 2027年～2037年の先進半導体パッケージングの世界市場The Global Market for Advanced Semiconductor Packaging 2027-2037 高度な半導体パッケージングは、エレクトロニクス業界全体において、戦略的に最も重要な分野の一つとなっています。最先端技術において、トランジスタの微細化による性能、電力効率、および経済的... もっと見る
出版社
Future Markets, inc.
フューチャーマーケッツインク 出版年月
2026年6月22日
電子版価格
納期
PDF：3-5営業日程度
ページ数
339
図表数
107
言語
英語
サマリー 高度な半導体パッケージングは、エレクトロニクス業界全体において、戦略的に最も重要な分野の一つとなっています。最先端技術において、トランジスタの微細化による性能、電力効率、および経済的利益の向上が頭打ちになるにつれ、システム性能を向上させるための主要な手段として、パッケージ自体が注目されるようになりました。 かつては、演算能力が主にデバイスの微細化によってもたらされていたが、現在では、ダイ間の相互接続方法、メモリと演算部の配置の近接度、そして単一のパッケージに統合できる異種コンポーネントの数によって、演算能力がますます左右されるようになっている。この変化により、パッケージングは、バックエンドのコスト主導の工程から、半導体設計・製造における価値を決定づける段階へと格上げされた。 この変革の主な原動力は人工知能（AI）である。AIのトレーニングと推論には、膨大なメモリ帯域幅、高密度なダイ間接続、そして効率的な電力供給が求められ、その結果、2.5Dおよび3Dアーキテクチャ、高帯域幅メモリ、そしてますます大型化するパッケージ形式が主流となっている。 こうした要件により、先進パッケージングは、最も要求の厳しいコンピューティングシステムにとって、重要な実現要因であると同時に、重大なボトルネックにもなっている。技術の展望は、いくつかの収束する要素によって定義されている。極めて微細なピッチの垂直相互接続を可能にする銅対銅ハイブリッドボンディング； 異なるプロセスノードのロジック、メモリ、アナログ、そしてますます増加するフォトニクスを組み合わせたチプレットベースのヘテロジニアス統合；新たなハイエンドプラットフォームとしてのガラス基板およびインターポーザー；より大型でコスト効率の高いパッケージを実現するパネルレベル加工；そして、光インターフェースをパッケージ内に直接組み込むコパッケージドオプティクス。 これらのトレンドを支えているのは、集積デバイスメーカー、ファウンドリ、外注組立・テストプロバイダー、メモリメーカー、装置・材料サプライヤー、そして急成長中の光インターコネクト分野にまたがる、深く、かつ競争が激化しつつあるエコシステムである。 また、業界では、最先端のパッケージング能力の一部が国内回帰すること、ハイパースケーラー向けカスタムシリコンの台頭、統合の複雑化に伴いバリューチェーン全体での連携が深まることなど、大きな構造的変化も生じている。材料の革新、熱管理、設計段階での共同最適化は、もはや周辺的な課題ではなく、不可欠な分野となっている。 同時に、この分野は大きな課題にも直面している。大型パッケージ形式における歩留まりとコスト、ガラスおよびパネル加工の製造成熟度、高密度に集積されたスタックにおける熱密度、コパッケージド・オプティクスの光学アライメントとテスト、ダイ間インターフェースの標準化、そして集中化され資本集約的なサプライチェーンなどが挙げられる。 こうした障壁があるにもかかわらず、先進パッケージングは、次世代のコンピューティング、通信、自動車、および民生用システムにおける基盤技術として確固たる地位を築いており、今後10年間にわたりその戦略的重要性はさらに高まると予想される。 『2027～2037年 先進半導体パッケージングの世界市場』は、先進半導体パッケージング業界に関する包括的な分析を提供し、2037年までにこの分野を形作る技術、材料、用途、市場動向、競争環境、および見通しを検証しています。 最先端技術においてトランジスタの微細化による性能向上の効果が薄れる中、先進パッケージングはシステム性能を向上させる主要な手段となっており、本レポートでは、AI、ハイパフォーマンス・コンピューティング、自動車、モバイル、および民生用市場において、この変化を牽引する技術と主要企業を網羅しています。技術的な深みと市場分析を融合させ、詳細な予測と広範な企業プロファイル一覧によって裏付けられています。 本レポートの主な内容：
目次 1 概要 20 1.1 半導体パッケージング技術の概要 20 1.1.1 主な課題 21 1.1.2 半導体パッケージングの変遷 22 1.1.2.1 1D から 3D へ 23 1.1.3 従来のパッケージング手法 24 1.1.4 先進的なパッケージング手法 25 1.2 半導体サプライチェーン 26 1.3 先進パッケージングのサプライチェーン 27 1.4 先進パッケージングにおける主要な技術動向 28 1.5 市場の成長要因 29 1.6 競争環境 29 1.7 市場の課題 30 1.8 将来展望 31 1.8.1 異種統合 31 1.8.2 チプレットとダイの分散化 32 1.8.3 先進的な相互接続 32 1.8.4 スケーリングと小型化 33 1.8.5 熱管理 33 1.8.6 材料の革新 34 1.8.7 サプライチェーンの動向 34 1.8.8 シミュレーションとデータ分析の役割 35 2 半導体パッケージング技術 36 2.1 トランジスタデバイスの微細化 36 2.1.1 概要 36 2.1.2 ヘテロジニアス・アーキテクチャへの移行 37 2.1.3 共同設計の重点分野 37 2.2 ウェハーレベル・パッケージング 39 2.3 ファンアウト・ウェーハレベル・パッケージング 41 2.4 チプレット 42 2.4.1 AMD EPYC および Ryzen プロセッサ・ファミリー 44 2.4.2 分散化のニーズ 45 2.5 半導体パッケージングにおける相互接続 46 2.5.1 概要 47 2.5.2 ワイヤボンディング 47 2.5.3 フリップチップボンディング 48 2.5.4 インターポーザー 48 2.5.4.1 インターポーザー技術の比較 49 2.5.4.2 ガラスインターポーザー 49 2.5.4.2.1 ガラスインターポーザーの技術的課題 50 2.5.4.2.2 各種インターポーザー材料の比較 50 2.5.5 シリコン貫通ビア（TSV）ボンディング 51 2.5.6 チプレットを用いたハイブリッドボンディング 51 2.5.7 ダイ間 I/O の再設計 52 2.6 2.5D および 3D パッケージング 52 2.6.1 2.5D パッケージング 52 2.6.1.1 概要 52 2.6.1.1.1 シリコンインターポーザー 2.5D 54 2.6.1.1.1.1 シリコン貫通ビア (TSV) 54 2.6.1.1.1.2 (SiO2) ベースの再配線層 (RDL) 55 2.6.1.1.2 2.5D 有機ベースのパッケージング 56 2.6.1.1.2.1 チップファーストおよびチップラストのファンアウト・パッケージング 57 2.6.1.1.2.2 有機基板 58 2.6.1.1.2.3 有機 RDL 59 2.6.1.1.3 2.5D ガラスベースのパッケージング 60 2.6.1.1.3.1 メリット 61 2.6.1.1.3.2 先進パッケージングにおけるガラス Si インターポーザー 62 2.6.1.1.3.3 ガラス材料の特性 63 2.6.1.1.3.4 ガラス基板上の 2/2 μm ライン/スペースの金属ピッチ 64 2.6.1.1.3.5 3D ガラスパネル埋め込み (GPE) パッケージング 65 2.6.1.1.3.6 熱管理 66 2.6.1.1.3.7 ポリマー誘電体フィルム 67 2.6.1.1.3.8 課題 67 2.6.1.1.3.9 他の基板との比較 68 2.6.1.1.3.10 TGV の形成とメタライゼーション 68 2.6.1.1.4 2.5D 対 3D パッケージング 69 2.6.1.2 メリット 70 2.6.1.3 課題 70 2.6.1.4 トレンド 70 2.6.1.5 市場関係者 71 2.6.2 3D パッケージング 72 2.6.2.1 従来の 3D パッケージング 73 2.6.2.2 シリコン貫通ビア（TSV）を用いた高度な 3D パッケージング (TSV) 74 2.6.2.3 W2W 対 D2W 対 集合型 D2W 75 2.6.2.4 直接分子結合 76 2.6.2.5 3D 相互接続の動向 77 2.6.2.6 ハイブリッドボンディング 78 2.6.2.6.1 ハイブリッドボンディングを採用したデバイス 78 2.6.2.6.2 フュージョンボンディング 80 2.6.2.6.3 低温および室温での Cu-Cu ボンディング 81 2.6.2.6.4 ハイブリッドボンディングを用いたデバイス 81 2.6.2.7 3Dスタッキングのサプライチェーン 82 2.6.2.8 3Dマイクロバンプ技術 83 2.6.2.8.1 技術 83 2.6.2.8.1 課題 84 2.6.2.8.3 バンプレス銅-銅（Cu-Cu）ハイブリッドボンディング 84 2.6.2.9 動向 86 2.6.2.9.1 メモリが次の波を牽引 87 2.6.2.9.2 低温および室温での Cu-Cu ボンディング 87 3 ウェハーレベルパッケージング 88 3.1 はじめに 88 3.1.1 WLP から PLP へ 88 3.2 メリット 88 3.3 ウェーハレベルパッケージングの種類 89 3.3.1 ウェーハレベルチップスケールパッケージング 90 3.3.1.1 概要 90 3.3.1.2 利点 90 3.3.1.3 用途 91 3.3.2 ウェハーレベルファンアウトパッケージング 91 3.3.2.1 概要 91 3.3.2.2 利点 92 3.3.2.3 用途 93 3.3.3 ウェーハレベル・ファンイン・パッケージング 94 3.3.3.1 概要 94 3.3.3.2 利点 94 3.3.3.3 用途 95 3.3.4 その他の WLP タイプ 95 3.3.4.1 Cu-Pillar フリップチップ 95 3.3.4.2 利点 95 3.3.4.2.1 用途 96 3.3.4.3 組み込み型ウェハーレベル BGA (eWLB) 97 3.3.4.4 利点 97 3.3.4.4.1 用途 98 3.3.4.5 チップラスト FO-WLP 98 3.3.4.5.1 利点 98 3.3.4.5.2 用途 99 3.3.4.6 ウェーハ・オン・ウェーハ (WoW) 100 3.3.4.6.1 用途 100 3.4 WLP 製造プロセス 101 3.4.1 ウェーハの準備 101 3.4.2 RDL 形成 102 3.4.3 バンピング 102 3.4.4 カプセル化 102 3.4.5 統合 103 3.4.6 テストおよびシングレーション 103 3.5 ウェハーレベルパッケージングの動向 103 3.6 ウェーハレベルパッケージングの用途 105 3.6.1 モバイルおよび民生用電子機器 105 3.6.2 自動車用電子機器 105 3.6.3 IoT および産業用 105 3.6.4 高性能コンピューティング 105 3.6.5 航空宇宙および防衛 105 3.7 ウェーハレベルパッケージングの展望 106 4 システム・イン・パッケージおよびヘテロジニアス統合 