半導体RDL(再配線層)
AI・HPC向け半導体の高性能化・高集積化に伴い、複数のチップを高密度・高速に接続する先端パッケージ技術が注目されています。その中で、 RDL(Redistribution Layer:再配線層) はチップの電極を再配... もっと見る
※税別価格:180,000円
サマリーAI・HPC向け半導体の高性能化・高集積化に伴い、複数のチップを高密度・高速に接続する先端パッケージ技術が注目されています。その中で、RDL(Redistribution Layer:再配線層)はチップの電極を再配置し、チップ間や基板との高密度な電気接続を実現する重要な技術です。
【対象技術】 本調査では、米国(US)、中国(CN)、韓国(KR)、台湾(TW)、国際出願(WO)、日本(JP)のグローバルな特許情報から2023年10月~2026年9月までの最先出願特許情報を対象としました。RDLに関する見ておきたい発明と技術的特徴がある特許情報306件を調査しました。具体的には、材料、配線、製造、電気、熱、信頼性などの技術を整理しています。さらに、TSV、インターポーザ、チップレット、ブリッジ、光電融合など、RDLと関連する周辺技術も参考情報として対象としました。 目次・材料・絶縁/誘電特性 ・構造・配線構成 ・形成・製造プロセス ・電気・信号/受動素子機能 ・熱 ・応力・反り・接着 ・設計・検査・評価・信頼性 ・その他
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