世界各国のリアルタイムなデータ・インテリジェンスで皆様をお手伝い

メモリとストレージ技術の世界市場 2026-2036年

メモリとストレージ技術の世界市場 2026-2036年


The Global Memory and Storage Technology Market 2026-2036

世界のメモリ・ストレージ技術市場は、人工知能、ハイパフォーマンス・コンピューティング、次世代データインフラからの爆発的な需要に牽引され、2036年には4,000億ドルを超えると予測され、大幅な... もっと見る

 

 

出版社 出版年月 電子版価格 納期 ページ数 図表数 言語
Future Markets, inc.
フューチャーマーケッツインク
2025年6月30日 GBP1,200
シングルユーザーライセンス
ライセンス・価格情報
注文方法はこちら
PDF:3-5営業日程度 379 259 英語

 

サマリー

世界のメモリ・ストレージ技術市場は、人工知能、ハイパフォーマンス・コンピューティング、次世代データインフラからの爆発的な需要に牽引され、2036年には4,000億ドルを超えると予測され、大幅な拡大が見込まれている。2022~2023年の深刻な景気後退から回復した後、業界は2025年に2,000億ドルを超える記録的な収益を達成し、AIワークロードによって根本的に形を変えた持続的な成長軌道の幕開けとなった。
 
高帯域幅メモリー(HBM)は、市場で最もダイナミックなセグメントとして浮上している。AIのトレーニングや推論アプリケーションはかつてないメモリ帯域幅を要求するため、DRAM市場全体に占めるHBMのシェアは10年後までに50%に達すると予想される。サムスン、SKハイニックス、マイクロンをはじめとする大手メーカーは、HBM3Eの生産を積極的に拡大しており、次世代HBM4テクノロジーはさらなる性能向上を約束しています。NANDフラッシュ技術は、3Dスケーリングの革新を通じて進化を続けており、各メーカーは先進的なCMOSボンデッドアレイ(CBA)アーキテクチャを使用して300層を超えようとしています。YMTCのXtacking 4.0技術や業界のペンタレベルセル(PLC)ストレージへの移行は、この分野の絶え間ない密度向上を示している。一方、磁気抵抗RAM(MRAM)、抵抗RAM(ReRAM)、強誘電体RAM(FeRAM)などの新興メモリー技術は、特に組み込みアプリケーションやエッジ・コンピューティング・デバイスで商業的な牽引力を増している。
 
中国のメモリーメーカーは、YMTCが294層の3D NAND生産を達成し、CXMTが国産DDR5モジュールの発売に成功するなど、競争力学を根本的に変えつつある。中国のメモリー市場シェアは消費者向け、企業向けともに拡大を続けており、世界のトップ企業はプレミアム製品の開発と先端技術の採用を加速する必要に迫られている。米国の輸出規制が続いているにもかかわらず、JHICCは生産能力を増強し、SwaySure Technologyのような新規参入企業は国内サプライチェーンを強化するなど、中国企業は目覚ましい技術進歩を示している。
 
データセンターとクラウド・インフラは最大の成長ドライバーであり、AI/MLワークロードに最適化された高度化するストレージ・ソリューションを消費している。ハイパースケール環境における従来のHDDに対するQLC SSDの経済的優位性は、ストレージ階層を再構築しており、10PBのQLC導入は、従来の階層型ストレージ・アーキテクチャに比べて3,000万ドル以上のコスト削減を実現している。エッジコンピューティングと自動車アプリケーションは、自律走行車とIoTデバイスが高性能で信頼性の高いメモリソリューションを必要とするため、さらなる需要ベクトルを生み出しています。従来のプレーナー技術が物理的な限界に近づいているため、業界はスケーリングの課題に直面しています。3D DRAM アーキテクチャ、縦型トランジスタ設計、および新しいセル構造は、2030 年以降の重要な技術的道筋となります。ウエハー・ツー・ウエハー・ボンディングやチップレット・インテグレーションなどの先進的なパッケージング技術革新は、製造の複雑さを管理しながら、継続的な性能向上を可能にします。
 
エネルギー効率の高い設計や循環型経済への取り組みに投資するメーカーを中心に、環境の持続可能性がますます技術開発に影響を及ぼすようになっている。地政学的緊張は引き続きグローバル・サプライチェーンを再構築し、長期的な市場ダイナミクスに影響を与える地域化傾向と技術移転規制を促進する。2036年までのメモリー・ストレージ技術市場は、AIの普及、技術的ブレークスルーの達成、進化する競争環境に牽引される根本的な変革を意味する。成功のためには、複雑なスケーリングの課題を克服しながら、あらゆる市場セグメントにわたる次世代コンピューティング・アプリケーションからの爆発的な需要を活用する必要があります。
 
世界のメモリとストレージ技術市場 2026-2036」は、急速に進化するメモリとストレージの展望を洞察し、2036年までの業界の変革をナビゲートする技術リーダー、投資家、戦略的意思決定者に重要な分析を提供します。
レポート内容は以下の通りです: 
 

市場予測と技術セグメンテーション

  • 2026年~2036年の世界市場収益予測(技術別、用途別、地域別の詳細な内訳付き) 高帯域幅メモリ(HBM)の成長軌跡、DDRの進化、モバイルメモリの動向を含むDRAM市場分析
  • 企業向け、コンシューマー向け、QLCやSSDなどの新興セル技術を含むNANDフラッシュとSSDの市場予測、QLCおよびPLCの開発を含む、企業向けおよび新興のセル技術
  • エネルギーアシスト記録技術(HAMR/MAMR)の採用スケジュールを含む、ハードディスクドライブ市場の進化
  • 組み込み型およびスタンドアロン型アプリケーションにおける、MRAM、ReRAM、FeRAM、PCMの新興メモリ技術市場サイジング

先端技術分析とロードマップ:

  • プレーナースケーリングの課題から3Dアーキテクチャ開発までの詳細なDRAM技術の進展
  • CMOSボンディングおよび垂直トランジスタ実装を含む高度集積技術
  • 3Dスタッキング、熱管理、およびプロセッサ統合戦略をカバーするHBM技術の進化
  • CBAおよびXtacking技術実装による300層を超えるNANDフラッシュのスケーリング分析
  • 性能ベンチマークおよび商業化スケジュールを含む包括的な新興メモリ技術の比較

サプライチェーンおよび製造インテリジェンス:

  • 設備投資動向を含む技術別および地域別のグローバル製造能力分析
  • 技術ノードの移行戦略と歩留まり学習曲線の最適化
  • 重要な製造ツールと材料を網羅する装置サプライヤー分析
  • 中国のメモリ産業の発展と貿易制限の影響を含む地域市場ダイナミクス

アプリケーション別市場分析:

  • LLMインフラのスケーリングを含むAIと機械学習メモリ要件
  • QLC SSD経済分析によるデータセンターとクラウドストレージの進化
  • ADASレベルと自律走行車ストレージアーキテクチャをカバーする車載メモリシステム
  • 産業用および民生用アプリケーションにわたるエッジコンピューティングとIoTメモリソリューション
  • マイクロコントローラ、SoC、先端半導体アプリケーション向けの組み込みメモリ分析

戦略的ビジネスインテリジェンス

  • 3Dスタッキングやチップレットアーキテクチャを含む高度なパッケージングおよび統合技術
  • 商用製品分析によるプロセッシング・イン・メモリおよびコンピューテーショナル・ストレージの開発
  • 技術ライフサイクルにわたる持続可能性と環境への影響評価
  • 過去のトレンドと将来予測モデルによる包括的な価格分析
  • 量子メモリやニューロモーフィックメモリを含む画期的な技術研究による2036年までの技術ロードマップ

企業インテリジェンスと市場ポジショニング:

  • 3D Plus、4DS Memory、Adata Technology、Advantest Corporation、AMD (Advanced Micro Devices)、Ambiq Micro、Amkor Technology、ANAFLASH、AP Memory、Apacer Technology、Applied Materials、ASE Group、ASM International、ASML Holding、Atomera、Avalanche Technology、Axelera AI、BeSang Inc、Besi(BE半導体)、Celestial AI、Cerebras Systems、Crocus Nanoelectronics、Crossbar Inc、CXMT (ChangXin Memory Technologies), d-Matrix, Dosilicon, eMemory, ESMT (Elite Semiconductor), Etron Technology, Everspin Technologies, Expedera, Ferroelectric Memory Company, Floadia Corporation, Fudan Microelectronics, Giantec Semiconductor, GigaDevice Semiconductor, GlobalFoundries, Google LLC, Graphcore, Groq, GSI Technology, Gwanak Analog Co.Ltd.、Hailo、Hefei Reliance Memory、HFC (Hefei Core Storage)、HHGrace、Hikstor、日立製作所、Houmo.ai、IBM Corporation、IMEC、Infineon Technologies、Innostar Semiconductor、Innovation Memory、Inston Inc、インテル コーポレーション、Intelligent Hardware Korea (IHWK)、Intelligent Memory、Intrinsic Semiconductor Technologies、ISSI (Integrated Silicon Solution)、JCET Group、JHICC (Jinhua Integrated Circuit)、JONSPIN Road、Kingston Technology、Kioxia Corporation、Kneron Inc、Lam Research、Longsys Electronics、LQUOM、Luminous Computing、Lyontek Inc.、Macronix International、Marvell Technology、Maxio Technology、MediaTek Inc.、Microchip Technology、Micron Technology、MonolithIC 3D、Montage Technology、Mythic、Nantero Inc、Nanya Technology, NEC Corporation, Neo Semiconductor, NetList Inc., Netsol, Neumonda, NeuroBlade, NGD Systems, NTT, Numem Inc., Numemory, Nuvoton Technology, Nvidia, Onto Innovation, and more......など
 

 



ページTOPに戻る


目次

1 EXECUTIVE SUMMARY 28

1.1 レポート概要と主要調査結果 28
1.2 2026~2036年の市場規模と成長予測 28
1.3 技術ロードマップとイノベーション動向 30
1.4 市場ダイナミクスと貿易への影響 33
1.5 投資と市場展望 35

2 INTRODUCTION 38

2.1 世界のメモリ・ストレージ技術概況 38
2.1.1 市場の定義と範囲 38
2.1.2 歴史的市場の進化 (2019-2025) 38
2.1.3 現在の市場規模と構造 39
2.1.4 技術分類の枠組み 39
2.1.5 バリューチェーン分析 40
2.1.6 市場の推進要因と阻害要因 40
2.2 コンピューティングアーキテクチャーの進化 41
2.2.1 最新のコンピューティングシステムにおけるメモリー階層構造 41
2.2.2 データ増大がストレージ要件に与える影響 42
2.2.3 エネルギー消費の課題 43
2.2.4 性能ボトルネックとメモリウォールへの挑戦 44
2.3 AI とメモリ技術 45
2.3.1.1 HBM スタック 45
2.3.1.2 GDDR 45
2.3.1.3 SRAM 46
2.3.1.4 STT-RAM 46
2.3.1.5 ReRAM 46
2.4 エンドマーケット分析 49
2.4.1 データセンターとクラウド・インフラ 49
2.4.2 高性能コンピューティング(HPC)とAIアプリケーション 50
2.4.3 モバイルとコンシューマー・エレクトロニクス 50
2.4.4 自動車と産業用アプリケーション 51
2.4.5 エッジコンピューティングとIoTデバイス 52
2.4.6 エンベデッドシステムとマイクロコントローラ 52
 