107 4.1 はじめに 107 4.2 ヘテロジニアス統合へのアプローチ 108 4.2.1 技術の構成要素 108 4.3 SiP 製造アプローチ 110 4.3.1 2.5D 統合インターポーザー 110 4.3.2 マルチチップモジュール 110 4.3.3 3D 積層パッケージ 111 4.3.4 ファンアウト・ウェーハレベル・パッケージング 111 4.3.5 フリップチップ・パッケージ・オン・パッケージ 111 4.4 SiP コンポーネントの統合 112 4.5 異種統合の推進要因 112 4.6 SiPの採用を推進するトレンド 113 4.7 SiPの用途 114 4.8 SiP業界の概況 115 4.9 異種統合の将来展望 116 4.10 CPO（Co-Packaged Optics） 117 4.10.1 共同パッケージングの手法 118 4.10.2 EIC と PIC の異種統合 118 4.10.3 相互接続技術（CPO 内） 119 4.10.4 カプラーの種類 119 4.10.5 利点と制限 120 4.10.6 企業別の CPO 技術 120 4.11 IC 基板 121 5 モノリシック 3D IC 122 5.1 概要 122 5.1.1 2D システムからの移行 122 5.1.2 モノリシック 3D 製造を開発する動機 122 5.1.3 M3Dの相互接続密度の向上 122 5.1.4 ヘテロジニアス3Dとモノリシック3Dの比較 124 5.1.5 2D材料 124 5.2 メリット 125 5.3 課題 126 5.4 今後の展望 126 6 市場と用途 128 6.1 市場のバリューチェーン 128 6.1.1 SiP OEM/設計者 129 6.1.2 チップレット OEM/設計者およびチップレットファウンドリ 129 6.1.3 チップレット・インテグレーター 129 6.1.3.1 統合デバイスメーカー（IDM） 130 6.1.3.2 半導体組立・テスト受託業者（OSAT） 130 6.1.4 材料サプライヤー 130 6.1.5 装置サプライヤー 130 6.1.6 基板およびPCBサプライヤー 130 6.1.7 EDAツールサプライヤー 130 6.1.8 インターポーザー・ファウンドリ 131 6.2 市場別のパッケージングの動向 131 6.2.1 モバイルデバイス 132 6.2.2 高性能コンピューティング（HPC） 132 6.2.3 自動車 133 6.2.4 モノのインターネット（IoT） 133 6.2.5 民生用電子機器 133 6.2.6 航空宇宙および防衛 134 6.2.7 医療機器 134 6.3 設計要件 135 6.4 人工知能 (AI) 136 6.4.1 AI の課題 136 6.4.2 高度なパッケージングソリューション 136 6.4.2.1 2.5D および 3D 統合 136 6.4.2.2 チップレットベースのパッケージング 136 6.4.2.3 ウェーハレベルパッケージング (WLP) 137 6.4.3 先進的なパッケージングによる AI の課題への取り組み 137 6.4.3.1 処理能力 137 6.4.3.2 メモリ帯域幅 137 6.4.3.3 エネルギー効率 137 6.4.3.4 スケーラビリティ 137 6.4.4 アプリケーション 138 6.4.4.1 データセンターおよびクラウドコンピューティング 138 6.4.4.2 エッジデバイスおよび IoT 138 6.4.4.3 ヘルスケアおよび医療機器 138 6.4.4.4 自動運転車 138 6.5 モバイルデバイス 139 6.5.1 課題 139 6.5.2 高度なパッケージングソリューション 139 6.5.2.1 システム・イン・パッケージ (SiP) 139 6.5.2.2 ファンアウト・ウェーハレベル・パッケージング (FOWLP) 140 6.5.2.3 3D IC パッケージング 140 6.5.2.4 ウェーハレベル・チップスケール・パッケージング (WLCSP) 140 6.5.3 先進パッケージングによる課題の解決 140 6.5.3.1 消費電力と熱管理 140 6.5.3.2 サイズ上の制約 140 6.5.3.3 コスト 141 6.5.4 アプリケーション 141 6.5.4.1 スマートフォン 141 6.5.4.2 タブレット 141 6.5.4.3 ウェアラブル 141 6.5.4.4 AR/VR デバイス 141 6.5.5 今後の動向 142 6.6 高性能コンピューティング (HPC) 142 6.6.1 課題 143 6.6.2 HPC 向け高度なパッケージングソリューション 143 6.6.2.1 2.5D および 3D 統合 143 6.6.2.2 ハイブリッドボンディング 144 6.6.2.3 マルチチップモジュール (MCM) 145 6.6.2.4 チップレットベースのアーキテクチャ 145 6.6.2.5 先進的な相互接続技術 145 6.6.3 先進的なパッケージングによる HPC の課題への取り組み 145 6.6.3.1 パフォーマンスのスケーリング 145 6.6.3.2 消費電力 146 6.6.3.3 相互接続帯域幅 146 6.6.3.4 信頼性 147 6.6.4 アプリケーション 147 6.6.4.1 スーパーコンピュータ 147 6.6.4.2 データセンターおよびクラウドコンピューティング 147 6.6.4.3 人工知能および機械学習 147 6.6.4.4 科学計算およびシミュレーション 147 6.6.4.5 コパッケージド・オプティクス 148 6.6.4.5.1 ネットワークスイッチ 148 6.6.4.5.2 データセンターにおける光通信 148 6.6.4.5.3 熱管理 148 6.6.4.5.4 CPO の課題 148 6.6.4.5.5 パッケージ構造 149 6.6.4.5.6 ファンアウト・エンベデッド・ブリッジ（FOEB）構造 150 6.6.4.5.7 スイッチングおよび AI ネットワークの進歩 150 6.6.4.5.8 オンチップフォトニクスの製造可能性の向上 151 6.6.5 熱界面材料 151 6.6.6 将来の動向 151 6.7 自動車用エレクトロニクス 152 6.7.1 課題 152 6.7.2 自動車用電子機器向けの高度なパッケージングソリューション 153 6.7.2.1 システム・イン・パッケージ（SiP） 153 6.7.2.2 フリップチップおよびウェーハレベルパッケージング（WLP） 153 6.7.2.3 3D 統合およびシリコン貫通ビア (TSV) 154 6.7.3 先進パッケージングによる自動車用エレクトロニクスの課題への取り組み 154 6.7.3.1 ADAS/自動運転システム 154 6.7.3.2 過酷な環境下での信頼性 154 6.7.3.3 安全性と信頼性 155 6.7.3.4 小型化と集積化 155 6.7.3.5 高速通信 155 6.7.3.6 熱管理 155 6.7.4 アプリケーション 155 6.7.4.1 先進運転支援システム（ADAS）および自動運転 155 6.7.4.1.1 レーダーのパッケージング 157 6.7.4.2 電気自動車 (EV) パワーエレクトロニクス 157 6.7.4.3 インフォテインメントおよびテレマティクス 158 6.7.4.4 センサーおよびアクチュエータ 158 6.7.5 将来の動向 159 6.8 モノのインターネット (IoT) デバイス 160 6.8.1 課題 160 6.8.2 IoT デバイス向け高度なパッケージングソリューション 160 6.8.2.1 ウェーハレベルパッケージング (WLP) 160 6.8.2.2 システム・イン・パッケージ (SiP) 161 6.8.2.3 ファンアウト・ウェーハレベル・パッケージング (FOWLP) 161 6.8.2.4 3D パッケージングおよびシリコン貫通ビア (TSV) 161 6.8.3 先進パッケージングによる IoT デバイスの課題への対処 161 6.8.3.1 サイズ上の制約 161 6.8.3.2 消費電力 161 6.8.3.3 コスト圧力 162 6.8.3.4 統合と機能 162 6.8.3.5 信頼性と堅牢性 162 6.8.4 アプリケーション 162 6.8.4.1 ウェアラブルデバイス 162 6.8.4.2 スマートホームデバイス 163 6.8.4.3 産業用IoTデバイス 163 6.8.4.4 医療用IoTデバイス 163 6.8.5 今後の動向 163 6.9 5Gおよび6G通信インフラ 164 6.9.1 課題 164 6.9.2 5Gおよび6Gパッケージングの動向 165 6.9.3 5Gおよび6G通信インフラ向け高度なパッケージングソリューション 165 6.9.3.1 アンテナ・イン・パッケージ（AiP） 165 6.9.3.2 システム・イン・パッケージ（SiP） 166 6.9.3.3 3D パッケージングおよびシリコン貫通ビア（TSV） 167 6.9.3.4 ファンアウト・ウェーハレベル・パッケージング（FOWLP） 167 6.9.4 先進パッケージングによる 5G および 6G インフラの課題への対処 167 6.9.4.1 高周波動作 167 6.9.4.2 マッシブ MIMO およびビームフォーミング 168 6.9.4.3 エネルギー効率 169 6.9.4.4 コストとスケーラビリティ 169 6.9.4.5 熱管理 169 6.9.5 アプリケーション 169 6.9.5.1 基地局およびスモールセル 169 6.9.5.2 バックホールおよびフロントホールネットワーク 169 6.9.5.3 エッジコンピューティングおよびネットワークスライシング 170 6.9.5.4 衛星および非地上波ネットワーク 170 6.9.6 今後の動向 170 6.10 航空宇宙および防衛用電子機器 171 6.10.1 課題 171 6.10.2 航空宇宙および防衛用電子機器向けの先進パッケージングソリューション 172 6.10.2.1 3D パッケージングおよびシリコン貫通ビア (TSV) 172 6.10.2.2 チップスケールパッケージ (CSP) およびウェーハレベルパッケージ (WLP) 172 6.10.2.3 フリップチップおよびボールグリッドアレイ（BGA）パッケージング 172 6.10.2.4 ハーメチックパッケージングおよびシーリング 172 6.10.3 先進パッケージングによる航空宇宙および防衛用エレクトロニクスの課題への取り組み 173 6.10.3.1 サイズ、重量、 および消費電力（SWaP）の最適化 173 6.10.3.2 過酷な環境下での信頼性 173 6.10.3.3 高性能および高速性 173 6.10.3.4 長期的な信頼性と保守性 173 6.10.3.5 セキュリティおよび改ざん防止機能 174 6.10.4 アプリケーション 174 6.10.4.1 航空電子機器および飛行制御システム 174 6.10.4.2 レーダーおよび電子戦システム 174 6.10.4.3 衛星通信およびペイロード電子機器 174 6.10.4.4 ミサイル誘導・制御電子機器 175 6.10.5 今後の動向 175 6.11 医療用電子機器 176 6.11.1 課題 176 6.11.2 医療用電子機器向けの高度なパッケージングソリューション 177 6.11.2.1 3D