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SiCとGaNパワーデバイス市場レポート:2031年までの動向、予測、競合分析

SiCとGaNパワーデバイス市場レポート:2031年までの動向、予測、競合分析


SiC & GaN Power Device Market Report: Trends, Forecast and Competitive Analysis to 2031

SiC&GaNパワーデバイス市場の動向と予測 SiC&GaNパワーデバイスの世界市場の将来は、民生用電子機器、自動車・輸送機器、産業用市場でのビジネスチャンスにより有望視されている。世界のSiC&GaNパワーデバイス市... もっと見る

 

 

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Lucintel
ルシンテル
2025年5月16日 US$4,850
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サマリー

SiC&GaNパワーデバイス市場の動向と予測
SiC&GaNパワーデバイスの世界市場の将来は、民生用電子機器、自動車・輸送機器、産業用市場でのビジネスチャンスにより有望視されている。世界のSiC&GaNパワーデバイス市場は、2025年から2031年にかけて年平均成長率32.5%で成長すると予想される。この市場の主な原動力は、電気自動車の普及拡大、再生可能エネルギーシステムに対する需要の高まり、エネルギー効率の高い電子機器の重視の高まりである。

- Lucintelの予測では、タイプ別ではGanが予測期間中に高い成長を遂げる見込みである。
- 用途別では、自動車・輸送が最も高い成長が見込まれる。
- 地域別では、APACが予測期間中に最も高い成長が見込まれる。

SiC&GaNパワーデバイス市場の新たな動向
SiC&GaNパワーデバイス市場には、業界を変革する重要なトレンドが数多く見られる。技術の進歩、環境問題、エネルギー効率の高いソリューションの必要性が、市場の進化を形成している。このような新たなトレンドを認識することで、市場がどのような方向に進んでいるのか、また、企業が将来の発展のためにこの変化をどのように活用できるのかを指摘することが容易になる。
- 電気自動車への採用拡大:GaNとSiCデバイスは、高電圧アプリケーションで高性能を発揮するため、電気自動車への採用が加速している。これらのデバイスは、電気自動車のパワートレインの効率を向上させ、充電の高速化、航続距離の延長、バッテリーの長寿命化を実現します。電気モビリティへのシフトは、メーカーがEVインバータ、充電ステーション、パワー・マネージメント・システムにこれらのパワー・デバイスを採用することで、SiCとGaN市場の著しい成長を促している。政府がEVの普及を推進し続ける中、SiCとGaNデバイスの需要は増加するだろう。
- 再生可能エネルギーの統合:再生可能エネルギーシステムにおけるSiCおよびGaNパワーデバイスの統合は、市場成長に寄与するもう1つの大きな傾向である。これらのデバイスは、ソーラーインバータ、風力タービン用パワーエレクトロニクス、グリッド接続エネルギーシステムの性能を最適化する上で不可欠である。SiCとGaNは効率が高く、電力変換とグリッド安定化の改善を促進する。各国が持続可能な目標を達成するために再生可能エネルギーの容量を増やそうと努力しているため、これらのパワー・デバイスの需要は加速しており、SiCとGaNはグリーン・エネルギー革命の重要な促進者となっている。
- 5Gインフラ開発:5Gネットワークの展開は、SiCおよびGaNパワー・デバイスの需要を牽引する重要な要因です。これらのデバイスは、5G基地局や無線通信システムの電力増幅や信号処理に不可欠である。SiCとGaN技術は、より高い電力密度と効率を提供し、5Gインフラで必要とされる高周波アプリケーションに適している。5Gの展開が世界的に勢いを増す中、SiCとGaNデバイスは、将来の無線通信技術を実現する上で中心的な役割を担うことになる。
- コスト削減とスケーラビリティの向上:SiCおよびGaNデバイスの価格は、製造方法の改善と規模の経済の結果、継続的に低下している。製造プロセスが進歩するにつれて、これらの高性能デバイスはメーカーにより競争力のある価格となり、より広範なアプリケーションで利用できるようになります。この傾向は、自動車から家電、産業オートメーションに至るまで、さまざまな産業での採用に拍車をかけるはずだ。スケーラビリティの向上とコストの低減が相まって、SiC および GaN パワー・デバイスの市場規模は全体としてさらに拡大することになる。
- ハイブリッドおよび電気航空機:GaNおよびSiCパワー・デバイス市場の新たなトレンドの1つは、ハイブリッドおよび電気飛行機への応用である。航空宇宙産業は、燃料効率と排出ガスを改善するためにハイブリッド電気推進システムを検討している。GaNとSiCパワー・デバイスは、その高効率と高電圧定格で動作する能力から、このようなシステムには不可欠であり、航空機の電源管理システムへの応用に適している。より環境に優しい航空オプションへの需要が、この新市場におけるSiCとGaN技術の成長と利用を後押ししている。
これらすべてが、SiCおよびGaNパワーデバイス市場の将来を定義し、輸送、エネルギー、電気通信、航空宇宙などの分野における革新と拡大の可能性をもたらしている。

