 GaN基板市場：基板タイプ、ウェハーサイズ、デバイスタイプ、ドーピングタイプ、用途、最終用途別 ― 2032年までの世界市場予測GaN Substrate Market by Substrate Type, Wafer Size, Device Type, Doping Type, Application, End Use - Global Forecast to 2032 世界のGaN基板市場規模は、2026年の0.62億米ドルから2032年までに1.25億米ドルへと拡大し、予測期間中の年平均成長率（CAGR）は12.5％になると見込まれています。 高性能パワーエレクトロニクスやRFアプリケーシ... もっと見る
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サマリー世界のGaN基板市場規模は、2026年の0.62億米ドルから2032年までに1.25億米ドルへと拡大し、予測期間中の年平均成長率（CAGR）は12.5％になると見込まれています。 高性能パワーエレクトロニクスやRFアプリケーションにおけるワイドバンドギャップ半導体の採用拡大により、同市場は堅調な成長を遂げています。 電気自動車、5Gインフラ、再生可能エネルギーシステム、データセンター、および先進的な防衛技術に対する需要の高まりにより、優れた効率、高い電力密度、および高速なスイッチング能力を備えたGaNベースのデバイスの導入が加速している。 結晶成長技術の継続的な進歩、大型ウェーハの生産、および欠陥の低減により、基板の品質が向上すると同時に製造コストも低下している。主な市場動向としては、国内の半導体製造への投資、AIおよび高性能コンピューティング用途におけるGaNの採用拡大、ならびに供給のレジリエンスを強化し、次世代GaN技術の商用化を加速させるための半導体バリューチェーン全体にわたる戦略的提携などが挙げられる。2026年には、GaN-on-SiCセグメントがGaN基板市場で最大のシェアを占める見込み基板の種類別では、GaN-on-SiCセグメントは、その優れた熱伝導率、高い絶縁破壊電圧、および優れた高周波性能により、2026年には最大の市場シェアを占めると予測されています。 これらの特性により、GaN-on-SiC基板は、通信、航空宇宙・防衛、産業用システム、電気自動車で使用されるRFデバイスや高出力電子機器において、好まれる選択肢となっている。 エピタキシャル成長技術とウェハ品質の継続的な進歩により、デバイスの信頼性と製造効率はさらに向上しています。さらに、5Gインフラ、衛星通信、および高電力用途の導入拡大により、予測期間を通じてGaN-on-SiCセグメントの優位性が維持されると予想されます。予測期間中、GaN基板市場において8インチウェハーセグメントが最も高い年平均成長率（CAGR）を示すと見込まれるウェーハサイズ別では、製造効率の向上と生産コストの削減を目的として半導体業界が大口径ウェーハへの移行を進めていることから、予測期間中は8インチウェーハセグメントが最も高い年平均成長率（CAGR）を記録すると見込まれています。 小型のウェーハと比較して、8インチGaN基板は、ウェーハあたりのデバイス生産量が多く、既存の半導体製造設備との互換性にも優れている。 パワーエレクトロニクス、AIデータセンター、自動車用電子機器、再生可能エネルギー用途向けの大規模GaN製造への投資が、8インチウェーハの採用を後押ししている。さらに、結晶成長技術やウェーハ加工技術の継続的な進歩により、世界的に大径GaN基板の商業的採用が拡大すると予想される。2026年から2032年にかけて、GaN基板市場においてアジア太平洋地域が最も高い成長率を示す見込みアジア太平洋地域は、半導体製造の急速な拡大、電気自動車への投資の増加、および5G/6G通信インフラの導入拡大により、予測期間中に最も高い年平均成長率（CAGR）を記録すると見込まれています。 中国、日本、韓国、台湾などの国々は、先端材料、ウェハー製造、化合物半導体技術への多額の投資を通じて、国内の半導体エコシステムを強化している。また、同地域は、確立されたエレクトロニクス供給網、強力な政府支援、拡大する研究開発（R&D）活動からも恩恵を受けている。 さらに、GaNベースのパワーエレクトロニクス、RFデバイス、およびオプトエレクトロニクス用途に対する需要の高まりにより、同地域全体でのGaN基板の採用が加速すると予想されます。主要回答者の内訳：GaN基板市場で事業を展開する主要組織のCEO、マーケティングディレクター、イノベーション・技術ディレクターなど、さまざまな幹部に対し、詳細なインタビューを実施しました。 • 企業規模別：ティア1–40%、ティア2–30%、ティア3–30% • 役職別：取締役–20%、マネージャー–10%、その他–70% • 地域別：アジア太平洋地域–45%、欧州–25%、北米–20%、その他の地域–10% GaN基板市場は、住友化学株式会社（日本）が主導しており、次いで三菱化学株式会社（日本）、信越化学工業株式会社 （日本）、SOITEC（フランス）、IQE plc（英国）、Wolfspeed Inc.（米国）、Infineon Technologies AG（ドイツ）、Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.（中国）、NGK株式会社（日本）、Kyma Technologies（米国）がそれに続いています。調査範囲 本レポートでは、GaN基板市場を、基板タイプ、ウェーハサイズ、デバイスタイプ、ドーピングタイプ、用途、最終用途、および地域ごとに分類しています。 また、本レポートでは、市場の成長に影響を与える推進要因、制約要因、機会、課題についても論じています。北米、欧州、アジア太平洋、その他の地域（RoW）という4つの主要地域にわたる市場の詳細な見通しを提供しています。さらに、バリューチェーン分析、競争環境、および世界のGaN基板エコシステムで事業を展開する主要市場参加企業のプロファイルも含まれています。本レポートを購入する主なメリット• 主要な成長要因（産業用途におけるGaNパワーデバイスの採用急増、5GおよびRF用途におけるGaN基板の需要拡大）、制約要因（GaN基板製造に伴う技術的課題、代替技術との競争）、機会（カーボンフットプリントの最小化への強い注力、 GaN-on-silicon技術の進歩）、および課題（シリコンに対するコスト競争力、複雑なサプライチェーンと標準化の欠如）に関する分析。これらはGaN基板市場の成長に影響を与える要因です。• 製品・ソリューション・サービスの開発・イノベーション：GaN基板市場における今後の製品、研究、開発活動に関する詳細な洞察。• 市場開発：収益性の高い市場に関する包括的な情報――本レポートは、さまざまな地域にわたるGaN基板市場を分析しています• 市場の多角化： 未開拓地域におけるGaN基板に関する網羅的な情報、最近の動向、およびGaN基板市場への投資状況• 競合分析：市場シェアや成長戦略、および住友化学株式会社 （日本）、三菱化学株式会社（日本）、信越化学工業株式会社（日本）、IQE plc（英国）、SOITEC（フランス）など、GaN基板市場の主要プレーヤーが提供する製品・サービスについて、詳細な評価を行っています目次1 はじめに 271.1 本調査の目的 27 1.2 市場の定義 28 1.3 調査範囲 29 1.3.1 対象市場および地域範囲 29 1.3.2 調査対象および除外項目 30 1.3.3 調査対象期間 31 1.4 対象通貨 31 1.5 対象単位 31 1.6 制限事項 31 1.7 ステークホルダー 32 2 エグゼクティブ・サマリー 33 2.1 市場のハイライトと主要な洞察 33 2.2 主要市場参加者：戦略的展開のマッピング 34 2.3 GAN基板市場における破壊的トレンド 35 2.4 高成長セグメント 36 2.5 地域別概要：市場規模、成長率、および予測 37 3 プレミアムインサイト 38 3.1 GaN基板市場における事業者にとって魅力的な機会 38 3.2 基板タイプ別GaN基板市場 39 3.3 GAN基板市場（ウェハーサイズ別） 39 3.4 GAN基板市場（ドーピング種別） 40 3.5 GAN基板市場（デバイスタイプ別） 40 3.6 GaN基板市場：最終用途別 40 3.7 アジア太平洋地域のGaN基板市場：用途別・国別 41 4 市場概要 42 4.1 はじめに 42 4.2 市場の動向 42 4.2.1 成長要因 43 4.2.1.1 産業用途におけるGaNパワーデバイスの採用急増 43 4.2.1.2 5GおよびRF用途におけるGaN基板の需要拡大 44 4.2.1.3 電気自動車および再生可能エネルギー分野における効率性とコンパクト設計への重視の高まり 45 4.2.1.4 高輝度・コンパクト・高効率なLEDへのニーズの高まり 46 4.2.2 制約要因 47 4.2.2.1 GaN基板製造に伴う技術的課題 47 4.2.2.2 代替技術との競争 48 4.2.3 機会 48 4.2.3.1 カーボンフットプリントの最小化への強い注目 48 4.2.3.2 GaN-on-silicon技術の進歩 49 4.2.3.3 航空宇宙・防衛分野におけるGaNの採用拡大 50 4.2.4 課題 51 4.2.4.1 シリコンに対するコスト競争力 51 4.2.4.2 複雑なサプライチェーンと標準化の欠如 51 4.3 未充足ニーズとホワイトスペース 52 4.4 相互に関連する市場とセクター横断的な機会 55 4.5 ティア1/2/3企業による戦略的動き 56 5 業界動向 57 5.1 ポーターの5つの力分析 57 5.1.1 新規参入の脅威 58 5.1.2 