パッケージングおよびシリコン貫通ビア (TSV) 177 6.11.2.2 ウェハーレベル・パッケージング（WLP）およびチップスケール・パッケージング（CSP） 177 6.11.2.3 フレキシブルおよび伸縮性パッケージング 177 6.11.2.4 マイクロ流体パッケージング 177 6.11.3 先進パッケージングによる医療用電子機器の課題への取り組み 178 6.11.3.1 小型化 178 6.11.3.2 生体適合性 178 6.11.3.3 信頼性 178 6.11.3.4 電力効率 178 6.11.3.5 高性能 178 6.11.4 アプリケーション 179 6.11.4.1 埋め込み型デバイス 179 6.11.4.2 ウェアラブル健康モニター 179 6.11.4.3 画像診断装置 179 6.11.4.4 手術用ロボットおよび器具 179 6.11.5 今後の動向 180 6.12 民生用電子機器 181 6.12.1 課題 181 6.12.2 民生用電子機器向け高度なパッケージングソリューション 182 6.12.2.1 システム・イン・パッケージ (SiP) 182 6.12.2.2 ファンアウト・ウェーハレベル・パッケージング (FOWLP) 182 6.12.2.3 3D パッケージングおよびシリコン貫通ビア (TSV) 182 6.12.2.4 埋め込みダイパッケージング 182 6.12.3 先進パッケージングによる民生用電子機器の課題への対応 183 6.12.3.1 小型化 183 6.12.3.2 電力効率 183 6.12.3.3 高性能 183 6.12.3.4 コスト削減 183 6.12.3.5 市場投入までの時間 183 6.12.4 アプリケーション 184 6.12.4.1 スマートフォンおよびタブレット 184 6.12.4.2 ウェアラブルおよびIoTデバイス 184 6.12.4.3 ゲーム機およびVR/ARデバイス 184 6.12.4.4 スマートホームデバイス 184 6.12.5 今後の動向 185 6.13 高度なパッケージングのための積層造形 186 6.14 シリコンフォトニクス 187 7 世界市場予測 189 7.1 タイプ別 189 7.2 ユニットおよびウェーハ別 190 7.3 最終用途市場別 190 7.4 地域別 191 7.5 3D SoC 192 7.6 3D 積層メモリ 193 7.7 UHD FO / RDL インターポーザー 193 7.8 2.5D インターポーザー 193 7.9 組み込み Si ブリッジ 194 8 市場動向 195 8.1 データセンター 195 8.2 AI およびグラフィックス 195 8.3 CPU 195 8.4 自動運転車 196 8.5 ロードマップ 196 8.5.1 相互接続技術の動向 196 8.5.2 相互接続密度および技術ノード別 197 8.5.3 レチクルサイズ別 197 8.5.4 フロントエンド対バックエンド別 198 8.5.5 2.5D および 3D 技術の動向別 198 8.5.6 I/O密度、I/Oピッチ、パッケージサイズ別 199 8.6 商用化製品 199 8.6.1 3Dメモリ 200 8.6.2 GPU 200 8.6.2.1 Nvidia 200 8.6.2.2 AMD 200 8.6.2.3 Intel 201 8.6.3 AI ASICs 201 8.6.3.1 Intel 201 8.6.3.2 Google 201 8.6.3.3 Amazon 202 8.6.3.4 Microsoft 202 8.6.3.5 Huawei 202 8.6.3.6 Meta 202 8.6.4 CPU 202 8.6.4.1 AMD 203 8.6.4.2 Amazon 203 8.6.4.3 Intel 203 8.6.4.4 Nvidia 204 8.6.5 ネットワークおよび CPO スイッチ 204 8.6.5.1 Nvidia Quantum-X および Spectrum-X Photonics 204 8.6.5.2 Broadcom Tomahawk CPO (Bailly / Davisson) 205 9 市場プレイヤー 206 9.1 集積デバイスメーカー 206 9.2 半導体組立・試験受託業者 (OSAT) 207 9.3 ファウンドリ 209 9.4 エレクトロニクス OEM 212 9.5 パッケージング機器および材料メーカー 214 10 市場の課題 216 11 企業プロフィール 218 11.1 AaltoSemi 218 11.2 Absolic, Inc. 218 11.3 ACCRETECH (Europe) GmbH 219 11.4 Adeia, Inc. 220 11.5 Advanced Micro Devices, Inc. (AMD) 220 11.6 Ajinomoto 223 11.7 Analog Devices, Inc. (ADI) 224 11.8 アムコール・テクノロジー 225 11.9 アンムクアン・インテリジェント・テクノロジー (AMQ Intelligent) 227 11.10 アップル 227 11.11 アプライド・マテリアルズ 228 11.12 Ardentec Corporation 228 11.13 Arieca 229 11.14 ARM 230 11.15 ASE 230 11.16 ASMPT Ltd 232 11.17 Ayar Labs 232 11.18 Besi 233 11.19 Biren Technology 234 11.20 Blue Ocean Smart System 235 11.21 Brewer Science 236 11.22 Broadcom 237 11.23 BroadPak 238 11.24 Cadence Design Systems 239 11.25 Cambricon Technologies Co. 239 11.26 Capcon Semiconductor 240 11.27 CAS Microelectronics Integration 241 11.28 CD Micro-Technology 242 11.29 CEA-Leti 242 11.30 Cerebras 243 11.31 China Wafer Level CSP Co 244 11.32 Chipbond Technology Corporation 244 11.33 Chipletz 246 11.34 ChipMOS Technologies, Inc. 246 11.35 Coherent 247 11.36 Corning 248 11.37 大日本印刷（DNP） 248 11.38 Dewo Advanced Automation（DAA） 249 11.39 Disco 250 11.40 Dupont 250 11.41 Ebara 251 11.42 Eliyan 252 11.43 EMC Semi-Conductor Technology 252 11.44 EPS Technology 253 11.45 Entegris 254 11.46 EV Group 254 11.47 GlobalFoundries 255 11.48 Global Unichip 256 11.49 Gloway 256 11.50 Goldenscope Tech 257 11.51 Gona Semiconductor Technology 257 11.52 Graphcore 258 11.53 Greatek Electronics Inc 259 11.54 Hangke Chuangxing (Aero Inno-Star) 259 11.55 Hanmi Semiconductor 260 11.56 HD Microsystems 261 11.57 HiSilicon 261 11.58 HLMC (上海華利微電子株式会社) 262 11.59 華天慧創科技（西安）有限公司 263 11.60 Huawei 263 11.61 Ibiden 264 11.62 IBM 265 11.63 ICLeague Technology Co Ltd 266 11.64 IMEC 266 11.65 Indium Corporation 267 11.66 Infineon Technologies AG 268 11.67 Integra 268 11.68 Inari Amertron Berhad 269 11.69 インテル・コーポレーション 270 11.70 JCETグループ 272 11.71 江蘇ICアセンブリ＆テスト（ICAT） 273 11.72 京都半導体 274 11.73 キーヤン・セミコンダクター (KYS) 274 11.74 King Yuan Electronics Co., Ltd. 275 11.75 Kioxia 275 11.76 KyLitho 276 11.77 Kyocera 276 11.78 ラム・リサーチ 277 11.79 ラピス・テクノロジー 277 11.80 LBセミコン株式会社 278 11.81 リーディング・インターコネクト・セミコンダクター・テクノロジー 278 11.82 LGイノテック 279 11.83 Lidrotec GmbH 280 11.84 Lux Semiconductors 281 11.85 Malaysian Pacific Industries Berhad 281 11.86 Micron Technology, Inc. 282 11.87 メディアテック 282 11.88 マイクロス・コンポーネンツ 283 11.89 三菱 284 11.90 中国国立先端パッケージングセンター（NCAP China） 284 11.91 NEC 285 11.92 Nvidia Corporation 285 11.93 Nepes Corporation 286 11.94 Nippon Electric Glass (NEG) 287 11.95 Onsemi 288 11.96 Orient Semiconductor Electronics Ltd. 288 11.97 パナソニック 289 11.98 Plan Optik AG 290 11.99 Powertech Technology Inc. 291 11.100 Pragmatic Semiconductor 291 11.101 Qorvo 292 11.102 Renesas 293 11.103 Rigger Micro Technologies (RMT) 293 11.104 ローム 294 11.105 ロン・セミコンダクター 294 11.106 サムスン電子 295 11.107 サムテック社 298 11.108 Schott AG 298 11.109 シャープ 299 11.110 新光電気工業 299 11.111 昭和電工（レゾナック） 300 11.112 Sigurd Microelectronics Corporation 301 11.113 Silicon Box 301 11.114 Siliconware Precision Industries (SPIL) 302 11.115 SJ Semiconductor 303 11.116 SK Hynix 304 11.117 Skywater 307 11.118 ソニー株式会社 307 