SiC&GaNパワーデバイス市場の最近の動向
SiC&GaNパワーデバイス市場には、さまざまな産業でこれらの高性能材料の使用を後押しする最近の動きが見られます。これらの開発は、技術的進歩、コスト削減、市場成長を推進するアプリケーションの増加を目的としている。
- GaN-on-Si技術開発:SiCおよびGaNパワーデバイス市場における最も重要な進展の1つは、GaN-on-Si技術の開発である。この技術革新は、シリコン基板上にGaNを成長させるもので、生産コストがはるかに安く、拡張性も高い。GaN-on-Si技術は、従来のGaNと同じ優れた性能を持ちながら、より低コストであるため、幅広い用途への応用が可能です。この技術革新により、GaNデバイスの用途は、家電から自動車産業まで、より広範な産業へと広がる可能性がある。
- 電気自動車用SiCパワー・デバイス:SiCパワー・デバイスは、電気自動車への応用において大幅な成長を遂げている。このデバイスは現在、全体的なエネルギー効率を高め、重量を減らし、走行距離を伸ばすために、電気自動車のパワートレインに組み込まれています。充電効率と熱管理の改善により、SiCベースのパワーエレクトロニクスは、急速充電と航続距離の延長という顧客の期待に応えるEVメーカーに貢献している。EV市場におけるSiCの使用は、SiCおよびGaNパワーデバイス市場の主要な成長ドライバーのひとつである。
- 電気通信におけるGaN技術の成長:GaNパワー・デバイスは、通信、特に5Gインフラでますます使用されるようになっている。GaNパワー・デバイスは基地局用パワー・アンプに利用されており、その高い電力密度処理能力と高速スイッチング速度が重要である。GaNの効率は高く、それがエネルギー効率と熱管理が鍵となる5G基地局に最適である。この成長により、通信業界はGaNの利用を促進しており、現在進行中の5Gネットワークの拡大は、今後も需要を牽引し続けるだろう。
- 再生可能エネルギー・システムでの使用:SiCとGaNデバイスは、ソーラー・インバータ、風力タービン、エネルギー貯蔵システムの電力変換効率を高めるため、再生可能エネルギー・システムに組み込まれている。これらのデバイスは、再生可能エネルギー・インフラの信頼性と性能を向上させるもので、各国が持続可能性目標の達成に取り組む中で、その重要性はますます高まっています。再生可能エネルギーにおけるSiCおよびGaNデバイスの使用は、世界をよりクリーンなエネルギー源へと向かわせ、これらのデバイスをより環境に優しい世界の中心的な促進装置にしています。
- 政府の支援と産業界の協力:米国、中国、日本など各国の政府は、SiCおよびGaN技術の商業化と開発に強力な支援を提供している。この支援は、研究助成金、税制優遇措置、イノベーションを加速するための民間企業との協力という形で行われている。Cree、Infineon、三菱電機などの大手半導体企業が次世代パワー・デバイスの開発に協力しているように、業界間のコラボレーションもこれらの技術の発展に大きく貢献している。
このような最近の進歩は、SiCおよびGaNパワーデバイス市場に革命をもたらし、これらの技術は現在、よりコスト効率が高く、拡張性があり、自動車、電気通信、再生可能エネルギーに至るまで、数多くのアプリケーションに統合されています。
SiC&GaNパワーデバイス市場における戦略的成長機会
SiC&GaNパワーデバイス市場は、主要なアプリケーションにおいて多くの戦略的成長機会を提供しています。複数の産業で高効率デバイスへの継続的な需要が増加しており、企業は以下の分野をターゲットにすることで、これらの機会を活用することができます:
- 電気自動車:電気自動車:電気自動車に向けた傾向の高まりは、SiCとGaNパワーデバイスに大きな成長の見通しをもたらしている。これらの材料はエネルギー効率が高く、熱管理にも優れているため、電気パワートレイン、インバーター、充電システムに適している。世界のEV市場が成長するにつれて、SiCとGaNデバイスの需要は強まり、EVとパワーエレクトロニクスのメーカーにビジネスチャンスが広がるだろう。
- 再生可能エネルギー・システム:SiCおよびGaNデバイスは、再生可能エネルギー・システム、特にソーラー・インバータや風力タービンのパワー・エレクトロニクスにおいて重要な役割を果たしている。よりクリーンなエネルギー源に向けた世界の動きは、エネルギー効率を最適化する電力変換システムの需要に拍車をかけています。再生可能エネルギー企業は、SiCとGaNの技術をシステムに採用することで、性能の向上とコストの削減を図ることができる。
- 5Gネットワーク:5Gネットワークの展開は、GaNパワー・デバイスに大きな成長の見通しをもたらす。GaNの高い電力密度処理能力と高周波で動作する能力は、5Gインフラに完璧に適合する。より高速で信頼性の高い無線通信へのニーズの高まりは、電力増幅器や基地局へのGaNデバイスの採用をさらに増加させ、電気通信市場に大きな成長の見通しをもたらすだろう。
- コンシューマー・エレクトロニクス:SiCとGaNデバイスは、民生用電子機器、特に電源アダプタ、充電器、LED照明にも応用されている。民生用電子機器の電力効率が高まるにつれて、SiCおよびGaNパワー・デバイスの消費者への採用は増加傾向にある。小型化、高速充電、電力消費の激しい民生用電子機器は、このようなパワー・デバイス市場に大きなチャンスをもたらしている。