3 市場予測(2026~2036年) 54

3.1 市場予測 54
3.1.1 収益別世界市場規模(USD Billion) 54
3.1.2 技術セグメント別市場規模 55
3.1.3 アプリケーションセグメント別市場規模 56
3.1.4 地域別市場分布 58
3.2 DRAM市場予測 60
3.2.1 DRAM総市場予測 60
3.2.2 DDRメモリの進化と採用 60
3.2.3 高帯域幅メモリ(HBM)の成長 61
3.2.4 LPDDRとモバイルメモリの動向 62
3.3 NANDフラッシュとSSDの市場予測  62
3.3.1 NAND総市場の予測 62
3.3.2 SSDセルタイプの進化(SLC、TLC、QLC、PLC) 64
3.3.3 企業向けとデータセンター向けSSDの成長 64
3.3.4 消費者向けとクライアント向けSSD市場 65
3.4 ハードディスクドライブ(HDD)の市場予測 66
3.4.1 HDDの用途別市場規模 66
3.4.2 容量と技術ロードマップ 66
3.4.3 エネルギー補助記録技術 67
3.5 クラウドとデータセンター・ストレージの予測 68
3.5.1 クラウドストレージの総市場規模 68
3.5.2 ハイパースケールとエンタープライズ需要 69
3.5.3 ストレージ階層化とアーキテクチャの進化 70
3.6 エッジコンピューティング・ストレージの予測 70
3.6.1 エッジ・ストレージ市場規模 70
3.6.2 IoTと産業用エッジ・アプリケーション 71
3.6.3 自動車用ストレージ要件 71
3.7 AIとHPCメモリ/ストレージの予測 74
3.7.1 AI/HPCメモリ要件 74
3.7.2 トレーニングと推論ワークロードの需要 74
3.7.3 アクセラレータ・メモリ・ソリューション 75
3.8 新興メモリ技術の予測 76
3.8.1 新興NVM市場規模合計 76
3.8.2 組み込み型アプリケーションとスタンドアロン型アプリケーション 78
3.8.3 技術別予測 80
3.8.3.1 MRAM 80
3.8.3.2 ReRAM 81
3.8.3.3 FeRAM 82
3.8.3.4 PCM 83
 

4 DRAM 技術分析とロードマップ 84

4.1 従来の DRAM のスケーリングと課題 84
4.1.1 プレーナー DRAM ノードの進展(1αから 0d) 85
4.1.2 スケーリングの限界と物理的課題 85
4.1.3 セル設計の進化と 6F2 から 4F2 への移行 86
4.1.4 プロセス技術の改善 87
4.2 3D DRAM アーキテクチャの開発 87
4.2.1 3D DRAM の統合経路 87
4.2.2 水平キャパシタ設計(1T-1C) 88
4.2.3 キャパシタレスソリューション(2T0C、1T フローティングボディ) 89
4.2.4 ゲインセルとフローティングボディの実装  90
4.3 CMOS ボンディングと高度な統合 91
4.3.1 ウェハ間ボンディング技術 91
4.3.2 垂直トランジスタ(VT)の実装 92
4.3.3 DRAM 向け CMOS ボンディングアレイ(CBA) 93
4.3.4 マルチウェーハボンディングの課題 94
4.4 高帯域幅メモリ(HBM)技術 95
4.4.1 HBM 世代の進化(HBM3E から HBM4+) 95
4.4.2 3 次元積層技術と TSV の実装 96
4.4.3 パッケージングの革新とハイブリッドボンディングの移行  97
4.4.4 熱管理と電力供給 98
4.4.5 HBMとプロセッサーおよびGPUとの統合 99
 

5 NANDフラッシュ技術の分析とロードマップ 101

5.1 3D NANDのスケーリングとレイヤー数の進化 101
5.1.1 メーカーによるレイヤースタッキングの進展 102
5.1.2 300レイヤーを超えるスケーリングの課題 103
5.1.3 アスペクト比の限界と解決策 103
5.1.4 製造プロセスの複雑さ 104
5.2 CMOSボンディングアレイ(CBA)とXtacking技術 104
5.2.1 YMTC による Xtacking アーキテクチャ 105
5.2.2 Kioxia と SanDisk の CBA 実装 106
5.2.3 Samsung と SK hynix のボンディングアプローチ 107
5.2.4 500 層以上のスケーリングを実現するマルチウェーハボンディング 108
5.3 マルチレベルセル技術の進化 109
5.3.1 TLC から QLC への移行と市場導入 109
5.3.2 ペンタレベルセル(PLC)の開発 109
5.3.3 セルの信頼性と耐久性の課題 110
5.3.4 エラー訂正と信号処理 110
5.4 NANDインタフェースとフォームファクタの進化 111
5.4.1 PCIe世代の進行(Gen4からGen6+) 112
5.4.2 EDSFFとエンタープライズフォームファクタの移行  112
5.4.3 NVMeプロトコルの開発 113
5.4.4 CXLとメモリセマンティックプロトコル 114
5.5 先端NAND技術 114
5.5.1 Compute-in-Memory NAND(Macronix CiM) 115
5.5.2 AI最適化NANDソリューション 115
5.5.3 ストレージクラスメモリNAND 116
 

6 新興メモリ技術 117

6.1 磁気抵抗RAM(MRAM)技術 117
6.1.1 STT-MRAMとSOT-MRAM技術の比較 117
6.1.2 スピントランスファートルク(STT)MRAMの開発 118
6.1.3 スピン・オービット・トルク(SOT)MRAMイノベーション 118
6.1.4 VCMA-MRAMと先進スイッチング機構  119
6.1.5 先進ノード向け組み込み型MRAM(eMRAM) 120
6.2 MRAMアプリケーションと市場開発  120
6.2.1 ディスクリートMRAM製品 120
6.2.2 車載用MRAMアプリケーション 121
6.2.3 エッジAIおよびIoT MRAMソリューション 122
6.2.4 航空宇宙および防衛 MRAM  123
6.3 抵抗性RAM(ReRAM/RRAM)技術 123
6.3.1 酸化物ベースのReRAM技術 123
6.3.2 導電性ブリッジRAM(CBRAM) 124
6.3.3 セレクタ・デバイスの統合 125
6.3.4 クロスバー・アレイ・アーキテクチャ 125
6.4 ReRAM の開発と応用 126
6.4.1 Weebit Nano SiOx ReRAM 技術 126
6.4.2 Crossbar Inc.高密度 ReRAM 127
6.4.3 4DSメモリーインターフェーススイッチングReRAM128
6.4.4 ファウンドリーReRAMインテグレーション(TSMC、GlobalFoundries) 129
6.5 強誘電体RAM(FeRAM)技術 129
6.5.1 従来のPZTベースのFeRAM 129
6.5.2 HfO?ベースの強誘電体技術 130
6.5.3 強誘電体FET(FeFET)の開発 131
6.6 相変化メモリ(PCM)技術 131
6.6.1 PCM材料システムと最適化 131
6.6.2 3D XPoint技術のレガシー(Intel Optane) 132
6.6.3 マイクロコントローラ向け組み込みPCM(ePCM) 133
6.6.4 ニューラルネットワークアプリケーション向けPCM 134
6.7 次世代メモリアーキテクチャ 135
6.7.1 NRAMとカーボンナノチューブメモリ  135
6.7.2 CeRAM と先進強誘電体ソリューション 136
6.7.3 SOT-MRAM と VCMA メモリ開発 136
6.8 新興メモリ技術の比較 138
6.8.1 性能ベンチマークマトリックス 142
6.8.2 アプリケーション適合性分析  151
6.8.3 技術の準備と商業化スケジュール 155
6.8.4 コストと拡張性の予測 159

7 サプライチェーンと製造分析 163

7.1 世界のサプライチェーンマッピング 163
7.1.1 メモリ製造エコシステム 163
7.1.2 主要メモリメーカー 163
7.1.3 中国のメモリ企業 164
7.1.4 新興メモリ技術企業 165
7.1.5 装置・材料サプライヤー 166
7.1.6 組立・テストサービス(OSAT) 167
7.1.7 原材料・化学品供給 168
7.2 製造能力と投資 172
7.2.1 世界の技術別・地域別ウェハ生産能力 172
7.2.2 ファブの稼働率と投資動向 174
7.2.3 次世代ファブの要件 176
7.3 技術ノードの移行と歩留まり 179
7.3.1 DRAMノードの進行と歩留まりの学習 179
7.3.2 NAND層数のスケーリングと製造 180
7.3.3 新興メモリの製造統合 181
7.3.4 技術別コスト構造の進化 181
 

8 地域別市場分析 182

8.1 中国メモリ産業の発展 182
8.1.1 中国メモリ市場の規模と成長 182
8.1.2 YMTCの技術進捗とロードマップ 183
8.1.3 CXMT DRAMの発展と市場への影響 183
8.1.4 中国メモリサプライチェーンの現地化 184
8.2 貿易規制と地政学的影響 185
8.2.1 米中貿易戦争がメモリ産業に与える影響 185
8.2.2 技術移転における輸出規制の影響 185
8.2.3 サプライチェーンの地域化動向 186
8.2.4 2025年の関税情勢とリスク評価 186
8.3 地域市場ダイナミクス 187
8.3.1 北米 187
8.3.2 欧州 188
8.3.3 アジア太平洋 188

9 応用 189

9.1 AI・機械学習メモリソリューション 189
9.1.1 大言語モデル(LLM)メモリ要件 189
9.1.2 AIトレーニング基盤のメモリスケーリング 190
9.1.3 AI 推論メモリの最適化 190
9.1.4 ニューロモーフィックコンピューティングメモリ要件 191
9.2 データセンターとクラウドストレージの進化 192
9.2.1 ハイパースケールデータセンターストレージアーキテクチャ  192
9.2.2 QLC SSD 対 HDD 経済分析 193
9.2.3 ストレージクラスメモリ(SCM)の統合 194
9.2.4 計算ストレージの開発 194
9.3 車載用メモリとストレージシステム 195
9.3.1 ADASレベル195による自動車メモリの進化
9.3.2 自律走行車用車載ストレージ 196
9.3.3 車載グレードメモリの信頼性 196
9.3.4 電気自動車用メモリアプリケーション 197
9.3.5 産業用IoTメモリ 198
9.3.6 スマートシティインフラストラクチャ用ストレージ 199
9.3.7 ウェアラブル・モバイルデバイス用メモリ 199
9.4 先端アプリケーション用組込みメモリ 200
9.4.1 マイコン組込みメモリの進化 200
9.4.2SoCとASIC組込みメモリ要件201
9.4.3 イメージングとAR/VRメモリ 201
9.4.4 セキュリティと暗号メモリアプリケーション 202
9.4.5 組み込みSRAMとeFlashの市場分析 203
9.4.6 垂直市場別のMCUメモリ要件 204
 