11.119 Starmask 308 11.120 STマイクロエレクトロニクス 309 11.121 Suss Microtec 309 11.122 Synopsys 310 11.123 SZLQ Intelligence (Suzhou Lieqi Intelligent Equipment) 311 11.124 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) 311 11.125 テックセンス・インターナショナル 314 11.126 テザロン・セミコンダクター 314 11.127 東京エレクトロン (TEL) 315 11.128 トンフー・マイクロエレクトロニクス株式会社 315 11.129 凸版印刷 316 11.130 東レ 317 11.131 テキサス・インスツルメンツ 317 11.132 東京エレクトロン 318 11.133 東京精密株式会社 319 11.134 Tong Hsing Electronic Industries, Ltd. 320 11.135 東芝 320 11.136 タワー・セミコンダクター 321 11.137 ユニミクロン 322 11.138 ユニセム 322 11.139 UTAC Group 323 11.140 Walton Advanced Engineering Inc. 324 11.141 Winstek Semiconductor Technology Co., Ltd. 324 11.142 Xinhe Semiconductor 325 11.143 Yibu Semiconductor 326 11.144 Yuehai Integrated 326 12 調査方法 327 13 参考文献 328
図表リスト 表一覧 表1. 半導体パッケージングの変遷。 22 表2. 主要な先進半導体パッケージング手法の概要。 25 表3. 先進半導体パッケージングにおける主要な技術動向。 28 表4. 先進半導体パッケージングの市場成長要因。 29 表5. 先進パッケージングの導入が直面する課題。 30 表6. トランジスタ微細化における課題。 38 表7. 最先端ロジックノードのロードマップ（2026年～2030年）。 38 表8. 半導体設計におけるチプレットの活用事例と利点。 43 表9. 相互接続方式の仕様。 46 表10. 半導体パッケージングにおける相互接続技術 47 表11. パッシブ・インターポーザーとアクティブ・インターポーザーの比較。 48 表12. インターポーザー技術の比較 49 表13. ガラスインターポーザーの技術的課題 50 表14. 各種インターポーザー材料の比較 50 表 15. 主要な半導体相互接続技術の比較ベンチマーク概要表 51 表16. ダイ間I/Oアプローチの比較 52 表17. ファンアウト・パッケージングプロセスの概要。 56 表18. 電子相互接続基板における主流の二酸化ケイ素（SiO2）と最先端の有機誘電体の比較。 59 表19. 2.5Dガラスベースのパッケージングにおけるガラスの利点。 61 表20. スルー・グラス・ビア（TGV）の形成方法の比較。 63 表21. 半導体パッケージング用途で一般的に使用されるガラスとポリマー成形材料の主要特性の比較。 66 表22. ガラス製半導体パッケージングの課題。 67 表23. パッケージング基板としてのシリコン、有機ラミネート、およびガラスの比較。 68 表24. スルーガラスビア（TGV）の形成方法の比較（表16の後に挿入） 69 表25. 2.5Dパッケージングと3Dパッケージングの比較。 69 表26. 2.5Dパッケージングの課題。 70 表27. 2.5Dパッケージングの市場プレイヤー。 71 表28. ガラス基板／パッケージングサプライヤーの動向（2026年）。 71 表29. 3Dパッケージングの長所と短所。 73 表30. W2W 対 D2W 対 集合型 D2W？ プロセスと比較。 75 表31. 3D積層の動向 - 直接分子結合技術。 76 表32. 3D相互接続の動向 78 表33. ハイブリッドボンディングの利点と課題。 78 表34. チップメーカーおよび装置メーカーにおけるハイブリッドボンディングの導入経緯。 79 表35. 2.5D、3Dマイクロバンプ、および3Dハイブリッドボンディングの比較。 81 表36. バンプの微細化における課題。 84 表37. 先進半導体パッケージングにおける銅-銅（Cu-Cu）ハイブリッドボンディングを実現するための主要な手法： 85 表38. マイクロバンプとCu-Cuバンプレスハイブリッドボンディングの比較。 85 表39. パネルレベル・パッケージング形式のスケーリング。 88 表40. ウェーハレベル・パッケージングの利点。 88 表41. ウェーハレベル・パッケージングの種類。 89 表42. ウェハーレベルパッケージングを形作る主なトレンド。 104 表43. システム・イン・パッケージ（SiP）モジュールの組み立てに利用されるパッケージング手法。 110 表44. 主要な部品カテゴリをシステム・イン・パッケージ（SiP）モジュールに統合する際の考慮事項 / 112 表45. SiPおよびマルチダイパッケージによる異種統合の採用を促進する主要要因。 112 表46. システム・イン・パッケージ（SiP）モジュールの採用に影響を与える主な動向。 113 表47. システム・イン・パッケージ（SiP）モジュールの用途。 115 表48. 共同パッケージングの手法 118 表 49. カプラーの種類 119 表50. CPOの利点と限界 120 表 51. 各社が提供する技術 120 表52. ヘテロジニアス3D集積とモノリシック3D集積の比較。 124 表53. モノリシック3D集積回路における主要な2D材料。 124 表54. モノリシック3D ICの利点。 125 表55. モノリシック3D ICの課題。 126 表56. 市場別の先進半導体パッケージングの動向。 131 表57. 市場別の先進パッケージングにおける設計要件。 135 表58. TIM候補のベンチマーク 151 表59. ワイドバンドギャップパワー半導体の比較 158 表60. 先進半導体パッケージングの世界市場、2027年～2037年、パッケージングタイプ別（10億米ドル）。 190 表61. 2020年～2035年の先進半導体パッケージングの世界市場（ユニットおよびウェーハ別、10億米ドル）。 190 表62. 2027年～2035年の先進半導体パッケージングの世界市場：最終用途別（10億米ドル）。 191 表63. 2027年～2037年の地域別先進半導体パッケージングの世界市場（10億米ドル） 192 表64. 3D SoC市場、2027年～2037年（10億米ドル） 192 表65. 3D積層メモリ（HBM）パッケージング市場、2027年～2037年（10億米ドル） 193 表66. UHD FO／RDLインターポーザー市場、2027年～2037年（10億米ドル） 193 表67. 2.5Dインターポーザー市場、2027年～2037年（10億米ドル） 193 表68. 大型2.5D／CoWoSのロードマップ。 194 表69. 組み込みSiブリッジ市場、2027～2037年（10億米ドル） 194 表70. 相互接続技術の動向 197 表71. 相互接続密度および技術ノード別のロードマップ 197 表72. レチクルサイズ別のロードマップ 198 表73. フロントエンドとバックエンドのロードマップ 198 表 74. 2.5D および 3D 技術の動向別ロードマップ 199 表75. I/O密度、I/Oピッチ、パッケージサイズ別のロードマップ 199 表76. 2023年の主要な世界のウェハーファウンドリ企業 211 表77. 先進半導体パッケージングが直面する市場の課題。 216 表78. AMDのAIチップラインナップ。 221 表79. 3D FOVEROSを採用したIntelの製品。 271 図一覧 図1. 各種パッケージング技術の沿革。 23 図2. 半導体パッケージングの進化ロードマップ。 25 図3. 半導体のサプライチェーン。 27 図4. 先進パッケージングのサプライチェーン。 28 図5. 微細化技術のロードマップ。 38 図6. ウェーハレベル・チップスケール・パッケージング（WLCSP） 40 図7. 埋め込み型ウェハーレベル・ボールグリッドアレイ（eWLB）。 41 図8. ファンアウト・ウェーハレベル・パッケージング（FOWLP）。 42 図9. チップレット設計。 43 図10. チプレットSoC。 45 図11. 2Dチップパッケージング。 53 図12. インターポーザーを利用した2.5D ICパッケージの典型的な構造。 54 図13. ファンアウト・チップファースト・プロセスフローとファンアウト・チップラスト・プロセスフロー。 58 図14. ガラスインターポーザーの製造プロセス。 64 図15. 3Dガラスパネル埋め込み（GPE）パッケージ。 66 図16. 3Dスタッキングのサプライチェーン。 82 図17. 代表的なFOWLP構造。 92 図18. HI向けシステム・イン・パッケージ（SiP）。 107 図19. 2.5Dチプレット統合。 110 図20. 先進パッケージングのサプライチェーン。 129 図21. 先進運転支援システム（ADAS）および自動運転に使用されるセンサーのパッケージング。 158 図22. Absolicガラス基板。 219 図23. AMD Radeon Instinct。 221 図24. AMD Ryzen 7040。 221 図25. Alveo V70。 222 図26. Versal Adaptive SOC。 222 図27. AMDのMI300チップ。 222 図28. 12層HBM3。 305
Summary
Advanced semiconductor packaging has become one of the most strategically important domains in the entire electronics industry. As the performance, power, and economic returns from transistor scaling diminish at the leading edge, the package itself has emerged as the primary lever for improving system performance. Where computing capability once came chiefly from shrinking devices, it now comes increasingly from how dies are interconnected, how closely memory is placed to compute, and how many heterogeneous components can be integrated into a single package. This shift has elevated packaging from a back-end, cost-driven step to a value-defining stage of semiconductor design and manufacture.