- 航空宇宙と防衛:SiCとGaNの技術は、高効率で過酷な条件にも対応できるため、航空宇宙と防衛の分野で応用が広がっている。これらのデバイスは、人工衛星の電源システム、レーダー・システム、その他のミッション・クリティカルなアプリケーションに応用されている。航空宇宙および防衛産業による高性能で信頼性の高い電子機器への需要は、SiCおよびGaNパワーデバイス・メーカーに確かな成長機会を提供している。
このような戦略的な成長見通しは、SiCおよびGaNパワーデバイスの広範な用途を強調するものであり、エネルギー効率の高い高性能電子機器に対する需要が拡大し続ける中、多くの主要産業でSiCおよびGaNパワーデバイスが成長することになる。
SiCおよびGaNパワーデバイス市場の推進要因と課題
GaNパワーデバイスとSiC市場は、さまざまな技術的、経済的、規制的要因の影響を受けている。また、市場の潜在的な成長に影響を与えるさまざまな課題もあります。
SiC&GaNパワーデバイス市場を牽引する要因には、以下のようなものがあります:
1.技術の進歩:SiCとGaNの技術改良により、パワーデバイスの性能は飛躍的に向上した。SiCとGaNは、シリコンベースのパワーデバイスよりも電圧耐性が高く、スイッチング時間が速く、エネルギー効率が高い。SiCおよびGaNパワー・デバイスの需要は、自動車、電気通信、再生可能エネルギー分野など、さまざまな分野で増加している。
2.再生可能エネルギーへの移行; 世界的な再生可能エネルギーの推進は、SiCとGaNパワー・デバイスの大きな需要促進要因である。デバイスは、ソーラー・インバータ、風力タービン・パワーエレクトロニクス、エネルギー貯蔵システムの効率を高めるために不可欠である。各国政府がクリーンエネルギーと持続可能性を先導する中、SiCとGaNデバイスを燃料とする効果的な電力変換システムの需要が持続的に増加している。
3.電気自動車の普及:電気自動車の普及は、SiCおよびGaNパワーデバイス市場の強力な成長ドライバーである。電気自動車のパワートレインは、より高いエネルギー効率と熱管理の改善を実現するこれらのデバイスに大きく依存している。電動モビリティが自動車セクターの現在の焦点であることから、EVアプリケーションにおけるSiCおよびGaNパワーデバイスの需要は大幅に増加する。
4.政府の政策とインセンティブ:クリーンエネルギー、電気自動車、技術革新に対する政府の政策とインセンティブは、SiCおよびGaNパワーデバイス市場を牽引する大きな力である。特に持続可能性を重視し、二酸化炭素排出量を削減する地域では、これらの技術を開発・導入する企業に対する補助金、助成金、税額控除が市場の成長を後押ししている。
5.高効率エレクトロニクスへのニーズの高まり:企業がエネルギー効率と性能を重視し続けるにつれて、SiCやGaNなどのエネルギー効率の高いパワー・デバイスへの需要が高まっている。これらのデバイスは、電力密度とエネルギー効率の向上を実現する上で重要な役割を果たし、民生用電子機器、電気通信、産業用オートメーション市場の成長につながる。
SiC&GaNパワーデバイス市場の課題は以下の通り:
1.高い製造コスト:製造コストの高さ: 技術が進歩しても、SiC および GaN デバイスの製造コストは、従来のシリコン・ベース・デバイスと比較するとまだ高い。製造コストが高いため、一部のアプリケーション、特にコストに敏感な市場では、これらのパワー・デバイスの大量使用が制限されている。
2.材料の入手可能性とサプライチェーンの問題:良質の SiC および GaN 基板の希少性は、メーカーにとって問題となる可能性がある。サプライチェーンの混乱や材料不足は、生産を妨げるだけでなく、SiC および GaN パワー・デバイスの市場投入を延期する可能性がある。
3.シリコンベース・デバイスの競争:シリコン・ベースのパワー・デバイスは、そのコスト削減と成熟した製造プロセスにより、ほとんどの産業で依然として主要な技術となっている。SiC/GaNと従来のシリコンベース技術との間の競争は、特にコストが重要な要素となるアプリケーションにおいて、市場にとっての挑戦であり続けている。
SiCおよびGaNパワーデバイス市場は、材料技術の進歩、政府の奨励策、エネルギー効率の高いソリューションに対する需要の高まりなど、いくつかの主要な技術的、経済的、規制的要因によって牽引されている。しかし、持続的な市場成長のためには、高い製造コスト、材料の入手可能性、シリコンベースのデバイスとの競争といった課題に対処する必要がある。市場の将来は、電気自動車、再生可能エネルギー、電気通信などの分野でのビジネスチャンスを生かしながら、これらの課題を克服できるかどうかにかかっている。
SiC&GaNパワーデバイス企業リスト
同市場の企業は、提供する製品の品質で競争している。この市場の主要企業は、製造施設の拡大、研究開発投資、インフラ整備、バリューチェーン全体にわたる統合機会の活用に注力しています。これらの戦略により、SiC & GaNパワーデバイス企業は需要の増加に対応し、競争力を確保し、革新的な製品と技術を開発し、製造コストを削減し、顧客基盤を拡大している。本レポートで紹介するSiC&GaNパワーデバイス企業は以下の通りです。
- インフィニオン
- ローム
- 三菱
- STMicro
- 富士
- 東芝
- マイクロチップ・テクノロジー
- ユナイテッド・シリコン・カーバイド
- ジーンシック
- 効率的な電力変換