代替品の脅威 58 5.1.3 供給者の交渉力 58 5.1.4 購入者の交渉力 58 5.1.5 競合の激しさ 59 5.2 マクロ経済の見通し 59 5.2.1 はじめに 59 5.2.2 GDPの推移と予測 59 5.2.3 世界の半導体産業の動向 62 5.2.4 世界の通信産業の動向 63 5.3 サプライチェーン分析 63 5.4 エコシステム分析 64 5.5 価格分析 66 5.5.1 主要企業別 GaN基板の平均販売価格の推移（2022年～2025年） 66 5.5.2 地域別 GaN 基板の平均販売価格の推移（2022年～2025年） 67 5.6 貿易分析 69 5.6.1 輸入シナリオ（HSコード 381800） 69 5.6.2 輸出シナリオ（HSコード 381800） 70 5.7 主要な会議およびイベント（2026年～2027年） 72 5.8 顧客のビジネスに影響を与えるトレンド／ディスラプション 72 5.9 投資および資金調達シナリオ（2021–2025年） 73 5.10 ケーススタディ分析 74 5.10.1 三菱化学グループと日本製鉄が提携し、SCAAT-LP結晶成長技術を開発してGaN基板の生産拡大を図る 74 5.10.2 リカルド、ネクスペリアと提携し、GaN技術を用いた高効率EVトラクションインバータを開発 75 5.10.3 スウェガンAB、性能上の制約を解消するため「クアンファイン」バッファフリーGaN-on-SiCエピタキシャル技術を開発 75 5.10.4 デルタ・エレクトロニクス、テキサス・インスツルメンツと提携し、GAN技術をサーバー用電源設計に統合 76 5.10.5 コルセア、新製品「AX1600I」電源ユニットにトランスフォーム社のGaN FETを採用し、電源性能を向上 76 5.11 米国関税の影響 – GaN基板市場 76 5.11.1 はじめに 76 5.11.2 主な関税率 77 5.11.3 価格への影響分析 78 5.11.4 国・地域への影響 78 5.11.4.1 米国 78 5.11.4.2 欧州 80 5.11.4.3 アジア太平洋地域 81 5.11.5 最終用途への影響 81 6 技術の進歩、AIによる影響、特許、イノベーション、および将来の応用 83 6.1 主要な新興技術 83 6.1.1 先進的なバルクGaN結晶成長 83 6.1.2 大径GaN基板の製造 83 6.2 補完技術 83 6.2.1 先進エピタキシャル成長 83 6.2.2 欠陥制御および先進基板加工 84 6.3 技術ロードマップ 84 6.4 特許分析 85 6.5 AI／生成AIがGAN基板市場に与える影響 86 6.5.1 主なユースケースと市場の可能性 87 6.5.2 GAN基板市場におけるOEM各社のベストプラクティス 88 6.5.3 GaN基板市場におけるAI/GEN AI導入に関する事例研究 89 6.5.4 相互連携するエコシステムと市場プレイヤーへの影響 89 6.5.5 AI／汎用AI（GEN AI）統合型GAN基板の導入に対する顧客の準備状況 91 7 規制環境 92 7.1 規制環境 92 7.1.1 規制機関、政府機関、およびその他の組織 92 7.1.2 規格 94 8 顧客環境と購買行動 96 8.1 意思決定プロセス 96 8.2 購買プロセスに関与する主要なステークホルダーとその評価基準 98 8.2.1 購買プロセスにおける主要なステークホルダー 98 8.2.2 購買基準 99 8.3 導入障壁と内部的な課題 99 8.4 さまざまな最終用途における未充足ニーズ 100 8.5 市場の収益性 102 9 GAN基板の導電性タイプ 104 9.1 はじめに 104 9.2 半絶縁性 104 9.3 導電性 105 10 GAN基板技術 106 10.1 はじめに 106 10.2 有機金属化学気相成長法（MOCVD） 106 10.3 ハイドライド気相エピタキシー （HVPE） 107 10.4 分子線エピタキシー（MBE） 107 11 基板種別によるGaN基板市場 109 11.1 はじめに 110 11.2 サファイア基板上のGaN 111 11.2.1 エネルギー効率の高い照明ソリューションおよび先進的なディスプレイ技術の採用拡大がセグメントの成長を牽引 111 11.3 シリコン基板上のGaN 112 11.3.1 コスト効率に優れ、高性能な電源への需要の高まりがセグメントの成長を後押し 112 11.4 GAN-ON-SIC 113 11.4.1 市場を牽引する、通信および防衛分野における高性能RFデバイスの需要拡大 113 11.5 GAN-ON-GAN （ネイティブ） 113 11.5.1 高性能パワーエレクトロニクスおよび先進的なRFアプリケーションの利用拡大がセグメントの成長を加速 113 11.6 GAN-on-ダイヤモンド 114 11.6.1 卓越した熱伝導性と高出力RFへのニーズの高まりがセグメントの成長を後押し 114 11.7 フリースタンディングGaN 114 11.7.1 セグメント成長を牽引する高電圧パワーデバイスおよび先進オプトエレクトロニクスへの需要の増加 114 11.8 ALGAN + GAN 115 11.8.1 産業用電力変換、データセンター、再生可能エネルギーシステムにおける利用拡大が需要を牽引 115 12 ウェハーサイズ別GAN基板市場 116 12.1 はじめに 117 12.2 2インチ 118 12.2.1 学術機関や小規模メーカーでの普及拡大がセグメントの成長を後押し 118 12.3 4インチ 119 12.3.1 セグメントの成長に寄与する、先進的な半導体技術への需要の高まり 119 12.4 6インチ 119 12.4.1 製造プロセスの継続的な改善がセグメントの成長を加速 119 12.5 8インチ 120 12.5.1 高性能半導体デバイス向けの成長がセグメントの成長を促進 120 13 ドーピング種別によるGaN基板市場 121 13.1 はじめに 122 13.2 N型GaN 123 13.2.1 優れた電子移動度、低いオン抵抗、およびセグメント成長を促進する優れた電気的性能 123 13.3 P型GaN 124 13.3.1 セグメント成長を促進するための、効率的な発光と信頼性の高いデバイス性能への要件 124 13.4 半絶縁性GAN 124 13.4.1 セグメント成長を促進するための高い電気抵抗率と制御された不純物補償 124 14 デバイス種別別のGAN基板市場 125 14.1 はじめに 126 14.2 ディスクリート素子 127 14.2.1 HEMT 128 14.2.1.1 高いスイッチング速度、優れた電力密度、および低い導通損失がセグメンタル成長を促進 128 14.2.2 垂直型GAN 128 14.2.2.1 低欠陥密度と優れた結晶品質がセグメントの成長に寄与 128 14.2.3 その他のディスクリートデバイス 129 14.3 ICS 129 14.3.1 寄生損失の低減、スイッチング性能の向上、およびシステムレベルの消費電力の低減が市場を牽引 129 15 用途別 GaN 基板市場 130 15.1 はじめに 131 15.2 光電子デバイス 132 15.2.1 省エネ照明、高解像度ディスプレイ、およびUV消毒システムへの需要拡大がセグメントの成長を促進 132 15.2.2 LED 133 15.2.2.1 UV LED 134 15.2.2.2 青色LED 135 15.2.2.3 緑色LED 135 15.2.2.4 白色LED 135 15.2.3 レーザー 135 15.3 RFデバイス 136 15.3.1 セグメントの成長を加速させる超高速信号伝送および高帯域幅への需要の高まり 136 15.4 パワーデバイス 137 15.4.1 自動車および産業分野における高効率デバイスの利用拡大がセグメントの成長を牽引 137 16 用途別GAN基板市場 139 16.1 はじめに 140 16.2 民生用電子機器 141 16.2.1 5G対応デバイスおよび省エネ型電子機器への需要の高まりがセグメントの成長を促進 141 16.3 電気通信 145 16.3.1 モバイルブロードバンドインフラの拡大と高速無線通信への需要が市場を牽引 145 16.4 自動車 149 16.4.1 EVおよび先進運転支援システム（ADAS）の人気の高まりがセグメントの成長を後押し 149 16.5 航空宇宙・防衛 153 16.5.1 ミッションクリティカルな用途における次世代技術の採用拡大がセグメントの成長を後押し 153 16.6 エネルギー・電力 157 16.6.1 セグメントの成長を加速させるため、太陽光発電の導入促進と発電の最適化に重点を置く 157 16.7 ヘルスケア 161 16.7.1 医療技術（MedTech）用途におけるGaN技術の統合が進み、セグメントの成長を後押し 161 16.8 産業分野 165 16.8.1 市場を牽引する自動化および半導体製造装置の導入への注目が高まっている 165 17 地域別GAN基板市場 170 17.1 はじめに 171 17.2 北米 172 17.2.1 米国 175 17.2.1.1 5Gインフラおよび再生可能エネルギープロジェクトの急速な進展が市場成長を促進 175 17.2.2 カナダ 177 17.2.2.1 持続可能性への関心の高まりと電気自動車の普及が市場成長を加速 177 17.2.3 メキシコ 178 17.2.3.1 活況を呈する自動車産業と再生可能エネルギーへの投資が市場成長に寄与 178 17.3 ヨーロッパ 179 17.3.1 ドイツ 183 17.3.1.1 市場を牽引する電気自動車、インダストリー4.0の取り組み、5G技術、および再生可能エネルギーへの強い注力 