10 先進的なパッケージングと統合技術 206

10.1 3D統合とパッケージングイノベーション 206
10.1.1 貫通電極(TSV)技術 206
10.2ウェハレベルパッケージング(TSV)206
10.1.3 チップレットアーキテクチャとメモリ集積 207
10.1.4 先端基板技術 208
10.2 ハイブリッドボンディングと先端アセンブリ 209
10.2.1 銅-銅ハイブリッドボンディング 209
10.2.2 3D集積のためのダイレクトウェーハボンディング 210
10.2.3 ファンアウトウェーハレベルパッケージング(FOWLP) 210
10.2.4 システムインパッケージ(SiP)メモリソリューション 211
10.3 プロセッシング・イン・メモリとニアメモリ・コンピューティング 212
10.3.1 DRAM ベースのプロセッシング・イン・メモリ 212
10.3.2 NAND コンピューティング・イン・メモリ・ソリューション  212
10.3.3 ニアデータ・コンピューティング・アーキテクチャ 213
10.3.4 アクセラレータ・イン・メモリ・ソリューション 214
10.3.5 市販のPiMとCiSソリューション 215
10.3.6 最近のPiM製品の発表と仕様 215
10.3.7 LLM最適化メモリ・ソリューション 216
 

11 持続可能性と環境への影響 218

11.1 メモリー技術の環境フットプリント 218
11.1.1 技術別のカーボンフットプリント分析 218
11.1.2 製造における水と化学物質の使用  9
11.1.3 エネルギー効率の進化 219
11.1.4 持続可能な製造への取り組み 220
11.2 循環経済と使用済み製品管理 220
11.2.1 メモリー製品のライフサイクル分析 220
11.2.2 重要な材料の回収とリサイクル 221
11.2.3 持続可能性への取り組みに向けた設計 221
11.2.4 拡大生産者責任 222
 
 

12 価格分析と経済モデル 224

12.1 過去の価格動向と現在の価格動向 224
12.1.1 DRAM の価格サイクルとボラティリティ 224
12.1.2 NAND フラッシュの価格進化 224
12.1.3 HBM プレミアム価格分析  225
12.1.4 新興メモリの価格ダイナミクス 225
12.2 コスト構造と経済性 226
12.2.1 メモリ製造コストの内訳 226
12.2.2 技術開発とR&Dコスト 227
12.2.3 規模経済とファブ利用 227
12.3 将来の価格予測とモデル  228
12.3.1 技術コストロードマップ 2026-2036 228
12.3.2 需給価格弾力性 229
12.3.3 新興メモリ価格引き下げスケジュール 229
12.3.4 先端ソリューションのバリューベース価格設定 229
 

13 技術ロードマップと今後の展開 231

13.1.1 2036 年までのメモリー技術ロードマップ 231
13.1.2 性能と密度のスケーリング予測  231
13.1.3 電力効率の進化 232
13.1.4 信頼性と耐久性の向上 232
13.2 ブレークスルー技術と研究 233
13.2.1 量子メモリーとストレージコンセプト 233
13.2.2 DNA ストレージ技術開発 233
13.2.3 フォトニックメモリーソリューション 234
13.2.4 ニューロモーフィックメモリーアーキテクチャ 234
13.3 システムレベル統合の進化 235
13.3.1 メモリーセントリックコンピューティングアーキテクチャ 235
13.3.2 インメモリーデータベース技術 236
13.3.3 エッジAIメモリーシステムの統合 236
13.3.4 自律システムメモリーアーキテクチャ 237
 
 

14 企業のプロフィール 238 (164社プロファイル)

15 付録 360

15.1 方法論 360
15.2 技術仕様と基準 362
15.2.1 DRAM 技術仕様 362
15.2.2 NAND フラッシュ技術仕様 362
15.2.3 仕様 363
15.2.4 新興メモリ技術の仕様 363
15.2.5 業界基準とプロトコル 364
15.3 技術用語集と定義 365
 

16 参考文献 376

 

ページTOPに戻る



図表リスト

表一覧

表1.市場規模と成長予測 2026-2036  29
表2.主要建築イノベーション年表 31
表3.ブレークスルー技術年表    32
表4.主要業界プレイヤーの投資コミットメント    35
表5.カテゴリー別投資額 36
表 6.地域別投資分布 37
表 7.2019~2025年の総市場規模 39
表8.メモリー&ストレージのバリューチェーン 40
表 9.メモリとストレージ技術市場の促進要因と抑制要因 40
表 10.現代のコンピューティング・システムにおけるメモリ階層 42
表 11.世界のデータ成長とストレージ需要 2026-2036 .43
表 12.メモリ/ストレージの消費電力動向 44
表 13.メモリ帯域幅とプロセッサ性能の進化 44
表 14.AI とメモリー技術 46
表 15.データセンターのメモリとストレージの要件(規模別) 49
表 16.AI/HPC のメモリ要件(ワークロード・タイプ別) 50
表 17.コンシューマーデバイスのメモリー進化 2026-2036  50
表 18.車載用メモリー・コンテンツの進化(車両タイプ別) 51
表19.車載用メモリー・コンテンツの進化(車両タイプ別)    52
表20.アプリケーション別エッジコンピューティング・ストレージ要件 52
表 21.テクノロジーノード別組み込みメモリ市場 53
表 22.メモリとストレージの世界市場収益予測 2026-2036  54
表23.技術別市場内訳(DRAM、NAND、HDD、新興NVM) 2026-2036  (億米ドル) 55
表24.エンドアプリケーション別市場区分 2026-2036  (億米ドル) 57
表 25.地域別市場内訳 2026-2036  (億米ドル) 58
表 26.DRAMの用途別市場規模(AI/HPC、データセンター、エッジ) 2026-2036  (億米ドル) 60
表27.HBMの販売台数と収益の予測 2026-2036  62
表28.モバイルDRAM市場:デバイスタイプ別 62
表29.SSD/NAND市場規模(アプリケーションセグメント別) 63
表30.エンタープライズSSD市場:フォームファクター・インターフェース別(10億ドル) 65
表31.クライアントSSD市場:インターフェース別(PCIe、SATA) 66
表32.HDD市場予測:エンドユーズセグメント別 2026-2036  66
表33.クラウド/データセンターストレージ市場:技術別(10億ドル) 68
表34.エッジストレージ市場:技術・用途別(10億ドル) 71
表35.エッジストレージの垂直市場別成長率 71
表 36.車載用メモリとストレージの市場予測(10億ドル) 72
表 37.AI/HPC サーバー用メモリとストレージ 74
表 38.モデルサイズとワークロード別の AI メモリ要件 74
表 39.GPUとアクセラレータのメモリ市場:技術別 75
表 40.新興メモリ市場:技術別(MRAM、ReRAM、FeRAM、PCM)、10億ドル 77
表41.最終用途市場別MRAM市場予測(10億ドル)、2026~2036年    80
表42.ReRAMの最終用途別市場予測(10億ドル)、2025~2036年  82
表43.FeRAMの最終用途別市場予測(10億米ドル)、2025~2036年  83
表44.PCMの最終用途別市場予測(10億ドル)、2025-2036年  84
表45.DRAM ノードの進展と技術的マイルストーン 85
表 46.テクノロジーノード別の DRAM スケーリング課題 86
表 47.DRAM セル設計の進化と面積スケーリング86
表 48.3D DRAM アーキテクチャのアプローチと実現可能性 88
表 49.キャパシタレス DRAM 技術比較 90
表 50.CMOS ボンディング技術の比較 91
表 51.メーカー別 CBA 実装スケジュール 94
表 52.HBMパッケージング技術の比較(μバンプ対ハイブリッド]98
表 53.HBM の熱管理ソリューション 99
表 54.プラットフォームタイプ別 HBM 統合アプローチ99
表 55.企業別3D NAND層数ロードマップ。102
表 56.3D NANDスケーリングの課題と解決策 103
表 57.層数別の3D NANDアスペクト比の課題 104
表58.YMTC Xtacking技術の進化(1.0~4.0+) 105
表59.CBA技術の実装比較107
表 60.主要プレイヤーのボンディング技術年表 107
表 61.NANDセルタイプの市場シェア推移 109
表62.技術別のNANDセル信頼性指標 110
表 63.PCIe の性能進化と SSD の採用 112
表 64.NVMe 機能の進化と性能への影響 113
表 65.次世代ストレージプロトコル 114
表 66.先進 NAND テクノロジー  114
表 67.CiM NANDテクノロジーの仕様 115
表 68.SCM NANDと従来のNANDの比較 116
表 69.MRAM技術の種類と特徴 117
表 70.SOT-MRAMとSTT-MRAMの性能比較 117
表 71.先進MRAMスイッチング技術 119
表 72. プロセスノード別eMRAM技術ロードマップ 120
表 73.Everspin社のMRAM製品ポートフォリオと仕様 121
表74.車載用MRAM市場:ECUタイプ別121
表75.エッジコンピューティングにおけるMRAMアプリケーション 122
表76.A&D MRAMの要件とソリューション 123
表 77.ReRAM材料システムと性能 124
表78.ReRAM技術のバリエーションとメカニズム125
表 79.ReRAM セレクタ技術と性能 125
表 80.Weebit Nano ReRAM ロードマップと仕様 127
表 81.クロスバー ReRAM 技術とアプリケーション 128
表 82.4DS メモリ ReRAM 技術特性 128
表 83.ファウンドリ ReRAM 技術プラットフォーム 129
表 84.従来のFeRAM技術の限界 130
表85.PCM 材料の特性と性能 132
表 86.STマイクロエレクトロニクスのePCM技術 134
表87.エッジAI用PCMウェイトストレージ135
表 88.NRAM技術の開発状況 135
表 89.次世代強誘電体メモリー技術136
表 90.先進MRAM技術の比較 137
表91.新興メモリ・アプリケーション・マッピング 138
表92.新興メモリ技術の性能マトリックス 142
表 93.アプリケーション適合性分析 151
表 94.新興メモリ技術の準備状況評価 155
表 95.主要メモリ企業 164
表 96.中国メモリエコシステム発展戦略 164
表 97.中国のメモリ企業 165
表 98.新興メモリー技術とプレーヤー 166
表 99.装置・材料サプライヤー 167
表 100.組立・テストサービス(OSAT)プレーヤー 167
表 101.メモリー製造に使われる原材料と化学物質の種類 168
表102.原材料と化学物質のサプライチェーン分析 171
表103.地域別・技術別のメモリー製造能力 172
表104.メモリー工場の生産能力と稼働率 174
表105.先進ノードファブの投資要件 176
表 106.3D NAND 層の微細化と歩留まりの課題 180
表 107.新興メモリファウンドリーの統合状況 181
表 108.技術別コスト構造の変遷 181
表 109.中国メモリ市場の進化と予測 183
表 110.YMTC 技術のマイルストーンと層数の変遷 183
表 111.CXMT DRAMの開発と市場への影響 184
表112.中国メモリサプライチェーンの発展状況 184
表 113.技術輸出規制と産業への影響 186 表 114.186
表 114.技術セグメント別関税影響分析 187
表 115.モデルサイズ別 LLM メモリ要件 189
表 116.AI推論メモリの用途別ソリューション 191
表 117.ニューロモーフィック・メモリのアーキテクチャと技術 191
表 118.QLC SSD 対 HDD 総所有コスト 193
表 119.SCM テクノロジーの選択肢とデータセンターの採用 194
表 120.計算ストレージのアーキテクチャと利点 195
表 121.車載メモリー要件(自律性レベル別) 195
表 122.車載メモリーの認定と規格 196
表 123.EV メモリの用途と要件 198
表 124.IIoT メモリ技術要件 198
表 125.スマートシティのストレージ用途と技術 199
表 126.SoC組み込みメモリ技術動向 201
表 127.画像システムのメモリー要件 202
表 128.セキュリティICメモリ技術要件 203
表129.組み込みメモリ市場:テクノロジー別、アプリケーション別203
表130.MCU組み込みメモリのエンド市場別進化 204
表131.TSV技術の進化と応用 206
表132.先進メモリパッケージング向けWLP技術 207
表133.メモリチップレットアーキテクチャの利点と課題 207
表 134.次世代メモリーパッケージ基板 208
表 135.ハイブリッドボンディングと従来の相互接続の比較 210
表 136.ウェーハボンディングプロセスの流れと課題210
表 137.メモリーアプリケーション向けFOWLP技術211
表 138.PiM DRAM 技術開発 212
表 139.ニアメモリーコンピューティング技術の比較 214
表 140.市販 PiM ソリューションの比較 215
表 141.メモリ技術のライフサイクル カーボン フットプリント 218
表 142.メモリ ファブの環境影響指標 219
表 143.メモリ技術のエネルギー効率動向 219
表 144.業界の持続可能性プログラムと目標220
表 145.メモリ製品のライフサイクルとリサイクル 221
表 146.重要材料のリサイクル率と目標 221 表 147.221
表 147.持続可能なメモリ設計原則 222
表 148.EPR プログラムと業界のコンプライアンス 222
表 149.DRAM 価格の歴史と変動性分析 224
表 150.密度および技術別の NAND 価格動向 225
表 151.HBM 対標準 DRAM 価格プレミアムの推移 225
表 152.技術別メモリ製造コスト構造 226
表 153.メモリ技術の開発コスト動向 227
表 154.歩留まり学習曲線とコストへの影響 227
表 155.メモリ工場規模の経済性分析 227
表 156.ノード別メモリー技術コスト予測 228
表 157.メモリ市場のセグメント別価格弾力性 229
表 158.新興メモリのコスト削減予測 229
表 159.メモリのバリューベース価格モデル 230
表 160.量子メモリ技術の研究状況 233
表 161.フォトニックメモリ技術の展望 234
表 162.エッジ AI メモリシステム要件 237
表 163.包括的なDRAM技術の仕様 362
表 164.3D NAND技術の詳細仕様 362
表 165.HBM 世代の仕様とロードマップ 363
表 166.新興メモリ技術の詳細比較 363
表 167.メモリとストレージの業界標準 364
表 168.メモリ技術用語    365
表 169.ストレージ技術用語  367
表 170.製造工程用語 369
表 171.パッケージングおよびアセンブリ用語   371
表 172.業界の略語と略称373
 