SiC&GaNパワーデバイスのセグメント別市場
この調査レポートは、SiC & GaNパワーデバイスの世界市場をタイプ別、用途別、地域別に予測しています。
SiC&GaNパワーデバイスのタイプ別市場【2019年~2031年の金額
- GaN
- SiC

SiC&GaNパワーデバイス市場:用途別【2019年から2031年までの金額
- コンシューマーエレクトロニクス
- 自動車・輸送機器
- 産業用
- その他



SiC&GaNパワーデバイスの地域別市場【2019年から2031年までの金額
- 北米
- 欧州
- アジア太平洋
- その他の地域



SiC&GaNパワーデバイス市場の国別展望
SiCおよびGaNパワーデバイス市場は、電気自動車(EV)、再生可能エネルギー、電気通信、民生用電子機器などの業界全体で高性能・高効率デバイスへの需要が高まっているため、速いペースで発展している。SiCとGaNの両デバイスは、従来のシリコンベースのパワー・デバイスよりも高い耐電圧、スイッチング速度の向上、高いエネルギー効率といった優れた性能を発揮する。こうしたことが、特に米国、中国、ドイツ、インド、日本といった主要国において、世界的な市場成長を後押ししている。こうした国々では、技術革新、政府による奨励措置、産業界からの需要の高まりが、市場の成長を後押ししている。
- 米国:米国のSiCおよびGaNパワーデバイス市場は、電気自動車、再生可能エネルギー、5G技術の発展により急速に成長しています。クリー、ウルフスピード、インフィニオンは、SiC および GaN 技術のパイオニアとして、電気自動車、ソーラー・インバータ、産業用アプリケーション向けに高効率のパワーソリューションを提供しています。米国政府のグリーン・エネルギーとグリーン・テクノロジーへの関心も、SiCとGaNデバイスの成長に拍車をかけている。また、米国には、デバイスの効率、コスト、拡張性の最適化に取り組む大手半導体企業がある。
- 中国:中国がSiCおよびGaNパワーデバイス市場をリードしているのは、電気自動車、クリーンエネルギー、産業用アプリケーションに大規模に注力しているためである。炭素排出の抑制とクリーンエネルギー技術の奨励という中国政府の政策が、エネルギー効率の高いデバイスの必要性を刺激している。国内企業のSanan OptoelectronicsとLongi Green Energyは、GaNとSiC技術に多額の投資を行い、製造能力を開発し、生産能力を強化している。中国の高水準のデバイス採用は、EV市場の需要拡大と5Gインフラの重視によっても支えられている。
- ドイツ:ドイツは、SiCおよびGaNパワー・デバイス市場、特に自動車産業と再生可能エネルギー産業において重要なプレーヤーである。同国の自動車産業は、電気自動車に重点を移しており、高電圧での使用効率が高いことから、SiCおよびGaNパワーデバイスの需要を牽引している。また、ドイツは太陽光発電と風力発電の先進国であり、SiCとGaNデバイスが電力変換と送電網の安定性を高めている。インフィニオン・テクノロジーズを含むドイツ企業は、これらのデバイスの性能最適化に向けて大きな飛躍を遂げ、SiCとGaN技術の先駆者としてのドイツの地位をさらに確固たるものにしている。
- インドインドのSiCおよびGaNパワーデバイス市場は、同国がエネルギー・インフラのアップグレードと電気自動車の普及強化に努めていることから拡大している。インドは化石燃料への依存度を下げ、再生可能エネルギー資源への移行を重視しており、効率的なパワーデバイスの需要を促進している。国内企業もパワーエレクトロニクスに重点を置き、産業用アプリケーションにSiCやGaN技術を採用する動きを強めている。電動モビリティと再生可能エネルギーに向けたインド政府の取り組みは、パワーデバイス技術におけるこうした革新の恩恵を受ける国に仕上がっている。
- 日本:日本は、自動車、再生可能エネルギー、および産業用アプリケーションを含むアプリケーションで急速な成長を遂げ、GaN および SiC 技術の採用をリードしてきた。三菱電機やロームセミコンダクタなどの日本企業は、電気自動車、太陽光発電システム、高速鉄道向けのSiCおよびGaNパワー・デバイス開発の最前線にいる。日本政府によるグリーンエネルギーと電気モビリティ・プロジェクトの奨励は、より高効率の電力変換システムに対する需要を刺激している。日本の技術力は、恵まれた規制環境と相まって、SiCおよびGaNパワーデバイス市場の継続的な進歩に拍車をかけている。
世界のSiCおよびGaNパワーデバイス市場の特徴
市場規模の推定:SiCおよびGaNパワーデバイスの市場規模を金額($B)で推定。
動向と予測分析:各種セグメント・地域別の市場動向(2019年~2024年)と予測(2025年~2031年)。
セグメント別分析:SiC&GaNパワーデバイスの市場規模をタイプ別、用途別、地域別に金額($B)で推計。
地域別分析:SiC&GaNパワーデバイス市場の北米、欧州、アジア太平洋、その他の地域別内訳。
成長機会:SiC&GaNパワーデバイス市場のタイプ、アプリケーション、地域別の成長機会を分析。
戦略分析:SiC&GaNパワーデバイス市場のM&A、新製品開発、競争環境など。
ポーターのファイブフォースモデルに基づく業界の競争力分析。


本レポートは以下の11の主要な質問に回答しています:
Q.1.SiC&GaNパワーデバイス市場において、タイプ別(GaN、SiC)、アプリケーション別(民生用電子機器、自動車・輸送機器、産業用、その他)、地域別(北米、欧州、アジア太平洋地域、その他の地域)に、最も有望で高成長が期待できる機会は何か?
Q.2.今後成長が加速するセグメントとその理由は?
Q.3.今後成長が加速すると思われる地域とその理由は?
Q.4.市場ダイナミクスに影響を与える主な要因は何か?市場における主な課題とビジネスリスクは?
Q.5.この市場におけるビジネスリスクと競争上の脅威は?
Q.6.この市場における新たなトレンドとその理由は?
Q.7.市場における顧客の需要の変化にはどのようなものがありますか?
Q.8.市場の新しい動きにはどのようなものがありますか?これらの開発をリードしている企業はどこですか?
Q.9.市場の主要プレーヤーは?主要プレーヤーは事業成長のためにどのような戦略的取り組みを進めていますか?
Q.10.この市場における競合製品にはどのようなものがあり、材料や製品の代替によって市場シェアを失う脅威はどの程度ありますか?
Q.11.過去5年間にどのようなM&Aが行われ、業界にどのような影響を与えましたか?



