世界各国のリアルタイムなデータ・インテリジェンスで皆様をお手伝い

詳細検索

お問合せ

03-3582-2531

電話お問合せもお気軽に

 

 

2026/02/24 10:26

155.86 円

184.05 円

213.01 円









「SiC」に関する調査レポート

「SiC」に関する調査レポートを発行日順で表示しています。

全 165 件中の 1 件目から 20 件を表示しています。

パワーモジュールパッケージング向け重要材料:市場展望、サプライチェーンリスク及び技術動向 2026-2036年
Critical Materials for Power Module Packaging: Market Outlook, Supply Chain Risk & Technology Trends 2026-2036
価格 GBP 1,100 | フューチャーマーケッツインク | 2026年2月

パワーモジュールのパッケージングは、半導体性能とシステムレベルの信頼性の交差点に位置し、ベアダイと最終アプリケーションの熱的・電気的・機械的要件との間の重要な架け橋を形成する。炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)デバイスが接合部温度を175°C以上…
能動冷却・受動冷却・固体冷却の世界市場 2026-2036年
The Global Market for Active, Passive and Solid-State Cooling 2026-2036
価格 GBP 1,200 | フューチャーマーケッツインク | 2026年2月

世界の冷却市場は、現代経済のほぼすべての分野で高まる熱管理需要に牽引され、根本的な変革を遂げつつある。ラックあたり100kWを超える電力密度を追求するAIデータセンターから、高度なバッテリー熱管理を必要とする電気自動車まで、テラヘルツ周波数で動作する6G通信…
Global Power SiC Manufacturing Equipment Market Growth 2026-2032
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2026年1月

The global Power SiC Manufacturing Equipment market size is predicted to grow from US$ 2978 million in 2025 to US$ 7029 million in 2032; it is expected to grow at a CAGR of 14.0% from 2026 to 2032. Power SiC manufacturing equipment spans the full chain fr…
GaN HEMTエピタキシャルウェーハ - グローバル市場シェアと順位、総売上高と需要予測 2026-2032年
GaN HEMT Epitaxial Wafer - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2026-2032
価格 US$ 3,950 | QYリサーチ | 2026年1月

GaN HEMTエピタキシャルウェーハの世界市場規模は、2025年に5億5490万米ドルと推定され、2026年から2032年の予測期間中に年平均成長率(CAGR)10.38%で成長し、2032年までに11億2000万米ドルに再調整された規模に達すると予測されています。 GaN-on-SiCウェハーの世界市場規…
世界の半導体レーザーアニール装置市場調査レポート2026
Global Semiconductor Laser Annealing Machine Market Research Report 2026
価格 US$ 3,400 | QYリサーチ | 2026年1月

世界の半導体レーザーアニール装置市場は、2025年に4億8,050万米ドルと評価され、2026年から2032年にかけて年平均成長率(CAGR)11.98%で成長し、2032年までに10億6,019万米ドルに達すると予測されている。 北米の半導体レーザーアニール装置市場は、2025年の8,130万米ドル…
世界のSiC半導体製造装置市場成長 2026-2032年
Global SiC?Semiconductor Processing Equipment Market Growth 2026-2032
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2026年1月

世界のSiC半導体加工装置市場規模は、2025年の32億700万米ドルから2032年には80億3500万米ドルに成長すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率(CAGR)14.8%で拡大すると見込まれています。 SiC半導体加工装置とは、SiCバリューチェーン全体(SiC基板製…
世界の炭化ケイ素製造装置市場の成長 2026-2032年
Global Silicon Carbide Manufacturing Equipment Market Growth 2026-2032
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2026年1月

世界の炭化ケイ素製造装置市場規模は、2025年の32億700万米ドルから2032年には80億3500万米ドルに成長すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率(CAGR)14.8%で拡大すると見込まれています。 SiC半導体製造装置とは、SiCバリューチェーン全体(SiC基板製…
世界エピタキシャル成長装置販売市場レポート、競争分析および地域別機会 2025-2031年
Global Epitaxial Growth Equipment Sales Market Report, Competitive Analysis and Regional Opportunities 2025-2031
価格 US$ 4,250 | QYリサーチ | 2025年12月

世界のエピタキシャル成長装置市場規模は2024年に16億5100万米ドルであり、2025年から2031年の予測期間中に年平均成長率(CAGR)8.5%で推移し、2031年までに28億4800万米ドルに拡大すると予測されている。 2025年までに、米国関税政策の変遷は世界経済情勢に大きな不確実性…
プローブピン市場:ポゴタイプ別、スタンピングタイプ別、スプリングコンタクト、非スプリングコンタクト、半導体テスト(ウェーハレベルテスト、パッケージレベルテスト)、周波数範囲別<1 GHz, 1-10 GHz, 10-40 GHz, >40GHz帯 - 2032年までの世界市場予測
Probe Pin Market by Pogo Type, Stamping Type, Spring Contact, Non-Spring Contact, Semiconductor Testing (Wafer-level Testing, and Package-level Testing), Frequency Range (<1 GHz, 1-10 GHz, 10-40 GHz, >40 GHz) - Global Forecast to 2032
価格 US$ 4,950 | マーケッツアンドマーケッツ | 2025年12月