183 17.3.2 英国 184 17.3.2.1 市場成長を加速させるための野心的な気候目標と再生可能エネルギーの推進 184 17.3.3 フランス 185 17.3.3.1 市場成長を促進するための通信技術の進展への強い取り組み 185 17.3.4 オランダ 187 17.3.4.1 市場成長を支える半導体製造技術およびRFデバイスの開発が活発化 187 17.3.5 イタリア 188 17.3.5.1 市場成長を加速させるための「インダストリー4.0」およびスマート製造への注目の高まり 188 17.3.6 スペイン 189 17.3.6.1 市場成長を促進するための再生可能エネルギー分野および通信インフラの拡大 189 17.3.7 その他の欧州諸国 190 17.4 アジア太平洋地域 191 17.4.1 中国 194 17.4.1.1 5Gインフラ、EV、家電製品への投資拡大が市場成長の機会を創出 194 17.4.2 日本 195 17.4.2.1 5Gネットワークの急速な拡大と半導体技術の進歩が市場成長を牽引 195 17.4.3 韓国 197 17.4.3.1 活況を呈するエレクトロニクスおよび半導体産業が市場成長に寄与 197 17.4.4 インド 198 17.4.4.1 先進的な半導体技術、EV、再生可能エネルギーシステムの導入拡大が市場成長を後押し 198 17.4.5 台湾 199 17.4.5.1 化合物半導体生産への投資拡大と政府主導のイノベーション施策が市場を牽引 199 17.4.6 東南アジア 201 17.4.6.1 半導体製造、エレクトロニクス生産、および先進的な産業インフラの拡大が市場成長を後押し 201 17.4.7 アジア太平洋地域のその他 202 17.5 その他の地域 203 17.5.1 南米 205 17.5.1.1 ブラジル 207 17.5.1.1.1 市場成長を支えるための通信インフラの拡充と産業の近代化 207 17.5.1.2 南米その他の地域 207 17.5.2 中東・アフリカ 207 17.5.2.1 GCC諸国 209 17.5.2.1.1 市場成長を促進するためのデジタルインフラ、スマートシティ、および先進的な通信分野への投資拡大 209 17.5.2.2 南アフリカ 210 17.5.2.2.1 市場成長を促進するための通信ネットワークおよび産業施設の継続的な近代化 210 17.5.2.3 中東・アフリカのその他の地域 210 18 競争環境 211 18.1 概要 211 18.2 主要企業の競争戦略／勝つための条件、2022年～2025年 211 18.3 市場シェア分析、2025年 212 18.4 売上高分析（2021年～2025年） 214 18.5 企業評価および財務指標 215 18.6 ブランド比較 216 18.6.1 住友化学株式会社（日本） 217 18.6.2 三菱化学グループ（日本） 217 18.6.3 信越化学工業株式会社（日本） 217 18.6.4 IQE PLC（英国） 217 18.6.5 ソイテック（フランス） 217 18.7 企業評価マトリックス：主要企業、2025年 218 18.7.1 スター企業 218 18.7.2 新興リーダー企業 218 18.7.3 広範な事業展開を行う企業 218 18.7.4 参入企業 218 18.7.5 主要企業の事業展開状況、2025年 220 18.7.5.1 企業の事業展開状況 220 18.7.5.2 地域別展開状況 221 18.7.5.3 基板種別展開状況 222 18.7.5.4 ウェハーサイズ別展開状況 223 18.7.5.5 用途別展開状況 223 18.8 企業評価マトリックス：スタートアップ／中小企業、2025年 224 18.8.1 先進的な企業 224 18.8.2 対応力のある企業 224 18.8.3 躍進中の企業 224 18.8.4 スタート地点にある企業 224 18.8.4.1 主要なスタートアップ／中小企業の詳細リスト 226 18.8.4.2 主要なスタートアップ／中小企業の競合ベンチマーク 227 18.9 競争シナリオ 228 18.9.1 製品発売 228 18.9.2 取引 229 18.9.3 事業拡大 230 19 企業概要 231 19.1 はじめに 231 19.2 主要企業 231 19.2.1 住友化学株式会社 231 19.2.1.1 事業概要 231 19.2.1.2 提供製品・ソリューション・サービス 233 19.2.1.3 最近の動向 233 19.2.1.3.1 取引実績 233 19.2.1.4 MnMの見解 234 19.2.1.4.1 主な強み／勝つための要因 234 19.2.1.4.2 戦略的選択 234 19.2.1.4.3 弱み／競合上の脅威 234 19.2.2 三菱化学グループ株式会社 235 19.2.2.1 事業概要 235 19.2.2.2 提供製品・ソリューション・サービス 236 19.2.2.3 MnMの見解 237 19.2.2.3.1 主要な強み／勝つための権利 237 19.2.2.3.2 戦略的選択肢 237 19.2.2.3.3 弱み／競合上の脅威 237 19.2.3 信越化学工業株式会社 238 19.2.3.1 事業概要 238 19.2.3.2 提供製品・ソリューション・サービス 239 19.2.3.3 最近の動向 240 19.2.3.3.1 新製品の発売 240 19.2.3.3.2 取引 240 19.2.3.4 MnMの見解 240 19.2.3.4.1 主な強み／勝つための要因 240 19.2.3.4.2 戦略的選択 241 19.2.3.4.3 弱み／競合上の脅威 241 19.2.4 IQE PLC 242 19.2.4.1 事業概要 242 19.2.4.2 提供製品・ソリューション・サービス 243 19.2.4.3 最近の動向 244 19.2.4.3.1 新製品の発売 244 19.2.4.3.2 取引 244 19.2.4.4 MnMの見解 245 19.2.4.4.1 主な強み／勝つための権利 245 19.2.4.4.2 戦略的選択 245 19.2.4.4.3 弱み／競合上の脅威 245 19.2.5 SOITEC 246 19.2.5.1 事業概要 246 19.2.5.2 提供製品・ソリューション・サービス 247 19.2.5.3 MnMの視点 248 19.2.5.3.1 主要な強み／競争優位性 248 19.2.5.3.2 戦略的選択 248 19.2.5.3.3 弱点／競合上の脅威 248 19.2.6 WOLFSPEED, INC. 249 19.2.6.1 事業概要 249 19.2.6.2 提供製品・ソリューション・サービス 250 19.2.7 インフィニオン・テクノロジーズ（INFINEON TECHNOLOGIES AG） 251 19.2.7.1 事業概要 251 19.2.7.2 提供製品・ソリューション・サービス 252 19.2.7.3 最近の動向 253 19.2.7.3.1 新製品の発売 253 19.2.7.3.2 取引 253 19.2.8 アモイ・パワーウェイ・アドバンスト・マテリアル株式会社 254 19.2.8.1 事業概要 254 19.2.8.2 提供している製品・ソリューション・サービス 255 19.2.9 NGK CORPORATION 256 19.2.9.1 事業概要 256 19.2.9.2 提供製品・ソリューション・サービス 258 19.2.10 KYMA TECHNOLOGIES 259 19.2.10.1 事業概要 259 19.2.10.2 提供製品・ソリューション・サービス 260 19.3 その他の主要企業 261 19.3.1 株式会社IVWORKS 261 19.3.2 SWEGAN 262 19.3.3 NTTアドバンストテクノロジー株式会社 263 19.3.4 AMERICAN ELEMENTS 264 19.3.5 SILTRONIC AG 265 19.3.6 ホームレイ・マテリアル・テクノロジー 266 19.3.7 エタ・リサーチ社 267 19.3.8 ドウア・エレクトロニクス・マテリアルズ株式会社 268 19.3.9 シックスポイント・マテリアルズ社 269 19.3.10 エンクリス・セミコンダクター社 270 19.3.11 アグニット・セミコンダクターズ社 271 19.3.12 蘇州ナノウィン科学技術有限会社 272 19.3.13 ゴエツ・セミコンダクター無錫有限会社 273 19.3.14 上海ファモウス・トレード株式会社 274 19.3.15 オメダ社 275 20 調査方法 276 20.1 調査データ 276 20.1.1 二次調査および一次調査 278 20.1.2 二次データ 278 20.1.2.1 二次資料からの主要データ 279 20.1.2.2 主要な二次情報源の一覧 279 20.1.3 一次データ 280 20.1.3.1 一次インタビュー対象者一覧 280 20.1.3.2 一次情報源からの主要データ 281 20.1.3.3 主要な業界インサイト 281 20.1.3.4 一次インタビューの内訳 282 20.2 市場規模の推計 282 20.2.1 ボトムアップアプローチ 283 20.2.1.1 ボトムアップ分析を用いた市場規模の算出手法 283 20.2.2 トップダウンアプローチ 284 20.2.2.1 トップダウン分析を用いた市場規模の算出手法 284 20.3 データの三角検証 285 20.4 調査の前提条件 286 20.4.1 予測に関する前提条件 287 20.5 調査の限界 287 20.6 リスク分析 288 21 付録 289 21.1 業界専門家からの洞察 289 21.2 ディスカッションガイド 289 21.3 ナレッジストア：MarketsandMarketsのサブスクリプションポータル 293 21.4 カスタマイズオプション 295 21.5 関連レポート 295 21.6 著者情報 296 図表リスト表1 GAN基板市場：対象範囲と除外項目 30.