The principal driver of this transformation is artificial intelligence. AI training and inference demand enormous memory bandwidth, dense die-to-die connectivity, and efficient power delivery, pushing 2.5D and 3D architectures, high-bandwidth memory, and ever-larger package formats into the mainstream. These requirements have made advanced packaging both a key enabler of, and a critical bottleneck for, the most demanding computing systems. The technology landscape is defined by several converging vectors: copper-to-copper hybrid bonding, which enables extraordinarily fine-pitch vertical interconnects; chiplet-based, heterogeneous integration that combines logic, memory, analog, and increasingly photonics from different process nodes; glass substrates and interposers as a new high-end platform; panel-level processing for larger and more cost-effective packages; and co-packaged optics, which brings the optical interface directly into the package.
Underpinning these trends is a deep and increasingly contested ecosystem spanning integrated device manufacturers, foundries, outsourced assembly and test providers, memory makers, equipment and materials suppliers, and a fast-growing optical-interconnect sector. The industry is also experiencing significant structural change, including the partial reshoring of leading-edge packaging capacity, the rise of hyperscaler custom silicon, and growing collaboration across the value chain as the complexity of integration intensifies. Materials innovation, thermal management, and design-stage co-optimisation have become essential disciplines rather than peripheral concerns.
At the same time, the field faces substantial challenges: yield and cost at large package formats, manufacturing maturity for glass and panel processing, thermal density in tightly integrated stacks, optical alignment and test for co-packaged optics, standardisation of die-to-die interfaces, and a concentrated, capital-intensive supply chain. Despite these hurdles, advanced packaging is firmly established as a foundational technology for next-generation computing, communications, automotive, and consumer systems, and its strategic significance is expected to deepen throughout the coming decade.
The Global Market for Advanced Semiconductor Packaging 2027–2037 provides a comprehensive analysis of the advanced semiconductor packaging industry, examining the technologies, materials, applications, market trends, competitive landscape, and outlook that will shape the sector through 2037. As gains from transistor scaling diminish at the leading edge, advanced packaging has become the primary lever for system performance, and this report maps the technologies and players driving that shift across AI, high-performance computing, automotive, mobile, and consumer markets. It combines technical depth with market analysis, supported by detailed forecasts and an extensive directory of company profiles.
The report covers:
Table of Contents
1 EXECUTIVE SUMMARY 20
1.1 Semiconductor Packaging Technology Overview 20
1.1.1 Key challenges 21
1.1.2 Evolution of semiconductor packaging 22
1.1.2.1 From 1D to 3D 23
1.1.3 Conventional packaging approaches 24
1.1.4 Advanced packaging approaches 25
1.2 Semiconductor Supply Chain 26
1.3 Advanced Packaging Supply Chain 27
1.4 Key Technology Trends in Advanced Packaging 28
1.5 Market Growth Drivers 29
1.6 Competitive Landscape 29
1.7 Market Challenges 30
1.8 Future outlook 31
1.8.1 Heterogeneous Integration 31
1.8.2 Chiplets and Die Disaggregation 32
1.8.3 Advanced Interconnects 32
1.8.4 Scaling and Miniaturization 33
1.8.5 Thermal Management 33
1.8.6 Materials Innovation 34
1.8.7 Supply Chain Developments 34
1.8.8 Role of Simulation and Data Analytics 35
2 SEMICONDUCTOR PACKAGING TECHNOLOGIES 36
2.1 Transistor Device Scaling 36
2.1.1 Overview 36
2.1.2 Heterogeneous Architecture Transition 37
2.1.3 Co-Design Focus Areas 37
2.2 Wafer Level Packaging 39
2.3 Fan-Out Wafer Level Packaging 41
2.4 Chiplets 42
2.4.1 AMD EPYC and Ryzen processor families 44
2.4.2 Disaggregation Needs 45
2.5 Interconnection in Semiconductor Packaging 46
2.5.1 Overview 47
2.5.2 Wire Bonding 47
2.5.3 Flip-chip bonding 48
2.5.4 Interposer 48
2.5.4.1 Interposer technology comparison 49
2.5.4.2 Glass interposer 49
2.5.4.2.1 Technical challenge of glass interposer 50
2.5.4.2.2 Different Interposer material comparison 50
2.5.5 Through-silicon via (TSV) bonding 51
2.5.6 Hybrid bonding with chiplets 51
2.5.7 Re-architecting die-to-die I/O 52
2.6 2.5D and 3D Packaging 52
2.6.1 2.5D packaging 52
2.6.1.1 Overview 52
2.6.1.1.1 Silicon Interposer 2.5D 54
2.6.1.1.1.1 Through Si Via (TSV) 54
2.6.1.1.1.2 (SiO2) based redistribution layers (RDLs) 55
2.6.1.1.2 2.5D Organic-based packaging 56
2.6.1.1.2.1 Chip-first and chip-last fan-out packaging 57
2.6.1.1.2.2 Organic substrates 58
2.6.1.1.2.3 Organic RDL 59
2.6.1.1.3 2.5D glass-based packaging 60
2.6.1.1.3.1 Benefits 61
2.6.1.1.3.2 Glass Si interposers in advanced packaging 62
2.6.1.1.3.3 Glass material properties 63
2.6.1.1.3.4 2/2 μm line/space metal pitch on glass substrates 64
2.6.1.1.3.5 3D Glass Panel Embedding (GPE) packaging 65
2.6.1.1.3.6 Thermal management 66
2.6.1.1.3.7 Polymer dielectric films 67
2.6.1.1.3.8 Challenges 67
2.6.1.1.3.9 Comparison with other substrates 68
2.6.1.1.3.10 TGV formation and metallisation 68
2.6.1.1.4 2.5D vs. 3D Packaging 69
2.6.1.2 Benefits 70
2.6.1.3 Challenges 70
2.6.1.4 Trends 70
2.6.1.5 Market players 71
2.6.2 3D packaging 72
2.6.2.1 Conventional 3D packaging 73
2.6.2.2 Advanced 3D Packaging with through-silicon vias (TSVs) 74
2.6.2.3 W2W vs D2W vs Collective D2W 75
2.6.2.4 Direct Molecular Bonding 76
2.6.2.5 3D Interconnect Trends 77
2.6.2.6 Hybrid Bonding 78
2.6.2.6.1 Devices using hybrid bonding 78
2.6.2.6.2 Fusion Bond 80
2.6.2.6.3 Low- and room-temperature Cu-Cu bonding 81
2.6.2.6.4 Devices using hybrid bonding 81
2.6.2.7 3D stacking supply chain 82
2.6.2.8 3D Microbump technology 83
2.6.2.8.1 Technologies 83
2.6.2.8.2 Challenges 84
2.6.2.8.3 Bumpless copper-to-copper (Cu-Cu) hybrid bonding 84
2.6.2.9 Trends 86
2.6.2.9.1 Memory drives the next wave 87
2.6.2.9.2 Low- and room-temperature Cu-Cu bonding 87
3 WAFER-LEVEL PACKAGING 88
3.1 Introduction 88
3.1.1 WLP to PLP 88
3.2 Benefits 88
3.3 Types of Wafer Level Packaging 89
3.3.1 Wafer Level Chip Scale Packaging 90
3.3.1.1 Overview 90
3.3.1.2 Advantages 90
3.3.1.3 Applications 91
3.3.2 Wafer Level Fan-Out Packaging 91
3.3.2.1 Overview 91
3.3.2.2 Advantages 92
3.3.2.3 Applications 93
3.3.3 Wafer Level Fan-In Packaging 94
3.3.3.1 Overview 94
3.3.3.2 Advantages 94
3.3.3.3 Applications 95
3.3.4 Other Types of WLP 95
3.3.4.1 Cu-Pillar Flip Chip 95
3.3.4.2 Advantages 95
3.3.4.2.1 Applications 96
3.3.4.3 Embedded Wafer Level BGA (eWLB) 97
3.3.4.4 Advantages 97
3.3.4.4.1 Applications 98
3.3.4.5 Chip-last FO-WLP 98
3.3.4.5.1 Advantages 98
3.3.4.5.2 Applications 99
3.3.4.6 Wafer-on-Wafer (WoW) 100
3.3.4.6.1 Applications 100
3.4 WLP Manufacturing Processes 101
3.4.1 Wafer Preparation 101
3.4.2 RDL Buildup 102
3.4.3 Bumping 102
3.4.4 Encapsulation 102
3.4.5 Integration 103
3.4.6 Test and Singulation 103
3.5 Wafer Level Packaging Trends 103