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目次

目次

1.要旨

2.SiC&GaNパワーデバイスの世界市場:市場ダイナミクス
2.1:序論、背景、分類
2.2:サプライチェーン
2.3: 産業の推進要因と課題

3.2019年から2031年までの市場動向と予測分析
3.1.マクロ経済動向(2019年~2024年)と予測(2025年~2031年)
3.2.SiC&GaNパワーデバイスの世界市場動向(2019~2024年)と予測(2025~2031年)
3.3:SiC&GaNパワーデバイスの世界市場:タイプ別
3.3.1:GaN
3.3.2:SiC
3.4:SiCとGaNパワーデバイスの世界市場:用途別
3.4.1:民生用電子機器
3.4.2:自動車・輸送機器
3.4.3: 産業用
3.4.4:その他

4.2019年から2031年までの地域別市場動向と予測分析
4.1:SiC&GaNパワーデバイスの世界地域別市場
4.2:北米のSiC&GaNパワーデバイス市場
4.2.1:北米のタイプ別市場:GaNとSiC
4.2.2:北米市場:用途別民生用電子機器、自動車・輸送機器、産業用、その他
4.3:欧州SiC&GaNパワーデバイス市場
4.3.1:タイプ別欧州市場:GaNとSiC
4.3.2:欧州市場:アプリケーション別民生用電子機器、自動車・輸送機器、産業用、その他
4.4:APACのSiCとGaNパワーデバイス市場
4.4.1:APACのタイプ別市場:GaNとSiC
4.4.2:APACのアプリケーション別市場:民生用電子機器、自動車・輸送機器、産業用、その他
4.5: ROWのSiC&GaNパワーデバイス市場
4.5.1:ROWのタイプ別市場:GaNとSiC
4.5.2:ROWのアプリケーション別市場:民生用電子機器、自動車・輸送機器、産業用、その他

5.競合分析
5.1: 製品ポートフォリオ分析
5.2: オペレーション統合
5.3:ポーターのファイブフォース分析

6.成長機会と戦略分析
6.1:成長機会分析
6.1.1:SiC&GaNパワーデバイス世界市場のタイプ別成長機会
6.1.2:SiC&GaNパワーデバイス世界市場の成長機会:用途別
6.1.3: SiC&GaNパワーデバイスの世界市場における地域別の成長機会
6.2:SiC&GaNパワーデバイスの世界市場の新たな動向
6.3: 戦略的分析
6.3.1:新製品開発
6.3.2:SiC&GaNパワーデバイス世界市場の生産能力拡大
6.3.3:SiC&GaNパワーデバイスの世界市場における合併、買収、合弁事業
6.3.4:認証とライセンス

7.主要企業のプロフィール
7.1:インフィニオン
7.2:ローム
7.3: 三菱
7.4: STMicro
7.5: 富士
7.6: 東芝
7.7: マイクロチップ・テクノロジー
7.8: ユナイテッド・シリコン・カーバイド
7.9: ジーンシック
7.10: 効率的な電力変換

 

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Summary

SiC & GaN Power Device Market Trends and Forecast
The future of the global SiC & GaN power device market looks promising with opportunities in the consumer electronics, automotive & transportation, and industrial use markets. The global SiC & GaN power device market is expected to grow with a CAGR of 32.5% from 2025 to 2031. The major drivers for this market are the increasing adoption of electric vehicles, the rising demand for renewable energy systems, and the growing emphasis on energy-efficient electronics.

• Lucintel forecasts that, within the type category, gan is expected to witness higher growth over the forecast period.
• Within the application category, automotive & transportation is expected to witness the highest growth.
• In terms of region, APAC is expected to witness the highest growth over the forecast period.

Emerging Trends in the SiC & GaN Power Device Market
The SiC & GaN power device market is experiencing a number of important trends that are transforming the industry. Advancements in technology, green issues, and the need for energy-efficient solutions are shaping the evolution of the market. Through recognizing these emerging trends, it is easier to point out in which direction the market is moving and how businesses can take advantage of the changes for future development.
• Greater Adoption in Electric Vehicles: GaN and SiC devices are being adopted at a greater pace in electric vehicles because of their high-performance capabilities in high-voltage applications. These devices improve the efficiency of EV powertrains, making charging faster, the range more, and battery life longer. The shift to electric mobility is driving tremendous growth in the SiC and GaN market as manufacturers adopt these power devices in EV inverters, charging stations, and power management systems. As governments continue to promote EV adoption, demand for SiC and GaN devices will increase.
• Integration of Renewable Energy: Integration of SiC and GaN power devices in renewable energy systems is another major trend contributing to market growth. These devices are essential in optimizing the performance of solar inverters, wind turbine power electronics, and grid-connected energy systems. SiC and GaN have more efficiency, facilitating improved power conversion and grid stabilization. With nations striving to increase the capacity of renewable energy to achieve sustainability targets, the demand for these power devices is speeding up, making SiC and GaN important facilitators of the green energy revolution.
• 5G Infrastructure Development: The deployment of 5G networks is a key driver of demand for SiC and GaN power devices. These devices are essential for power amplification and signal processing in 5G base stations and wireless communication systems. SiC and GaN technology provide greater power density and efficiency, which is well suited to the high-frequency applications needed in 5G infrastructure. As 5G rollout gains momentum globally, SiC and GaN devices will have a central role to play in enabling the future wireless communication technology.
• Reduced Cost and Improved Scalability: The prices of SiC and GaN devices are continuously coming down as a result of the improvement in production methods and economies of scale. As manufacturing processes advance, these high-performance devices are made more competitively priced by manufacturers so that they are accessible for more widespread applications. This trend should spur adoption across a variety of industries, from automotive to consumer electronics and industrial automation. Increased scalability combined with lower costs will make the size of the total market and SiC and GaN power devices' adoption even larger.
• Hybrid and Electric Aircraft: One emerging trend in the GaN and SiC power device market is their application in hybrid and electric airplanes. The aerospace industry is considering hybrid-electric propulsion systems to improve fuel efficiency and emissions. GaN and SiC power devices are critical in such systems because of their high efficiency and capability to work at higher voltage ratings, which suits their application in airplane power management systems. The demand for more environmentally friendly aviation options is propelling the growth and use of SiC and GaN technologies in this new market.
All these are defining the future of the SiC and GaN power device market and introducing the possibilities of innovation and expansion in sectors like transportation, energy, telecommunications, and aerospace.