表2 ティア1/2/3企業の戦略的重点分野 56. 表3 ポーターの5つの力分析による影響 58. 表4 主要国別のGDP変化率（2021年～2030年） 60. 表5 GAN基板エコシステムにおける企業の役割 65. 表6 主要プレーヤーが提供するGAN基板の平均販売価格の推移（2022年～2025年、米ドル） 67. 表 7 地域別 GaN 基板の平均販売価格の推移、2022 年～2025 年（米ドル） 68. 表8 HSコード381800に該当する製品の輸入データ（国別、2021年～2025年）（百万米ドル） 69. 表9 HSコード381800に該当する製品の輸出データ（国別、2021年～2025年）（百万米ドル） 71. 表 10 2026 年～2027 年の主要な会議およびイベントの一覧 72. 表 11 三菱化学グループおよび日本製鉄による大口径 GaN 基板の商用化 74. 表 12 リカルド社およびネクスペリア社による窒化ガリウム（GaN）ベースの EV インバータ設計 75. 表 13 SWEGAN AB による QUANFINE GAN-on-SIC EPI ウェーハの商用化 75. 表 14 デルタ・エレクトロニクス社のデータセンター向け GaN ベースの電源 76. 表 15 トランスフォーム社の GaN 技術を用いた、PC ゲーム市場向けのコルセア社製電源の機能強化 76. 表16 米国調整後の相互関税率 77. 表17 GAN基板市場の技術ロードマップ 84. 表18 主要特許一覧（2016年～2025年） 86. 表19 主なユースケースと市場の可能性 87. 表20 OEM別GAN基板のユースケース 88. 表21 AI／汎用AI導入に関する事例研究 89. 表22 相互連携するエコシステムとGAN基板市場プレイヤーへの影響 90. 表23 北米：規制機関、政府機関、およびその他の組織の一覧 92. 表24 欧州： 規制機関、政府機関、およびその他の組織の一覧 93. 表25 アジア太平洋地域：規制機関、政府機関、およびその他の組織の一覧 93. 表26 ロー：規制機関、政府機関、およびその他の組織の一覧 94. 表27 GAN基板に関連する規格 95. 表28 用途別：購買プロセスに対するステークホルダーの影響（%） 98. 表29 用途別：購買基準 99. 表 30 用途別、GaN 基板市場における未充足ニーズ 101. 表 31 基板タイプ別 GaN 基板市場、2022 年～2025 年（百万米ドル） 111. 表 32 2026～2032年の GaN 基板市場（基板タイプ別）（百万米ドル） 111. 表33 GAN基板市場：ウェーハサイズ別、2022年～2025年（百万米ドル） 117. 表34 GAN基板市場、ウェーハサイズ別、2026年～2032年（百万米ドル） 118. 表 35 ウェハーサイズ別 GaN 基板市場、2022 年～2025 年（千ユニット） 118. 表 36 ウェハーサイズ別 GaN 基板市場、2026–2032 年 (千単位) 118. 表 37 GAN 基板市場、ドーピング種別、2022～2025 年（百万米ドル） 122. 表 38 GAN 基板市場、ドーピングタイプ別、2026～2032年（百万米ドル） 123. 表 39 デバイス別 GaN 基板市場、2022 年～2025 年（百万米ドル） 126. 表 40 GAN 基板市場、デバイス種別、2026～2032 年（百万米ドル） 127. 表 41 ディスクリート：GAN 基板市場、タイプ別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 127. 表 42 ディスクリート：GAN 基板市場、タイプ別、2026～2032 年（百万米ドル） 127. 表 43 GAN 基板市場、用途別、2022～2025 年（百万米ドル） 131. 表 44 GAN 基板市場、用途別、2026–2032 年（百万米ドル） 132. 表 45 オプトエレクトロニクス：GAN 基板市場、タイプ別、2022～2025 年（百万米ドル） 132. 表 46 オプトエレクトロニクス：GAN 基板市場、種類別、2026～2032 年（百万米ドル） 133. 表 47 オプトエレクトロニクス：GaN 基板市場、地域別、2022～2025 年（百万米ドル） 133. 表 48 オプトエレクトロニクス：GAN 基板市場、地域別、2026 年～2032 年（百万米ドル） 133. 表 49 LED：GaN 基板市場、タイプ別、2022～2025 年（百万米ドル） 134. 表 50 LED：GAN 基板市場、タイプ別、2026～2032 年（百万米ドル） 134. 表 51 RF デバイス：GAN 基板市場、地域別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 137. 表52 RFデバイス：GAN基板市場、地域別、2026～2032年（百万米ドル） 137. 表 53 パワーデバイス：地域別 GaN 基板市場、2022 年～2025 年（百万米ドル） 138. 表 54 パワーデバイス：地域別 GaN 基板市場、2026 年～2032 年（百万米ドル） 138. 表 55 2022 年～2025 年の用途別 GaN 基板市場（百万米ドル） 140. 表 56 2026～2032 年の用途別 GaN 基板市場（百万米ドル） 141. 表 57 民生用電子機器：地域別 GAN 基板市場、2022 年～2025 年（百万米ドル） 142. 表 58 民生用電子機器：地域別 GaN 基板市場、2026–2032 年（百万米ドル） 142. 表59 民生用電子機器：北米におけるGaN基板市場（国別、2022年～2025年）（百万米ドル） 142. 表 60 民生用電子機器：北米の GaN 基板市場、国別、2026–2032 年（百万米ドル） 143. 表 61 民生用電子機器：欧州の GaN 基板市場、国別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 143. 表 62 民生用電子機器：欧州の GaN 基板市場、国別、2026 年～2032 年（百万米ドル） 143. 表 63 民生用電子機器：アジア太平洋地域の GaN 基板市場、国別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 144. 表 64 民生用電子機器：アジア太平洋地域の GaN 基板市場、国別、2026 年～2032 年（百万米ドル） 144. 表 65 民生用電子機器：その他の地域（ROW）における GaN 基板市場、地域別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 144. 表 66 民生用電子機器：その他の地域における GaN 基板市場、地域別、2026 年～2032 年（百万米ドル） 145. 表 67 電気通信：地域別 GaN 基板市場、2022 年～2025 年（百万米ドル） 146. 表 68 電気通信：地域別 GAN 基板市場、2026 年～2032 年（百万米ドル） 146. 表 69 電気通信：北米の GaN 基板市場、国別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 146. 表70 電気通信：北米のGaN基板市場、国別、2026年～2032年（百万米ドル） 147. 表71 電気通信：欧州のGAN基板市場（国別、2022年～2025年）（百万米ドル） 147. 表72 電気通信：欧州のGAN基板市場（国別、2026年～2032年） （百万米ドル） 147. 表73 電気通信：アジア太平洋地域のGaN基板市場（国別、2022年～2025年） （百万米ドル） 148. 表 74 電気通信：アジア太平洋地域の GaN 基板市場、国別、2026～2032年（百万米ドル） 148. 表 75 電気通信：その他の地域（ROW）における GaN 基板市場、地域別、2022–2025 年 (百万米ドル) 148. 表76 電気通信：その他の地域（ROW）におけるGaN基板市場、地域別、2026–2032年（百万米ドル） 149. 表77 自動車： GAN基板市場、地域別、2022年～2025年 （百万米ドル） 150. 表78 自動車：GAN基板市場、地域別、2026–2032年（百万米ドル） 150. 表79 自動車：北米におけるGAN基板市場（国別、2022年～2025年）（百万米ドル） 150. 表80 自動車： 北米におけるGAN基板市場：国別、2026年～2032年 （百万米ドル） 150. 表81 自動車：欧州のGAN基板市場（国別、2022年～2025年）（百万米ドル） 151. 表82 自動車：欧州のGAN基板市場（国別、2026年～2032年）（百万米ドル） 151. 表 83 自動車：アジア太平洋地域の GaN 基板市場、国別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 152. 表 84 自動車：アジア太平洋地域の GaN 基板市場、国別、2026 年～2032 年 （百万米ドル） 152. 