3.6 Applications of Wafer Level Packaging 105
3.6.1 Mobile and Consumer Electronics 105
3.6.2 Automotive Electronics 105
3.6.3 IoT and Industrial 105
3.6.4 High Performance Computing 105
3.6.5 Aerospace and Defense 105
3.7 Wafer Level Packaging Outlook 106
4 SYSTEM-IN-PACKAGE AND HETEROGENEOUS INTEGRATION 107
4.1 Introduction 107
4.2 Approaches for heterogenous integration 108
4.2.1 Technology Building Blocks 108
4.3 SiP Manufacturing Approaches 110
4.3.1 2.5D Integrated Interposers 110
4.3.2 Multi-Chip Modules 110
4.3.3 3D Stacked packages 111
4.3.4 Fan-Out Wafer Level Packaging 111
4.3.5 Flip Chip Package-on-Package 111
4.4 SiP Component Integration 112
4.5 Heterogeneous Integration Drivers 112
4.6 Trends Driving SiP Adoption 113
4.7 SiP Applications 114
4.8 SiP Industry Landscape 115
4.9 Future Outlook on Heterogeneous Integration 116
4.10 CPO (Co-Packaged Optics) 117
4.10.1 Co-packaging approaches 118
4.10.2 Heterogeneous integration of EIC and PIC 118
4.10.3 Interconnect Technology (in CPO) 119
4.10.4 Type of couplers 119
4.10.5 Advantages and limitations 120
4.10.6 CPO technologies, by company 120
4.11 IC Substrates 121
5 MONOLITHIC 3D IC 122
5.1 Overview 122
5.1.1 Transitioning from 2D Systems 122
5.1.2 Motivation for developing monolithic 3D manufacturing 122
5.1.3 Improved M3D Interconnect Density 122
5.1.4 Heterogenous 3D vs Monolithic 3D 124
5.1.5 2D Materials 124
5.2 Benefits 125
5.3 Challenges 126
5.4 Future outlook 126
6 MARKETS AND APPLICATIONS 128
6.1 Market value chain 128
6.1.1 SiP OEM/Designers 129
6.1.2 Chiplet OEM/Designer and Chiplet Foundry 129
6.1.3 Chiplet Integrator 129
6.1.3.1 Integrated Device Manufacturers (IDMs) 130
6.1.3.2 Outsourced Semiconductor Assembly and Test (OSAT) Providers 130
6.1.4 Material Suppliers 130
6.1.5 Equipment Suppliers 130
6.1.6 Substrate and PCB suppliers 130
6.1.7 EDA Tools Suppliers 130
6.1.8 Interposer Foundry 131
6.2 Packaging trends by market 131
6.2.1 Mobile Devices 132
6.2.2 High-Performance Computing (HPC) 132
6.2.3 Automotive 133
6.2.4 Internet of Things (IoT) 133
6.2.5 Consumer Electronics 133
6.2.6 Aerospace and Defense 134
6.2.7 Medical Devices 134
6.3 Design requirements 135
6.4 Artificial Intelligence (AI) 136
6.4.1 Challenges in AI 136
6.4.2 Advanced Packaging Solutions 136
6.4.2.1 2.5D and 3D Integration 136
6.4.2.2 Chiplet-based Packaging 136
6.4.2.3 Wafer-Level Packaging (WLP) 137
6.4.3 Addressing AI Challenges through Advanced Packaging 137
6.4.3.1 Processing Power 137
6.4.3.2 Memory Bandwidth 137
6.4.3.3 Energy Efficiency 137
6.4.3.4 Scalability 137
6.4.4 Applications 138
6.4.4.1 Data Center and Cloud Computing 138
6.4.4.2 Edge Devices and IoT 138
6.4.4.3 Healthcare and Medical Devices 138
6.4.4.4 Autonomous Vehicles 138
6.5 Mobile Devices 139
6.5.1 Challenges 139
6.5.2 Advanced Packaging Solutions 139
6.5.2.1 System-in-Package (SiP) 139
6.5.2.2 Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) 140
6.5.2.3 3D IC Packaging 140
6.5.2.4 Wafer-Level Chip-Scale Packaging (WLCSP) 140
6.5.3 Addressing Challenges through Advanced Packaging 140
6.5.3.1 Power Consumption and Thermal Management 140
6.5.3.2 Size Constraints 140
6.5.3.3 Cost 141
6.5.4 Applications 141
6.5.4.1 Smartphones 141
6.5.4.2 Tablets 141
6.5.4.3 Wearables 141
6.5.4.4 AR/VR Devices 141
6.5.5 Future trends 142
6.6 High Performance Computing (HPC) 142
6.6.1 Challenges 143
6.6.2 Advanced Packaging Solutions for HPC 143
6.6.2.1 2.5D and 3D Integration 143
6.6.2.2 Hybrid bonding 144
6.6.2.3 Multi-Chip Modules (MCMs) 145
6.6.2.4 Chiplet-based Architectures 145
6.6.2.5 Advanced Interconnect Technologies 145
6.6.3 Addressing HPC Challenges through Advanced Packaging 145
6.6.3.1 Performance Scaling 145
6.6.3.2 Power Consumption 146
6.6.3.3 Interconnect Bandwidth 146
6.6.3.4 Reliability 147
6.6.4 Applications 147
6.6.4.1 Supercomputers 147
6.6.4.2 Data Center and Cloud Computing 147
6.6.4.3 Artificial Intelligence and Machine Learning 147
6.6.4.4 Scientific Computing and Simulation 147
6.6.4.5 Co-Packaged Optics 148
6.6.4.5.1 Network Switch 148
6.6.4.5.2 Optical communication in data centers 148
6.6.4.5.3 Thermal Management 148
6.6.4.5.4 Challenges in CPO 148
6.6.4.5.5 Package Structure 149
6.6.4.5.6 Fan-Out Embedded Bridge (FOEB) structure 150
6.6.4.5.7 Advancing Switching and AI Networks 150
6.6.4.5.8 Making on-chip photonics manufacturable 151
6.6.5 Thermal Interface Materials 151
6.6.6 Future Trends 151
6.7 Automotive Electronics 152
6.7.1 Challenges 152
6.7.2 Advanced Packaging Solutions for Automotive Electronics 153
6.7.2.1 System-in-Package (SiP) 153
6.7.2.2 Flip-Chip and Wafer-Level Packaging (WLP) 153
6.7.2.3 3D Integration and Through-Silicon Vias (TSVs) 154
6.7.3 Addressing Automotive Electronics Challenges through Advanced Packaging 154
6.7.3.1 ADAS/Autonomous driving systems 154
6.7.3.2 Harsh Environment Reliability 154
6.7.3.3 Safety and Reliability 155
6.7.3.4 Miniaturization and Integration 155
6.7.3.5 High-Speed Communication 155
6.7.3.6 Thermal Management 155
6.7.4 Applications 155
6.7.4.1 Advanced Driver Assistance Systems (ADAS) and Autonomous Driving 155
6.7.4.1.1 Radar packaging 157
6.7.4.2 Electric Vehicle (EV) Power Electronics 157
6.7.4.3 Infotainment and Telematics 158
6.7.4.4 Sensors and Actuators 158
6.7.5 Future Trends 159
6.8 Internet of Things (IoT) Devices 160
6.8.1 Challenges 160
6.8.2 Advanced Packaging Solutions for IoT Devices 160
6.8.2.1 Wafer-Level Packaging (WLP) 160
6.8.2.2 System-in-Package (SiP) 161
6.8.2.3 Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) 161
6.8.2.4 3D Packaging and Through-Silicon Vias (TSVs) 161
6.8.3 Addressing IoT Device Challenges through Advanced Packaging 161
6.8.3.1 Size Constraints 161
6.8.3.2 Power Consumption 161
6.8.3.3 Cost Pressures 162
6.8.3.4 Integration and Functionality 162
6.8.3.5 Reliability and Robustness 162
6.8.4 Applications 162
6.8.4.1 Wearable Devices 162
6.8.4.2 Smart Home Devices 163
6.8.4.3 Industrial IoT Devices 163
6.8.4.4 Medical IoT Devices 163
6.8.5 Future Trends 163
6.9 5G & 6G Communications Infrastructure 164
6.9.1 Challenges 164
6.9.2 Trends in 5G and 6G packaging 165
6.9.3 Advanced Packaging Solutions for 5G and 6G Communications Infrastructure 165
6.9.3.1 Antenna-in-Package (AiP) 165
6.9.3.2 System-in-Package (SiP) 166
6.9.3.3 3D Packaging and Through-Silicon Vias (TSVs) 167
6.9.3.4 Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) 167
6.9.4 Addressing 5G and 6G Infrastructure Challenges through Advanced Packaging 167
6.9.4.1 High-Frequency Operation 167
6.9.4.2 Massive MIMO and Beamforming 168
6.9.4.3 Energy Efficiency 169
6.9.4.4 Cost and Scalability 169
6.9.4.5 Thermal Management 169
6.9.5 Applications 169
6.9.5.1 Base Stations and Small Cells 169
6.9.5.2 Backhaul and Fronthaul Networks 169
6.9.5.3 Edge Computing and Network Slicing 170
6.9.5.4 Satellite and Non-Terrestrial Networks 170
6.9.6 Future Trends 170
6.10 Aerospace and Defense Electronics 171
6.10.1 Challenges 171
6.10.2 Advanced Packaging Solutions for Aerospace and Defense Electronics 172
6.10.2.1 3D Packaging and Through-Silicon Vias (TSVs) 172
6.10.2.2 Chip-Scale Packaging (CSP) and Wafer-Level Packaging (WLP) 172
6.10.2.3 Flip-Chip and Ball Grid Array (BGA) Packaging 172