Recent Developments in the SiC & GaN Power Device Market
The SiC & GaN power device market has seen some recent developments that are pushing the use of these high-performance materials in different industries. These developments are aimed at technological advancements, cost savings, and increasing applications that propel the market growth.
• GaN-on-Si Technology Development: One of the most important developments in the SiC and GaN power device market is the development of GaN-on-Si technology. This innovation entails the growth of GaN on silicon substrates, which is much cheaper to produce and scalable. GaN-on-Si technology has the same superior performance as conventional GaN but at a lower cost, making it more viable for broad applications. This innovation can open up the applications of GaN devices to broader industries ranging from consumer electronics to the automobile industry.
• SiC Power Devices for Electric Vehicles: SiC power devices have experienced substantial growth in their use for electric vehicles. The devices are now being integrated into EV powertrains to enhance overall energy efficiency, lessen weight, and enhance driving range. With improved charging efficiency and thermal management, SiC-based power electronics are contributing to EV makers fulfilling customers' expectations of quick charging and longer driving ranges. The use of SiC in the EV market is one of the key growth drivers for the SiC and GaN power device market.
• Growth of GaN Technology in Telecommunications: GaN power devices are being used more and more in telecommunications, especially for 5G infrastructure. GaN power devices are utilized in power amplifiers for base stations, where their high power density handling capability and faster switching speed are critical. GaN's efficiency is high, and that is what makes it perfect for 5G base stations, where energy efficiency and thermal management are key. This growth is propelling the telecom industry to use GaN more, and the ongoing expansion of 5G networks will continue to drive demand.
• Use in Renewable Energy Systems: SiC and GaN devices are being incorporated into renewable energy systems to enhance the efficiency of power conversion in solar inverters, wind turbines, and energy storage systems. These devices improve the reliability and performance of renewable energy infrastructure, which is ever more important as nations work to achieve sustainability targets. The use of SiC and GaN devices in renewable energy is driving the world toward cleaner energy sources, making these devices central facilitators of a greener world.
• Government Support and Industry Collaborations: Governments in different nations, such as the United States, China, and Japan, are providing strong support for the commercialization and development of SiC and GaN technologies. This support is in the form of research grants, tax breaks, and collaborations with private enterprises to speed up innovation. Collaborations between industries are also contributing significantly to the development of these technologies, as leading semiconductor companies like Cree, Infineon, and Mitsubishi Electric collaborate to create next-generation power devices.
These recent advancements are revolutionizing the SiC and GaN power device market, and these technologies are now more cost-effective, scalable, and integrated into numerous applications across automotive, telecommunication, to renewable energy.
Strategic Growth Opportunities in the SiC & GaN Power Device Market
The SiC & GaN power device market offers a number of strategic growth opportunities in key applications. With ongoing demand for high-efficiency devices increasing across multiple industries, firms are well placed to take advantage of these opportunities by targeting the following areas:
• Electric Vehicles: The increasing trend towards electric vehicles offers a huge growth prospect for SiC and GaN power devices. These materials are more energy efficient and better at thermal management, and hence are suited for electric powertrains, inverters, and charging systems. As the world EV market grows, SiC and GaN device demand will intensify, opening up opportunities for manufacturers of EVs and power electronics.
• Renewable Energy Systems: SiC and GaN devices play a vital role in renewable energy systems, especially in solar inverters and wind turbine power electronics. The world's move towards cleaner energy sources is fueling the demand for power conversion systems that optimize energy efficiency. Renewable energy companies can gain from adopting SiC and GaN technologies in their systems to enhance performance and lower costs.
• 5G Networks: The deployment of 5G networks presents a huge growth prospect for GaN power devices. GaN's high power density handling capability and ability to work at high frequencies make it a perfect fit for 5G infrastructure. The rising need for higher speed, more reliable wireless communication will further increase the adoption of GaN devices in power amplifiers and base stations, which will offer tremendous growth prospects in the telecom market.
• Consumer Electronics: SiC and GaN devices also have applications in consumer electronics, especially in power adapters, chargers, and LED lighting. With consumer electronics becoming more power-efficient, consumer adoption of SiC and GaN power devices is on the rise. Shrinking, speed-charging, and power-consuming consumer electronics lead to a huge opportunity for such power devices in the market.
• Aerospace and Defense: SiC and GaN technologies are finding greater application in aerospace and defense because they are highly efficient and can handle extreme conditions. These devices find application in satellites' power systems, radar systems, and other mission-critical applications. Demand for high-performance, reliable electronics by the aerospace and defense industries offers a solid growth opportunity to SiC and GaN power device makers.
These strategic growth prospects underscore the wide-ranging uses of SiC and GaN power devices, which are set to grow in a number of major industries as the demand for energy-efficient, high-performance electronics continues to grow.
SiC & GaN Power Device Market Driver and Challenges
The GaN power device and SiC market are influenced by various technological, economic, and regulatory drivers. It also has various challenges that can affect the market's potential growth.
The factors responsible for driving the SiC & GaN power device market include:
1. Technological Advancements: Technological improvements in SiC and GaN have dramatically enhanced the performance of power devices. SiC and GaN are more voltage tolerant, have faster switching times, and are more energy efficient than silicon-based power devices. The demand for SiC and GaN power devices is increasing in various sectors, such as the automotive, telecommunication, and renewable energy sectors.
2. Transition to Renewable Energy; The worldwide push for renewable power is a huge demand driver for SiC and GaN power devices. Devices are critical for enhancing the solar inverter, wind turbine power electronics, and energy storage systems' efficiency. As governments lead the way for clean energy and sustainability, there is a persistent increase in the demand for effective power conversion systems fueled by SiC and GaN devices.
3. Electric Vehicle Adoption: The increasing adoption of electric vehicles is a strong growth driver for the SiC and GaN power device market. EV powertrains depend largely on these devices, which provide higher energy efficiency and improved thermal management. With electric mobility as the current focus of the automotive sector, the demand for SiC and GaN power devices in EV applications will rise substantially.
4. Government Policies and Incentives: Government policies and incentives for clean energy, electric vehicles, and technology innovation are the major forces driving the SiC and GaN power device market. Subsidies, grants, and tax credits for firms creating and implementing these technologies are fueling market growth, particularly in sustainability-driven and carbon emission-reducing regions.
5. Growing Need for High-Efficiency Electronics: As companies keep emphasizing energy efficiency and performance, the demand for energy-efficient power devices such as SiC and GaN is growing. These devices play a crucial role in realizing improved power density and energy efficiency, leading to the growth of consumer electronics, telecommunications, and industrial automation markets.
Challenges in the SiC & GaN power device market are:
1. High Manufacturing Costs: Even with technological progress, the manufacturing of SiC and GaN devices is still expensive relative to conventional silicon-based devices. High production costs restrict the mass use of these power devices in some applications, especially in cost-sensitive markets.
2. Material Availability and Supply Chain Issues: The rarity of good quality SiC and GaN substrates can be a problem for manufacturers. Disruptions to the supply chain as well as material shortage can prevent production as well as postpone making SiC and GaN power devices available in the marketplace.
3. Silicon-Based Device Competition: Silicon-based power devices are still the leading technology in most industries with their reduced cost and mature manufacturing processes. The battle between SiC/GaN and conventional silicon-based technology continues to be a challenge for the market, especially for applications where cost is a significant factor.
The SiC and GaN power device market is driven by several key technological, economic, and regulatory factors, including advancements in material technology, government incentives, and growing demand for energy-efficient solutions. However, challenges such as high manufacturing costs, material availability, and competition from silicon-based devices must be addressed for sustained market growth. The market's future depends on overcoming these challenges while capitalizing on opportunities in sectors like electric vehicles, renewable energy, and telecommunications.
List of SiC & GaN Power Device Companies
Companies in the market compete on the basis of product quality offered. Major players in this market focus on expanding their manufacturing facilities, R&D investments, infrastructural development, and leverage integration opportunities across the value chain. With these strategies SiC & GaN power device companies cater increasing demand, ensure competitive effectiveness, develop innovative products & technologies, reduce production costs, and expand their customer base. Some of the SiC & GaN power device companies profiled in this report include-
• Infineon
• Rohm
• Mitsubishi
• STMicro
• Fuji
• Toshiba
• Microchip Technology
• United Silicon Carbide
• GeneSic
• Efficient Power Conversion