表 85 自動車：その他の地域（ROW）における GaN 基板市場、地域別、2022–2025 年（百万米ドル） 152. 表86 自動車：その他の地域（ROW）におけるGaN基板市場、地域別、 2026–2032年（百万米ドル） 153. 表87 航空宇宙・防衛：GaN基板市場、地域別、2022–2025年（百万米ドル） 154. 表88 航空宇宙・防衛：地域別GaN基板市場、2026年～2032年（百万米ドル） 154. 表89 航空宇宙・防衛：北米におけるGaN基板市場（国別、2022年～2025年）（百万米ドル） 154. 表 90 航空宇宙・防衛：北米における GaN 基板市場、国別、2026–2032 年（百万米ドル） 155. 表 91 航空宇宙・防衛：欧州の GaN 基板市場、国別、2022–2025 年 （百万米ドル） 155. 表 92 航空宇宙・防衛：欧州の GaN 基板市場、国別、2026 年～2032 年（百万米ドル） 155. 表93 航空宇宙・防衛：アジア太平洋地域のGaN基板市場（国別、2022～2025年）（百万米ドル） 156. 表94 航空宇宙・防衛： アジア太平洋地域のGAN基板市場：国別、2026年～2032年（百万米ドル） 156. 表95 航空宇宙・防衛：その他の地域（ROW）におけるGaN基板市場、地域別、2022～2025年（百万米ドル） 156. 表96 航空宇宙・防衛： その他の地域（ROW）におけるGAN基板市場、地域別、2026–2032年（百万米ドル） 157. 表97 エネルギー・電力：GAN基板市場、地域別、 2022～2025年（百万米ドル） 157. 表98 エネルギー・電力：地域別GaN基板市場、2026～2032年（百万米ドル） 158. 表99 エネルギー・電力：北米におけるGaN基板市場（国別）、2022–2025年 （百万米ドル） 158. 表100 エネルギー・電力：北米のGaN基板市場（国別、2026–2032年） （百万米ドル） 158. 表101 エネルギー・電力：欧州のGaN基板市場（国別、2022年～2025年）（百万米ドル） 159. 表102 エネルギー・電力：欧州のGaN基板市場（国別、2026年～2032年）（百万米ドル） 159. 表103 エネルギー・電力：アジア太平洋地域のGaN基板市場（国別、2022年～2025年） （百万米ドル） 160. 表 104 エネルギー・電力：アジア太平洋地域の GaN 基板市場、国別、2026～2032 年（百万米ドル） 160. 表 105 エネルギー・電力：その他の地域（ROW）における GaN 基板市場、地域別、2022～2025 年（百万米ドル） 160. 表106 エネルギー・電力：その他の地域（ROW）におけるGaN基板市場、地域別、2026～2032年（百万米ドル） 161. 表 107 ヘルスケア：GAN 基板市場、地域別、2022～2025 年（百万米ドル） 161. 表 108 ヘルスケア：地域別 GAN 基板市場、2026 年～2032 年（百万米ドル） 162. 表 109 ヘルスケア：北米における GAN 基板市場、国別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 162. 表 110 ヘルスケア：北米の GAN 基板市場、国別、2026 年～2032 年（百万米ドル） 162. 表 111 ヘルスケア：欧州の GaN 基板市場、国別、2022 年～2025 年 （百万米ドル） 163. 表 112 ヘルスケア：欧州の GaN 基板市場、国別、2026–2032 年（百万米ドル） 163. 表 113 ヘルスケア：アジア太平洋地域の GAN 基板市場（国別、2022 年～2025 年）（百万米ドル） 164. 表114 ヘルスケア：アジア太平洋地域のGAN基板市場（国別、2026年～2032年）（百万米ドル） 164. 表115 ヘルスケア： その他の地域（ROW）におけるGAN基板市場：地域別、2022年～2025年（百万米ドル） 164. 表116 ヘルスケア：その他の地域（ROW）におけるGAN基板市場、地域別、2026年～2032年 （百万米ドル） 165. 表 117 産業用：GAN基板市場、地域別、2022–2025年（百万米ドル） 165. 表 118 産業用： 地域別 GaN 基板市場、2026年～2032年（百万米ドル） 166. 表119 産業用：北米におけるGAN基板市場（国別、2022年～2025年）（百万米ドル） 166. 表120 産業用： 北米におけるGaN基板市場：国別、2026–2032年（百万米ドル） 166. 表121 産業用：欧州のGaN基板市場（国別、2022～2025年）（百万米ドル） 167. 表122 産業用：欧州のGaN基板市場（国別、2026年～2032年）（百万米ドル） 167. 表 123 産業用：アジア太平洋地域の GaN 基板市場、国別、2022～2025 年（百万米ドル） 168. 表 124 産業用：アジア太平洋地域の GaN 基板市場、国別、2026–2032 年 （百万米ドル） 168. 表 125 産業用：その他の地域（ROW）における GaN 基板市場、地域別、2022～2025 年 （百万米ドル） 168. 表 126 産業用：その他の地域（ROW）における GaN 基板市場、地域別、2026～2032 年（百万米ドル） 169. 表127 地域別GaN基板市場、2022～2025年（百万米ドル） 171. 表128 地域別GaN基板市場、2026～2032年 （百万米ドル） 172. 表129 北米：GAN基板市場、国別、2022–2025年（百万米ドル） 173. 表130 北米： GAN基板市場、国別、2026–2032年（百万米ドル） 173. 表131 北米：GAN基板市場、最終用途別、2022–2025年 （百万米ドル） 174. 表132 北米：GAN基板市場、最終用途別、2026–2032年（百万米ドル） 174. 表133 北米： GAN基板市場（用途別）、2022–2025年（百万米ドル） 174. 表134 北米：GAN基板市場（用途別）、2026–2032年 （百万米ドル） 175. 表135 米国：GAN基板市場、最終用途別、2022年～2025年（百万米ドル） 176. 表136 米国：GAN基板市場（最終用途別）、2026年～2032年（百万米ドル） 176. 表 137 カナダ：GAN 基板市場、最終用途別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 177. 表 138 カナダ：GAN 基板市場、最終用途別、2026～2032年（百万米ドル） 178. 表 139 メキシコ：GAN 基板市場、最終用途別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 179. 表 140 メキシコ：GAN 基板市場、最終用途別、2026–2032 年（百万米ドル） 179. 表 141 欧州：GAN 基板市場、国別、2022–2025 年（百万米ドル） 181. 表 142 欧州： GAN基板市場、国別、2026–2032年（百万米ドル） 181. 表143 ヨーロッパ：GAN基板市場、最終用途別、2022–2025年 （百万米ドル） 181. 表144 欧州：GAN基板市場、最終用途別、2026–2032年（百万米ドル） 182. 表145 欧州： GAN基板市場、用途別、2022–2025年 (百万米ドル) 182. 表146 欧州： GAN基板市場、用途別、2026–2032年 (百万米ドル) 182. 表147 ドイツ：GAN基板市場、最終用途別、2022–2025年 （百万米ドル） 183. 表148 ドイツ：GAN基板市場、最終用途別、2026年～2032年（百万米ドル） 184. 表149 英国：GAN基板市場（最終用途別）、2022年～2025年（百万米ドル） 185. 表150 英国：GAN基板市場（最終用途別）、2026–2032年（百万米ドル） 185. 表151 フランス： GAN基板市場、最終用途別、2022–2025年（百万米ドル） 186. 表152 フランス：GAN基板市場、最終用途別、2026年～2032年（百万米ドル） 186. 表153 オランダ：GAN基板市場、最終用途別、2022–2025年（百万米ドル） 187. 表 154 オランダ：GAN 基板市場、最終用途別、2026～2032 年（百万米ドル） 188. 表 155 イタリア：GAN 基板市場、最終用途別、2022–2025 年（百万米ドル） 188. 表 156 イタリア：GAN 基板市場、最終用途別、2026–2032 年（百万米ドル） 189. 表 157 スペイン： GAN基板市場、最終用途別、2022年～2025年（百万米ドル） 189. 表158 スペイン：GAN基板市場、最終用途別、2026年～2032年 （百万米ドル） 190. 表159 欧州その他地域：GAN基板市場、最終用途別、2022–2025年（百万米ドル） 190. 表160 欧州その他地域：GAN基板市場（最終用途別）、2026～2032年（百万米ドル） 191. 表 161 アジア太平洋地域：GAN 基板市場（国別）、2022–2025 年（百万米ドル） 192. 表 162 アジア太平洋地域： GAN基板市場、国別、2026–2032年（百万米ドル） 193. 表163 アジア太平洋地域：GAN基板市場、最終用途別、2022–2025年 （百万米ドル） 193. 表164 アジア太平洋地域：GAN基板市場（最終用途別、2026–2032年）（百万米ドル） 193. 