 

図一覧

図 1.メモリとストレージ技術のロードマップ 31
図 2.コンピューティング・メモリ階層と性能格差 42
図 3.メモリとストレージの世界市場収益予測 2026-2036  54
図 4.技術別市場内訳(DRAM、NAND、HDD、新興NVM(10億ドル)) 56
図 5.エンドアプリケーション別市場区分 2026-2036  (億米ドル).57
図 6.地域別市場内訳 2026-2036  (億米ドル) 59
図 7.DRAMの用途別市場規模(AI/HPC、データセンター、エッジ) 2026-2036  (億米ドル) 60
図8.DDR 技術のロードマップと市場推移 61
図 9.アプリケーションセグメント別SSD/NAND市場規模 63
図10.SSD 技術ミックスの進化 2026-2036  64
図 11.HDD容量の変遷とHAMR/MAMRの年表。67
図 12.HAMR と MAMR 技術の採用年表 68
図 13.技術別クラウド/データセンター・ストレージ市場 69
図 14.顧客タイプ別および容量階層別ストレージ需要 70
図 15.車載用メモリとストレージ市場の予測(10 億ドル) 73
図 16.GPUとアクセラレータのメモリ市場:技術別76
図 17.新興メモリ市場:技術別(MRAM、ReRAM、FeRAM、PCM)、10 億ドル 78
図 18.新興メモリのアプリケーションミックスと売上高比率 79
図 19.用途セグメント別MRAM市場予測(10億ドル)、2026~2036年  81
図20.最終用途市場別ReRAM市場予測(10億ドル)、2025~2036年  82
図21.最終用途別FeRAM市場予測(10億米ドル)、2025-2036年  83
図22.PCM 最終用途別市場予測(10 億ドル)、2025-2036 年 84
図 23.DRAM プロセス技術革新年表 87
図 24.3D DRAM 水平キャパシタ・アーキテクチャ 89
図 25.先進 DRAM セルアーキテクチャ 91
図 26.垂直トランジスタ DRAM セル設計 93
図 27.マルチウェハボンディングプロセスフロー 95
図 28.HBM 技術ロードマップと仕様 96
図 29.HBM 3D スタック・アーキテクチャと TSV 設計 97
図 30.3D NAND アーキテクチャ 101
図 31.3D NAND 層数の進化 2026-2036  103
図 32.3D NAND プロセスフローの複雑さの推移 104
図 33.YMTC 3D XtackingR NAND フラッシュ 105
図 34.CBA 技術の概念と 3D フラッシュメモリの断面模式図 106
図 35.従来の CUA 技術と CBA 技術の断面デバイス構造比較 106
図 36.将来の 3D NAND マルチウエハーアーキテクチャ 108
図 37.高度 ECC と信号処理の進化 111
図 38.SSD フォームファクターの進化年表 113
図 39.AI 固有 NAND アーキテクチャの特徴 116
図 40.STT-MRAM セルの構造と動作 118
図 41.ReRAM クロスバー・アレイ設計 126
図 42.3D XPoint アーキテクチャ 133
図 43.新興メモリ・コスト・ロードマップ 159
図 44.世界のメモリサプライチェーン構造 163
図 45.DRAM テクノロジー・ノード移行スケジュール 180
図 46.AI トレーニング・メモリ・アーキテクチャの進化 190
図 47.ハイパースケール・ストレージ層アーキテクチャ 193
図 48.ウェアラブル・デバイス・メモリの進化 200
図 49.MCU 組み込みメモリ技術のロードマップ 201
図 50.SiP メモリ・アーキテクチャの進化 212
図 51.AI アクセラレーションのための CiM NAND アーキテクチャ 213
図 52.LLM 推論のための AiM 技術 215
図 53.新興メモリ価格のロードマップ 226
図 54.2036 年までのメモリ技術ロードマップ 231
図 55.メモリ技術の性能ロードマップ 232
図 56.メモリの電力効率ロードマップ 232
図 57.メモリ信頼性技術ロードマップ 232
図 58.DNA ストレージ技術のタイムラインと応用 234
図 59.ニューロモーフィック・メモリ技術開発 235
図 60.メモリ中心コンピューティング技術ロードマップ 236
図 61.インメモリデータベース技術の進化 236
図 62.自律システム・メモリ技術のロードマップ 237
図 63.DDR4 SDRAM Space Qualified Memory - 3D PLUS 238
図 64.MicroSD メモリカード 240
図 65.AP メモリ 246
図 66.AS3004316-035nX0IBCY アバランシェ・テクノロジー 251
図 67.セレバス WSE-2 255
図 68.DDR5 ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ技術 256
図 69.クロスバー社ReRAM 258
図 70.ドシリコンメモリ 260
図 71.エトロン・テクノロジーの DRAM262
図 72.Everspin MRAM チップ 264
図 73.SONOS 型フラッシュメモリー 267
図 74.Colossus?MK2 GC200 IPU 273
図 75.Groq Tensor Streaming Processor (TSP) 274
図 76.GSI Technology DDR SRAM 277
図 77.ペントニック 2000 297
図 78.Mythic MP10304 Quad-AMP PCIe カード 301
図 79.Numemory の新しいメモリ・チップ NM101 309
図 80.Nuvoton M2L31 310
図 81.Nvidia H200 AI チップ 311
図 82.グレース・ホッパー・スーパーチップ 312
図 83.Panmnesia メモリ・エクスパンダ・モジュール(上)と、スイッチとエクスパンダ・モジュールを搭載したシャーシ(下) 315
図 84.Cloud AI 100 320
図 85.Cardinal SN10 RDU 327
図 86.Weebit Nano RRAM テクノロジー350
図 87.ウィービット・ナノ/エンベデッド AI システム(EMASS)、ReRAM デモ 350
 
 

 

ページTOPに戻る


 

Summary

The global memory and storage technology market is poised for significant expansion, projected to exceed $400 billion by 2036, driven by explosive demand from artificial intelligence, high-performance computing, and next-generation data infrastructure. After recovering from the severe cyclical downturn of 2022-2023, the industry achieved record revenues surpassing $200 billion in 2025, marking the beginning of a sustained growth trajectory fundamentally reshaped by AI workloads.
 