SiC & GaN Power Device Market by Segment
The study includes a forecast for the global SiC & GaN power device market by type, application, and region.
SiC & GaN Power Device Market by Type [Value from 2019 to 2031]:
• GaN
• SiC

SiC & GaN Power Device Market by Application [Value from 2019 to 2031]:
• Consumer Electronics
• Automotive & Transportation
• Industrial Use
• Others



SiC & GaN Power Device Market by Region [Value from 2019 to 2031]:
• North America
• Europe
• Asia Pacific
• The Rest of the World



Country Wise Outlook for the SiC & GaN Power Device Market
The SiC & GaN power device market has been developing at a fast pace because of growing demand for high-performance, high-efficiency devices across industries like electric vehicles (EVs), renewable energy, telecommunications, and consumer electronics. Both SiC and GaN devices present better performance than conventional silicon-based power devices with higher voltage resilience, increased switching speeds, and higher energy efficiency. All this has pushed market growth globally, especially in core countries such as the United States, China, Germany, India, and Japan, where technology innovations, governmental incentives, and increasing industrial demands are propelling advancements.
• United States: The SiC and GaN power device market in the United States is rapidly growing, driven by developments in electric vehicles, renewable energy, and 5G technology. Cree, Wolf speed, and Infineon are pioneering SiC and GaN technology, offering highly efficient power solutions for electric vehicles, solar inverters, and industrial applications. The U.S. government's interest in green energy and green technologies has additionally spurred the growth of SiC and GaN devices. Also, the U.S. boasts large semiconductor firms engaged in optimizing the efficiency, cost, and scalability of the devices.
• China: China leads the SiC and GaN power device market because of its focus on electric vehicles, clean energy, and industrial applications on a large scale. The Chinese government policies of curbing carbon emissions and encouraging clean energy technologies are stimulating the need for energy-efficient devices. Sanan Optoelectronics and Longi Green Energy, domestic companies, are heavily investing in GaN and SiC technologies, developing manufacturing capabilities and enhancing production capacity. China's high level of adoption of the devices is also sustained by growing demand from the EV market and emphasis on 5G infrastructure.
• Germany: Germany is an important player in the SiC and GaN power device market, especially in the automotive and renewable energy industry. The automotive industry in the country, which is shifting focus toward electric cars, is a major driver for demand for SiC and GaN power devices because of their efficiency in high-voltage usage. Also, Germany is a forerunner in solar and wind power, with SiC and GaN devices enhancing power conversion and grid stability. German companies, including Infineon Technologies, are taking giant leaps towards optimizing the performance of these devices, further solidifying Germany's position as a forerunner in SiC and GaN technology.
• India: India's SiC and GaN power device market is expanding as the nation endeavors to upgrade its energy infrastructure and enhance the penetration of electric vehicles. India is placing emphasis on lowering its dependence on fossil fuels and moving toward renewable energy resources, driving the demand for efficient power devices. Domestic companies are also stepping up the drive to adopt SiC and GaN technology in industry applications, with a strong emphasis on power electronics. The efforts of the Indian government towards electric mobility and renewable energy have set the nation to benefit from these innovations in power device technology.
• Japan: Japan has led the way in adopting GaN and SiC technologies, with rapid growth in applications including automotive, renewable energy, and industrial applications. Japanese firms, such as Mitsubishi Electric and ROHM Semiconductor, are at the forefront of SiC and GaN power device development for electric vehicles, solar power systems, and high-speed trains. The Japanese government's encouragement of green energy and electric mobility projects is stimulating demand for higher efficiency power conversion systems. Japan's technological capabilities combined with a conducive regulatory environment are spurring ongoing advancements in the SiC and GaN power device market.
Features of the Global SiC & GaN Power Device Market
Market Size Estimates: SiC & GaN power device market size estimation in terms of value ($B).
Trend and Forecast Analysis: Market trends (2019 to 2024) and forecast (2025 to 2031) by various segments and regions.
Segmentation Analysis: SiC & GaN power device market size by type, application, and region in terms of value ($B).
Regional Analysis: SiC & GaN power device market breakdown by North America, Europe, Asia Pacific, and Rest of the World.
Growth Opportunities: Analysis of growth opportunities in different type, application, and regions for the SiC & GaN power device market.
Strategic Analysis: This includes M&A, new product development, and competitive landscape of the SiC & GaN power device market.
Analysis of competitive intensity of the industry based on Porter’s Five Forces model.