6.10.2.4 Hermetic Packaging and Sealing 172
6.10.3 Addressing Aerospace and Defense Electronics Challenges through Advanced Packaging 173
6.10.3.1 Size, Weight, and Power (SWaP) Optimization 173
6.10.3.2 Harsh Environment Reliability 173
6.10.3.3 High Performance and Speed 173
6.10.3.4 Long-Term Reliability and Maintainability 173
6.10.3.5 Security and Anti-Tamper Features 174
6.10.4 Applications 174
6.10.4.1 Avionics and Flight Control Systems 174
6.10.4.2 Radar and Electronic Warfare Systems 174
6.10.4.3 Satellite Communications and Payload Electronics 174
6.10.4.4 Missile Guidance and Control Electronics 175
6.10.5 Future Trends 175
6.11 Medical Electronics 176
6.11.1 Challenges 176
6.11.2 Advanced Packaging Solutions for Medical Electronics 177
6.11.2.1 3D Packaging and Through-Silicon Vias (TSVs) 177
6.11.2.2 Wafer-Level Packaging (WLP) and Chip-Scale Packaging (CSP) 177
6.11.2.3 Flexible and Stretchable Packaging 177
6.11.2.4 Microfluidic Packaging 177
6.11.3 Addressing Medical Electronics Challenges through Advanced Packaging 178
6.11.3.1 Miniaturization 178
6.11.3.2 Biocompatibility 178
6.11.3.3 Reliability 178
6.11.3.4 Power Efficiency 178
6.11.3.5 High Performance 178
6.11.4 Applications 179
6.11.4.1 Implantable Devices 179
6.11.4.2 Wearable Health Monitors 179
6.11.4.3 Diagnostic Imaging Equipment 179
6.11.4.4 Surgical Robotics and Instruments 179
6.11.5 Future Trends 180
6.12 Consumer Electronics 181
6.12.1 Challenges 181
6.12.2 Advanced Packaging Solutions for Consumer Electronics 182
6.12.2.1 System-in-Package (SiP) 182
6.12.2.2 Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) 182
6.12.2.3 3D Packaging and Through-Silicon Vias (TSVs) 182
6.12.2.4 Embedded Die Packaging 182
6.12.3 Addressing Consumer Electronics Challenges through Advanced Packaging 183
6.12.3.1 Miniaturization 183
6.12.3.2 Power Efficiency 183
6.12.3.3 High Performance 183
6.12.3.4 Cost Reduction 183
6.12.3.5 Time-to-Market 183
6.12.4 Applications 184
6.12.4.1 Smartphones and Tablets 184
6.12.4.2 Wearables and IoT Devices 184
6.12.4.3 Gaming Consoles and VR/AR Devices 184
6.12.4.4 Smart Home Devices 184
6.12.5 Future Trends 185
6.13 Additive manufacturing for advanced packaging 186
6.14 Silicon photonics 187
7 GLOBAL MARKET FORECASTS 189
7.1 By type 189
7.2 By Units & Wafers 190
7.3 By end-use market 190
7.4 By region 191
7.5 3D SoC 192
7.6 3D Stacked memory 193
7.7 UHD FO / RDL Interposer 193
7.8 2.5D Interposers 193
7.9 Embedded Si bridge 194
8 MARKET TRENDS 195
8.1 Data center 195
8.2 AI and Graphics 195
8.3 CPU 195
8.4 Autonomous vehicles 196
8.5 Roadmap 196
8.5.1 Interconnect technology trend 196
8.5.2 By interconnect density and technology node 197
8.5.3 By reticle size 197
8.5.4 By front-end vs back-end 198
8.5.5 By 2.5D and 3D Technology Trends 198
8.5.6 By I/O density, I/O pitch and package size 199
8.6 Commercialized Products 199
8.6.1 3D Memory 200
8.6.2 GPU 200
8.6.2.1 Nvidia 200
8.6.2.2 AMD 200
8.6.2.3 Intel 201
8.6.3 AI ASICs 201
8.6.3.1 Intel 201
8.6.3.2 Google 201
8.6.3.3 Amazon 202
8.6.3.4 Microsoft 202
8.6.3.5 Huawei 202
8.6.3.6 Meta 202
8.6.4 CPU 202
8.6.4.1 AMD 203
8.6.4.2 Amazon 203
8.6.4.3 Intel 203
8.6.4.4 Nvidia 204
8.6.5 Networking and CPO switches 204
8.6.5.1 Nvidia Quantum-X and Spectrum-X Photonics 204
8.6.5.2 Broadcom Tomahawk CPO (Bailly / Davisson) 205
9 MARKET PLAYERS 206
9.1 Integrated Device Manufacturers 206
9.2 Outsourced Semiconductor Assembly and Test (OSAT) Companies 207
9.3 Foundries 209
9.4 Electronics OEMs 212
9.5 Packaging Equipment and Materials Companies 214
10 MARKET CHALLENGES 216
11 COMPANY PROFILES 218
11.1 AaltoSemi 218
11.2 Absolic, Inc. 218
11.3 ACCRETECH (Europe) GmbH 219
11.4 Adeia, Inc. 220
11.5 Advanced Micro Devices, Inc. (AMD) 220
11.6 Ajinomoto 223
11.7 Analog Devices, Inc. (ADI) 224
11.8 Amkor Technology 225
11.9 Anmuquan Intelligent Technology (AMQ Intelligent) 227
11.10 Apple 227
11.11 Applied Materials 228
11.12 Ardentec Corporation 228
11.13 Arieca 229
11.14 ARM 230
11.15 ASE 230
11.16 ASMPT Ltd 232
11.17 Ayar Labs 232
11.18 Besi 233
11.19 Biren Technology 234
11.20 Blue Ocean Smart System 235
11.21 Brewer Science 236
11.22 Broadcom 237
11.23 BroadPak 238
11.24 Cadence Design Systems 239
11.25 Cambricon Technologies Co. 239
11.26 Capcon Semiconductor 240
11.27 CAS Microelectronics Integration 241
11.28 CD Micro-Technology 242
11.29 CEA-Leti 242
11.30 Cerebras 243
11.31 China Wafer Level CSP Co 244
11.32 Chipbond Technology Corporation 244
11.33 Chipletz 246
11.34 ChipMOS Technologies, Inc. 246
11.35 Coherent 247
11.36 Corning 248
11.37 Dai Nippon Printing (DNP) 248
11.38 Dewo Advanced Automation (DAA 249
11.39 Disco 250
11.40 Dupont 250
11.41 Ebara 251
11.42 Eliyan 252
11.43 EMC Semi-Conductor Technology 252
11.44 EPS Technology 253
11.45 Entegris 254
11.46 EV Group 254
11.47 GlobalFoundries 255
11.48 Global Unichip 256
11.49 Gloway 256
11.50 Goldenscope Tech 257
11.51 Gona Semiconductor Technology 257
11.52 Graphcore 258
11.53 Greatek Electronics Inc 259
11.54 Hangke Chuangxing (Aero Inno-Star) 259
11.55 Hanmi Semiconductor 260
11.56 HD Microsystems 261
11.57 HiSilicon 261
11.58 HLMC (Shanghai Huali Microelectronics Corporation) 262
11.59 Huatian Huichuang Technology (Xi'an) Co., Ltd. 263
11.60 Huawei 263
11.61 Ibiden 264
11.62 IBM 265
11.63 ICLeague Technology Co Ltd 266
11.64 IMEC 266
11.65 Indium Corporation 267
11.66 Infineon Technologies AG 268
11.67 Integra 268
11.68 Inari Amertron Berhad 269
11.69 Intel Corporation 270
11.70 JCET Group 272
11.71 Jiangsu IC Assembly & Test (ICAT) 273
11.72 Jingdu Semiconductor 274
11.73 Keyang Semiconductor (KYS) 274
11.74 King Yuan Electronics Co., Ltd. 275
11.75 Kioxia 275
11.76 KyLitho 276
11.77 Kyocera 276
11.78 Lam Research 277
11.79 Lapis Technology 277
11.80 LB Semicon Co Ltd 278
11.81 Leading Interconnect Semiconductor Technology 278
11.82 LG Innotek 279
11.83 Lidrotec GmbH 280
11.84 Lux Semiconductors 281
11.85 Malaysian Pacific Industries Berhad 281
11.86 Micron Technology, Inc. 282
11.87 Mediatek 282
11.88 Micross Components 283
11.89 Mitsubishi 284
11.90 National Center For Advanced Packaging China (NCAP China) 284
11.91 NEC 285
11.92 Nvidia Corporation 285
11.93 Nepes Corporation 286
11.94 Nippon Electric Glass (NEG) 287
11.95 Onsemi 288
11.96 Orient Semiconductor Electronics Ltd. 288
11.97 Panasonic 289
11.98 Plan Optik AG 290
11.99 Powertech Technology Inc. 291
11.100 Pragmatic Semiconductor 291
11.101 Qorvo 292
11.102 Renesas 293
11.103 Rigger Micro Technologies (RMT) 293
11.104 Rohm 294
11.105 Rong Semiconductor 294
11.106 Samsung Electronics 295
11.107 Samtec, Inc. 298
11.108 Schott AG 298
11.109 Sharp 299
11.110 Shinko Electric Industries 299
11.111 Showa Denko (Resonac) 300
11.112 Sigurd Microelectronics Corporation 301
11.113 Silicon Box 301
11.114 Siliconware Precision Industries (SPIL) 302
11.115 SJ Semiconductor 303
11.116 SK Hynix 304
11.117 Skywater 307
11.118 Sony Corporation 307
11.119 Starmask 308
11.120 STMicroelectronics 309
11.121 Suss Microtec 309
11.122 Synopsys 310
11.123 SZLQ Intelligence (Suzhou Lieqi Intelligent Equipment) 311
11.124 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) 311
11.125 Techsense International 314
11.126 Tezzaron Semiconductor 314