High Bandwidth Memory (HBM) emerges as the market's most dynamic segment. HBM's share of the total DRAM market is expected to reach 50% by decade's end, as AI training and inference applications demand unprecedented memory bandwidth. Leading manufacturers including Samsung, SK hynix, and Micron are aggressively scaling HBM3E production, with next-generation HBM4 technology promising even greater performance gains. NAND flash technology continues evolving through 3D scaling innovations, with manufacturers pushing beyond 300 layers using advanced CMOS Bonded Array (CBA) architectures. YMTC's Xtacking 4.0 technology and the industry's transition to Penta-Level Cell (PLC) storage demonstrate the sector's relentless density improvements. Meanwhile, emerging memory technologies—including Magnetoresistive RAM (MRAM), Resistive RAM (ReRAM), and Ferroelectric RAM (FeRAM)—are gaining commercial traction, particularly in embedded applications and edge computing devices.
 
Chinese memory manufacturers are fundamentally altering competitive dynamics, with YMTC achieving 294-layer 3D NAND production and CXMT successfully launching domestic DDR5 modules. China's memory market share continues expanding across consumer and enterprise segments, forcing global leaders to accelerate premium product development and advanced technology adoption. Despite ongoing U.S. export restrictions, Chinese companies demonstrate remarkable technological progress, with JHICC ramping capacity and new entrants like SwaySure Technology strengthening domestic supply chains.
 
Data centers and cloud infrastructure represent the largest growth driver, consuming increasingly sophisticated storage solutions optimized for AI/ML workloads. The economic advantages of QLC SSDs over traditional HDDs in hyperscale environments are reshaping storage hierarchies, with 10PB QLC deployments delivering $30+ million cost savings over traditional tiered storage architectures. Edge computing and automotive applications create additional demand vectors, as autonomous vehicles and IoT devices require high-performance, reliable memory solutions. The industry faces mounting scaling challenges as conventional planar technologies approach physical limits. 3D DRAM architectures, vertical transistor designs, and novel cell structures represent critical technological pathways beyond 2030. Advanced packaging innovations, including wafer-to-wafer bonding and chiplet integration, enable continued performance improvements while managing manufacturing complexity.
 
Environmental sustainability increasingly influences technology development, with manufacturers investing in energy-efficient designs and circular economy initiatives. Geopolitical tensions continue reshaping global supply chains, driving regionalization trends and technology transfer restrictions that impact long-term market dynamics. The memory and storage technology market to 2036 represents a fundamental transformation driven by AI proliferation, technological breakthrough achievements, and evolving competitive landscapes. Success requires navigating complex scaling challenges while capitalizing on explosive demand from next-generation computing applications across all market segments.
 
The Global Memory and Storage Technology Market 2026-2036 provides insights into the rapidly evolving memory and storage landscape, delivering critical analysis for technology leaders, investors, and strategic decision-makers navigating the industry's transformation through 2036.
Report contents include: 
 

Market Forecasting and Technology Segmentation:

  • Global market revenue projections spanning 2026-2036 with detailed breakdowns by technology, application, and geographic region
  • DRAM market analysis including High Bandwidth Memory (HBM) growth trajectories, DDR evolution, and mobile memory trends
  • NAND flash and SSD market forecasts covering enterprise, consumer, and emerging cell technologies including QLC and PLC developments
  • Hard disk drive market evolution with energy-assisted recording technologies (HAMR/MAMR) adoption timelines
  • Emerging memory technologies market sizing for MRAM, ReRAM, FeRAM, and PCM across embedded and standalone applications

Advanced Technology Analysis and Roadmaps:

  • Detailed DRAM technology progression from planar scaling challenges to 3D architecture development
  • CMOS bonding and advanced integration technologies including vertical transistor implementations
  • HBM technology evolution covering 3D stacking, thermal management, and processor integration strategies
  • NAND flash scaling analysis beyond 300 layers with CBA and Xtacking technology implementations
  • Comprehensive emerging memory technology comparison including performance benchmarking and commercialization timelines

Supply Chain and Manufacturing Intelligence:

  • Global manufacturing capacity analysis by technology and region with capital expenditure trends
  • Technology node migration strategies and yield learning curve optimization
  • Equipment supplier analysis covering critical manufacturing tools and materials
  • Regional market dynamics including China's memory industry development and trade restriction impacts

Application-Specific Market Analysis:

  • AI and machine learning memory requirements including LLM infrastructure scaling
  • Data center and cloud storage evolution with QLC SSD economic analysis
  • Automotive memory systems covering ADAS levels and autonomous vehicle storage architectures
  • Edge computing and IoT memory solutions across industrial and consumer applications
  • Embedded memory analysis for microcontrollers, SoCs, and advanced semiconductor applications

Strategic Business Intelligence:

  • Advanced packaging and integration technologies including 3D stacking and chiplet architectures
  • Processing-in-memory and computational storage development with commercial product analysis
  • Sustainability and environmental impact assessment across technology lifecycles
  • Comprehensive pricing analysis with historical trends and future projection models
  • Technology roadmaps extending to 2036 with breakthrough technology research including quantum and neuromorphic memory

Company Intelligence and Market Positioning:

  • Detailed profiles of 164 companies across the memory and storage ecosystem including 3D Plus, 4DS Memory, Adata Technology, Advantest Corporation, AMD (Advanced Micro Devices), Ambiq Micro, Amkor Technology, ANAFLASH, AP Memory, Apacer Technology, Applied Materials, ASE Group, ASM International, ASML Holding, Atomera, Avalanche Technology, Axelera AI, BeSang Inc., Besi (BE Semiconductor), Celestial AI, Cerebras Systems, Crocus Nanoelectronics, Crossbar Inc., CXMT (ChangXin Memory Technologies), d-Matrix, Dosilicon, eMemory, ESMT (Elite Semiconductor), Etron Technology, Everspin Technologies, Expedera, Ferroelectric Memory Company, Floadia Corporation, Fudan Microelectronics, Giantec Semiconductor, GigaDevice Semiconductor, GlobalFoundries, Google LLC, Graphcore, Groq, GSI Technology, Gwanak Analog Co. Ltd., Hailo, Hefei Reliance Memory, HFC (Hefei Core Storage), HHGrace, Hikstor, Hitachi Ltd., Houmo.ai, IBM Corporation, IMEC, Infineon Technologies, Innostar Semiconductor, Innovation Memory, Inston Inc., Intel Corporation, Intelligent Hardware Korea (IHWK), Intelligent Memory, Intrinsic Semiconductor Technologies, ISSI (Integrated Silicon Solution), JCET Group, JHICC (Jinhua Integrated Circuit), JONSPIN Road, Kingston Technology, Kioxia Corporation, Kneron Inc., Lam Research, Longsys Electronics, LQUOM, Luminous Computing, Lyontek Inc., Macronix International, Marvell Technology, Maxio Technology, MediaTek Inc., Microchip Technology, Micron Technology, MonolithIC 3D, Montage Technology, Mythic, Nantero Inc., Nanya Technology, NEC Corporation, Neo Semiconductor, NetList Inc., Netsol, Neumonda, NeuroBlade, NGD Systems, NTT, Numem Inc., Numemory, Nuvoton Technology, Nvidia, Onto Innovation, and more.....
 

 



ページTOPに戻る


Table of Contents

1  EXECUTIVE SUMMARY 28

1.1 Report Overview and Key Findings 28
1.2 Market Size and Growth Projections 2026-2036 28
1.3 Technology Roadmap and Innovation Trends 30
1.4 Market Dynamics and Trade Implications 33
1.5 Investment and Market Outlook 35

2 INTRODUCTION 38

2.1 Global Memory and Storage Technology Landscape 38
2.1.1 Market Definition and Scope 38
2.1.2 Historical Market Evolution (2019-2025) 38
2.1.3 Current Market Size and Structure 39
2.1.4 Technology Classification Framework 39
2.1.5 Value Chain Analysis 40
2.1.6 Market Drivers and Restraints 40
2.2 Computing Architecture Evolution 41
2.2.1 Memory Hierarchy for Modern Computing Systems 41
2.2.2 Data Growth Impact on Storage Requirements 42
2.2.3 Energy Consumption Challenges 43
2.2.4 Performance Bottlenecks and Memory Wall Challenges 44
2.3 AI and Memory Technologies 45
2.3.1.1 HBM stacks 45
2.3.1.2 GDDR 45
2.3.1.3 SRAM 46
2.3.1.4 STT-RAM 46
2.3.1.5 ReRAM 46
2.4 End-Market Analysis 49
2.4.1 Data Centers and Cloud Infrastructure 49
2.4.2 High-Performance Computing (HPC) and AI Applications 50
2.4.3 Mobile and Consumer Electronics 50
2.4.4 Automotive and Industrial Applications 51
2.4.5 Edge Computing and IoT Devices 52
2.4.6 Embedded Systems and Microcontrollers 52
 

3  MARKET FORECASTS (2026-2036) 54

3.1 Market Projections 54
3.1.1 Global Market Size by Revenue (USD Billion) 54
3.1.2 Market Size by Technology Segment 55
3.1.3 Market Size by Application Segment 56
3.1.4 Regional Market Distribution 58
3.2 DRAM Market Forecast 60
3.2.1 Total DRAM Market Projections 60
3.2.2 DDR Memory Evolution and Adoption 60
3.2.3 High Bandwidth Memory (HBM) Growth 61
3.2.4 LPDDR and Mobile Memory Trends 62
3.3 NAND Flash and SSD Market Forecast  62
3.3.1 Total NAND Market Projections 62
3.3.2 SSD Cell Type Evolution (SLC, TLC, QLC, PLC) 64
3.3.3 Enterprise and Data Center SSD Growth 64
3.3.4 Consumer and Client SSD Market 65
3.4 Hard Disk Drive (HDD) Market Forecast 66
3.4.1 HDD Market Size by Application 66
3.4.2 Capacity and Technology Roadmap 66
3.4.3 Energy-Assisted Recording Technologies 67
3.5 Cloud and Data Center Storage Forecast 68
3.5.1 Total Cloud Storage Market Size 68
3.5.2 Hyperscale vs Enterprise Demand 69
3.5.3 Storage Tiering and Architecture Evolution 70
3.6 Edge Computing Storage Forecast 70
3.6.1 Edge Storage Market Size 70
3.6.2 IoT and Industrial Edge Applications 71
3.6.3 Automotive Storage Requirements 71
3.7 AI and HPC Memory/Storage Forecast 74
3.7.1 AI/HPC Memory Requirements 74
3.7.2 Training vs Inference Workload Demands 74
3.7.3 Accelerator Memory Solutions 75
3.8 Emerging Memory Technologies Forecast 76
3.8.1 Total Emerging NVM Market Size 76
3.8.2 Embedded vs Stand-alone Applications 78
3.8.3 Technology-Specific Forecasts 80
3.8.3.1 MRAM 80
3.8.3.2 ReRAM 81
3.8.3.3 FeRAM 82
3.8.3.4 PCM 83
 