This report answers following 11 key questions:
Q.1. What are some of the most promising, high-growth opportunities for the SiC & GaN power device market by type (GaN and SiC), application (consumer electronics, automotive & transportation, industrial use, and others), and region (North America, Europe, Asia Pacific, and the Rest of the World)?
Q.2. Which segments will grow at a faster pace and why?
Q.3. Which region will grow at a faster pace and why?
Q.4. What are the key factors affecting market dynamics? What are the key challenges and business risks in this market?
Q.5. What are the business risks and competitive threats in this market?
Q.6. What are the emerging trends in this market and the reasons behind them?
Q.7. What are some of the changing demands of customers in the market?
Q.8. What are the new developments in the market? Which companies are leading these developments?
Q.9. Who are the major players in this market? What strategic initiatives are key players pursuing for business growth?
Q.10. What are some of the competing products in this market and how big of a threat do they pose for loss of market share by material or product substitution?
Q.11. What M&A activity has occurred in the last 5 years and what has its impact been on the industry?



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Table of Contents

Table of Contents

1. Executive Summary

2. Global SiC & GaN Power Device Market : Market Dynamics
2.1: Introduction, Background, and Classifications
2.2: Supply Chain
2.3: Industry Drivers and Challenges

3. Market Trends and Forecast Analysis from 2019 to 2031
3.1. Macroeconomic Trends (2019-2024) and Forecast (2025-2031)
3.2. Global SiC & GaN Power Device Market Trends (2019-2024) and Forecast (2025-2031)
3.3: Global SiC & GaN Power Device Market by Type
3.3.1: GaN
3.3.2: SiC
3.4: Global SiC & GaN Power Device Market by Application
3.4.1: Consumer Electronics
3.4.2: Automotive & Transportation
3.4.3: Industrial Use
3.4.4: Others

4. Market Trends and Forecast Analysis by Region from 2019 to 2031
4.1: Global SiC & GaN Power Device Market by Region
4.2: North American SiC & GaN Power Device Market
4.2.1: North American Market by Type: GaN and SiC
4.2.2: North American Market by Application: Consumer Electronics, Automotive & Transportation, Industrial Use, and Others
4.3: European SiC & GaN Power Device Market
4.3.1: European Market by Type: GaN and SiC
4.3.2: European Market by Application: Consumer Electronics, Automotive & Transportation, Industrial Use, and Others
4.4: APAC SiC & GaN Power Device Market
4.4.1: APAC Market by Type: GaN and SiC
4.4.2: APAC Market by Application: Consumer Electronics, Automotive & Transportation, Industrial Use, and Others
4.5: ROW SiC & GaN Power Device Market
4.5.1: ROW Market by Type: GaN and SiC
4.5.2: ROW Market by Application: Consumer Electronics, Automotive & Transportation, Industrial Use, and Others

5. Competitor Analysis
5.1: Product Portfolio Analysis
5.2: Operational Integration
5.3: Porter’s Five Forces Analysis

6. Growth Opportunities and Strategic Analysis
6.1: Growth Opportunity Analysis
6.1.1: Growth Opportunities for the Global SiC & GaN Power Device Market by Type
6.1.2: Growth Opportunities for the Global SiC & GaN Power Device Market by Application
6.1.3: Growth Opportunities for the Global SiC & GaN Power Device Market by Region
6.2: Emerging Trends in the Global SiC & GaN Power Device Market
6.3: Strategic Analysis
6.3.1: New Product Development
6.3.2: Capacity Expansion of the Global SiC & GaN Power Device Market
6.3.3: Mergers, Acquisitions, and Joint Ventures in the Global SiC & GaN Power Device Market
6.3.4: Certification and Licensing

7. Company Profiles of Leading Players
7.1: Infineon
7.2: Rohm
7.3: Mitsubishi
7.4: STMicro
7.5: Fuji
7.6: Toshiba
7.7: Microchip Technology
7.8: United Silicon Carbide
7.9: GeneSic
7.10: Efficient Power Conversion

 

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