表 165 アジア太平洋地域：GaN 基板市場、用途別、2022～2025 年（百万米ドル） 194. 表 166 アジア太平洋地域：GaN 基板市場、用途別、2026 年～2032 年（百万米ドル） 194. 表 167 中国：GaN 基板市場、最終用途別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 195. 表 168 中国：GaN 基板市場、最終用途別、2026 年～2032 年（百万米ドル） 195. 表 169 日本：GaN 基板市場、最終用途別、2022 年～2025 年 （百万米ドル） 196. 表 170 日本：GaN 基板市場、最終用途別、2026～2032 年（百万米ドル） 196. 表 171 韓国：GAN 基板市場、最終用途別、2022～2025 年 (百万米ドル) 197. 表 172 韓国： GAN基板市場：最終用途別、2026–2032年（百万米ドル） 198. 表 173 インド：GAN 基板市場、最終用途別、2022～2025 年（百万米ドル） 199. 表174 インド：GAN基板市場、最終用途別、2026年～2032年（百万米ドル） 199. 表 175 台湾：GaN 基板市場、最終用途別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 200. 表 176 台湾：GaN 基板市場、最終用途別、2026～2032 年（百万米ドル） 200. 表 177 東南アジア：GaN 基板市場、最終用途別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 201. 表 178 東南アジア：GaN 基板市場、最終用途別、2026～2032 年（百万米ドル） 202。 表 179 アジア太平洋その他の地域：GaN 基板市場、最終用途別、2022～2025 年 （百万米ドル） 202. 表 180 アジア太平洋その他の地域：GAN 基板市場、最終用途別、2026–2032 年（百万米ドル） 203. 表 181 ROW：GAN 基板市場、地域別、2022–2025 年 (百万米ドル) 203. 表 182 ROW： GAN基板市場、地域別、2026–2032年（百万米ドル） 204. 表183 ROW：GAN基板市場、最終用途別、2022–2025年 （百万米ドル） 204. 表184の行：GAN基板市場、最終用途別、2026–2032年 （百万米ドル） 204. 表185：GAN基板市場、用途別、2022–2025年 （百万米ドル） 205. 表186の行：GAN基板市場、用途別、2026年～2032年（百万米ドル） 205. 表 187 南米：GAN 基板市場、国別、2022～2025 年 (百万米ドル) 205. 表 188 南米：GAN 基板市場、国別、2026～2032 年（百万米ドル） 206. 表 189 南米：GAN 基板市場、最終用途別、2022～2025 年（百万米ドル） 206. 表 190 南米：GaN 基板市場、最終用途別、2026 年～2032 年（百万米ドル） 206. 表 191 中東・アフリカ：GAN 基板市場、国別、2022 年～2025 年（百万米ドル） 208. 表 192 中東・アフリカ：GAN 基板市場、国別、2026～2032 年（百万米ドル） 208. 表 193 中東・アフリカ：GAN 基板市場、最終用途別、2022～2025年 （百万米ドル） 208. 表 194 中東・アフリカ：GAN 基板市場、最終用途別、2026–2032 年（百万米ドル） 209. 表 195 GAN 基板市場：主要プレーヤーによる戦略の概要、2022年1月～2025年12月 211. 表196 GAN基板市場：競争の激しさ、2025年 213. 表 197 GAN 基板市場：地域別シェア 221. 表 198 GAN 基板市場：基板タイプ別シェア 222. 表 199 GAN 基板市場：ウェーハサイズの市場規模 223. 表 200 GAN 基板市場：用途別の市場規模 223. 表 201 GAN基板市場：主要スタートアップ／中小企業の詳細リスト 226. 表 202 GAN基板市場：スタートアップ／中小企業向け競合ベンチマーク (1/4) 227. 表 203 GaN基板市場：スタートアップ／中小企業向け競合ベンチマーク (2/4) 227. 表 204 GaN基板市場： スタートアップ／中小企業向け競合ベンチマーク (3/4) 227. 表 205 GAN基板市場：スタートアップ／中小企業向け競合ベンチマーク (4/4) 228. 表206 GaN基板市場：製品発売、2022年1月～2025年12月 228. 表207 GaN基板市場： 取引件数、2022年1月～2025年12月 229. 表208 GAN基板市場：事業拡大、2022年1月～2025年12月 230. 表209 住友化学株式会社：企業概要 232. 表210 住友化学株式会社：提供製品・ソリューション・サービス 233. 表 211 住友化学株式会社：取引実績 233. 表 212 三菱化学グループ株式会社：会社概要 235. 表 213 三菱化学グループ株式会社：提供製品・ソリューション・サービス 236. 表 214 信越化学工業株式会社：会社概要 238. 表 215 信越化学工業株式会社：提供製品・ソリューション・サービス 239. 表 216 信越化学工業株式会社：新製品の発売 240. 表 217 信越化学工業株式会社：取引 240. 表 218 IQE PLC：会社概要 242. 表 219 IQE PLC：提供製品・ソリューション・サービス 243. 表 220 IQE PLC：製品発売 244. 表 221 IQE PLC：取引実績 244. 表 222 SOITEC：会社概要 246. 表 223 SOITEC：提供している製品・ソリューション・サービス 247. 表 224 WOLFSPEED, INC.：会社概要 249. 表 225 ウルフスピード社：提供製品・ソリューション・サービス 250. 表 226 インフィニオン・テクノロジーズ社：会社概要 251. 表 227 インフィニオン・テクノロジーズ AG：提供製品・ソリューション・サービス 252. 表 228 インフィニオン・テクノロジーズ AG：製品発売 253. 表 229 インフィニオン・テクノロジーズ AG：取引 253. 表 230 アモイ・パワーウェイ・アドバンスト・マテリアル株式会社：会社概要 254. 表 231 アモイ・パワーウェイ・アドバンスト・マテリアル株式会社：提供製品・ソリューション・サービス 255. 表 232 NGK コーポレーション：会社概要 256. 表 233 NGK コーポレーション：提供製品・ソリューション・サービス 258. 表 234 KYMA TECHNOLOGIES： 会社概要 259. 表 235 KYMA TECHNOLOGIES：提供製品・ソリューション・サービス 260. 表 236 IVWORKS株式会社：会社概要 261. 表237 スウェガン：企業概要 262. 表238 NTTアドバンストテクノロジー株式会社：企業概要 263. 表 239 アメリカン・エレメンツ：会社概要 264. 表 240 シルトロニック AG：会社概要 265. 表 241 ホムレイ・マテリアル・テクノロジー：会社概要 266. 表 242 ETA リサーチ社：会社概要 267. 表 243 ドーワ・エレクトロニクス・マテリアルズ株式会社：会社概要 268. 表 244 シックスポイント・マテリアルズ社：会社概要 269. 表 245 エンクリス・セミコンダクター社：会社概要 270. 表 246 アグニット・セミコンダクターズ社：会社概要 271. 表 247 蘇州ナノウィン・サイエンス・アンド・テクノロジー株式会社：会社概要 272. 表 248 ゴエツ・セミコンダクター無錫株式会社：会社概要 273. 表 249 上海ファモウス・トレード株式会社：会社概要 274. 表 250 オメダ社：会社概要 275. 表 251 主な二次情報源 279. 表 252 一次インタビューの参加者 280. 表 253 一次インタビューに参加した GaN 基板メーカーの役割 280. 表 254 GaN 基板市場：調査の前提条件 286. 表 255 GaN基板市場：予測に関する前提条件 287. 表 256 GaN基板市場：リスク分析 288. 図1 GaN基板市場のセグメンテーションおよび地域範囲 29. 図2 GaN基板市場：対象期間 31. 図3 GAN基板市場のシナリオ 33. 図4 世界のGAN基板市場規模、 2022年～2032年 34. 図5 GAN基板市場における主要プレーヤーが採用する主要戦略（2022年～2025年） 34. 図6 GAN基板市場の成長に影響を与えるディスラプション 35. 図7 GAN基板市場における高成長セグメント、2026–2032年 36. 図8 予測期間中、GAN基板市場においてアジア太平洋地域が最高の年平均成長率（CAGR）を記録する見込み 37. 図9 半導体製造、電気自動車、再生可能エネルギーへの投資拡大がGAN基板市場を牽引 38. 図10 予測期間中、GAN-on-SiCセグメントが市場を支配 39. 図11 2032年には6インチセグメントが最大の市場シェアを占める見込み 39. 図 12 2026 年から 2032 年にかけて、N 型 GaN セグメントが市場を支配 40. 図 13 2032 年にはディスクリートセグメントがより大きな市場シェアを確保 40. 図14 2032年には通信セグメントが最大の市場シェアを獲得する見込み 40. 