4  DRAM TECHNOLOGY ANALYSIS AND ROADMAPS 84

4.1 Conventional DRAM Scaling and Challenges 84
4.1.1 Planar DRAM Node Progression (1α to 0d) 85
4.1.2 Scaling Limitations and Physical Challenges 85
4.1.3 Cell Design Evolution and 6F2 to 4F2 Transition 86
4.1.4 Process Technology Improvements 87
4.2 3D DRAM Architecture Development 87
4.2.1 3D DRAM Integration Pathways 87
4.2.2 Horizontal Capacitor Designs (1T-1C) 88
4.2.3 Capacitor-less Solutions (2T0C, 1T Floating Body) 89
4.2.4 Gain Cell and Floating Body Implementations  90
4.3 CMOS Bonding and Advanced Integration 91
4.3.1 Wafer-to-Wafer Bonding Technologies 91
4.3.2 Vertical Transistor (VT) Implementation 92
4.3.3 CMOS Bonded Array (CBA) for DRAM 93
4.3.4 Multi-Wafer Bonding Challenges 94
4.4 High Bandwidth Memory (HBM) Technology 95
4.4.1 HBM Generation Evolution (HBM3E to HBM4+) 95
4.4.2 3D Stacking Technology and TSV Implementation 96
4.4.3 Packaging Innovation and Hybrid Bonding Transition  97
4.4.4 Thermal Management and Power Delivery 98
4.4.5 HBM Integration with Processors and GPUs 99
 

5  NAND FLASH TECHNOLOGY ANALYSIS AND ROADMAPS 101

5.1 3D NAND Scaling and Layer Count Evolution 101
5.1.1 Layer Stacking Progress by Manufacturer 102
5.1.2 Scaling Challenges Beyond 300 Layers 103
5.1.3 Aspect Ratio Limitations and Solutions 103
5.1.4 Manufacturing Process Complexity 104
5.2 CMOS Bonded Array (CBA) and Xtacking Technologies 104
5.2.1 Xtacking Architecture by YMTC 105
5.2.2 Kioxia and SanDisk CBA Implementation 106
5.2.3 Samsung and SK hynix Bonding Approaches 107
5.2.4 Multi-Wafer Bonding for 500+ Layer Scaling 108
5.3 Multi-Level Cell Technology Evolution 109
5.3.1 TLC to QLC Transition and Market Adoption 109
5.3.2 Penta-Level Cell (PLC) Development 109
5.3.3 Cell Reliability and Endurance Challenges 110
5.3.4 Error Correction and Signal Processing 110
5.4 NAND Interface and Form Factor Evolution 111
5.4.1 PCIe Generation Progression (Gen4 to Gen6+) 112
5.4.2 EDSFF and Enterprise Form Factor Transition  112
5.4.3 NVMe Protocol Development 113
5.4.4 CXL and Memory Semantic Protocols 114
5.5 Advanced NAND Technologies 114
5.5.1 Compute-in-Memory NAND (Macronix CiM) 115
5.5.2 AI-Optimized NAND Solutions 115
5.5.3 Storage Class Memory NAND 116
 

6  EMERGING MEMORY TECHNOLOGIES 117

6.1 Magnetoresistive RAM (MRAM) Technology 117
6.1.1 STT-MRAM vs SOT-MRAM Technology Comparison 117
6.1.2 Spin-Transfer Torque (STT) MRAM Development 118
6.1.3 Spin-Orbit Torque (SOT) MRAM Innovation 118
6.1.4 VCMA-MRAM and Advanced Switching Mechanisms  119
6.1.5 Embedded MRAM (eMRAM) for Advanced Nodes 120
6.2 MRAM Applications and Market Development  120
6.2.1 Discrete MRAM Products 120
6.2.2 Automotive MRAM Applications 121
6.2.3 Edge AI and IoT MRAM Solutions 122
6.2.4 Aerospace and Defense MRAM  123
6.3 Resistive RAM (ReRAM/RRAM) Technology 123
6.3.1 Oxide-based ReRAM Technology 123
6.3.2 Conductive Bridge RAM (CBRAM) 124
6.3.3 Selector Device Integration 125
6.3.4 Crossbar Array Architecture 125
6.4 ReRAM Development and Applications 126
6.4.1 Weebit Nano SiOx ReRAM Technology 126
6.4.2 Crossbar Inc.High-Density ReRAM 127
6.4.3 4DS Memory Interface Switching ReRAM 128
6.4.4 Foundry ReRAM Integration (TSMC, GlobalFoundries) 129
6.5 Ferroelectric RAM (FeRAM) Technology 129
6.5.1 Traditional PZT-based FeRAM 129
6.5.2 HfO?-based Ferroelectric Technology 130
6.5.3 Ferroelectric FET (FeFET) Development 131
6.6 Phase Change Memory (PCM) Technology 131
6.6.1 PCM Material Systems and Optimization 131
6.6.2 3D XPoint Technology Legacy (Intel Optane) 132
6.6.3 Embedded PCM (ePCM) for Microcontrollers 133
6.6.4 PCM for Neural Network Applications 134
6.7 Next-Generation Memory Architectures 135
6.7.1 NRAM and Carbon Nanotube Memory  135
6.7.2 CeRAM and Advanced Ferroelectric Solutions 136
6.7.3 SOT-MRAM and VCMA Memory Development 136
6.8 Emerging Memory Technology Comparison 138
6.8.1 Performance Benchmarking Matrix 142
6.8.2 Application Suitability Analysis  151
6.8.3 Technology Readiness and Commercialization Timeline 155
6.8.4 Cost and Scalability Projections 159

7  SUPPLY CHAIN AND MANUFACTURING ANALYSIS 163

7.1 Global Supply Chain Mapping 163
7.1.1 Memory Manufacturing Ecosystem 163
7.1.2 Major Memory Manufacturers 163
7.1.3 Chinese Memory Companies 164
7.1.4 Emerging Memory Technology Companies 165
7.1.5 Equipment and Materials Suppliers 166
7.1.6 Assembly and Test Services (OSAT) 167
7.1.7 Raw Materials and Chemical Supply 168
7.2 Manufacturing Capacity and Investment 172
7.2.1 Global Wafer Capacity by Technology and Region 172
7.2.2 Fab Utilization and Investment Trends 174
7.2.3 Next-Generation Fab Requirements 176
7.3 Technology Node Migration and Yield 179
7.3.1 DRAM Node Progression and Yield Learning 179
7.3.2 NAND Layer Count Scaling and Manufacturing 180
7.3.3 Emerging Memory Manufacturing Integration 181
7.3.4 Cost Structure Evolution by Technology 181
 

8  REGIONAL MARKET ANALYSIS 182

8.1 China Memory Industry Development 182
8.1.1 Chinese Memory Market Size and Growth 182
8.1.2 YMTC Technology Progress and Roadmap 183
8.1.3 CXMT DRAM Development and Market Impact 183
8.1.4 Chinese Memory Supply Chain Localization 184
8.2 Trade Restrictions and Geopolitical Impact 185
8.2.1 US-China Trade War Impact on Memory Industry 185
8.2.2 Export Control Effects on Technology Transfer 185
8.2.3 Supply Chain Regionalization Trends 186
8.2.4 2025 Tariff Landscape and Risk Assessment 186
8.3 Regional Market Dynamics 187
8.3.1 North America 187
8.3.2 Europe 188
8.3.3 Asia-Pacific 188

9  APPLICATIONS 189

9.1 AI and Machine Learning Memory Solutions 189
9.1.1 Large Language Model (LLM) Memory Requirements 189
9.1.2 AI Training Infrastructure Memory Scaling 190
9.1.3 AI Inference Memory Optimization 190
9.1.4 Neuromorphic Computing Memory Requirements 191
9.2 Data Center and Cloud Storage Evolution 192
9.2.1 Hyperscale Data Center Storage Architecture  192
9.2.2 QLC SSD vs HDD Economic Analysis 193
9.2.3 Storage Class Memory (SCM) Integration 194
9.2.4 Computational Storage Development 194
9.3 Automotive Memory and Storage Systems 195
9.3.1 Automotive Memory Evolution by ADAS Level 195
9.3.2 In-Vehicle Storage for Autonomous Vehicles 196
9.3.3 Automotive-Grade Memory Reliability 196
9.3.4 Electric Vehicle Memory Applications 197
9.3.5 Industrial IoT Memory 198
9.3.6 Smart City Infrastructure Storage 199
9.3.7 Wearable and Mobile Device Memory 199
9.4 Embedded Memory for Advanced Applications 200
9.4.1 Microcontroller Embedded Memory Evolution 200
9.4.2 SoC and ASIC Embedded Memory Requirements 201
9.4.3 Imaging and AR/VR Memory 201
9.4.4 Security and Cryptographic Memory Applications 202
9.4.5 Embedded SRAM and eFlash Market Analysis 203
9.4.6 MCU Memory Requirements by Vertical Market 204
 

10  ADVANCED PACKAGING AND INTEGRATION TECHNOLOGIES 206

10.1 3D Integration and Packaging Innovation 206
10.1.1 Through-Silicon Via (TSV) Technology 206
10.1.2 Wafer-Level Packaging (WLP) for Memory 206
10.1.3 Chiplet Architecture and Memory Integration 207
10.1.4 Advanced Substrate Technologies 208
10.2 Hybrid Bonding and Advanced Assembly 209
10.2.1 Copper-Copper Hybrid Bonding 209
10.2.2 Direct Wafer Bonding for 3D Integration 210
10.2.3 Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP) 210
10.2.4 System-in-Package (SiP) Memory Solutions 211
10.3 Processing-in-Memory and Near-Memory Computing 212
10.3.1 DRAM-Based Processing-in-Memory 212
10.3.2 NAND Compute-in-Memory Solutions  212
10.3.3 Near-Data Computing Architectures 213
10.3.4 Accelerator-in-Memory Solutions 214
10.3.5 Commercial PiM and CiS Solutions 215
10.3.6 Recent PiM Product Launches and Specifications 215
10.3.7 LLM-Optimized Memory Solutions 216
 

11  SUSTAINABILITY AND ENVIRONMENTAL IMPACT 218

11.1 Memory Technology Environmental Footprint 218
11.1.1 Carbon Footprint Analysis by Technology 218
11.1.2 Water and Chemical Usage in Manufacturing  219
11.1.3 Energy Efficiency Evolution 219
11.1.4 Sustainable Manufacturing Initiatives 220
11.2 Circular Economy and End-of-Life Management 220
11.2.1 Memory Product Lifecycle Analysis 220
11.2.2 Critical Material Recovery and Recycling 221
11.2.3 Design for Sustainability Initiatives 221
11.2.4 Extended Producer Responsibility 222
 
 