世界のプローブピン市場は、予測期間中に年平均成長率(CAGR)6.9%で成長し、2025年の6億8,000万米ドルから2032年には10億8,000万米ドルに達すると推定されている。https://mnmimg.marketsandmarkets.com/Images/probe-pin-market-img-overview.webp 半導体プローブピン市…
パワーディスクリートデバイスの世界市場成長率 2025-2031
Global Power Discrete Device Market Growth 2025-2031
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2025年11月

世界のパワーディスクリートデバイス市場規模は、2025年の3億2,650万米ドルから2031年には4億6,500万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年までの年平均成長率は6.1%と予測される。 本レポートでは、米国の最新関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が、市場競…
パワー半導体デバイスの世界市場成長率 2025-2031
Global Power Semiconductor Devices Market Growth 2025-2031
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2025年11月

パワー半導体デバイスの世界市場規模は、2025年の3億5670万米ドルから2031年には5億280万米ドルに成長すると予測されており、2025年から2031年にかけて年平均成長率は5.9%で推移すると予測されている。 本レポートでは、米国の最新の関税措置とそれに対応する世界各国の政策…
炭化ケイ素(SiC)半導体デバイスの世界市場成長 2025-2031
Global Silicon Carbide (SiC) Semiconductor Devices Market Growth 2025-2031
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2025年11月

炭化ケイ素(SiC)半導体デバイスの世界市場規模は、2025年の4億4,700万米ドルから2031年には1億3,480万米ドルに成長すると予測されており、2025年から2031年までの年平均成長率は20.2%と予測されている。 米国の最新の関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が市場競争…
炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスの世界市場成長 2025-2031
Global Silicon Carbide (SiC) Power Devices Market Growth 2025-2031
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2025年11月

炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスの世界市場規模は、2025年の4億5,900万米ドルから2031年には1億4,470万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年までの年平均成長率は21.1%と予測される。 最新の米国の関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が、市場競争力、地域…
ディスクリートトランジスタの世界市場成長率 2025-2031
Global Discrete Transistor Market Growth 2025-2031
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2025年11月

ディスクリートトランジスタの世界市場規模は、2025年の2億4490万米ドルから2031年には3億5120万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年までの年平均成長率は6.2%と予測される。 米国の最新関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が市場競争力、地域経済パフォー…
ワイドバンドギャップ半導体の世界市場成長(現状と展望)2025-2031年
Global Wide Band Gap Semiconductor Market Growth (Status and Outlook) 2025-2031
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2025年11月

この調査によると、ワイドバンドギャップ半導体の世界市場規模は2031年までに1億4430万米ドルに達する。 ワイドバンドギャップ半導体とは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのワイドバンドギャップ材料を用いて製造されるパワーエレクトロニクス・デバイスを指す…
ショットキーダイオードの世界市場成長率 2025-2031
Global Schottky Diode Market Growth 2025-2031
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2025年11月

ショットキーダイオードの世界市場規模は、2025年の1億7,900万米ドルから2031年には3億8,500万米ドルに成長すると予測されており、2025年から2031年にかけて年平均成長率は14.1%で推移すると予測されている。 米国の最新の関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が市場…
炭化ケイ素(SIC)パワー半導体の世界市場成長 2025-2031
Global Silicon Carbide (SIC) Power Semiconductors Market Growth 2025-2031
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2025年11月

炭化ケイ素(SIC)パワー半導体の世界市場規模は、2025年の4億7,000万米ドルから2031年には1億6,000万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年までの年平均成長率は22.7%と予測される。 米国の最新の関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が市場競争力、地域経済…
炭化ケイ素(SiC)パワーMOSFETの世界市場成長率 2025-2031
Global Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs Market Growth 2025-2031
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2025年11月

炭化ケイ素(SiC)パワーMOSFETの世界市場規模は、2025年の3億693万米ドルから2031年には1億1840万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年までの年平均成長率は21.4%と予測される。 本レポートでは、米国の最新関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が、市場競…
SiCデバイスの世界市場成長率 2025-2031
Global SiC Devices Market Growth 2025-2031
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2025年11月

SiCデバイスの世界市場規模は、2025年の4億9,400万米ドルから2031年には1億4,290万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年にかけて年平均成長率は19.4%で推移すると予測されている。 米国の最新の関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が市場競争力、地域経済パ…
炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の世界市場成長 2025-2031
Global Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor Market Growth 2025-2031
価格 US$ 3,660 | LPインフォメーション | 2025年11月

炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の世界市場規模は、2025年の4億5,600万米ドルから2031年には1億3,720万米ドルに成長すると予測され、2025年から2031年までの年平均成長率は20.3%と予測される。 米国の最新の関税措置とそれに対応する世界各国の政策対応が市場競争力、地域経済…

 

ページTOPに戻る