規制と地理的中立の建前

  • 416.4 カテゴリー3:輸出管理強化の構造的影響

① グローバル・サプライチェーンのブロック化

② コンプライアンス負荷とビジネスモデルへの影響

  • 416.5 カテゴリー4:企業に求められる戦略的対応とリスクマネジメント

① 全社的コンプライアンス体制と技術・市場の切り分け

② フレンドショアリングとサプライチェーン再設計

③ 将来シナリオに備えたポリシーウォッチと対話

417 技術的リスク(微細化限界)

  • 417.1 序論:2nm以降の微細化とリスクの全体像
  • 417.2 カテゴリー1:リソグラフィ技術の限界リスク

① 高NA EUVの導入リスク

② EUVストキャスティクスとレジスト限界

  • 417.3 カテゴリー2:トランジスタ構造とデバイス物理の限界

① FinFETからGAA、Forksheet、CFETへ

② バラツキ・リーク・信頼性の増大

  • 417.4 カテゴリー3:経済性と供給能力のリスク

① 装置コストと投資集中

② スケーリングの費用対効果低下

  • 417.5 カテゴリー4:対策トレンドとポストスケーリング戦略

① 3D積層・チップレット・システムレベルスケーリング

② 設計最適化・アーキテクチャ革新・代替コンピューティング

  • 417.6 半導体企業への戦略的示唆

 

 

ページTOPに戻る

ご注文は、お電話またはWEBから承ります。お見積もりの作成もお気軽にご相談ください。

webからのご注文・お問合せはこちらのフォームから承ります

本レポートと同分野(半導体)の最新刊レポート

本レポートと同じKEY WORD()の最新刊レポート

  • 本レポートと同じKEY WORDの最新刊レポートはありません。

よくあるご質問


次世代社会システム研究開発機構社はどのような調査会社ですか?


一般社団法人次世代社会システム研究開発機構は、社会・産業・経営に大きな影響を与える先端技術からマネジメント、次世代産業まで幅広い分野を対象に、経験豊富なアナリストによって編纂された学際的・... もっと見る


調査レポートの納品までの日数はどの程度ですか?


在庫のあるものは速納となりますが、平均的には 3-4日と見て下さい。
但し、一部の調査レポートでは、発注を受けた段階で内容更新をして納品をする場合もあります。
発注をする前のお問合せをお願いします。


注文の手続きはどのようになっていますか?


1)お客様からの御問い合わせをいただきます。
2)見積書やサンプルの提示をいたします。
3)お客様指定、もしくは弊社の発注書をメール添付にて発送してください。
4)データリソース社からレポート発行元の調査会社へ納品手配します。
5) 調査会社からお客様へ納品されます。最近は、pdfにてのメール納品が大半です。


お支払方法の方法はどのようになっていますか?


納品と同時にデータリソース社よりお客様へ請求書(必要に応じて納品書も)を発送いたします。
お客様よりデータリソース社へ(通常は円払い)の御振り込みをお願いします。
請求書は、納品日の日付で発行しますので、翌月最終営業日までの当社指定口座への振込みをお願いします。振込み手数料は御社負担にてお願いします。
お客様の御支払い条件が60日以上の場合は御相談ください。
尚、初めてのお取引先や個人の場合、前払いをお願いすることもあります。ご了承のほど、お願いします。


データリソース社はどのような会社ですか?


当社は、世界各国の主要調査会社・レポート出版社と提携し、世界各国の市場調査レポートや技術動向レポートなどを日本国内の企業・公官庁及び教育研究機関に提供しております。
世界各国の「市場・技術・法規制などの」実情を調査・収集される時には、データリソース社にご相談ください。
お客様の御要望にあったデータや情報を抽出する為のレポート紹介や調査のアドバイスも致します。


詳細検索

このレポートへのお問合せ

03-3582-2531

電話お問合せもお気軽に

 

 

2026/02/03 10:26

156.60 円

185.14 円

216.88 円

ページTOPに戻る