12  PRICING ANALYSIS AND ECONOMIC MODELS 224

12.1 Historical and Current Pricing Trends 224
12.1.1 DRAM Pricing Cycles and Volatility 224
12.1.2 NAND Flash Pricing Evolution 224
12.1.3 HBM Premium Pricing Analysis  225
12.1.4 Emerging Memory Pricing Dynamics 225
12.2 Cost Structure and Economics 226
12.2.1 Memory Manufacturing Cost Breakdown 226
12.2.2 Technology Development and R&D Costs 227
12.2.3 Scale Economics and Fab Utilization 227
12.3 Future Pricing Projections and Models  228
12.3.1 Technology Cost Roadmaps 2026-2036 228
12.3.2 Supply-Demand Price Elasticity 229
12.3.3 Emerging Memory Price Reduction Timeline 229
12.3.4 Value-Based Pricing for Advanced Solutions 229
 

13  TECHNOLOGY ROADMAPS AND FUTURE DEVELOPMENTS 231

13.1 Long-Term Memory Technology Vision 231
13.1.1 Memory Technology Roadmap to 2036 231
13.1.2 Performance and Density Scaling Projections  231
13.1.3 Power Efficiency Evolution 232
13.1.4 Reliability and Endurance Improvements 232
13.2 Breakthrough Technologies and Research 233
13.2.1 Quantum Memory and Storage Concepts 233
13.2.2 DNA Storage Technology Development 233
13.2.3 Photonic Memory Solutions 234
13.2.4 Neuromorphic Memory Architectures 234
13.3 System-Level Integration Evolution 235
13.3.1 Memory-Centric Computing Architectures 235
13.3.2 In-Memory Database Technologies 236
13.3.3 Edge AI Memory System Integration 236
13.3.4 Autonomous System Memory Architectures 237
 
 

14 COMPANY PROFILES 238 (164 company profiles)

15  APPENDICES 360

15.1 Methodology 360
15.2 Technology Specifications and Standards 362
15.2.1 DRAM Technology Specifications 362
15.2.2 NAND Flash Technology Specifications 362
15.2.3 Specifications 363
15.2.4 Emerging Memory Technology Specifications 363
15.2.5 Industry Standards and Protocols 364
15.3 Technical Glossary and Definitions 365
 

16  REFERENCES 376

 

ページTOPに戻る



List of Tables/Graphs

List of Tables

Table 1. Market Size and Growth Projections 2026-2036  29
Table 2. Key Architectural Innovations Timeline 31
Table 3.Breakthrough Technology Timeline   32
Table 4. Major Industry Players Investment Commitments   35
Table 5. Investment by category 36
Table 6. Regional Investment Distribution 37
Table 7. Total market size 2019-2025 39
Table 8. Memory & Storage Value Chain 40
Table 9. Memory and Storage Technology Market Drivers and Restraints 40
Table 10. Memory Hierarchy for Modern Computing Systems 42
Table 11. Global Data Growth and Storage Demand 2026-2036 . 43
Table 12. Memory/Storage Power Consumption Trends 44
Table 13. Memory Bandwidth vs Processor Performance Evolution 44
Table 14. AI and Memory Technologies 46
Table 15. Data Center Memory and Storage Requirements by Scale 49
Table 16. AI/HPC Memory Requirements by Workload Type 50
Table 17. Consumer Device Memory Evolution 2026-2036  50
Table 18. Automotive Memory Content Evolution by Vehicle Type 51
Table 19.Automotive Memory Content Evolution by Vehicle Type   52
Table 20. Edge Computing Storage Requirements by Application 52
Table 21. Embedded Memory Market by Technology Node 53
Table 22. Global Memory and Storage Market Revenue Forecast 2026-2036  54
Table 23. Market Breakdown by Technology (DRAM, NAND, HDD, Emerging NVM) 2026-2036  (Billions USD) 55
Table 24. Market Segmentation by End Applications 2026-2036  (Billions USD) 57
Table 25. Market Breakdown by Region 2026-2036  (Billions USD) 58
Table 26. DRAM Market Size by Application (AI/HPC, Data Centers, Edge), 2026-2036  (Billions USD) 60
Table 27. HBM Unit Sales and Revenue Forecast 2026-2036  62
Table 28. Mobile DRAM Market by Device Type 62
Table 29. SSD/NAND Market Size by Application Segment 63
Table 30. Enterprise SSD Market by Form Factor and Interface (Billions USD) 65
Table 31. Client SSD Market by Interface (PCIe, SATA) 66
Table 32. HDD Market Forecast by End-Use Segment 2026-2036  66
Table 33. Cloud/Data Center Storage Market by Technology (Billions USD) 68
Table 34. Edge Storage Market by Technology and Application (Billions USD) 71
Table 35. Edge Storage Growth by Vertical Market 71
Table 36. Automotive Memory and Storage Market Forecast (Billions USD) 72
Table 37. Memory and Storage for AI/HPC Servers 74
Table 38. AI Memory Requirements by Model Size and Workload 74
Table 39. GPU and Accelerator Memory Market by Technology 75
Table 40. Emerging Memory Market by Technology (MRAM, ReRAM, FeRAM, PCM), Billions USD 77
Table 41. MRAM Market Forecast by End Use Market (Billions USD), 2026-2036   80
Table 42. ReRAM Market Forecast by End Use Market (Billions USD), 2025-2036  82
Table 43. FeRAM Market Forecast by End Use Market (Billions USD), 2025-2036  83
Table 44. PCM Market Forecast by End Use Market (Billions USD), 2025-2036  84
Table 45. DRAM Node Progression and Technical Milestones 85
Table 46. DRAM Scaling Challenges by Technology Node 86
Table 47. DRAM Cell Design Evolution and Area Scaling. 86
Table 48. 3D DRAM Architecture Approaches and Feasibility 88
Table 49. Capacitor-less DRAM Technology Comparison 90
Table 50. CMOS Bonding Technology Comparison 91
Table 51. CBA Implementation Timeline by Manufacturer 94
Table 52. HBM Packaging Technology Comparison (μ-bump vs Hybrid)] 98
Table 53. HBM Thermal Management Solutions 99
Table 54. HBM Integration Approaches by Platform Type. 99
Table 55. 3D NAND Layer Count Roadmap by Company. 102
Table 56. 3D NAND Scaling Challenges and Solutions 103
Table 57. 3D NAND Aspect Ratio Challenges by Layer Count 104
Table 58. YMTC Xtacking Technology Evolution (1.0 to 4.0+) 105
Table 59. CBA Technology Implementation Comparison. 107
Table 60. Major Players' Bonding Technology Timeline 107
Table 61. NAND Cell Type Market Share Evolution 109
Table 62. NAND Cell Reliability Metrics by Technology 110
Table 63. PCIe Performance Evolution and SSD Adoption 112
Table 64. NVMe Feature Evolution and Performance Impact 113
Table 65. Next-Generation Storage Protocols 114
Table 66. Advanced NAND technologies  114
Table 67. CiM NAND Technology Specifications 115
Table 68. SCM NAND vs Traditional NAND Comparison 116
Table 69. MRAM Technology Types and Characteristics 117
Table 70. SOT-MRAM vs STT-MRAM Performance Comparison 117
Table 71. Advanced MRAM Switching Technologies 119
Table 72. eMRAM Technology Roadmap by Process Node 120
Table 73. Everspin MRAM Product Portfolio and Specifications 121
Table 74. Automotive MRAM Market by ECU Type. 121
Table 75. MRAM Applications in Edge Computing 122
Table 76. A&D MRAM Requirements and Solutions 123
Table 77. ReRAM Material Systems and Performance 124
Table 78. ReRAM Technology Variants and Mechanisms. 125
Table 79. ReRAM Selector Technologies and Performance 125
Table 80. Weebit Nano ReRAM Roadmap and Specifications 127
Table 81. Crossbar ReRAM Technology and Applications 128
Table 82. 4DS Memory ReRAM Technology Characteristics 128
Table 83. Foundry ReRAM Technology Platforms 129
Table 84. Traditional FeRAM Technology Limitations 130
Table 85. PCM Material Properties and Performance 132
Table 86. STMicroelectronics ePCM Technology 134
Table 87. PCM Weight Storage for Edge AI. 135
Table 88. NRAM Technology Development Status 135
Table 89. Next-Generation Ferroelectric Memory Technologies. 136
Table 90. Advanced MRAM Technology Comparison 137
Table 91. Emerging Memory Application Mapping 138
Table 92. Emerging Memory Technology Performance Matrix 142
Table 93. Application Suitability Analysis 151
Table 94. Emerging Memory Technology Readiness Assessment 155
Table 95. Major Memory Companies 164
Table 96. Chinese Memory Ecosystem Development Strategy 164
Table 97. Chinese Memory Companies 165
Table 98. Emerging Memory Technologies and Players 166
Table 99. Equipment and Materials Suppliers 167
Table 100. Assembly and Test Services (OSAT) players 167
Table 101. Types of Raw Materials and Chemicals Used in Memory Manufacturing 168
Table 102.Raw Materials and Chemical Supply Chain Analysis 171
Table 103. Memory Manufacturing Capacity by Region and Technology 172
Table 104. Memory Fab Capacity and Utilization Rates 174
Table 105. Advanced Node Fab Investment Requirements 176
Table 106. 3D NAND Layer Scaling and Yield Challenges 180
Table 107. Emerging Memory Foundry Integration Status 181
Table 108. Cost Structure Evolution by Technology 181
Table 109. China Memory Market Evolution and Projections 183
Table 110. YMTC Technology Milestones and Layer Count Evolution 183
Table 111. CXMT DRAM Development and Market Impact 184
Table 112. China Memory Supply Chain Development Status 184
Table 113. Technology Export Restrictions and Industry Impact. 186
Table 114. Tariff Impact Analysis by Technology Segment 187
Table 115. LLM Memory Requirements by Model Size 189
Table 116. AI Inference Memory Solutions by Application 191
Table 117. Neuromorphic Memory Architecture and Technologies 191
Table 118. QLC SSD vs HDD Total Cost of Ownership 193
Table 119. SCM Technology Options and Data Center Adoption 194
Table 120. Computational Storage Architecture and Benefits 195
Table 121. Automotive Memory Requirements by Autonomy Level 195
Table 122. Automotive Memory Qualification and Standards 196
Table 123. EV Memory Applications and Requirements 198
Table 124. IIoT Memory Technology Requirements 198
Table 125. Smart City Storage Applications and Technologies 199
Table 126. SoC Embedded Memory Technology Trends 201
Table 127. Imaging System Memory Requirements 202
Table 128. Security IC Memory Technology Requirements 203
Table 129. Embedded Memory Market by Technology and Application. 203
Table 130. MCU Embedded Memory Evolution by End-Market 204
Table 131. TSV Technology Evolution and Applications 206
Table 132. WLP Technology for Advanced Memory Packaging 207
Table 133. Memory Chiplet Architecture Benefits and Challenges 207
Table 134. Next-Generation Memory Package Substrates 208
Table 135. Hybrid Bonding vs Traditional Interconnect Comparison 210
Table 136. Wafer Bonding Process Flow and Challenges. 210
Table 137. FOWLP Technology for Memory Applications. 211
Table 138. PiM DRAM Technology Development 212
Table 139. Near-Memory Computing Technology Comparison 214
Table 140. Commercial PiM Solutions Comparison 215
Table 141. Memory Technology Lifecycle Carbon Footprint 218
Table 142. Memory Fab Environmental Impact Metrics 219
Table 143. Memory Technology Energy Efficiency Trends 219
Table 144. Industry Sustainability Programs and Targets. 220
Table 145. Memory Product Lifecycle and Recycling 221
Table 146. Critical Material Recycling Rates and Targets. 221
Table 147. Sustainable Memory Design Principles 222
Table 148. EPR Programs and Industry Compliance 222
Table 149. DRAM Price History and Volatility Analysis 224
Table 150. NAND Price Trends by Density and Technology 225
Table 151. HBM vs Standard DRAM Price Premium Evolution 225
Table 152. Memory Manufacturing Cost Structure by Technology 226
Table 153. Memory Technology Development Cost Trends 227
Table 154. Yield Learning Curves and Cost Impact 227
Table 155. Memory Fab Scale Economics Analysis 227
Table 156. Memory Technology Cost Projections by Node 228
Table 157. Memory Market Price Elasticity by Segment 229
Table 158. Emerging Memory Cost Reduction Projections 229
Table 159. Value-Based Pricing Models for Memory 230
Table 160. Quantum Memory Technology Research Status 233
Table 161. Photonic Memory Technology Prospects 234
Table 162. Edge AI Memory System Requirements 237
Table 163. Comprehensive DRAM Technology Specifications 362
Table 164. 3D NAND Technology Detailed Specifications 362
Table 165. HBM Generation Specifications and Roadmap 363
Table 166. Emerging Memory Technology Detailed Comparison 363
Table 167. Memory and Storage Industry Standards 364
Table 168. Memory Technology Terms   365
Table 169. Storage Technology Terms  367
Table 170. Manufacturing Process Terms 369
Table 171. Packaging and Assembly Terms   371
Table 172. Industry Acronyms and Abbreviations. 373
 