図15 2026年には、RFデバイスセグメントと中国がアジア太平洋地域のGAN基板市場で最大のシェアを占める見込み 41. 図 16 推進要因、制約要因、機会、および課題 43. 図 17 2024 年および 2028 年の世界の 5G 接続数 45. 図18 影響分析：推進要因 47. 図19 影響分析：制約要因 48. 図20 シリコンからGaNへの移行による省エネ効果 49. 図21 影響分析：機会 50. 図22 影響分析：課題 52. 図23 ポーターの5つの力分析 57. 図24 GaN基板のサプライチェーン分析 63. 図25 GAN基板のエコシステム 64. 図26 主要企業によるGAN基板の平均販売価格の推移（2022年～2025年） 66. 図27 地域別GAN基板の平均販売価格（ASP）の推移（2022年～2025年） 68. 図28 主要5カ国におけるHSコード381800に該当する製品の輸入シナリオ（2021年～2025年） 69. 図29 主要5カ国におけるHSコード381800に該当する製品の輸出シナリオ（2021年～2025年） 70. 図 30 顧客のビジネスに影響を与えるトレンド／ディスラプション 73. 図 31 投資および資金調達のシナリオ、2021年～2025年 74. 図 32 2016 年～2025 年の特許出願および登録件数 85. 図 33 意思決定要因 97. 図34 用途別、購買プロセスに対するステークホルダーの影響 98. 図35 用途別、主要な購買基準 99. 図36 GAN基板の導入障壁と内部的課題 100. 図37 GAN-ON-SICセグメントが2026年および2032年に最大の市場シェアを獲得 110. 図38 6インチセグメントが2026年および2032年に最大の市場シェアを占める 117. 図39 2026年および2032年にはN型GANセグメントが最大の市場シェアを占める見込み 122. 図40 2026年および2032年にはディスクリートセグメントがより大きな市場シェアを占める見込み 126. 図41 RFデバイスセグメントが2026年および2032年に最大の市場シェアを獲得 131. 図42 2026年から2032年にかけて、通信セグメントが市場シェアを支配する見込み 140. 図43 予測期間中、アジア太平洋地域が最も急速に成長する地域となる見込み 171. 図44 北米：GaN基板市場の概要 173. 図45 欧州：GaN基板市場の概要 180. 図46 アジア太平洋地域：GAN基板市場の概要 192. 図47 GAN基板を提供する企業の市場シェア分析（2025年） 213. 図48 GAN基板市場：主要5社の売上高分析（2021年～2025年） 214. 図49 企業評価 215. 図50 財務指標（EV/EBITDA） 215. 図51 ブランド比較 216. 図52 GAN基板市場：企業評価マトリックス（主要企業）、2025年 219. 図53 GAN基板市場：企業の事業展開状況 220. 図54 GAN基板市場：企業評価マトリックス（スタートアップ／中小企業）、2025年 225. 図55 住友化学株式会社：企業概要 232. 図56 三菱化学グループ：企業概要 236. 図57 信越化学工業株式会社：企業概要 239. 図58 IQE PLC：企業概要 243. 図59 SOITEC：企業概要 247. 図60 ウルフスピード社：企業概要 250. 図61 インフィニオン・テクノロジーズAG：企業概要 252. 図62 NGK株式会社：企業概要 257。 図63 GaN基板市場：調査設計 277。 図64 GaN基板市場：調査アプローチ 278. 図65 二次情報源から収集したデータ 279. 図66 一次情報源から収集したデータ 281. 図67 業界インサイトからの主な調査結果 281. 図68 企業タイプ、役職、地域別の一次インタビュー内訳 282. 図69 GAN基板市場の規模推計 283. 図70 GAN基板市場：ボトムアップアプローチ 284. 図71 GAN基板市場：トップダウンアプローチ 284. 図72 GAN基板市場規模の推計：供給側 285. 図73 GAN基板市場：データの三角測量 286. 図74 GAN基板市場：業界専門家による見解 289.
SummaryThe global GaN substrate market size is projected to grow from USD 0.62 billion in 2026 to USD 1.25 billion by 2032, at a CAGR of 12.5% during the forecast period. The market is witnessing robust growth, owing to the increasing adoption of wide-bandgap semiconductors in high-performance power electronics and RF applications. Rising demand for electric vehicles, 5G infrastructure, renewable energy systems, data centers, and advanced defense technologies is accelerating the deployment of GaN-based devices due to their superior efficiency, higher power density, and faster switching capabilities. Continuous advancements in crystal growth techniques, larger wafer production, and defect reduction are improving substrate quality while lowering manufacturing costs. Key market trends include investments in domestic semiconductor manufacturing, growing adoption of GaN in AI and high-performance computing applications, and strategic collaborations across the semiconductor value chain to strengthen supply resilience and accelerate commercialization of next-generation GaN technologies. GaN-on-SiC segment to account for the largest share of the GaN substrate market in 2026 By substrate type, the GaN-on-SiC segment is projected to hold the largest market share in 2026 due to its superior thermal conductivity, high breakdown voltage, and excellent high-frequency performance. These characteristics make GaN-on-SiC substrates the preferred choice for RF devices and high-power electronics used in telecommunications, aerospace & defense, industrial systems, and electric vehicles. Continuous advancements in epitaxial growth technologies and wafer quality are further improving device reliability and manufacturing efficiency. Additionally, increasing deployment of 5G infrastructure, satellite communications, and high-power applications is expected to sustain the dominance of the GaN-on-SiC segment during the forecast period. 