11.127 Tokyo Electron (TEL) 315
11.128 Tongfu Microelectronics Co., Ltd. 315
11.129 Toppan 316
11.130 Toray 317
11.131 Texas Instruments 317
11.132 Tokyo Electron 318
11.133 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. 319
11.134 Tong Hsing Electronic Industries, Ltd. 320
11.135 Toshiba 320
11.136 Tower Semiconductor 321
11.137 Unimicron 322
11.138 Unisem 322
11.139 UTAC Group 323
11.140 Walton Advanced Engineering Inc. 324
11.141 Winstek Semiconductor Technology Co., Ltd. 324
11.142 Xinhe Semiconductor 325
11.143 Yibu Semiconductor 326
11.144 Yuehai Integrated 326
12 RESEARCH METHODOLOGY 327
13 REFERENCES 328
List of Tables/Graphs
List of Tables
Table 1. Evolution of semiconductor packaging. 22
Table 2. Summary of key advanced semiconductor packaging approaches. 25
Table 3. Key Technology Trends in Advanced Semiconductor Packaging. 28
Table 4. Market Growth Drivers for advanced semiconductor packaging. 29
Table 5. Challenges Facing Advanced Packaging Adoption. 30
Table 6. Challenges in transistor scaling. 38
Table 7. Leading-edge logic node roadmap, 2026–2030. 38
Table 8. Use cases and benefits of using chiplets in semiconductor design. 43
Table 9. Specifications of interconnection methods. 46
Table 10. Interconnection technique in semiconductor packaging 47
Table 11. Passive vs active interposer. 48
Table 12. Interposer technology comparison 49
Table 13. Technical challenges of glass interposer 50
Table 14. Different Interposer material comparison 50
Table 15. Comparative benchmark overview table of key semiconductor interconnection technologies 51
Table 16. Die-to-die I/O approaches compared 52
Table 17. Fan-out packaging process overview. 56
Table 18. Comparison between mainstream silicon dioxide (SiO2) and leading organic dielectrics for electronic interconnect substrates. 59
Table 19. Benefits of glass in 2.5D glass-based packaging. 61
Table 20. Through-glass-via (TGV) formation methods compared. 63
Table 21. Comparison between key properties of glass and polymer molding compounds commonly used in semiconductor packaging applications. 66
Table 22. Challenges of glass semiconductor packaging. 67
Table 23. Comparison between silicon, organic laminates and glass as packaging substrates. 68
Table 24. Through-glass-via (TGV) formation methods compared (insert after Table 16) 69
Table 25. 2.5D vs. 3D packaging. 69
Table 26. 2.5D packaging challenges. 70
Table 27. Market players in 2.5D packaging. 71
Table 28. Glass substrate/packaging supplier landscape (2026). 71
Table 29. Advantages and disadvantages of 3D packaging. 73
Table 30. W2W vs D2W vs Collective D2W – Process and Comparison. 75
Table 31. 3D Stacking Trends - Direct Molecular Bonding Technologies. 76
Table 32. 3D interconnect trends 78
Table 33. Hybrid bonding Advantages and Challenges. 78
Table 34. Hybrid Bond Timeline for Chip Makers and Equipment Makers. 79
Table 35. Comparison between 2.5D, 3D micro bump, and 3D hybrid bonding. 81
Table 36. Challenges in scaling bumps. 84
Table 37. Key methods for enabling copper-to-copper (Cu-Cu) hybrid bonding in advanced semiconductor packaging: 85
Table 38. Micro bumps vs Cu-Cu bumpless hybrid bonding. 85
Table 39. Panel-level packaging format scaling. 88
Table 40. Benefits of Wafer-Level Packaging. 88
Table 41. Types of wafer level packaging. 89
Table 42. Key trends shaping wafer level packaging. 104
Table 43. Packaging approaches utilized for assembling System-in-Package modules. 110
Table 44. Considerations for integrating key component categories into system-in-package (SiP) modules/ 112
Table 45. Key factors driving adoption of heterogeneous integration through SiPs and multi-die packages. 112
Table 46. Key trends influencing adoption of System-in-Package modules. 113
Table 47. System-in-package (SiP) module applications. 115
Table 48. Co-packaging approaches 118
Table 49. Type of couplers 119
Table 50. CPO advantages and limitations 120
Table 51. Technologies offered by companies 120
Table 52. Comparison between heterogeneous 3D integration and monolithic 3D integration. 124
Table 53. Key 2D materials in monolithic 3D integrated circuits. 124
Table 54. Benefits of monolithic 3D ICs. 125
Table 55. Challenges of monolithic 3D ICs. 126
Table 56. Advanced semiconductor packaging trends by market. 131
Table 57. Design requirements in advanced packaging, by market. 135
Table 58. TIM candidate benchmark 151
Table 59. Wide-bandgap power semiconductors compared. 158
Table 60. Global market for Advanced semiconductor packaging, 2027-2037, by packaging type, (billions USD). 190
Table 61. Global market for Advanced semiconductor packaging, 2020-2035, by Units & Wafers, (billions USD). 190
Table 62. Global market for Advanced semiconductor packaging, 2027-2035, by end use market (billions USD). 191
Table 63. Global market for advanced semiconductor packaging, 2027–2037, by region (billions USD) 192
Table 64. 3D SoC market, 2027–2037 (billions USD) 192
Table 65. 3D stacked memory (HBM) packaging market, 2027–2037 (billions USD) 193
Table 66. UHD FO / RDL interposer market, 2027–2037 (billions USD) 193
Table 67. 2.5D interposer market, 2027–2037 (billions USD) 193
Table 68. Large-format 2.5D / CoWoS roadmap. 194
Table 69. Embedded Si bridge market, 2027–2037 (billions USD) 194
Table 70. Interconnect technology trend 197
Table 71. Roadmap By interconnect density and technology node 197
Table 72. Roadmap By reticle size 198
Table 73. Roadmap front-end vs back-end 198
Table 74. Roadmap By 2.5D and 3D Technology Trends 199
Table 75. Roadmap By I/O density, I/O pitch and package size 199
Table 76. Main Global Wafer Foundry Companies 2023. 211
Table 77. Market challenges for advanced semiconductor packaging. 216
Table 78. AMD AI chip range. 221
Table 79. Intel's products that adopt 3D FOVEROS. 271
List of Figures
Figure 1. Timeline of different packaging technologies. 23
Figure 2. Evolution roadmap for semiconductor packaging. 25
Figure 3. Semiconductor Supply Chain. 27
Figure 4. Advanced packaging supply chain. 28
Figure 5. Scaling technology roadmap. 38
Figure 6. Wafer-level chip scale packaging (WLCSP) 40
Figure 7. Embedded wafer-level ball grid array (eWLB). 41
Figure 8. Fan-out wafer-level packaging (FOWLP). 42
Figure 9. Chiplet design. 43
Figure 10. Chiplet SoC. 45
Figure 11. 2D chip packaging. 53
Figure 12. Typical structure of 2.5D IC package utilizing interposer. 54
Figure 13. Fan-out chip-first process flow and Fan-out chip-last process flow. 58
Figure 14. Manufacturing process for glass interposers. 64
Figure 15. 3D Glass Panel Embedding (GPE) package. 66
Figure 16. 3D stacking supply chain. 82
Figure 17. Typical FOWLP structure. 92
Figure 18. System-in-Package (SiP) for HI. 107
Figure 19. 2.5D chiplet integration. 110
Figure 20. Advanced packaging supply chain. 129
Figure 21. Packaging of sensors used in advanced driver assistance systems (ADAS) and autonomous driving. 158
Figure 22. Absolic glass substrate. 219
Figure 23. AMD Radeon Instinct. 221
Figure 24. AMD Ryzen 7040. 221
Figure 25. Alveo V70. 222
Figure 26. Versal Adaptive SOC. 222
Figure 27. AMD’s MI300 chip. 222
Figure 28. 12-layer HBM3. 305
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