 

List of Figures

Figure 1. Memory and Storage Technology Roadmap 31
Figure 2. Computing Memory Hierarchy and Performance Gaps 42
Figure 3. Global Memory and Storage Market Revenue Forecast 2026-2036  54
Figure 4. Market Breakdown by Technology (DRAM, NAND, HDD, Emerging NVM (Billions USD) 56
Figure 5. Market Segmentation by End Applications 2026-2036  (Billions USD). 57
Figure 6. Market Breakdown by Region 2026-2036  (Billions USD) 59
Figure 7. DRAM Market Size by Application (AI/HPC, Data Centers, Edge), 2026-2036  (Billions USD) 60
Figure 8. DDR Technology Roadmap and Market Transition 61
Figure 9. SSD/NAND Market Size by Application Segment 63
Figure 10. SSD Technology Mix Evolution 2026-2036  64
Figure 11. HDD Capacity Evolution and HAMR/MAMR Timeline. 67
Figure 12. HAMR and MAMR Technology Adoption Timeline 68
Figure 13. Cloud/Data Center Storage Market by Technology 69
Figure 14. Storage Demand by Customer Type and Capacity Tier 70
Figure 15. Automotive Memory and Storage Market Forecast (Billions USD) 73
Figure 16. GPU and Accelerator Memory Market by Technology. 76
Figure 17. Emerging Memory Market by Technology (MRAM, ReRAM, FeRAM, PCM), Billions USD 78
Figure 18. Emerging Memory Application Mix and Revenue Split 79
Figure 19. MRAM Market Forecast by Application Segment (Billions USD), 2026-2036  81
Figure 20. ReRAM Market Forecast by End Use Market (Billions USD), 2025-2036  82
Figure 21. FeRAM Market Forecast by End Use Market (Billions USD), 2025-2036  83
Figure 22. PCM Market Forecast by End Use Market (Billions USD), 2025-2036 84
Figure 23. DRAM Process Technology Innovation Timeline 87
Figure 24. 3D DRAM Horizontal Capacitor Architecture 89
Figure 25. Advanced DRAM Cell Architectures 91
Figure 26. Vertical Transistor DRAM Cell Design 93
Figure 27. Multi-Wafer Bonding Process Flow 95
Figure 28. HBM Technology Roadmap and Specifications 96
Figure 29. HBM 3D Stack Architecture and TSV Design 97
Figure 30. 3D NAND architecture 101
Figure 31. 3D NAND Layer Count Evolution 2026-2036  103
Figure 32. 3D NAND Process Flow Complexity Evolution 104
Figure 33. YMTC 3D XtackingR NAND Flash 105
Figure 34. Concept of CBA technology and cross-sectional schematic of 3D flash memory 106
Figure 35. Cross-sectional device structure comparison between conventional CUA and CBA technology 106
Figure 36. Future 3D NAND Multi-Wafer Architecture 108
Figure 37. Advanced ECC and Signal Processing Evolution 111
Figure 38. SSD Form Factor Evolution Timeline 113
Figure 39. AI-Specific NAND Architecture Features 116
Figure 40. STT-MRAM Cell Structure and Operation 118
Figure 41. ReRAM Crossbar Array Design 126
Figure 42. 3D XPoint Architecture 133
Figure 43. Emerging Memory Cost Roadmap 159
Figure 44. Global Memory Supply Chain Structure 163
Figure 45. DRAM Technology Node Migration Timeline 180
Figure 46. AI Training Memory Architecture Evolution 190
Figure 47. Hyperscale Storage Tier Architecture 193
Figure 48. Wearable Device Memory Evolution 200
Figure 49. MCU Embedded Memory Technology Roadmap 201
Figure 50. SiP Memory Architecture Evolution 212
Figure 51. CiM NAND Architecture for AI Acceleration 213
Figure 52. AiM Technology for LLM Inference 215
Figure 53. Emerging Memory Price Roadmap 226
Figure 54. Memory Technology Roadmap to 2036 231
Figure 55. Memory Technology Performance Roadmap 232
Figure 56. Memory Power Efficiency Roadmap 232
Figure 57. Memory Reliability Technology Roadmap 232
Figure 58. DNA Storage Technology Timeline and Applications 234
Figure 59. Neuromorphic Memory Technology Development 235
Figure 60. Memory-Centric Computing Technology Roadmap 236
Figure 61. In-Memory Database Technology Evolution 236
Figure 62. Autonomous System Memory Technology Roadmap 237
Figure 63. DDR4 SDRAM Space Qualified Memory - 3D PLUS 238
Figure 64. MicroSD memory card 240
Figure 65. AP Memory 246
Figure 66. AS3004316-035nX0IBCY Avalanche Technology 251
Figure 67. Cerebas WSE-2 255
Figure 68. DDR5 dynamic random access memory technology 256
Figure 69. Crossbar, Inc. ReRAM 258
Figure 70. Dosilicon memory 260
Figure 71. Etron Technology DRAM. 262
Figure 72. Everspin MRAM chip 264
Figure 73. SONOS-type flash memory 267
Figure 74. Colossus? MK2 GC200 IPU 273
Figure 75. Groq Tensor Streaming Processor (TSP) 274
Figure 76. GSI Technology DDR SRAM 277
Figure 77. Pentonic 2000 297
Figure 78. Mythic MP10304 Quad-AMP PCIe Card 301
Figure 79. Numemory's new NM101 memory chip 309
Figure 80. Nuvoton M2L31 310
Figure 81. Nvidia H200 AI chip 311
Figure 82. Grace Hopper Superchip 312
Figure 83. Panmnesia memory expander module (top) and chassis loaded with switch and expander modules (below) 315
Figure 84. Cloud AI 100 320
Figure 85. Cardinal SN10 RDU 327
Figure 86. Weebit Nano RRAM technology. 350
Figure 87. Weebit Nano/ Embedded AI Systems (EMASS), ReRAM demo 350
 
 

 

ページTOPに戻る

ご注文は、お電話またはWEBから承ります。お見積もりの作成もお気軽にご相談ください。

webからのご注文・お問合せはこちらのフォームから承ります

本レポートと同分野(電子部品/半導体)の最新刊レポート

本レポートと同じKEY WORD()の最新刊レポート

  • 本レポートと同じKEY WORDの最新刊レポートはありません。

よくあるご質問


Future Markets, inc.社はどのような調査会社ですか?


Future Markets, inc.は先端技術に焦点をあてたスウェーデンの調査会社です。 2009年設立のFMi社は先端素材、バイオ由来の素材、ナノマテリアルの市場をトラッキングし、企業や学... もっと見る


調査レポートの納品までの日数はどの程度ですか?


在庫のあるものは速納となりますが、平均的には 3-4日と見て下さい。
但し、一部の調査レポートでは、発注を受けた段階で内容更新をして納品をする場合もあります。
発注をする前のお問合せをお願いします。


注文の手続きはどのようになっていますか?


1)お客様からの御問い合わせをいただきます。
2)見積書やサンプルの提示をいたします。
3)お客様指定、もしくは弊社の発注書をメール添付にて発送してください。
4)データリソース社からレポート発行元の調査会社へ納品手配します。
5) 調査会社からお客様へ納品されます。最近は、pdfにてのメール納品が大半です。


お支払方法の方法はどのようになっていますか?


納品と同時にデータリソース社よりお客様へ請求書(必要に応じて納品書も)を発送いたします。
お客様よりデータリソース社へ(通常は円払い)の御振り込みをお願いします。
請求書は、納品日の日付で発行しますので、翌月最終営業日までの当社指定口座への振込みをお願いします。振込み手数料は御社負担にてお願いします。
お客様の御支払い条件が60日以上の場合は御相談ください。
尚、初めてのお取引先や個人の場合、前払いをお願いすることもあります。ご了承のほど、お願いします。


データリソース社はどのような会社ですか?


当社は、世界各国の主要調査会社・レポート出版社と提携し、世界各国の市場調査レポートや技術動向レポートなどを日本国内の企業・公官庁及び教育研究機関に提供しております。
世界各国の「市場・技術・法規制などの」実情を調査・収集される時には、データリソース社にご相談ください。
お客様の御要望にあったデータや情報を抽出する為のレポート紹介や調査のアドバイスも致します。



詳細検索

このレポートへのお問合せ

03-3582-2531

電話お問合せもお気軽に

 

 

2025/07/01 10:26

144.69 円

170.97 円

201.43 円

ページTOPに戻る