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半導体微細パターニング

~限界を超えるポスト光リソグラフィ技術~

 

出版社 出版年月冊子体価格ページ数
エヌ・ティー・エス
2017年4月¥40,000 (税込)416

サマリー

・ 光リソグラフィ技術を超えるポスト光リソグラフィ技術の開発動向を概観!
・ ポストムーアに向けた光リソグラフィ技術とその最新技術動向!



目次

序論  半導体微細パターニング技術とリソグラフィ

第I編  光リソグラフィ技術

第1章 露光装置
第2章 エキシマレーザ光源
第3章 超解像技術、位相シフト技術と変形照明技術
第4章 マスク技術とSMO技術
 
第II編  ポスト光リソグラフィ技術

第1章 次世代リソグラフィ技術動向
第2章 EUVリソグラフィ技術
第3章 ナノインプリント技術
第4章 電子線描画技術と装置開発
第5章 誘導自己組織化(DSA)技術

第III編  レジスト材料技術

第1章 レジスト材料の開発動向
第2章 化学増幅型レジスト材料技術

第IV編  マルチパターニング技術

第1章 マルチパターニングの技術動向
第2章 マルチパターンニングにおけるデポジション技術とエッチング技術

第V編  計測評価技術

第1章 CD-SEM技術
第2章 スキャトロメトリ(光波散乱計測)
第3章 走査型プローブ顕微鏡技術
第4章 X線小角散乱法を用いた寸法および形状計測技術

第VI編 その他応用技術

第1章 MEMS技術の微細パターニングへの応用
第2章 最近の超先端エッチング技術の概要―原子層レベル超低損傷高精度エッチング―

 ※ 2017年2月現在。変更の可能性があります


監修: 岡崎 信次(元 ギガフォトン株式会社 技術顧問)
執筆者 46名


 

 

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