露光装置市場動向と競争
半導体製造装置 市場調査レポート

本ページでは、半導体製造前工程の露光装置市場を対象とします。対象技術はEUVとDUV、具体的にはArF immersion、ArF dry、KrF、i-lineです。 調査目的は、露光装置市場の規模推移、競争構造、技術優位の源泉、需要・価格動向、地域差、および2025年以降の事業機会を可視化することにあります。

露光装置市場は、ASMLがEUVで実質独占し、DUV immersionでも主導権を持つ非対称な競争市場です。 一方、NikonとCanonは成熟ノード、パワー半導体、バックエンド露光、先端パッケージング、ナノインプリント領域で戦略的なポジションを維持しています。

露光装置市場では、単純な出荷台数よりも高付加価値ミックスの影響が大きくなっています。 ASMLは2023年から2024年にかけて販売台数が減少した一方、総売上高は増加しており、EUV比率やサービス比率の上昇がASPと収益性を押し上げたと見られます。 Canonはバックエンド露光でAI関連需要を取り込み、成熟市場での単純な価格競争ではなく、用途特化型の価値訴求を進めています。

地域別では、日本、米国、欧州、台湾、韓国、中国の六極で整理するのが実務的です。 先端EUVは台湾・韓国・米国に集中しやすく、成熟ノードDUVは中国と日本で裾野が厚い構造です。

• 日本 JASM・Rapidusなどの再投資、材料・装置生態系が厚い市場。Nikon／Canonの地盤であり、DUVと先端パッケージングが重要です。
• 米国 CHIPS支援を背景に先端ロジック回帰が進む市場。High-NA評価とEUV需要の増加が主要論点です。
• 欧州 需要地としては相対的に小さい一方、ASMLと光学サプライチェーンを抱える供給側の中枢です。
• 台湾 先端ファウンドリが集中し、EUV密度が最も高い市場です。最先端ノード投資の動向が露光需要を左右します。
• 韓国 DRAM・HBM投資が大きく、メモリ工程へのEUV適用拡大が中心テーマです。
• 中国 設備需要総額は大きい一方、EUV・先端DUVは輸出規制の制約を受けます。成熟ノードDUVと中古需要は底堅い市場です。