8-inch wafer segment to exhibit the highest CAGR in the GaN substrate market during the forecast period By wafer size, the 8-inch wafer segment is projected to register the highest CAGR during the forecast period, owing to the semiconductor industry’s transition toward larger-diameter wafers for improved manufacturing efficiency and lower production costs. Compared with smaller wafers, 8-inch GaN substrates enable higher device output per wafer and better compatibility with existing semiconductor fabrication facilities. Investments in large-scale GaN manufacturing for power electronics, AI data centers, automotive electronics, and renewable energy applications are boosting the adoption of 8-inch wafers. Furthermore, continuous advancements in crystal growth technologies and wafer processing are expected to strengthen the commercial adoption of large-diameter GaN substrates globally. Asia Pacific to be the fastest-growing region in the GaN substrate market between 2026 and 2032 Asia Pacific is projected to register the highest CAGR during the forecast period due to rapid expansion of semiconductor manufacturing, increasing investments in electric vehicles, and growing deployment of 5G/6G communication infrastructure. Countries such as China, Japan, South Korea, and Taiwan are strengthening domestic semiconductor ecosystems through substantial investments in advanced materials, wafer manufacturing, and compound semiconductor technologies. The region also benefits from a well-established electronics supply chain, strong government support, and expanding R&D activities. Furthermore, the mounting demand for GaN-based power electronics, RF devices, and optoelectronic applications is expected to accelerate the adoption of GaN substrates across the region. Breakdown of Primaries Various executives from key organizations operating in the GaN substrate market were interviewed in-depth, including CEOs, marketing directors, and innovation and technology directors. • By Company Type: Tier 1–40%, Tier 2–30%, and Tier 3–30% • By Designation: Directors–20%, Managers–10%, and Others–70% • By Region: Asia Pacific–45%, Europe–25%, North America–20%, and RoW–10% The GaN substrate market is dominated by Sumitomo Chemical Co., Ltd. (Japan), which is followed by Mitsubishi Chemical Corporation (Japan), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (Japan), SOITEC (France), IQE plc (UK), Wolfspeed Inc. (US), Infineon Technologies AG (Germany), Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. (China), NGK Corporation (Japan), and Kyma Technologies (US). Study Coverage The report segments the GaN substrate market by substrate type, wafer size, device type, doping type, application, end use, and region. The report also discusses the drivers, restraints, opportunities, and challenges influencing market growth. It provides a detailed view of the market across four major regions—North America, Europe, Asia Pacific, and RoW. In addition, the report includes a value chain analysis, competitive landscape, and company profiles of key market participants operating across the global GaN substrate ecosystem. Key Benefits of Buying the Report • Analysis of key drivers (Surging adoption of GaN power devices across industrial applications, Growing demand for GaN substrates in 5G and RF applications), restraints (Technical issues associated with GaN substrate manufacturing, Competition from alternate technologies), opportunities (Strong focus on minimizing carbon footprints, Advancements in GaN-on-silicon technology), and challenges (Cost competitiveness against silicon, Complex supply chain and lack of standardization) influencing the growth of the GaN substrate market • Products/Solution/Service Development/Innovation: Detailed insights into upcoming products, research, and development activities in the GaN substrate market • Market Development: Comprehensive information about lucrative markets–the report analyzes the GaN substrate market across varied regions • Market Diversification: Exhaustive information about GaN substrate in untapped geographies, recent developments, and investments in the GaN substrate market • Competitive Assessment: In-depth assessment of market shares and growth strategies, and offerings of leading players offering components of the GaN substrate market, such as Sumitomo Chemical Co., Ltd. (Japan), Mitsubishi Chemical Corporation (Japan), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (Japan), IQE plc (UK), and SOITEC (France)Table of Contents1 INTRODUCTION 27 List of Tables/GraphsTABLE 1 GAN SUBSTRATE MARKET: INCLUSIONS AND EXCLUSIONS 30.
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